KR970012000A - 패턴 형성방법, 이에 사용되는 위상 반전 마스크 및 그 제조방법 - Google Patents
패턴 형성방법, 이에 사용되는 위상 반전 마스크 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
차광막 패턴이 형성된 하프톤 위상반전마스크와 이를 이용한 패턴 형성방법 및 상기 마스크의 제조방법에 관해 개시한다. 위상반전 마스크를 이용한 패턴 형성방법에 있어서, 상기 위상 반전 마스크의 제 1광투과부를 형성하는 하프톤막 패턴상에, 상기 제 1광투과부를 통과한 빛과 하프톤막 패턴을 통과한 빛이 보강 간섭하는 것을 방지하도록 제2광투과부를 형성하는 차광막 패턴을 형성하여 저렴함의 미세 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 상기 미세패턴을 형성하는데 사용되는 위상반전 마스크를 제공한다. 그리고 상기 위상반전마스크를 제조하는데 있어서, 가장 적합한 제조방법을 제공한다.
본 발명에 의한 위상반전 마스크는 반도테 노광공정시 사이드-로브 현상이 일어나지 않아 감광막에 손실이 없고 위상반전 기능을 그대로 수행하여 패턴형성이 용이다하. 그러므로 이를 이용하여 패턴을 형성하면 저결함의 미세패턴을 형성할 수 있고, 노광 및 후속공정에 한계 여유(margine)를 크게 하여 안정된 반도체 제조공정을 수행할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3도는 본 발명에 의한 위상반전 마스크의 평면도이다.
제 4A도 내지 제 4D도는 상기 제 3도에 도시한 위상반전 마스크를 이용한 패턴 형성방법을 설명하기 위하여 도시한 도면들이다.
제 5도 내지 제 9도는 본 발명의 제 1실시예를 위해 위상반전 마스크를 제조하는 방법을 순차적으로 도시한 단면도들이다.
Claims (13)
- 위상반전 마스크를 이용한 패턴 형성방법에 있어서, 상기 위상반전 마스크의 제 1광투과부가 형성된 하프톤막 패턴상에 , 상기 제 1광투과부를 통과한 빛과 하프톤 막 패턴을 통과한 빛이 보강 간섭하는 것을 방지하도록 제 2광투과부가 형성된 차광막 패턴이 형성된 위상반전마스크를 이용하여 저결함의 미세패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 2광투과부의 크기가 상기 제 1광투과부의 크기보다 큰 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법.
- 제 2항에 있어서, 상기 제 2광투과부는 제 1광부과부보다 중심으로부터 각 변까지의 거리가 0.2μm내지 2μm가 긴 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법.
- 광선을 이용하여 마스크 패턴을 전사시키는 위상반전 마스크에 있어서, 상기 기판상에 형성된 하프톤막 패턴 및 상기 하프톤막 패턴상에 형성된 차광막 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크.
- 제 4항에 있어서, 상기 차광막 패턴에 의해 형성된 제 2광투과부의 크기가 상기 하프톤막 패턴에 의해 형성된 제 1광투과부의 크기보다 큰 것을 특징으로 하느 위상반전마스크.
- 제 5항에 있어서, 상기 제 2광투과부는 제 1광투과부보다 중심으로부터 각 변까지의 거리가 0.2μm내지 2μm가 긴 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
- 제 4항에 있어서, 상기 하프톤막 패턴은 산화계 물질(CrO. CrON, CrOCN, MoSiO, MoSiON)및 텅스텐 실리사이드(W/Si)중에서 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 위상반전마스크.
- 제 4항에 있어서 상기 차광막 패턴은 크롬(Cr : chrominium), 몰리브덴(Mo : molybdenum), 및 알루미늄(Al : aluminum)중에서 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 위상반전마스크
- 제 4항에 있어서, 상기 차광막 패턴은 빛의 투과율이 5% 이하인 저투과율막으로 형성된 것을 특징으로 하는 위상반전마스크.
- 광선을 이용하여 마스크 패턴을 전사시키는 위상반전 마스크의 제조방법에 있어서, 마스크기판상에 형성된 하프톤막상에 차광막을 형성하는 단계; 상기 차광막상에 제1감광막을 형성하고 제1투광부를 노출시키는 제1감광막패턴을 형성하는 단계; 상기 제1감광막패턴을 제거하고 다시 제 2광막을 형성한 후 제 2광투과부를 노출시키는 제 2감광막패턴을 형성하는 단계; 상기 제2감광막패턴을 마스크로 이용하여 상기 차광막 제 1패턴을 식각하여 차광막 제 2패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제 2감광막패턴을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크의 제조방법.
- 광선을 이용하여 마스크 패턴을 전사시키는 위상반전마스크의 제조방법에 있어서, 마스크기판상에 형성된 하프톤막상에 제 1감광막을 형성하고 제 1광투과부를 노출시키는 제 1감광막패턴을 형성하는 단계; 상기 제 1감광막패턴을 마스크로 이용하여 상기하프톤막을 식각하여 하프톤막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제 1감광막패턴을 제거하고 다시 제 2감광막을 형성한 후 제 2광투과부를 노출시키는 제 1감광막 역패턴을 형성하는 단계; 상기 결과물상에 차광막을 형성하는 단계; 및 상기 제 2감광막 역패턴과 제 2감광막 역패턴상에 형성된 차광막을 동시에 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
- 광선을 이용하여 마스크 패턴을 전사시키는 위상반전 마스크의 제조방법에 있어서, 마스크 기판상에 형성된 하프톤막상에 차광막을 형성하는 단계; 상기 차광막상에 감광막을 형성하고 제 1광투과부를 노출시키는 개구부를 가지는 감광막패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막패턴을 마스크로 이용하여 상기 차광막과 하프톤막을 차례대로 식각하여 차광막 제 1패턴 및 하프톤막 패턴을 형성하는 제 1식각단계; 상기 차광막 제 1패턴만을 식각하여 차광막 제 2패턴을 형성하는 제 2식각단계; 및 상기 감광막패턴을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법
- 제 9항에 있어서, 상기 제 2식각은 식각액속에 상기 위상반전마스크를 전면 담그는 딥(dip)식각방법으로 수행함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.※ 참고 사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950026499A KR100189972B1 (ko) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | 위상반전 마스크의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950026499A KR100189972B1 (ko) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | 위상반전 마스크의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970012000A true KR970012000A (ko) | 1997-03-29 |
| KR100189972B1 KR100189972B1 (ko) | 1999-06-01 |
Family
ID=19424458
Family Applications (1)
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| KR1019950026499A KR100189972B1 (ko) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | 위상반전 마스크의 제조방법 |
Country Status (1)
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Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
| KR100913329B1 (ko) * | 2007-12-05 | 2009-08-20 | 주식회사 동부하이텍 | 비어 형성을 위한 마스크 패턴과 그 제조 방법 |
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1995
- 1995-08-24 KR KR1019950026499A patent/KR100189972B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR100189972B1 (ko) | 1999-06-01 |
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