KR100329094B1 - 액티브매트릭스형액정표시장치및그제조방법 - Google Patents
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Abstract
액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 제조 방법이 공개되며, 이 제조 방법은 적어도 일부분이 유기막으로 구성된 층간 절연막을 화소 전극과 배선이 중첩된 구조를 가진 TFT(박막 트랜지스터) 기판 상에 형성하는 공정과; 상기 유기막을 패터닝하는 공정과; 패터닝된 상기 유기막을 마스크로 사용하여 베이스 층을 패터닝하는 공정을 가지고 있다. 화소 전극과 배선이 중첩된 구조를 가진 TFT(박막 트랜지스터) 기판과; 적어도 일부분이 유기막으로 구성된 층간 절연막을 가진 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치가 또한 공개되며, 상기 유기막은 g 라인 광에 대해 90 % 보다 높은 투과율을 가지고 있고, 유기막의 내열성은 250 ℃ 보다 높다.
Description
본 발명은 박막 트랜지스터(TFT) 기판을 가진 액티브 매트릭스형(active matrix) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
이하에서, 도 1a 및 도 1b를 참조하여 박막 트랜지스터(TFT) 기판을 가진 종래의 액티브 매트릭스형 액정(이하, 'LC' 라고도 함) 표시 장치에 대해 설명한다. 이 장치는, 도 1b에 도시된 바와 같이, 트위스트 네마틱(twist-nematic) 액정층(620)이 TFT 기판(630)과 칼라 필터(CF) 기판(610) 사이에 삽입된 구성을 가지고 있다. 상기 TFT 기판(630)은 TFT 유리 기판(104) 상에 게이트 전극(105), 게이트 절연막(107), a-Si 층(109), n+a-Si 층(110), 소스 전극(112) 및 드레인 전극(111), 화소 전극(631), 및 패시베이션(passivation) 막(632)이 이 순서로 형성된 구성을 가지고 있다. 상기 패시베이션 막(632)으로는 일반적으로 플라즈마 CVD에 의해 제조된 대략 300 nm 두께의 SiN 막이 사용된다. 한편, 상기 CF 기판(610)은 블랙 매트릭스(black matrix)(612), 칼라층(613) 및 대향 전극(614)이 이 순서로 CF 유리 기판(611) 상에 형성된 구성을 가지고 있다.
이와 같이 구성된 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에서는, 광 누설(light-leaked) 영역(B)을 통과하는 광을 차단하기 위해 블랙 매트릭스(612)를 필요로 한다. 따라서, 이 광 차폐부의 중첩 마진(overlap margin)을 추정하는 것이 필요하기 때문에, LC 표시 패널의 광 투과 영역(A)이 감소된다. 따라서, 전체 장치의 투과율이 감소된다는 문제점이 있다.
따라서, 상기 광 투과 영역을 확장하기 위한 수단, 즉 개구율을 확장하기 위한 수단이 예컨대 일본 특허 출원 공개 제 9-152625 호(1997)에 제안되어 있다. 이 장치는 도 2a에 도시된 바와 같이, 화소 전극(631), 데이타 라인(602) 및 게이트 라인(601)이 중첩된 구성을 가지고 있다. 이와 같이 구성된 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에서는, 투과율이 낮은 재료를 사용하여 층간 절연막(701)을 형성해야 하고, 화소 전극(631), 데이타 라인(602) 및 게이트 라인(601)의 중첩 용량을 감소시키기 위해 두꺼워질 수 있다. 예컨대, 통상적으로 사용되는 SiN의 무기막(inorganic film) 상에 특정 투과율 ε = 3.0을 가진 2 내지 4 ㎛ 두께의 포지티브형 감광성 아크릴 수지가 적층되어 있는 층간 절연막이 사용된다.
이하에서는 상기 층간 절연막(701)을 제조하는 방법에 대해 도 3을 참조하여 설명한다. 종래의 방법과 마찬가지로, 대략 300 nm 두께의 SiN 층(102)이 플라즈마 CVD에 의해 적층되며, 이에 따라 패터닝(patterning)에 의해 접촉 구멍(113)이 형성된다(도 3의 (a)). 다음에, 감광성 아크릴 수지를 도포한 후에, 프리베이킹(pre-baking), 노광(exposure) 및 알칼리 현상(alkali-development)에 의해 패터닝이 행해진다(도 3의 (b) 및 (c)). 다음에, 투명막이 되도록 탈색시키기 위해 i 라인을 포함하고 있는 UV 광이 표면 전체에 걸쳐 조사된다. 다음에, 상기 수지가 열가교반응(thermal cross-linking reaction)에 의해 경화된다. 다음에, ITO와 같은 투명막이 스퍼터링에 의해 형성되고, 화소 전극(631)으로 패터닝된다(도 3의 (d)). 최종적으로, 대략 30 분 동안 250 ℃에서 어닐링된다.
