KR960026231A - 텅스텐 플러그 제조방법 - Google Patents
텅스텐 플러그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 텅스텐 플러그 제조방법에 관한 것으로, 콘택홀에 텅스텐막을 채운 텅스텐플러그를 형성할때 과도 식각에 의해 텅스텐 플러그가 손상되는 것을 방지하기 위하여 내가티브 감광막 패턴을 상기 콘택홀에 오버랩되도록 형성한 후, 텅스텐막을 식각하여 1차 패턴하고 감광막패턴을 제거하고 남아았는 텅스텐막 패턴을 2차로 식각하여 텅스텐 플러그를 제조하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도 내지 제5도는 발명에 의해 텅스텐 플러그를 형성하는 단계를 도시한 단면도.
Claims (3)
- 텅스텐 플러그 제조 방법에 있어서, 반도체기판 상부에 절연층을 형성하고, 절연층의 일정부분을 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계와, 전체적으로 글루층을 얇은 두께로 형성하고, 그 상부에 텅스텐막을 증착하는 단계와, 텅스텐막 상부에 네가티브 감광막을 도포하고, 상기 콘택홀 마스크를 이용한 광 및 현상공정으로 콘택홀에 오버랩되는 네가티브 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 노출된 텅스텐막을 충분히 식각하여 텅스텐 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광패턴을 제거한 다음, 상기 텅스텐막 패턴의 일정두께를 식각하여 콘택홀에 텅스텐막이 매립된 텅스텐 플러그를 형성하는 단계와, 노출된 글루층을 식각하는 단계를 포함한 텅스텐 플러그 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 텅스텐패턴을 형성할때 절연막의 단차가 낮은 지역에도 텅스텐막의 잔여물이 남지 않도록 오버식각을 하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 플러그 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연층은 하부 패턴에 의해 단차를 갖는 것을 특징으로 하는 텅스텐 플러그 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039232A KR960026231A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 텅스텐 플러그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039232A KR960026231A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 텅스텐 플러그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026231A true KR960026231A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66647746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940039232A KR960026231A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 텅스텐 플러그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026231A (ko) |
-
1994
- 1994-12-30 KR KR1019940039232A patent/KR960026231A/ko not_active Application Discontinuation
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