KR920018970A - 박막 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
박막 트랜지스터의 제조방법 Download PDFInfo
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- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 2
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 (a)-(b)는 본 발명에 따른 제조공정이다.
Claims (2)
- 박막 트랜지스터의 제조 공정에 있어서, 채널 형상을 위한 소정의 도전형의 비정질실리콘막의 제거공정과 게이트 라인 패드상의 실리콘나이트라이드막의 제거공정이 CF4+O2를 이용한 한번의 건식식각 공정으로 동시에 수행됨을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 건식식각의 조건은 상기 소정의 도전형의 비정질실리콘막의 선택비가 상기 실리콘나이트라이드막에 대하여 0.5이하로되고 O2가스는 CF4가스에 대하여 1-10퍼센트로 혼합된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910005014A KR940006700B1 (ko) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 박막 트랜지스터의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019910005014A KR940006700B1 (ko) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 박막 트랜지스터의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR920018970A true KR920018970A (ko) | 1992-10-22 |
| KR940006700B1 KR940006700B1 (ko) | 1994-07-25 |
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ID=19312652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910005014A KR940006700B1 (ko) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 박막 트랜지스터의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR940006700B1 (ko) |
-
1991
- 1991-03-29 KR KR1019910005014A patent/KR940006700B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940006700B1 (ko) | 1994-07-25 |
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