이와 같이 얻어진 TFT 기판을 가진 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에는, 광 누설 영역이 없으며, 따라서 상기 블랙 매트릭스가 필요하지 않다. 따라서, 개구율이 높아질 수 있다.
하지만, 종래의 방법에서는, 층 형성 및 패터닝이 SiN 층 및 유기막(organic film) 각각에 대해 행해진다. 또한, 습식 에칭에 의한 유기막의 패터닝 후에, 접촉 실패의 원인이 되는 잔류 수지를 제거하기 위해 건식 에칭이 행해지면 바람직하다. 이로 인해, 공정의 수가 증가한다. 따라서, 작업성 및 생산성에 문제점이 있다.
생산성이 개선되도록 공정 수의 증가를 방지하기 위해, 상기 공정들이 가능한한 일괄적으로 행해지는 것이 적합할 수도 있다. 예컨대, 상기 SiN 층 및 유기막을 형성하고 상기 유기막을 습식 에칭한 후에, 얻어진 유기막 패턴을 마스크로서 이용하여 베이스 층의 건식 에칭이 행해질 수 있다. 하지만, 포지티브형 감광성 아크릴 수지는 건식 에칭에 대해 내성이 결여되어 있으며, 따라서 상기 수지의 표면이 건식 에칭에 의해 크게 마모된다. 따라서, 이와 같은 방법은 적용될 수 없다.
또한, 포지티브형 감광성 아크릴 수지의 i 라인 부근에서 광투과율이 낮다는 문제점이 있다. 또한, 감광기(photosensitive group)의 내열성이 충분하지 않으며, 따라서 상기 투과율은 후 공정에서의 어닐링과 같은 열처리로 인해 더욱 저하될 수 있다. 따라서, TFT(박막 트랜지스터) 기판의 성능이 열화된다.
따라서, 본 발명의 목적은 화소 전극과 배선이 중첩된 구조를 가진 TFT 기판에서 높은 투과율 및 높은 내열성을 가진 층간 절연막을 효율적으로 제조하는 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 이와 같은 TFT 기판을 포함하고 있는 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치를 제공하는데 있다.
도 1a 및 도 1b는 제 1 종래 액정 표시 장치의 하나의 픽셀을 각각 나타낸 평면도 및 단면도.
도 2a 및 도 2b는 제 2 종래 액정 표시 장치의 하나의 픽셀을 각각 나타낸 평면도 및 단면도.
도 3은 제 2 종래 액정 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도.
도 4는 본 발명에 따른 제 1 바람직한 실시예의 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 제 2 바람직한 실시예의 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도.
도 6은 본 발명에 따른 제 3 바람직한 실시예의 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도.
도 7은 본 발명에 따른 제 4 바람직한 실시예의 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도.
도 8은 본 발명에 따른 제 5 바람직한 실시예의 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 유기막 101 : 유기막 패턴
102 : SiNx 막 104 : TFT 유리 기판
105 : 게이트 전극 107 : 게이트 절연막
109 : a-Si 층
본 발명에 따라, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 제조 방법은 적어도 일부분이 유기막으로 구성된 층간 절연막을 화소 전극과 배선이 중첩된 구조를 가진 TFT(박막 트랜지스터) 기판 상에 형성하는 공정과; 상기 유기막을 패터닝하는 공정과; 패터닝된 상기 유기막을 마스크로 사용하여 베이스 층을 패터닝하는 공정을 포함하고 있다.
본 발명의 다른 양상에 따라, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치는 화소 전극과 배선이 중첩된 구조를 가진 TFT(박막 트랜지스터) 기판과; 적어도 일부분이 유기막으로 구성된 층간 절연막을 구비하고 있고, 상기 유기막은 g 라인에 대해 90 % 보다 높은 투과율을 가지고 있으며, 유기막의 내열성은 250 ℃보다 높다.
첨부 도면과 함께 본 발명에 대해 보다 상세히 설명한다.
이하에서는 본 발명의 제 1 바람직한 실시예에 대해 설명한다. 이 실시예에서는 벤조사이클로부틴 중합체(benzocyclobutene polymer)가 층간 절연막의 재료로 사용된다. 그 제조 방법은 도 4에 도시되어 있다.
