KR970024005A - 반도체 소자의 미세콘택홀 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 미세콘택홀 형성방법 Download PDF

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복철규
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 종래의 노광기술인 DESIRE 공정에서 감광막의 노광영역과 Si 가 접합되는 실리레이션 영역의 스웰링 특성을 콘택홀 형성에 적용하여 미세 콘택홀을 형성할 수 있게 함으로써, 초고집적 소자의 개발을 가능하게 하고 고해상 노광장치의 새로운 장비를 이용하지 않고도 미세한 크기의 콘택홀을 형성할 수 있는 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 미세콘택홀 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3A 도 내지 제 3E 도는 본 발명의 기술에 따른 미세 콘택홀의 제조 공정도.

Claims (8)

  1. 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성방법에 있어서 반도체 기판 상부에 감광막을 도포하는 단계와, 일정온도에서 소프트 베이크를 실시하는 단계와, 제 1 콘택 마스크를 사용하여 상기 감광막의 콘택홀로 예정된 부위를 1차 노광하는 하는 단계와, 일정온도에서 베이크를 실시하는 단계와, 상기 노광된 영역의 감광막을 현상하여 콘택홀 패턴을 형성하는 단계와, 상기 패터닝된 콘택홀의 상부에 제 2 콘택 콘택 마스크를 위치시키는 단계와, 상기 제 2 콘택 마스크로 상기 콘택홀의 측면을 노광시키는 단계와, 일정온도에서 베이크하여 열처리하는 단계와, 상기 노광된 영역에 가스상태의 실리레이션 물질을 반응시켜 Si과 같은 결합구조를 갖는 층을 형성시키는 단계와, 상기 노광영역과 가스상태의 실리레이션 물질이 반응하여 일정크기로 부풀어 오른 스웰링된 부분을 콘택홀 마스크로 사용하여 노출된 하부 반도체 기판을 식각하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택홀 형 성방법.
  2. 제 1 항에 있어서 상기 제 1 차 노광후 감광막을 소프트 베이크하는 온도는 상기 2 차 노광후 실리레이션 공정전의 열처리온도보다 낮도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서 상기 제 1 차 노광후 감광막을 소프트 베이크하는 온도는 PAC와 레진이 크로스링킹이 일어나지 않는 50∼200℃범위인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성방법.
  4. 제 1 항에 있어서 상기 제 1 차 노광후 감광막을 PSB 하는 단계를 생략하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성방법.
  5. 제 1 항에 있어서 상기 제 2 차 노광단계에서 제 2 의 콘택 마스크를 사용하거나 또는 전면노광으로 노광하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성방법.
  6. 제 5 항에 있어서 상기 제 2 마스크를 사용하여 감광막을 2차 노광하는 경우, 노광 후 일정온도에서 베이크하여 열처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성방법.
  7. 제 6 항에 있어서 상기 열처리 온도는 80℃∼250℃ 범위에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성방법.
  8. 제 1 항에 있어서 상기 가스상태의 실리레이션 에이젼트(Gas Phase Silylation Agent)는 HMDS, TMDS, TMSDMA, DMADMA, TMSDEA와 같은 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950034289A 1995-10-06 1995-10-06 반도체소자의미세콘택홀형성방법 KR100369866B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100268912B1 (en) * 1997-11-06 2000-12-01 Hyundai Micro Electronics Co Method for etching of semiconductor device

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