KR0156101B1 - Psg 콘택트 마스크를 이용한 콘택트부위 식각방법 - Google Patents
Psg 콘택트 마스크를 이용한 콘택트부위 식각방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용없음
Description
제1도는 종래 PSG층이 형성된 바이폴라 디바이스의 콘택트층 감광제 도포후의 구성도.
제2도는 제1도의 A부분 확대도.
제3도는 종래 콘택트 부위 식각시 감광제의 제거후 구성도.
제4도는 종래 콘택트 부위를 식각하고 감광제 제거후의 구성도.
제5도는 본 발명의 콘택트 식각을 위해 1차로 PSG콘택트 마스크를 이용한 감광제 제거후의 구성도.
제6도는 본 발명의 PSG 콘택트 마스크를 이용한 PSG부위의 식각및 감광제 제거후의 구성도.
제7도는 본 발명의 PSG 부위 식각후 2차로 기존콘택트 마스크를 이용한 감광제 제거후의 구성도.
제8도는 본 발명의 기존 콘택트 마스크를 이용한 콘택트 부위 식각 및 감광제 제거후의 구성도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 매몰층 2 : 에피택셜층
3 : 베이스 4 : 에미터
5 : 콜렉터 6 : 피일드 옥사이드 영역
7 : PSG 영역 8 : 감광제
9 : 베이스 옥사이드 10 : 에미터 옥사이드
11 : PSG 콘택트 마스크
본발명은 PSG(Phosphorous Silicate Glase) 콘택트 마스크를 이용한 콘택트 부위 식각 방법에 관한 것으로 특히 PSG층을 가진 바이폴라 디바이스에서 콘택트 식각시 기존의 콘택트 마스크에서 PSG 식각용 디스크를 추가하여 식각공정을 2회 반복하므로써 최종 식각 완료후 콘택트 부위의 정확한 한정(Define) 및 측면부위로의 식각을 방지하여 콘택트의 에지(Edge) 부위의 경사를 개선시키고자 한 것이다.
종래에는 PSG 층이 형성된 바이폴라 디바이스에서 콘택트 부위 식각시 금속막과 N+또는 폴리실리콘과의 접촉을 위해 LTO층을 건식식각할 부분을 정의하는 마스킹 단계인 한개의 콘택트 마스크를 이용하여 제1도에 도시된 바와 같이 PSG영역(7)과 베이스 옥사이드(9) 및 에미터 옥사이드(10)를 동시에 식각하였다.
즉, 실리콘 기판에 메몰층(1)과 에피택셜층(2)을 형성한 후 트랜지스터의 베이스(3), 에미터(4), 콜렉터(5)를 형성한 웨이퍼 전면(全面)에 감광제(8)를 도포하였고 제3도에 도시된 바와 같이 콘택트 식각부위의 감광제를 선택적으로 제거한 후 7:1HF를 사용하여 PSG영역(7)과 피일드 옥사이드영역(6)중 베이스 옥사이드(9)를 식각하였으며 이후 감광제(8)를 제거하므로 제4도와 같이 PSG 영역(7)에 15°의 경사를 가진 콘택트 에지를 형성하였다.
그러나, 상기와 같은 종래 기술에 있어서는 콘택트 마스크 한개를 이용하여 PSG 영역(7), 베이스 옥사이드(9), 에미터 옥사이드(10)를 동시에 식각하므로 식각속도가 빠른 PSG 영역(7)에서 베이스 옥사이드(9)가 식각되는 도중에 측면 식각이 심하게 일어나 최종 콘택트 식각 완료후 콘택트 영역의 정확한 한정(Define)이 어려우며 콘택트 모서리 부위의 경사가 심해 금속층 증착후 제품에서 누설전류가 발생하기 쉬운 결점이 있었다.
본 발명은 이와 같은 종래의 결점을 감안하여 안출한 것으로 식각 공정을 2회 반복하여 콘택트 에지부위의 경사를 개선시킬 수 있도록 한 것인바, 이를 첨부된 도면 제5도 내지 제8도에 의하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저 본 발명은 제1도와 같이 매몰층(1)과 에피택셜층(2) 그리고 트랜지스터의 베이스(3), 에미터(4), 콜렉터(5)등이 형성된 웨이퍼 전면에 감광제(8)를 도포한 상태에서 제5도와 같이 기존 콘택트 마스크보다 측면으로 3μ넓은 PSG 콘택트 마스크(11)를 이용하여 1차로 감광제(8)를 선택적으로 제거한다.
다음에 제6도와 같이 7:1 HF(불소)를 이용하여 PSG영역(7)만 0.2분동안 식각하고 감광제(8)를 제거한다.
이후 연속적인 감광제 도포 공정시 발생가능한 감광제 접착불량을 막기위한 굽기 공정을 800℃에서 10분간 실시하고 제7도와 같이 기존 콘택트 마스크를 사용하여 콘택트 부위의 감광제(8)를 선택적으로 제거한다.
그리고 제8도와 같이 베이스 옥사이드(9)를 식각하고 마지막 공정으로 감광제(8)를 제거한다.
이와 같은 공정에 의해 제조되는 본발명은 콘택트 식각시 1차로 PSG제거용 콘택트 마스크를 사용하여 타 옥사이드보다 단위 시간당 빠른 PSG영역(7)을 45°각도로 우선 식각후 2차로 기존 콘택트 마스크를 사용하여 잔존 옥사이드를 식각하므로써 최종 식각 완료후 PSG영역(7)의 과대식각이 줄어들어 콘택트 영역의 정확한 모양이 나타나며 금속층 증착후 제품동작시 누설전류의 발생가능성이 감소되어 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Claims (1)
- 전면에 감광제(8)가 도포된 웨이퍼에 있어서, 기존 콘택트 마스크보다 측면으로 3μ 넓은 PSG 콘택트 마스크(11)을 이용하여 1차로 감광제(8)를 선택적으로 제거한 후 7:1 HF를 이용하여 PSG영역(7)만 0.2분동안 식각하고 감광제(8)를 제거하여 감광제 재 도포전 800℃에서 10분간 굽기공정을 실시한 후 2차로 기존콘택트 마스크를 사용하여 콘택트 부위의 감광제(8)를 선택적으로 제거한 다음 베이스 옥사이드(9)를 식각함을 특징으로하는 PSG 콘택트 마스크를 이용한 콘택트 부위 식각 방법.
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| KR910013468A (ko) | 1991-08-08 |
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