벤조사이클로부틴 중합체가 종래 방법에서와 같이 형성된 SiNx 막(102) 상에 스핀 코팅(spin coating)에 의해 도포되고, 170 ℃에서 프리베이킹된다(도 4의 (a)). 이 프리베이킹로 인해, 벤조사이클로부틴 중합체의 에칭 속도가 변동되어, 후술되는 레지스트 용제에 대해 불용화(不溶化;insolubilizing)된다. 다음에, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트(propyleneglycolmonoethyletheracetate) 용제를 이용한 나프토퀴논디아조-노보락계(naphthoquinonediazo-novolac system) 포지티브형 레지스트를 도포한 다음에, 베이킹(baking), 노광 및 현상을 행함으로써, 레지스트 패턴(103)이 형성된다(도 4의 (b)). 레지스트 현상액으로는 대략 0.1 내지 1 mol%의 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드(tetramethylammoniumhydroxide;TMAH) 용액이 사용된다. 다음에, 상기 레지스트 패턴(103)을 마스크로 사용하여, 벤조사이클로부틴 중합체의 유기막(100)이 습식 에칭되며, 이에 따라 유기막 패턴(101)이 형성된다(도 4의 (c)). 에천트로는 1,3,5 트리아이소프로필벤젠(triisopropylbenzene) 및 방향족계 탄화 수소의 혼합 용액이 사용된다. 다음에, 상기 레지스트 패턴(103)과 유기막 패턴(101)을 마스크로 사용하여 건식 에칭되며, 이에 따라 상기 SiNx 막(102) 및 게이트 절연막(107)의 불필요한 부분이 제거된다(도 4의 (d)). 에칭 가스로는 02/SF6가스가 사용된다. 다음에, DMSO·아민계 스트립퍼(stripper)를 사용하여 상기 레지스트 패턴이 제거된다(도 4의 (e)). 최종적으로, 270 ℃에서 60 분 동안 리베이킹(re-baking)시키면, 벤조사이클로부틴 중합체가 완전히 경화된다.
이 실시예의 특징은 베이스의 건식 에칭이 습식 에칭에 의해 얻어진 유기막 패턴을 마스크로 사용하여 행해진다는 것이다. 이 공정에서는 상기 베이스 SiNx 막이 패터닝되며, 동시에 습식 에칭 후에 잔류하는 벤조사이클로부틴 중합체도 제거될 수 있다. 즉, 종래 방법에서는 별도로 행해지는 상기 두 공정이 하나의 공정으로 행해질 수 있으며, 따라서, 생산성이 개선될 수 있다. 또한, 3㎛ 두께의 벤조사이클로부틴 중합체 막의 투과율은 400 nm보다 긴 파장에서 95 %이고, 그 내열 온도는 300 ℃보다 높다. 따라서, 형성된 층간 절연막은 높은 투과율과 높은 내열성을 가지고 있다.
이하에서는 본 발명의 제 2 바람직한 실시예에 대해 설명한다. 이 실시예에서는, 폴리실러잔(polysilazane) 화합물이 층간 절연막의 재료로 사용된다. 그 제조 공정이 도 5에 도시되어 있다.
이 실시예에서는, 제 1 실시예와 같이, 폴리실러잔 화합물이 스핀 코팅에 의해 SiNx 막(102) 상에 도포될 수도 있지만, SiNx 막(102)을 사용하지 않고 폴리실러잔 화합물만이 층간 절연막(도 5의 (a))으로 사용될 수 있다. 그 이유는 폴리실러잔 화합물과 a-Si 층간의 계면 특성이 양호하기 때문이고, 또한 폴리실러잔 화합물의 일부분이 실리콘 다이옥사이드 막 또는 실리콘 니트리드 막으로 변성되고 상기 폴리실러잔 화합물을 베이킹시킴으로써 조밀하게 제조되어, 양호한 내수성(耐水性) 및 오염 내성이 얻어질 수 있기 때문이다. 이하의 공정은 제 1 실시예의 공정과 유사하며, 이때 프리베이킹 온도는 160 ℃이고, 버퍼(buffer)된 불화수소산 용액이 습식 에천트로서 사용된다. 또한, 리베이킹이 270 ℃에서 60분 동안 행해진다.
이 실시예의 특징은 통상적으로 베이스로서 사용되는 SiNx 막이 폴리실러잔 화합물을 사용함으로써 불필요해진다는 것이다. 즉, 공정이 더욱 간단해질 수 있으며, 따라서 생산성이 개선될 수 있다. 또한, 3 ㎛ 두께의 폴리실러잔 화합물 막의 투과율이 400 nm보다 긴 파장에서 95 %이고, 그 내열 온도는 300 ℃보다 높다. 따라서, 형성된 층간 절연막은 높은 투과율과 높은 내열성을 가지고 있다.
