JPS5918858B2 - ホトレジスト被膜の埋込方法 - Google Patents
ホトレジスト被膜の埋込方法Info
- Publication number
- JPS5918858B2 JPS5918858B2 JP11309576A JP11309576A JPS5918858B2 JP S5918858 B2 JPS5918858 B2 JP S5918858B2 JP 11309576 A JP11309576 A JP 11309576A JP 11309576 A JP11309576 A JP 11309576A JP S5918858 B2 JPS5918858 B2 JP S5918858B2
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- JP
- Japan
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- photoresist film
- photoresist
- embed
- recess
- substrate
- Prior art date
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- Expired
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はホトレジスト・パターンの形成方法に関し、特
に表面に凹凸を有する基板の凹部にホトレジスト被膜を
埋め込む方法に関するものである。
に表面に凹凸を有する基板の凹部にホトレジスト被膜を
埋め込む方法に関するものである。
表面に凹凸を有する基板の凹部にホトレジスト被膜を埋
め込み、該るホトレジスト被膜をマスクとして前記基板
の凸部を選択的にエッチングすることによつて前記基板
の表面を平坦化する技術は、例えば半導体集積回路の製
造に応用すると製造歩留を著しく向上することができ、
さらに高集積化にも大きく寄与する。本発明は該る技術
における前記凹部にホトレジスト被膜を埋め込む新規な
方法を提供するものである。一般にホトレジスト材料を
揮発性の有機系溶媒中に溶かしたホトレジスト溶液は適
度な粘度と表面張力をもつている。
め込み、該るホトレジスト被膜をマスクとして前記基板
の凸部を選択的にエッチングすることによつて前記基板
の表面を平坦化する技術は、例えば半導体集積回路の製
造に応用すると製造歩留を著しく向上することができ、
さらに高集積化にも大きく寄与する。本発明は該る技術
における前記凹部にホトレジスト被膜を埋め込む新規な
方法を提供するものである。一般にホトレジスト材料を
揮発性の有機系溶媒中に溶かしたホトレジスト溶液は適
度な粘度と表面張力をもつている。
またこの両者はホトレジスト材料の濃度によつて広範囲
に変えることかできる。このようなホトレジスト溶液を
表面に微細な凹凸を有する基板上に回転塗布すると、粘
度が低くかつ表面張力が小さい場合には主として重力の
作用によつて、その逆の場合には表面張力の作用によつ
て、基板の凹部では厚＜凸部では薄いホトレジスト被膜
が形成される。該るホトレジスに被膜を前記凸部上面が
露出するまで全面除去することによつて前記凹部にホト
レジスト被膜を埋め込むことができる。しかしながら、
この方法にはホトレジスト被膜を埋め込める凹凸の巾に
制限かあるという欠点がある。例えば、第１図Ａに示す
ように深さ０．５μｍで巾５μｍおよび２Ｏｔｔｍの凹
部２および３を有する基板「Ｌに、例えばシンナーで約
２倍に希釈したポジタイプ・レジストを回転塗布すると
、第１図Ｂに示すように凸部では約０．３μｍ）凹部２
では０．７〜０．８μｍのホトレジスト被膜４が形成さ
れるが、凹部３の中央部ではホトレジスト被膜４の厚さ
は凸部とほぼ等しい約０．３μｍとなつてしまう、その
結果、凸部上面が露出するまで前記ホトレジスト被膜３
を全面除去すると、第１図Ｃに示すように凹部２にはホ
トレジスト被膜３が埋め込まれ〇か、凹部３では底面の
中央部が露出してしまう。該る欠点は本発明の方法によ
つて完全に取り除くことができ、凹部の巾に制限される
ことなくホトレジスト被膜を埋め込むことが可能になつ
た。
に変えることかできる。このようなホトレジスト溶液を
表面に微細な凹凸を有する基板上に回転塗布すると、粘
度が低くかつ表面張力が小さい場合には主として重力の
