KR970052963A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents
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- H01L21/0274—Photolithographic processes
Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 (가) 반도체 기판상에 게이트 산화막, 폴리실리콘층, 및 제1감광막을 순차적으로 형성하는 단계; (나) 상기 폴리실리콘층의 식각될 부분에 수직으로 일치하는 상기 제1감광막의 부분에 존재하지만 폴리실리콘층의 식각될 부분의 폭보다는 작은 폭을 갖는 상기 제1감광막의 소정 부분을 노광 및 베이크시켜서 경화시키는 단계; (다) 상기 제1감광막상에 제2감광막을 도포한 후, 상기 제1감광막의 경화된 부분이 함께 제거되도록 노광 및 현상하여 제1 및 제2감광막의 사이에서 단차가 형성되어 있는 소정의 감광막 패턴을 형성하는 단계; 및 (라) 상기 감광막 패턴의 형태로 식각을 실시하여 폴리실리콘 라인은 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 (가) 내지 (마)는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면.
Claims (3)
- 반도체 소자의 제조방법에 있어서, (가) 반도체 기판상에 게이트 산화막, 폴리실리콘층, 및 제1감광막을 순차적으로 형성하는 단계; (나) 상기 폴리실리콘층의 식각될 부분에 수직으로 일치하는 상기 제1감광막의 부분에 존재하지 만 폴리실리콘층의 식각될 부분의 폭보다는 작은 폭을 갖는 상기 제1감광막의 소정 부분을 노광 및 베이크시켜서 경화시키는 단계; (다) 상기 제1감광막상에 제2감광막을 도포한 후, 상기 제1감광막의 경화된 부분이 함께 제거되도록 노광 및 현상하여 제1 및 제2감광막의 사이에서 단차가 형성되어 있는 소정의 감광막 패턴을 형성하는 단계; 및 (라) 상기 감광막 패턴의 형태로 식각을 실시하여 폴리실리콘 라인은 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 제1감광막의 두께는 200 내지 300Å인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기의 단계(나)에서의 베이크는 150℃이상의 온도에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR1019950069572A KR100333370B1 (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 반도체 소자의 제조 방법 |
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KR1019950069572A KR100333370B1 (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 반도체 소자의 제조 방법 |
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KR970052963A true KR970052963A (ko) | 1997-07-29 |
KR100333370B1 KR100333370B1 (ko) | 2002-11-04 |
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KR (1) | KR100333370B1 (ko) |
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- 1995-12-30 KR KR1019950069572A patent/KR100333370B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR100333370B1 (ko) | 2002-11-04 |
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