이하에서는 본 발명의 제 3 바람직한 실시예에 대해 설명한다. 이 실시예에서는, 구조식 1에 의해 표현된 카르도형(Cardo-type)의 화합물과 구조식 2에 의해 표현된 에폭시 기(epoxy group)를 가진 화합물의 중합체가 층간 절연막의 재료로 사용된다. 그 제조 공정이 도 6에 도시되어 있다.
구조식 1
구조식 2
위에서 설명한 중합체가 종래 방법에서와 같이 형성된 SiNx 막(102) 상에 스핀 코딩에 의해 도포되고, 150 ℃에서 프리베이킹된다(도 6의 (a)). 이 프리베이킹로 인해, 중합체의 에칭 속도가 변동되고, 후술되는 레지스트 용제에 대해 불용화로 되며, 후술되는 레지스트 현상액에 대해서는 가용화(solubilizing)된다. 다음에, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 용제를 사용한 나프토퀴논디아조-노보락계 포지티브형 레지스트를 도포한 다음에, 베이킹, 노광 및 현상을 행함으로써, 상기 유기막(100)이 습식 에칭될 뿐만 아니라 레지스트 패턴(103)이 형성된다(도 6의 (b)). 레지스트 현상액으로는 대략 0.1 내지 1 mol%의 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드(TMAH) 용액이 사용된다. 다음에, 상기 레지스트 패턴(103)과 유기막(101)을 마스크로 사용하여 건식 에칭되고, 이에 의해 상기 SiNx 막(102) 및 게이트 절연막(107)의 불필요한 부분이 제거된다(도 6의 (c)). 다음에, 부틸악테이트(butyllactate)를 이용하여 상기 레지스트 패턴(103)이 제거된다(도 6의 (d)). 최종적으로, 250 ℃에서 30분 동안 리베이킹시키면, 상기 중합체가 완전히 경화된다.
이 실시예의 특징은 레지스트의 현상과 동시에 유기막의 습식 에칭이 행해진다는 것이다. 즉, 공정의 수가 더욱 줄어들 수 있으며, 따라서 생산성이 개선될 수 있다. 또한, 구조식 1에 의해 표현된 카르도형 화합물과 구조식 2에 의해 표현된 에폭시 기를 가진 화합물의 3㎛ 두께의 중합체막의 투과율은 400 nm 보다 긴 파장에서 95 %이고, 그 내열 온도는 260 ℃보다 높다. 따라서, 형성된 층간 절연막은 높은 투과율과 높은 내열성을 가지고 있다.
이하에서는, 본 발명의 제 4 바람직한 실시예에 대해 설명한다. 이 실시예에서는, 메트아크릴산(methacrylic acid) 및 글리길 메타크릴레이트(glygil methacrylate)(JSS 계열: JSR에 의해 제조됨)의 비감광성 아크릴 수지가 층간 절연막의 재료로 사용된다. 그 제조 공정은 도 7에 도시되어 있다.
위에서 설명된 아크릴 수지는 종래 방법에서와 같이 형성된 SiNx 막(102) 상에 스핀 코팅에 의해 도포되고 90 ℃에서 프리베이킹된다(도 7의 (a)). 이 프리베이킹로 인해, 아크릴 수지의 에칭 속도가 변동되어, 후술되는 레지스트 용제에 대해 불용화되고, 후술되는 레지스트 현상액에 대해서는 가용화된다. 다음에, 2-헵타논(2-heptanone) 및 에틸-3-에톡시프로피오네이트(ethyl-3-ethoxypropionate)를 사용한 나프토퀴논디아조-노보락계 포지티브형 레지스트(JCX-100: JSR에 의해 제조됨)를 도포한 다음에, 베이킹, 노광 및 현상을 행함으로써, 상기 유기막(100)이 습식 에칭될 뿐만 아니라 레지스트 패턴(103)이 형성된다(도 7의 (b)). 레지스트 현상액으로는 대략 0.1 내지 1 mol%의 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드(TMAH) 용액이 사용된다. 다음에, 제 3 실시예에서와 마찬가지로, 베이스가 바로 건식 에칭되어, 상기 레지스트 패턴(103)이 제거될 수도 있다. 이 경우에는, 상기 유기막 패턴(101)이 부풀거나 마모되지 않도록, 조절된 농도를 가진 DMSO·아민계 스트립퍼가 사용되어야 한다. 또한, 레지스트 패턴(103)과 유기막 패턴(101)을 형성한 후에, 다음과 같은 공정, 즉 130 ℃에서 5 분 동안 열처리를 하는 공정, 및 상기 유기막 패턴(101)이 열가교반응에 의해 TMAH 용액에 대해 불용화되는 공정이 행해질 수 있다(도 7의 (c)). 또한, 기판의 표면 전체에 UV 광을 조사하면, 상기 레지스트 패턴(103)은 알칼리에 대해 가용화된다(도 7의 (d)).
