JPS606089B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS606089B2 JPS606089B2 JP8903576A JP8903576A JPS606089B2 JP S606089 B2 JPS606089 B2 JP S606089B2 JP 8903576 A JP8903576 A JP 8903576A JP 8903576 A JP8903576 A JP 8903576A JP S606089 B2 JPS606089 B2 JP S606089B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- insulating film
- etching
- semiconductor substrate
- tongue
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置にメサ型を形成時に生じる絶縁膜の
舌片を除去する半導体装置の製造方法に関する。
舌片を除去する半導体装置の製造方法に関する。
従来、半導体基板上に絶縁膜の形成した半導体装置をメ
サェツチングする場合、絶縁膜非形成半導体基板の深さ
方向と共に横方向にもエッチングが進行した。
サェツチングする場合、絶縁膜非形成半導体基板の深さ
方向と共に横方向にもエッチングが進行した。
第１図にメサェッチング後の半導体装置１を示す。この
半導体装置には半導体基板２のメサェッチングにより絶
縁膜３の舌片４が残る。この舌片４を除去する為従来い
ろいろな方法が行なわれている。例えば、舌片を形成し
た半導体装置に超音波洗浄器等を使って振動を与え、こ
の振動によって機械的に舌片を除去できる。
半導体装置には半導体基板２のメサェッチングにより絶
縁膜３の舌片４が残る。この舌片４を除去する為従来い
ろいろな方法が行なわれている。例えば、舌片を形成し
た半導体装置に超音波洗浄器等を使って振動を与え、こ
の振動によって機械的に舌片を除去できる。
この方法では、半導体装置に振動を与えるため、半導体
基板にクラックやカケ等を発生し易く、素子の特性を損
う恐れがある。第２の方法としては、この半導体装置の
絶縁膜をエッチングすると、舌片は両面からエッチング
される。舌片以外の絶縁膜は片面のみがエッチングされ
る為半導体装置から舌片を除去できる。この方法では、
舌片以外の残す必要のある絶縁膜をエッチングする。こ
の為絶縁物の膜厚が薄くなりすぎ、ピンホールが発生し
、半導体装置に悪い影響を与える。第３の方法として、
ＰＥＰ工程にて半導体装置の舌片を取除く、然しこの工
程ではマスク合せが必要となり工程が複雑化する。本発
明は従来の欠点を除去し、半導体装置に形成される絶縁
膜の舌片を簡単に取除くことを目的としている。以下に
一実施例を図面に示し、本発明を説明する。
基板にクラックやカケ等を発生し易く、素子の特性を損
う恐れがある。第２の方法としては、この半導体装置の
絶縁膜をエッチングすると、舌片は両面からエッチング
される。舌片以外の絶縁膜は片面のみがエッチングされ
る為半導体装置から舌片を除去できる。この方法では、
舌片以外の残す必要のある絶縁膜をエッチングする。こ
の為絶縁物の膜厚が薄くなりすぎ、ピンホールが発生し
、半導体装置に悪い影響を与える。第３の方法として、
ＰＥＰ工程にて半導体装置の舌片を取除く、然しこの工
程ではマスク合せが必要となり工程が複雑化する。本発
明は従来の欠点を除去し、半導体装置に形成される絶縁
膜の舌片を簡単に取除くことを目的としている。以下に
一実施例を図面に示し、本発明を説明する。
半導体装置１１は、半導体基板１２に拡散などにより、
接合を形成する。この半導体基板１２に絶縁膜１３を形
成し、ＰＥＰにより不必要な絶縁膜を除去する。次に分
割の為や、接合のべベルエッチの為半導体基板１２をエ
ッチングする。このエッチングは半導体基板１２の深さ
方向と共に絶縁膜下の横方向にエッチングする。このエ
ッチングの為絶縁膜１３の舌片１４が形成される。舌片
１４が形成された絶縁膜１２の表面にフオトレジスト１
５をローラー等で塗布する。これを第２図に示す。全面
露光し、被露光部分のフオトレジストを現像する。
接合を形成する。この半導体基板１２に絶縁膜１３を形
成し、ＰＥＰにより不必要な絶縁膜を除去する。次に分
割の為や、接合のべベルエッチの為半導体基板１２をエ
ッチングする。このエッチングは半導体基板１２の深さ
方向と共に絶縁膜下の横方向にエッチングする。このエ
ッチングの為絶縁膜１３の舌片１４が形成される。舌片
１４が形成された絶縁膜１２の表面にフオトレジスト１
５をローラー等で塗布する。これを第２図に示す。全面
露光し、被露光部分のフオトレジストを現像する。
フツ化アンモン（ＮＨ４Ｆ）などのエッチング液に半導
体装置１１を浸けると、舌片１４のフオトレジスト被塗
布面がエッチングされ、舌片１４が取除かれる。これを
第３図に示す。第３図に示す半導体装置１１からフオト
レジストを剥離すると舌片のない半導体装置が得られる
。
体装置１１を浸けると、舌片１４のフオトレジスト被塗
布面がエッチングされ、舌片１４が取除かれる。これを
第３図に示す。第３図に示す半導体装置１１からフオト
レジストを剥離すると舌片のない半導体装置が得られる
。
これを第４図に示す。本発明の方法では、フオトレジス
トの塗布、露光ともに容易に行なえ「繁雑なマスク合せ
の必要もない。
トの塗布、露光ともに容易に行なえ「繁雑なマスク合せ
の必要もない。
必要な絶縁膜をエッチングすることなく、舌片をエッチ
ングにより取除き、素子特性に悪影響を及ぼすことなく
半導体装置を製造することが出来る。
ングにより取除き、素子特性に悪影響を及ぼすことなく
半導体装置を製造することが出来る。
第１図は舌片が形成された半導体装置の断面図、第２図
及至第４図は本発明を説明するための半導体装置の断面
図である。 亀１………半導体装置、１２………半導体基板、１３…
……絶縁膜、１４………舌片〜 １５………フオトレジ
スト。 第１図 第２図 第３図 第４図
及至第４図は本発明を説明するための半導体装置の断面
図である。 亀１………半導体装置、１２………半導体基板、１３…
……絶縁膜、１４………舌片〜 １５………フオトレジ
スト。 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- １ 半導体基板に所定形状の絶縁膜を形成し、この半導
体基板にサイドエツチングを施した際にエツチング孔内
に突出して形成された前記絶縁膜を除去するに当り、前
記絶縁膜上にローラ法でフオトレジストを塗布し、前記
絶縁膜をその露出面からエツチングすることを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8903576A JPS606089B2 (ja) | 1976-07-28 | 1976-07-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8903576A JPS606089B2 (ja) | 1976-07-28 | 1976-07-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5315073A JPS5315073A (en) | 1978-02-10 |
| JPS606089B2 true JPS606089B2 (ja) | 1985-02-15 |
Family
ID=13959629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8903576A Expired JPS606089B2 (ja) | 1976-07-28 | 1976-07-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606089B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5673440A (en) * | 1979-11-21 | 1981-06-18 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1976
- 1976-07-28 JP JP8903576A patent/JPS606089B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5315073A (en) | 1978-02-10 |
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