作用によつて、その逆の場合には表面張力の作用によつ
て、基板の凹部では厚＜凸部では薄いホトレジスト被膜
が形成される。該るホトレジスに被膜を前記凸部上面が
露出するまで全面除去することによつて前記凹部にホト
レジスト被膜を埋め込むことができる。しかしながら、
この方法にはホトレジスト被膜を埋め込める凹凸の巾に
制限かあるという欠点がある。例えば、第１図Ａに示す
ように深さ０．５μｍで巾５μｍおよび２Ｏｔｔｍの凹
部２および３を有する基板「Ｌに、例えばシンナーで約
２倍に希釈したポジタイプ・レジストを回転塗布すると
、第１図Ｂに示すように凸部では約０．３μｍ）凹部２
では０．７〜０．８μｍのホトレジスト被膜４が形成さ
れるが、凹部３の中央部ではホトレジスト被膜４の厚さ
は凸部とほぼ等しい約０．３μｍとなつてしまう、その
結果、凸部上面が露出するまで前記ホトレジスト被膜３
を全面除去すると、第１図Ｃに示すように凹部２にはホ
トレジスト被膜３が埋め込まれ〇か、凹部３では底面の
中央部が露出してしまう。該る欠点は本発明の方法によ
つて完全に取り除くことができ、凹部の巾に制限される
ことなくホトレジスト被膜を埋め込むことが可能になつ
た。
以下に本発明の方法を実施例によつて詳細に説明する。
実施例 第２図Ａ−Ｃは本発明の方法を工程順に示す断面図であ
る。
実施例 第２図Ａ−Ｃは本発明の方法を工程順に示す断面図であ
る。
まず第１図Ａに示した基板１の凹部３に周知のホトレジ
スト法によつて厚さ約０．５μｍのボジタイプ・ホトレ
ジスト（たとえばＡｚＯｐｌａｔｅＳｈｉｐｌａｙ社製
のＡＺｌ３５ＯＪ）の被膜５のパターンを形成した第２
図ＢＯこのとき凹部３の周辺とホトレジスト被膜５のパ
ターンの周辺との間ＶＣ２μｍ程度の間隔をあけた。つ
ぎに上記ホトレジスト材料をシンナ一で２倍に希釈した
溶液を５０００ｒ！Ｔｎで回転塗布して凸部およびホト
レジスト被膜５の上Ｃは約０．３μｍ、凹部２卦よひ凹
部３のホトレジスト被膜５のパターンを形成しない部分
では０．３〜０．８μｍの厚さのホトレジスト被膜４を
形成した第２図ＢＯしかるのち、ホトレジスト被膜４を
プラズマ・エツチング装置を用いて全面エツチし、凸部
上面が露出したところでエツチングを停止した。このよ
うにして第２図Ｃに示すように凹部にはホｒレジスト被
膜４を、凹部３にはホトレジスト被膜４｝よび５を、０
．３〜０．５μｍの厚さで埋め込むことができた。以上
の説明から明らソ・なように、本発明の方法は、凹部の
巾に制限されることなくホトレジスト被膜を容易にかつ
確実に埋め込むことができ、半導体集積回路の平坦化な
どに利用してその実用的効果極めて人なるものである。
なお上記実施例においてはホトレジスト被膜４｝よび５
にボジタイプ・レジスト（ＡＺｌ３５ＯＪ）を用いたが
、他のポジタイプ・レジストやネガタイプ・レジストを
用いてもよく、さらにネガタイプ・レジストとポジタイ
プ・レジストを併用することもできる。
スト法によつて厚さ約０．５μｍのボジタイプ・ホトレ
ジスト（たとえばＡｚＯｐｌａｔｅＳｈｉｐｌａｙ社製
のＡＺｌ３５ＯＪ）の被膜５のパターンを形成した第２
図ＢＯこのとき凹部３の周辺とホトレジスト被膜５のパ
ターンの周辺との間ＶＣ２μｍ程度の間隔をあけた。つ
ぎに上記ホトレジスト材料をシンナ一で２倍に希釈した
溶液を５０００ｒ！Ｔｎで回転塗布して凸部およびホト
レジスト被膜５の上Ｃは約０．３μｍ、凹部２卦よひ凹
部３のホトレジスト被膜５のパターンを形成しない部分
では０．３〜０．８μｍの厚さのホトレジスト被膜４を
形成した第２図ＢＯしかるのち、ホトレジスト被膜４を
プラズマ・エツチング装置を用いて全面エツチし、凸部
上面が露出したところでエツチングを停止した。このよ
うにして第２図Ｃに示すように凹部にはホｒレジスト被
膜４を、凹部３にはホトレジスト被膜４｝よび５を、０
．３〜０．５μｍの厚さで埋め込むことができた。以上
の説明から明らソ・なように、本発明の方法は、凹部の
巾に制限されることなくホトレジスト被膜を容易にかつ
確実に埋め込むことができ、半導体集積回路の平坦化な
どに利用してその実用的効果極めて人なるものである。
なお上記実施例においてはホトレジスト被膜４｝よび５
にボジタイプ・レジスト（ＡＺｌ３５ＯＪ）を用いたが
、他のポジタイプ・レジストやネガタイプ・レジストを
用いてもよく、さらにネガタイプ・レジストとポジタイ
プ・レジストを併用することもできる。