다음에, 레지스트 패턴(103)과 유기막 패턴(101)을 마스크로 사용하여, 건식 에칭되며, 따라서 상기 SiNx 막(102)과 게이트 절연막(107)의 불필요한 부분이 제거될 수 있다(도 7의 (e)). 에칭 가스로는 02/SF6가스가 사용된다. 다음에, TMAH 용액을 사용하여 상기 레지스트 패턴(103)이 제거된다(도 7의 (f)). 최종적으로, 250 ℃에서 30 분동안 리베이킹시키면, 아크릴 수지가 완전히 경화된다.
이 실시예의 특징은 레지스트를 제거할 수 있는 다양한 방법이 있다는 것이다. 열경화수지의 특성을 이용함으로써, 상기 수지는 제 3 실시예에서의 레지스트 스트립퍼와 동일한 스트립퍼를 사용하는 방법 외에, TMAH 용액을 이용하는 방법에도 적용될 수 있다. 즉, 레지스트 스트립퍼에 대해 불용화하기 위해 열가교반응에 의해 유기막을 반경화(semi-hardening)시키는 공정과 레지스트의 제거 후에 리베이킹에 의해 완전히 경화시키는 공정으로 된 2 공정 처리를 행하고, 또한 스트립퍼에 대해 가용화하기 위해 상기 UV 조사를 행함으로써, 부틸악테이트보다 양호한 제거 능력을 가지고 있고, 스트립핑 후에 DMSO·아민계 스트립퍼보다 양호한 표면 상태를 가진 TMAH 용액이 레지스트 스트립퍼로서 사용될 수 있다.
또한, 여기서 사용된 아크릴 수지는 어떤 감광기도 포함하고 있지 않다는 점에서 종래에 사용된 아크릴 수지와는 다르다. 따라서, 3㎛ 두께막의 투과율은 400 nm보다 긴 파장에서 95 %이고, 내열 온도는 260 ℃보다 높다. 따라서, 형성된 층간 절연막은 높은 투과율과 높은 내열성을 가지고 있다.
이하에서는, 본 발명의 제 5 바람직한 실시예에 대해 설명한다. 이 실시예에서는, i 라인 감응형 UV 경화 카르도형 중합체가 층간 절연막의 재료로 사용된다. 그 제조 방법은 제 4 실시예의 제조 방법과 매우 유사하다. 하지만, 프리베이킹은 130 ℃에서 행해진다. 또한, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 용제 또는 메틸아민계(methylamine-system) 용제를 사용한 나프토퀴논디아조-노보락계의 g 라인 감응형 포지티브형 레지스트를 사용함으로써, g 라인에 의해 50 내지 100 mJ/cm2에서 노광이 행해진다. i 라인 감응형 UV 경화 카르도형 중합체는 이 노광에 의해 광가교반응을 시작하지 않는다. 상기 중합체를 노광시킨 다음에 현상에 의해 레지스트 패턴(103)과 유기막 패턴(101)을 형성한 후에, 베이스가 바로 건식 에칭된 다음에, 레지스트 패턴(103)이 제거될 수도 있다. 이 경우에도, 수지의 표면이 마모되지 않도록, 제 4 실시예와 같이, 조절된 농도를 가진 DMSO·아민계 스트립퍼가 사용되어야 한다. 또한, 레지스트 패턴(103)과 유기막 패턴(101)을 형성한 후에는, 다음과 같은 공정, 즉 기판의 앞면 및 뒷면에 500 내지 1000 mJ/cm2의 UV 광을 조사하는 공정과, 상기 카르도형 중합체가 열가교반응에 의해 반경화되는 공정이 행해질 수 있으며, 이에 따라 알칼리에 대해 불용화되고, 동시에 상기 레지스트가 알칼리에 대해 가용화된다(도 8의 (c)). 또한, 250 ℃에서 30분 동안 리베이킹시키면, 상기 카르도형 중합체는 완전히 경화된다. 한편, 상기 UV 조사는 건식 에칭 전에 또는 건식 에칭 후에 행해질 수도 있다.
이 실시예의 특징은 UV 경화 수지의 특성이 사용된다는 것이다. 즉, 제 4 실시예에서 열가교반응에 의해 행해지는 반경화 공정이 여기서는 광가교반응에 의해 행해진다. 이 공정에서, 레지스트는 TMAH 용액에 대해 동시에 가용화될 수 있으며, 따라서 보다 적은 수의 공정으로 동일한 효과가 얻어질 수 있다. 또한, 3㎛ 두께의 카르도형 중합체 막의 투과율은 400 nm보다 긴 파장에서 92 % 이고, 그 내열 온도는 250 ℃보다 높다. 따라서, 형성된 층간 절연막은 높은 투과율과 높은 내열성을 가지고 있다.
