KR950021028A - 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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KR950021028A
KR950021028A KR1019930027233A KR930027233A KR950021028A KR 950021028 A KR950021028 A KR 950021028A KR 1019930027233 A KR1019930027233 A KR 1019930027233A KR 930027233 A KR930027233 A KR 930027233A KR 950021028 A KR950021028 A KR 950021028A
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원태경
김형수
문승찬
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

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Abstract

본 발명은 반도체소자 제조방법에 관한 것으로, 소정의 기판상에 감광막을 형성한 후, 패턴을 형성하기 위한 노광 영역을 형성하고, 비교적 분자량이 큰 실리콘 소스를 사용하여 일차 실리레이션 공정을 진행하여 노광 영역상에 얕은 실리레이션층을 형성하고 비노광 영역의 표면에는 실리콘 분자를 결합시킨다. 그 다음 상기 감광막을 비교적 분자량이 작은 실리콘 소스를 사용하여 이차 실리레이션 공정을 진행하여 사이 노광영역을 완전히 실리레이션시켜 실리레이션층을 형성한 후, 산호 플라즈마로 비노광 영역을 제거하여 감광막 패턴을 형성하였으므로, 노광 영역과 비노광 영역간의 콘트라스트가 증가되어 미세패턴 형성이 유리하다.

Description

반도체 장치의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(A)∼(D)는 본 발명에 따른 반도체 장치의 제조 공정도.

Claims (3)

  1. 실리레이션 공정으로 감광막 패턴을 형성하는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 소정의 기판상에 감광막을 형성하는 공정과, 상기 감광막의 패턴으로 예정된 부분을 선택적으로 노광하는 공정과, 상기 감광막을 일정분자량 이상의 고분자량을 갖는 실리콘 소스를 사용하여 일차 실리레이션하는 공정과, 상기 감광막을 일차 실리레이션에서 사용된 실리콘 소스 보다 확산이 용이한 저분자량의 실리콘 소스를 사용하여 이차 실리레이션하여 노광영역에 실리레이션층을 형성하는 공정과, 상기 감광막의 비노광 영역을 제거하여 감광막 패턴을 형성하는 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 일차 실리레이션 공정에서 고분자량 실리콘 소스로 TMSDEA, HMDS, B[DMA]DS 및 HMCTS로 이루어지는 군에서 이의로 선택되는 하나를 사용하는 것을 특징으로하는 반도체 장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 이차 실리레이션 공정에서 저분자량 실리콘 소스로 DMSDMA 또는 TMDS을 사용하는 것을 특징으로하는 반도체 장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR93027233A 1993-12-10 1993-12-10 Manufacturing method of semiconductor device KR970004478B1 (en)

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