KR970018142A - 반도체 소자 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상의 주변회로부 영역에 제1절연막을 형성하는 공정과; 열산화 공정으로 상기 제1절연막 및 노출된 반도체 기판에 제2절연막을 성장시키는 공정 및; 상기 제1절연막 및 제2절연막을 제거하는 공정을 구비하여 소자 제조를 완료하므로써, 기존 질화막을 마스크로 한 셀 리세스 공정시 요구되던 다단계 공정을 간력화할 수 있게 되어 공정단순화를 기할 수 있을 뿐 아니라, 이로 인해 셀 리세스 공정 적용시 반도체 제조공정이 복잡해지는 현상을 방지할 수 있게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2(가) 내지 제2(다)도는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조방법은 도시한 공정수순도.
Claims (2)
- 반도체 기판 상의 주변회로부 영역에 제1절연막을 형성하는 공정과; 열산화 공정으로 상기 제1절연막 및 노출된 반도체 기판에 제2절연막을 성장시키는 공정 및; 상기 제1절연막 및 제2절연막을 제거하는 공정을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 반도체 기판 상에 제1절연막을 증착하는 공정과; 제1절연막 상의 주변회로부 영역에 감광막 패턴을 형성하는 공정 및; 상기 감광막 패턴을 마스크로 제1절연막을 습식식각하는 공정을 더 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950030139A KR970018142A (ko) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 반도체 소자 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950030139A KR970018142A (ko) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 반도체 소자 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018142A true KR970018142A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66615665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950030139A KR970018142A (ko) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 반도체 소자 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018142A (ko) |
-
1995
- 1995-09-14 KR KR1019950030139A patent/KR970018142A/ko not_active Application Discontinuation
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