본 발명은 완전하고 명료한 공개를 위해 특정 실시예에 대해 설명되었지만, 특허 청구 범위는 이와 같이 한정되어서는 안되며 여기서 설명된 기본적 사상에 속하는 당해 기술 분야의 당업자가 행할 수 있는 모든 변형 및 대안적 구성을 구현하는 것으로 해석되어야 한다.
본 발명에 따라 화소 전극과 배선이 중첩된 구조를 가진 TFT 기판에서 높은 투과율 및 높은 내열성을 가진 층간 절연막을 효율적으로 제조할 수 있다.
Claims (47)
- 적어도 일부분이 유기막으로 구성된 층간 절연막을, 화소 전극과 배선이 중첩된 구조를 가진 TFT(박막 트랜지스터) 기판 상에 형성하는 공정과;상기 유기막(organic film)을 패터닝(patterning)하는 공정과;패터닝된 상기 유기막을 마스크로 사용하여 베이스 층을 패터닝하는 공정을 포함하는 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기막을 패터닝하는 공정은 습식 에칭에 의해 행해지고,상기 베이스 층의 패터닝은 02, CF4, CHF3및 SF6중에서 선택된 적어도 한가지 종류의 가스를 이용하는 건식 에칭에 의해 행해지는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서,수지를 도포하고 이 수지를 프리베이킹(pre-baking)시킴으로써 유기막을 형성하는 공정과;형성된 상기 유기막의 표면 상에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트를 베이킹(baking), 노광 및 현상시킴으로써 레지스트 패턴을 형성하는 공정과;상기 레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 유기막을 습식 에칭함으로써상기 유기막의 패턴을 형성하는 공정과;상기 유기막 패턴을 마스크로 사용하여 상기 베이스 층을 건식 에칭하는 공정과;상기 레지스트를 제거하는 공정과;리베이킹(re-baking)에 의해 상기 유기막 패턴을 완전히 경화시키는 공정을 더 포함하는 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 레지스트는 나프토퀴논디아조 화합물(naphthoquinonediazo compound)을 감광제로, 노보락 수지(novolac resin)를 베이스 수지로, 메틸아민계 용제(methylamine-system solvent) 또는 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 용제(propyleneglycolmonoethyletheracetate solvent)를 용제로 사용하는 포지티브형 레지스트이고,상기 현상은 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드(tetramethylammoniumhydr-oxide ; TMAH) 용액을 사용하여 행해지며,레지스트의 상기 제거는 디메틸설프옥사이드(dimethylsulfoxide ; DMSO)와 모노에탄올아민(monoethanolamine)의 혼합 용액, 에틸악테이트(ethyllactate) 또는 부틸악테이트(butyllactate)를 사용하여 행해지는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 유기막을 형성하는 공정은 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트를 용제로 사용하여 벤조사이클로부틴 중합체(benzocyclobutene polymer)를 도포하고 130 내지 200 ℃의 온도 범위에서 프리베이킹시킴으로써 행해지고,상기 유기막 패턴을 형성하는 공정은 1,3,5 트리아이소프로필벤젠(triisopropylbenzene)과 방향족 탄화 수소의 혼합 용액 또는 글리콜에테르(glycolether)와 합성 아이소파라핀계 탄화수소(synthetic isoparaffin-system hydrocarbon)의 혼합 용액을 사용하여 상기 유기막을 습식 에칭함으로써 행해지며,상기 유기막을 경화시키는 공정은 240 내지 300 ℃의 온도 범위에서 리베이킹시킴으로써 행해지는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 유기막을 형성하는 공정은 폴리실러잔(polysilazane) 화합물 또는 폴리실러잔 화합물과 아크릴 화합물의 중합체를 도포하고 130 내지 200 ℃의 온도 범위에서 프리베이킹시킴으로써 행해지고,상기 유기막 패턴을 형성하는 공정은 버퍼된 불화수소산 용액을 사용하여 상기 유기막을 습식 에칭함으로써 행해지며,상기 유기막을 경화시키는 공정은 240 내지 300 ℃의 온도 범위에서의 리베이킹에 의해 행해지는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 유기막 패턴을 형성하는 공정은 레지스트의 현상 및 유기막의 에칭이 동시에 행해지도록 행해지는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,수지를 도포한 다음에 이 수지를 프리베이킹시킴으로써 유기막을 형성하는 공정과;형성된 상기 유기막의 표면 상에 레지스트를 도포하고, 베이킹 및 