KR920020590A - 페이즈 시프트 마스크 제조방법 - Google Patents
페이즈 시프트 마스크 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR920020590A KR920020590A KR1019910005909A KR910005909A KR920020590A KR 920020590 A KR920020590 A KR 920020590A KR 1019910005909 A KR1019910005909 A KR 1019910005909A KR 910005909 A KR910005909 A KR 910005909A KR 920020590 A KR920020590 A KR 920020590A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- phase shift
- shift mask
- mask manufacturing
- chromium
- forming
- Prior art date
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 공정 단면도.
Claims (1)
- 석영기판(1)위에 크롬(2)을 형성하고 그위에 P/R(3)을 형성한 후 패터닝한 상태에서 잔존하는 P/R(3)을 사용하여 크롬(2)을 식각하는 공정과, 다시 P/R(4)을 사용하여 상변화를 일으키지 않을 곳의 P/R(4)을 제거하고 기판(1)을 식각한 후 P/R(4)을 제거하는 공정을 차례로 실시하여서 이루어짐을 특징으로 하는 페이즈 시프트 마스크 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910005909A KR920020590A (ko) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 페이즈 시프트 마스크 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910005909A KR920020590A (ko) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 페이즈 시프트 마스크 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR920020590A true KR920020590A (ko) | 1992-11-21 |
Family
ID=67400455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019910005909A KR920020590A (ko) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 페이즈 시프트 마스크 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR920020590A (ko) |
-
1991
- 1991-04-12 KR KR1019910005909A patent/KR920020590A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR920018850A (ko) | 메탈플러그의 형성방법 | |
KR950021058A (ko) | 위상반전마스크 제조방법 | |
KR920020590A (ko) | 페이즈 시프트 마스크 제조방법 | |
KR920022042A (ko) | 위상반전 마스크 제조방법 | |
KR920020591A (ko) | 반도체 장치의 위상시프트 마스크 제조방법 | |
KR920015459A (ko) | 반도체 메모리소자의 위상시프트마스크 제조방법 | |
KR910020802A (ko) | 마스크의 제작방법 | |
KR920017174A (ko) | 자기정렬 위상시프트 마스크 제조방법 | |
KR910020833A (ko) | 옥사이드 마스크에 의한 드라이 에칭 방법 | |
KR920022422A (ko) | 패턴 형성 방법 | |
KR970028803A (ko) | 위상반전마스크와 그의 제조방법 | |
KR930017113A (ko) | 위상쉬프트 마스크 제조방법 | |
KR880701400A (ko) | 집적 회로 장치의 제조방법 | |
KR930022474A (ko) | 미세 패턴 형성 방법 | |
KR970076065A (ko) | 위상 반전 마스크의 제조 방법 | |
KR930003277A (ko) | 드라이에칭 방법 | |
KR920013789A (ko) | 밀착형 이미지 센서 제조방법 | |
KR930018673A (ko) | 위상 반전 마스크 제조방법 | |
KR970012002A (ko) | 반도체 소자 제조용 포토마스크 | |
KR920022040A (ko) | 습식 식각을 이용한 위상 반전 마스크 제조방법 | |
KR930018672A (ko) | 자기 정렬형 위상시프트 마스크 제조방법 | |
KR950012589A (ko) | 위상반전마스크 및 그 제조방법 | |
KR950004408A (ko) | 반도체 장치의 폴리실리콘 패턴 형성방법 | |
KR930001342A (ko) | 위상쉬프트 마스크 제조방법 | |
KR950021059A (ko) | 하프톤형 위상반전마스크 제조 하프톤형 위상반전마스크 제조방법 하프톤형 위상반전마스크 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |