KR950033661A - 얇은 위상전이 마스크 - Google Patents

얇은 위상전이 마스크 Download PDF

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크리보카픽 조란
에이. 스펜스 크리스토퍼
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레이 프리쯔
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Abstract

얇은 위상전이 마스크는 투명기판상에 형성되 대략 3내지 10%범위의 투과율을 제공하기 위한 두께를 가지는 제1층과 상기 제1층상에 형성되어 소정의 위상전이를 제공하기 위한 두께를 가지는 투명물질로 구성된 제2층으로 이루어진다. 180°의 위상전이와 I-선 파장(365nm)의 경우에 있어서, 크롬은 제1층으로 사용되며, 대략 25 내지 75nm범위내의 두께가 사용된다. 산화실리콘은 제2층으로 사용되고, 대략 400 내지 450nm범위내의 두께가 사용된다. 산화막이 건식식각되는 동안 , 등방성 습식식각은 더 나은 대기상을 제공한다.

Description

얇은 위상전이 마스크
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 위상전이 마스크의 일부를 도시한 단면도, 제4도는 제3도의 도면과 유사한, 본 발명의 다른 실시예를 도시한 도면.

Claims (20)

  1. 투명기판상에 형성된 대략 3내지 10%범위의 투과율을 제공하기 위한 두께를 가지는 제1층과 상기 제1층상에 형성되어 소정의 위상전이를 제공하기 위한 두께를 가지는 투명물질로 구서된 제2층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 얇은 위상전이 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1층은 금속과 산화금속으로 구성된 그룹에서 선택된 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 얇은 위상전이 마스크.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1층은 크롬, 몰리브덴, 폴리실리콘, 질화실리콘, 산화티나늄및 산화설렌으로 구성된 그룹에서 선택된 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 얇은 위상전이 마스크.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1층은 본질적으로 크롬으로 구성되며 365nm의 투사파장의 경우 대략 25내지 75nm범위내에 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 얇은 위상전이 마스크.
  5. 제1항에 있어서, 상기 소정의 위상전이는 180°인 것을 특징으로 하는 얇은 위상전이 마스크.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제2층은 산화막과 폴리머로 구성된 그룹에서 선택된 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 얇은 위상전이 마스크.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제2층은 본질적으로 산화실리콘으로 구성되며 365nm의 투사파장의 경우 대략 400내지 450nm범위내에 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 얇은 위상전이 마스크.
  8. 180°의 위상전이를 제공하는 얇은 위상전이 마스크는 (a)투명기판상에 형성된 제1층과, (b)상기 제1층상에 형성된 제1층으로 이루어지며, 상기 제1층은 본질적으로 크롬으로 구성되며, 대략 3내지 10%범위내에 투과율을 가지며 365nm의 투사파장의 경우 대략 25내지 75nm범위내에 두께를 가지고, 상기 제2층은 본질적으로 산화실리콘으로 구성되며, 365nm의 투사파장의 경우 대략 400내지 450nm범위내에 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 얇은 위상전이 마스크.
