KR960042914A - 평탄화 공정을 이용한 정렬 마크 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술 분야
반도체 소자 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
반도체 제조 공정에 있어서, 평탄화 공정에서 기존의 정렬 마크까지 평탄화되어 추후 공정에서 정렬의 기준점으로 사용할수 없다는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
다이 영역의 평탄화 공정 중 스크라이브 레인 영역에 정렬 마크 형성을 위한 포토레지스트 패턴을 형성하여 절연막으로된새로운 정렬 마크를 형성하므로써, 추후 포토마스크 공정에서 사용하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
정렬 마크의 형성에 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도A 내지 제2C도는 본 발명의 평탄화 공정을 이용한 정렬 마크 형성 방법에 따른 공정도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 제조시 평탄화 공정을 이용하여 정렬 마크를 형성하는 방법에 있어서, 반도체 기판에 하부층 패턴이 형성된 전체 구조 상부에 평탄화를 위한 제1절연막을 증착하고 포토레지스트를 도포하는 단계와, 스크라이브레인 영역에는 정렬 마크를 형성하기 위한 패턴이 형성되고, 반도체 소자가 형성되는 다이 영역은 포토레지스트로 덮히도록 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 평탄화 식각을 실시하여 스크라이르 레인 영역에는 정렬 마크를 형성하고 다이영역은 평탄화를 실시하는 단계 및, 잔류 포토레지스트를 제거하고 평탄화를 위한 제2절연막을 증착하는 단계를 포함해서이루어진 정렬 마크 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연막을 증착한 다음 평탄화를 위한 플로우 공정을 실시하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정렬 마크 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950011697A KR0146456B1 (ko) | 1995-05-12 | 1995-05-12 | 평탄화 공정을 이용한 정렬 마크 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019950011697A KR0146456B1 (ko) | 1995-05-12 | 1995-05-12 | 평탄화 공정을 이용한 정렬 마크 형성 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR960042914A true KR960042914A (ko) | 1996-12-21 |
| KR0146456B1 KR0146456B1 (ko) | 1998-11-02 |
Family
ID=19414289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950011697A KR0146456B1 (ko) | 1995-05-12 | 1995-05-12 | 평탄화 공정을 이용한 정렬 마크 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0146456B1 (ko) |
-
1995
- 1995-05-12 KR KR1019950011697A patent/KR0146456B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0146456B1 (ko) | 1998-11-02 |
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