KR930017109A - 화합물 반도체 소자의 식각방법 - Google Patents
화합물 반도체 소자의 식각방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR930017109A KR930017109A KR1019920000871A KR920000871A KR930017109A KR 930017109 A KR930017109 A KR 930017109A KR 1019920000871 A KR1019920000871 A KR 1019920000871A KR 920000871 A KR920000871 A KR 920000871A KR 930017109 A KR930017109 A KR 930017109A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- etching
- compound semiconductor
- semiconductor devices
- etching method
- semiconductor device
- Prior art date
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 종래의(011)방향 또는 (011)방향으로 식각함에 있어 발생하는 문제점을 개선하기 위한 화합물 반도체 소자의 식각방법에 관한 것으로 (010)방향과 (001)방향을 따라 식각하는 방법이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 화합물 반도체 식각공정도.
Claims (1)
- (100)기판에(010)방향이나 (001)방향을 따라 식각함을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 식각방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019920000871A KR930017109A (ko) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 화합물 반도체 소자의 식각방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019920000871A KR930017109A (ko) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 화합물 반도체 소자의 식각방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR930017109A true KR930017109A (ko) | 1993-08-30 |
Family
ID=65515390
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019920000871A KR930017109A (ko) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 화합물 반도체 소자의 식각방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR930017109A (ko) |
-
1992
- 1992-01-22 KR KR1019920000871A patent/KR930017109A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR910003752A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
KR920017196A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
KR890003000A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
KR930017109A (ko) | 화합물 반도체 소자의 식각방법 | |
KR930017125A (ko) | 더미 패턴(dymmy pattern)을 갖는 반도체칩 | |
KR910013463A (ko) | 반도체 소자의 개구형성방법 | |
KR940016590A (ko) | 반도체 소자의 산화막 형성방법 | |
KR920015441A (ko) | 반도체 소자의 노치현상 제거방법 | |
KR920015469A (ko) | 메탈 에칭(metal etch)시 메탈 증착방법 | |
KR920015547A (ko) | 반도체소자의 금속배선 형성방법 | |
KR920022477A (ko) | 반도체 장치의 비어 콘택 제조 방법 | |
KR930020637A (ko) | 화합물 반도체장치 및 그 제조방법 | |
KR920001678A (ko) | 금속 배선의 알루미늄 산화막 형성 제조방법 | |
KR970023756A (ko) | 반도체장치의 스페이서 형성방법 | |
KR940002968A (ko) | 반도체기판의 표면세정방법 | |
KR950021050A (ko) | 웨이퍼의 단차 완화 방법 | |
KR920022385A (ko) | 부가 산화막을 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
KR920015439A (ko) | 반도체소자의 메탈 콘택 제조방법 | |
KR920020742A (ko) | 반도체 장치의 기준 전극 제조방법 | |
KR920015459A (ko) | 반도체 메모리소자의 위상시프트마스크 제조방법 | |
KR930003254A (ko) | 반도체 장치의 금속배선 방법 | |
KR930003334A (ko) | 테이프의 서포트링의 구조 | |
KR950021186A (ko) | 웨이퍼 오염방지 방법 | |
KR940016550A (ko) | 반도체 장치의 산화막 식각방법 | |
KR900002400A (ko) | 부산물을 이용한 리프트 오프 공정 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |