KR930003258A - 반도체 소자의 콘택 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 콘택 형성 공정 단면도.
Claims (2)
- 통상의 콘택 형성 방법에 있어서, 형성하고자 하는 콘택 크기보다 큰 콘택을 형성하고 이를 마스크로 이용하여 원하는 크기의 콘택을 형성함을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, 원하는 크기의 콘택을 형성하는 방법은 게이트(2)위에 산화막(4)을 증탁한 상태에서 감광막(5)를 도포하고 식각하는 공정과, 상기 산화막(4)을 습식 식각하는 공정과, 상기 산화막(4)과의 식각 선택성이 높은 물질(6)을 증착하고 식각하는 공정과, 다시 상기 물질(6)과 같은 물질(7)을 증착하고 에치백하여 측벽을 형성하는 공정과, 상기 측벽을 마스크로 사용하여 산화막(4)을 식각하므로 콘택을 형성하는 공정을 차례로 실시함을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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|---|---|---|---|
| KR1019910011718A KR100192439B1 (ko) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 반도체 소자의 콘택 형성방법 |
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Publications (2)
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| KR930003258A true KR930003258A (ko) | 1993-02-24 |
| KR100192439B1 KR100192439B1 (ko) | 1999-06-15 |
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ID=19317059
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| KR1019910011718A KR100192439B1 (ko) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 반도체 소자의 콘택 형성방법 |
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1991
- 1991-07-10 KR KR1019910011718A patent/KR100192439B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR100192439B1 (ko) | 1999-06-15 |
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