KR910010623A - 건식 식각 및 습식 식각의 특성을 이용한 접촉 식각 방법 - Google Patents
건식 식각 및 습식 식각의 특성을 이용한 접촉 식각 방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 접촉식각 공정에 따른 접촉홀 단면도.
Claims (1)
- 실리콘 기판(4) 및 저온증착 산화막(1) 위에 산화막(2)을 증착하고 이 산화막(2)에 감광막(3)을 도포 및 식각하여서된 것에 있어서, 상기 산화막(2)의 30%를 건식 식각하고 이 30%건식 식각후 남은 산화막(2)의 50%를 등방형 습식식각한 다음에 남은 산화막(2)을 건식 식각으로 접촉홀을 형성함을 특징으로 하는 건식 식각 및 습식 식각의 특성을 이용한 접촉식각방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890016745A KR910010623A (ko) | 1989-11-18 | 1989-11-18 | 건식 식각 및 습식 식각의 특성을 이용한 접촉 식각 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019890016745A KR910010623A (ko) | 1989-11-18 | 1989-11-18 | 건식 식각 및 습식 식각의 특성을 이용한 접촉 식각 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910010623A true KR910010623A (ko) | 1991-06-29 |
Family
ID=67661016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019890016745A KR910010623A (ko) | 1989-11-18 | 1989-11-18 | 건식 식각 및 습식 식각의 특성을 이용한 접촉 식각 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR910010623A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100242434B1 (ko) * | 1992-06-27 | 2000-03-02 | 윤종용 | 반도체 장치의 콘택 형성방법 |
| KR20000019959A (ko) * | 1998-09-16 | 2000-04-15 | 김영환 | 반도체 소자의 플러그 형성방법 |
| US6284558B1 (en) | 1997-11-25 | 2001-09-04 | Nec Corporation | Active matrix liquid-crystal display device and method for making the same |
-
1989
- 1989-11-18 KR KR1019890016745A patent/KR910010623A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100242434B1 (ko) * | 1992-06-27 | 2000-03-02 | 윤종용 | 반도체 장치의 콘택 형성방법 |
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| KR100329094B1 (ko) * | 1997-11-25 | 2002-10-25 | 닛폰 덴키(주) | 액티브매트릭스형액정표시장치및그제조방법 |
| KR20000019959A (ko) * | 1998-09-16 | 2000-04-15 | 김영환 | 반도체 소자의 플러그 형성방법 |
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