KR960005813A - 반도체소자의 제조방법 - Google Patents

반도체소자의 제조방법 Download PDF

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KR960005813A
KR960005813A KR1019940016965A KR19940016965A KR960005813A KR 960005813 A KR960005813 A KR 960005813A KR 1019940016965 A KR1019940016965 A KR 1019940016965A KR 19940016965 A KR19940016965 A KR 19940016965A KR 960005813 A KR960005813 A KR 960005813A
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KR
South Korea
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semiconductor device
film
photoresist film
manufacturing
exposure mask
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KR1019940016965A
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English (en)
Inventor
조찬섭
길명군
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로, 반도체소자가 고집적화됨에 따라 발생하는 단차로 인한 문제점을 해결하기 위하여, 종래보다 두껍게 절연막을 증착하고 별도의 노광마스크를 이용하여 단차가 낮은 부분에만 감광막을 도포한 다음, 상기 감광막을 이용하여 식각공정을 실시하고 상기 감광막을 제거한 다음에 후속공정을 실시함으로써 반도체소자의 신뢰성 및 생산성을 향상시키고 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.

Description

반도체소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제4도는 본 발명의 실시예에 의한 반도체소자의 제조공정을 도시한 상세도이다.

Claims (3)

  1. 반도체소자의 제조방법에 있어서, 반도체기판 상부에 하부층을 형성하고 그 상부에 절연막을 증착하는 공정과, 별도의 노광마스크를 이용하여 단차가 낮은 부분에만 감광막을 도포하는 공정과, 상기 감광막을 마스크로 하여 상기 절연막의 일정두께를 식각하고 상기 감광막을 제거하는 공정을 포함하는 반도체소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연막은 종래보다 두껍게 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 별도의 노광마스크는 단차가 낮은 부위에만 감광막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940016965A 1994-07-14 1994-07-14 반도체소자의 제조방법 KR960005813A (ko)

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