  9. 투명기판상에 형성된 대략 3내지 10%범위의 투과율을 제공하기 위한 두께를 가지는 제1층과 상기 제1층상에 형성되어 소정의 위상전이를 제공하기 위한 두께를 가지는 투명물질로 구성된 제2층으로 이루어진 얇은 위상전이 마스크를 제조하는 공정으로서, (a)상기 투명기판을 제공하는 단계, (b)상기 투명기판의 포면상에 상기 제1층을 형성하는 단계, (c)상기 제1층상에 상기 제2층을 형성하는 단계, (d)상기 제2층상에 마스킹층을 형성하는 단계, (e)상기 제2층의 부분을 노출시키기 위하여 상기 마스킹층을 패턴화하여 식각하는 단계, (f)제 1개구부를 형성하고 상기 제1층의 부분을 노출시키기 위하여 상기 제2층의 상기 노출된 부분을 통해 식각하는 단계, (g)상기 마스킹층을 제거하는 단계 및, (h)제2개구부를 형성하기 위하여 상기 제1층의 상기 노출된 부분을 통해 식각하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 얇은 위상전이 마스크 제조공정.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1층은 금속과 산화 금속으로 구성된 그룹에서 선택된 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 얇은 위상전이 마스크 제조공정.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제1층은 크롬, 몰리브덴, 폴리실리콘, 질화실리콘, 산화티타늄 및 산화설렌으로 구성된 그룹에서 선택된 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 얇은 위상전이 마스크 제조공정.
  12. 제9항에 있어서, 상기 제1층은 본질적으로 크롬으로 구성되며 365nm의 투사파장의 경우 대략 25내지 75nm범위내에 두께까지 증착되는 것을 특징으로 하는 얇은 위상전이 마스크 제조공정.
  13. 제9항에 있어서, 상기 소정의 위상전이는 180°인것을 특징으로 하는 얇은 위상전이 마스크 제조공정.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제2층은 산화막과 폴리머로 구성된 그룹에서 선택된 물질로 이루어지는것을 특징으로 하는 얇은 위상전이 마스크 제조공정.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제2층은 본질적으로 산화 실리콘으로 구성되며 365nm의 투사파장의 경우 대략 400내지 450nm범위내 에 두께를 가지는 것을 특징으로 하는얇은 위상전이 마스크 제조공정.
  16. 제15항에 있어서, 상기 산화막층은 상기 제1개구부를 한정하는 사실상 수직벽을 제공하기 위하여 건식식각 공정에 의해 식각되는 것을 특징으로 하는 얇은 위상전이 마스크제조공정.
  17. 제15항에 있어서, 상기 산화막층은 상기 제1개구부를 한정하는 사실상 포물선형태의 단면벽을 제공하기 위하여 등방성 습식식각 공정에 의해 식각되는 것을 특징으로 하는 얇은위상전이 마스크 제조공정.
  18. 180°의 위상전이를 제공하며, (a)투명기판상에 형성되고, 본질적으로 크롬으로 구성되며, 대략 3내지 10%범위내에 투과율을 가지며 365nm의 투사파장의 경우 대략 25내지 75nm범위내에 두께를 가지는 제1층과, (b)상기 제1층상에 형성된 제1층으로 이루어지고, 본질적으로 산화실리콘으로 구성되며 365nm의 투사파장의 경우 대략 400내지 450nm범위내에 두께를 가지는 상기 제2층으로 이루어지는 얇은 위상전이 마스크 제조하는 공정으로서, (a)상기 투명기판을 제공하는 단계,(b)상기 투명기판의 표면상에 상기 제1층을 형성하는 단계, (c)상기 제1층상에 상기 제2층을 형성하는단계,(d)상기 제2층상에 마스킹층을 형성하는 단계, (e)상기 제2층의 부분을 노출시키기 위하여 상기 마스킹층을 패턴화하여 식각하는 단계, (f)제1개구부를 형성하고 상기 제1층의 부분을 노출시키기 위하여 상기 제2층의 상기 노출된 부분을 통해 식각하는 단계, (g)상기 마스킹층을 제거하는 단계 및, (h)제2개구부를 형성하기 위하여 상기 제1층의 상기 노출된 부분을 통해 식각하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 얇은 위상전이 마스크 제조공정.
  19. 제18항에 있어서, 상기 산화실리콘층은 상기 제1개구부를 한정하는 사실상 수직벽을 제공하기 위하여 건식식각 공정에 의해 식각되는 것을 특징으로 하는 얇은 위상전이 마스크 제조공정.
  20. 제18항에 있어서, 상기 산화실리콘층은 상기 제1개구부를 한정하는 사실상 포물선형태의 단면벽을 제공하기 위하여 등방성 습식식각 공정에 식각되는 것을 특징으로 하는 얇은 위상전이 마스크 제조공정.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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