노광시키는 공정과;상기 레지스트를 현상함으로써 레지스트 패턴을 형성함과 동시에 상기 유기막을 습식 에칭함으로써 상기 유기막의 패턴을 형성하는 공정과;상기 유기막 패턴을 마스크로 사용하여 상기 베이스 층을 건식 에칭하는 공정과;상기 레지스트를 제거하는 공정과;리베이킹에 의해 상기 유기막 패턴을 완전히 경화시키는 공정을 더 포함하는 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 레지스트는 나프토퀴논디아조 화합물을 감광제로, 노보락 수지를 베이스 수지로, 메틸아민계 용제, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 용제, 2-헵타논(2-heptanone), 에틸-3-에톡시프로피오네이트(ethyl-3-ethoxypropionate), 또는 2-헵타논과 에틸-3-에톡시프로피오네이트의 혼합 용제를 용제로 사용하는 포지티브형 레지스트이고,레지스트의 상기 현상 및 유기막의 상기 습식 에칭은 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드(TMAH) 용액을 사용하여 행해지며,레지스트의 상기 제거는 디메틸설프옥사이드(DMSO)와 모노에탄올아민의 혼합용액, 에틸악테이트 또는 부틸악테이트를 사용하여 행해지는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 유기막을 형성하는 공정은 구조식 1에 의해 표현된 카르도형(Cardo-type) 화합물과 구조식 2에 의해 표현된 에폭시 기를 가진 화합물의 중합체를 도포하고 110 내지 170 ℃의 온도 범위에서 프리베이킹시킴으로써 행해지고,상기 유기막을 경화시키는 공정은 230 내지 280 ℃의 온도 범위에서의 리베이킹에 의해 행해지는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 제조 방법.구조식 1구조식 2
- 제 9 항에 있어서,상기 유기막을 형성하는 공정은 아크릴 수지를 도포하고 80 내지 100 ℃의 온도 범위에서 프리베이킹시킴으로써 행해지고,상기 유기막을 경화시키는 공정은 220 내지 260 ℃의 온도 범위에서의 리베이킹에 의해 행해지는, 액티브 매트릭스 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,열경화수지를 도포한 다음에 이 열경화수지를 프리베이킹시킴으로써 유기막을 형성하는 공정과;형성된 상기 유기막의 표면 상에 레지스트를 도포하고, 베이킹 및 노광시키는 공정과;상기 레지스트를 현상함으로써 레지스트 패턴을 형성함과 동시에 상기 유기막을 습식 에칭함으로써 상기 유기막의 패턴을 형성하는 공정과;상기 유기막 패턴을 열가교반응에 의해 반경화시킴으로써 현상액에 대해 상기 유기막 패턴을 불용화(insolubilizing)시키는 공정과;상기 유기막 패턴을 마스크로 사용하여 상기 베이스 층을 건식 에칭하는 공정과;기판의 앞면 및 뒷면중 적어도 한쪽 면에 UV 광을 조사함으로써 상기 현상액에 대해 상기 레지스트를 가용화(solubilizing)하는 공정과;상기 현상액을 사용하여 상기 레지스트를 제거하는 공정과;리베이킹에 의해 상기 유기막 패턴을 완전히 경화시키는 공정을 더 포함하는 있는 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 레지스트는 나프토퀴논디아조 화합물을 감광제로, 노보락 수지를 베이스 수지로, 메틸아민계 용제, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 용제, 2-헵타논, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 또는 2-헵타논과 에틸-3-에톡시프로피오네이트의 혼합 용제를 용제로 사용하는 포지티브형 레지스트이고,레지스트의 상기 현상, 유기막의 상기 습식 에칭 및 레지스트의 상기 제거는 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드(TMAH) 용액을 사용하여 행해지는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 유기막을 형성하는 공정은 아크릴 수지 및 광개시중합제를 함유한 수지를 도포하고 80 내지 110 ℃의 온도 범위에서 프리베이킹시킴으로써 행해지고,상기 유기막을 경화시키는 공정은 220 내지 260 ℃의 온도 범위에서의 리베이킹에 의해 행해지는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 유기막을 형성하는 공정은 아크릴 수지 및 광개시중합제를 함유한 수지를 도포하고 80 내지 110 ℃의 온도 범위에서 프리베이킹시킴으로써 행해지고,상기 유기막을 경화시키는 공정은 220 내지 260 ℃의 온도 범위에서의 리베이킹에 의해 행해지는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,i 라인 또는 보다 짧은 파장의 광에 감응하는 UV 경화 수지를 도포한 다음에 이 UV 경화 수지를 프리베이킹시킴으로써 유기막을 형성하는 공정과;형성된 상기 유기막의 표면 상에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트를 