KR900002400A - 부산물을 이용한 리프트 오프 공정 - Google Patents

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KR900002400A
KR900002400A KR1019880009158A KR880009158A KR900002400A KR 900002400 A KR900002400 A KR 900002400A KR 1019880009158 A KR1019880009158 A KR 1019880009158A KR 880009158 A KR880009158 A KR 880009158A KR 900002400 A KR900002400 A KR 900002400A
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박한수
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    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract

내용 없음

Description

부산물을 이용한 리프트 오프 공정
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 접속창 형성 및 리프트 오프 공정의 단면도.
제2도는 부산물에 의한 리프트 오프 공정을 나타낸 단면도.

Claims (1)

  1. 반도체 제조를 위한 리프트 오프 공정에 있어서, 금속 도포후 불필요한 부분의 금속을 제거하기 위해 실리콘 기판상에 열이나 빛을 가해 포토리지스트에서 발생되는 부산물을 이용하여 리프트 오프 공정시간을 단축하게 되는 리프트 오프 공정.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880009158A 1988-07-21 1988-07-21 부산물을 이용한 리프트 오프 공정 KR920002028B1 (ko)

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JP1171356A JPH0258834A (ja) 1988-07-21 1989-07-04 副生物を用いたリフトオフ工程

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JPS5570028A (en) * 1978-11-20 1980-05-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Fabricating method of semiconductor device

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