KR950015609A - 포토마스크 패턴 형성방법 - Google Patents
포토마스크 패턴 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조공정 중 포토마스크 패턴 형성방법에 관한 것으로, 포토마스크 패턴 형성부위에 제1포토레지스트(2), 제1절연막(3)을 차례로 형성하고, 상기 제1절연막(3) 상부에 제2포토레지스트(4)를 도포 및 선택식각하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 전체구조 상부에 제2절연막(5)을 형성하는 단계; 상기 제2절연막(5), 제2포토레지스트(4)를 선택 식각하여 상기 제2포토레지스트(4) 및 제1절연막(3) 측벽에 제2절연막 스페이서(5')를 형성하는 단계; 및 상기 제1포토레지스트(2)를 선택식각하여, 제2포토레지스트(4)를 전면식각하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐으로써 종래 노광기 해상력 한계를 넘어서는 패턴을 형성시킬 수 있어 노광기의 해상력을 향상시키고, 포토레지스트 패턴의 단차에 따른 네킹현상을 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 본 발명에 따른 포토마스크 패턴 형성 공정 단면도.
Claims (3)
- 반도체 소자의 제조공정 중 포토마스크 패턴 형성방법에 있어서, 포토마스크 패턴 형성부위에 제1포토레지스트(2), 제1절연막(3)을 차례로 형성하고, 상기 제1절연막(3) 상부에 제2포토레지스트(4)를 도포 및 선택식각하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 전체구조 상부에 제2절연막(5)을 형성하는 단계; 상기 제2절연막(5), 제2포토레지스트(4)를 선택식각하여 상기 제2포토레지스트(4) 및 제1질연막(3) 측벽에 제2절연막 스페이서(5')를 형성하는 단계; 및 제1포토레지스트(2)를 선택식각하고, 제2포토레지스트(4)를 전면식각하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1, 제2 절연막(3, 5)은 스핀-온-글래스(spin on glass, SOG)막인 것을 특징으로 하는 포토마스크 패턴 형성방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 절연막(3, 5)은 500 내지 1500Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크 패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930025368A KR950015609A (ko) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | 포토마스크 패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930025368A KR950015609A (ko) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | 포토마스크 패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950015609A true KR950015609A (ko) | 1995-06-17 |
Family
ID=66825529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930025368A KR950015609A (ko) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | 포토마스크 패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950015609A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100422038B1 (ko) * | 2001-09-10 | 2004-03-11 | 삼성전기주식회사 | 편향요크 |
| KR101139323B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2012-04-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 제조 용 쉐도우 마스크 제조 방법 |
-
1993
- 1993-11-26 KR KR1019930025368A patent/KR950015609A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100422038B1 (ko) * | 2001-09-10 | 2004-03-11 | 삼성전기주식회사 | 편향요크 |
| KR101139323B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2012-04-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 제조 용 쉐도우 마스크 제조 방법 |
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