さらにホトレジスト被膜４を形成するためのホトレジス
ト溶液の濃度や塗布条件、ホトレジスト被膜５の厚さや
形成領域などは、凹部の深さや巾に応じて適当に制御す
ればよく、前記ホトレジスト溶液の溶媒としては用いる
ホトレジスト材料に適応するものを用いればよい。
ト溶液の濃度や塗布条件、ホトレジスト被膜５の厚さや
形成領域などは、凹部の深さや巾に応じて適当に制御す
ればよく、前記ホトレジスト溶液の溶媒としては用いる
ホトレジスト材料に適応するものを用いればよい。
第１図は、表面に凹凸を有する基板の凹部にホトレジス
ト被膜を埋め込み従来の１方法を示す断面図、第２図は
、本発明の方法を示す断面図である。
ト被膜を埋め込み従来の１方法を示す断面図、第２図は
、本発明の方法を示す断面図である。
Claims (1)
- １ 凹部の側面と所望の間隔を有する第１のホトレジス
ト膜のパターンを上記凹部内に形成する工程と、第２の
ホトレジストを塗布して上記間隔部は厚く上記第１のホ
トレジスト膜のパターン上では薄い第２のホトレジスト
膜を形成する工程と、上記第２のホトレジスト膜をエッ
チして上面を平担化する工程を含むことを特徴とするホ
トレジスト被膜の埋込方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11309576A JPS5918858B2 (ja) | 1976-09-22 | 1976-09-22 | ホトレジスト被膜の埋込方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11309576A JPS5918858B2 (ja) | 1976-09-22 | 1976-09-22 | ホトレジスト被膜の埋込方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5339074A JPS5339074A (en) | 1978-04-10 |
| JPS5918858B2 true JPS5918858B2 (ja) | 1984-05-01 |
Family
ID=14603341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11309576A Expired JPS5918858B2 (ja) | 1976-09-22 | 1976-09-22 | ホトレジスト被膜の埋込方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5918858B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0055521B1 (en) * | 1980-11-29 | 1985-05-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of filling a groove in a semiconductor substrate |
| JPS5854635A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-03-31 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5893327A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Toshiba Corp | 微細加工法 |
| JPS58210634A (ja) * | 1982-05-31 | 1983-12-07 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6114723A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-22 | Fujitsu Ltd | 半導体メサ・エツチング方法 |
-
1976
- 1976-09-22 JP JP11309576A patent/JPS5918858B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5339074A (en) | 1978-04-10 |
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