베이킹시키는 공정과;g 라인의 광으로 상기 레지스트를 노광시키는 공정과;상기 레지스트를 현상함으로써 레지스트 패턴을 형성함과 동시에 상기 유기막을 습식 에칭함으로써 상기 유기막의 패턴을 형성하는 공정과;기판의 앞면과 뒷면중 적어도 한쪽 면에 UV 광을 조사하고, 이에 의해 가교 반응을 통해 상기 유기막 패턴을 반경화시킴으로써 현상액에 대해 상기 유기막 패턴을 불용화시키고, 상기 현상액에 대해 상기 레지스트를 가용화시키는 공정과;상기 유기막 패턴을 마스크로 사용하여 상기 베이스 층을 건식 에칭하는 공정과;상기 현상액을 사용하여 상기 레지스트를 제거하는 공정과;리베이킹에 의해 상기 유기막 패턴을 완전히 경화시키는 공정을 더 포함하는 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 레지스트는 나프토퀴논디아조 화합물을 감광제로, 노보락 수지를 베이스 수지로, 메틸아민계 용제, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 용제를 용제로 사용하는 g 라인 감광성 포지티브형 레지스트이고,레지스트의 상기 현상, 유기막의 상기 습식 에칭 및 레지스트의 상기 제거는 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드(TMAH) 용액을 사용하여 행해지는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 유기막을 형성하는 공정은 구조식 1에 의해 표현된 카르도형 화합물과 구조식 2에 의해 표현된 에폭시 기를 가진 화합물의 중합체, 및 광개시중합제를 함유한 수지를 도포한 다음에, 80 내지 150 ℃의 온도 범위에서 프리베이킹시킴으로써 행해지고,상기 유기막을 경화시키는 공정은 230 내지 280 ℃의 온도 범위에서의 리베이킹에 의해 행해지는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 제조 방법.구조식 1구조식 2
- 제 16 항에 있어서,상기 유기막을 형성하는 공정은 구조식 1에 의해 표현된 카르도형 화합물과 구조식 2에 의해 표현된 에폭시 기를 함유한 화합물의 중합체, 및 광개시중합제를 함유한 수지를 도포한 다음에, 80 내지 150 ℃의 온도 범위에서 프리베이킹시킴으로써 행해지고,상기 유기막을 경화시키는 공정은 230 내지 280 ℃의 온도 범위에서의 리베이킹에 의해 행해지는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 제조 방법.구조식 1구조식 2
- 화소 전극과 배선이 중첩된 구조를 가진 TFT(박막 트랜지스터) 기판과;적어도 일부분이 유기막으로 구성된 층간 절연막을 구비하며,상기 유기막은 g 라인 광에 대해 90 % 보다 높은 투과율을 가지고 있고,유기막의 내열성은 250 ℃보다 높은, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 유기막은 벤조사이클로부틴 중합체로 된, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 유기막은 폴리실러잔 화합물, 또는 폴리실러잔 화합물과 아크릴 화합물의 중합체로 된, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 유기막은 구조식 1에 의해 표현된 카르도형 화합물과 구조식 2에 의해 표현된 에폭시 기를 가진 화합물의 중합체로 된, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.구조식 1구조식 2
- 제 20 항에 있어서,상기 유기막은 아크릴계 수지로 된, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 층간 절연막은,상기 층간 절연막의 적어도 일부분을 구성하는 상기 유기막을 패터닝하는 공정과;패터닝된 상기 유기막을 마스크로 사용하여 베이스 층을 패터닝하는 공정을행함으로써 형성된, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
- 제 21 항에 있어서,상기 층간 절연막은,상기 층간 절연막의 적어도 일부분을 구성하는 상기 유기막을 패터닝하는 공정과;패터닝된 상기 유기막을 마스크로 사용하여 베이스 층을 패터닝하는 공정을 행함으로써 형성된, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
- 제 22 항에 있어서,상기 층간 절연막은,상기 층간 절연막의 적어도 일부분을 구성하는 상기 유기막을 패터닝하는 공정과;패터닝된 상기 유기막을 마스크로 사용하여 베이스 층을 패터닝하는 공정을 행함으로써 형성된, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
- 제 23 항에 있어서,상기 층간 절연막은,상기 층간 절연막의 적어도 일부분을 구성하는 상기 유기막을 패터닝하는 공정과;패터닝된 상기 유기막을 마스크로 사용하여 베이스 층을 패터닝하는 공정을 행함으로써 형성된, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
- 제 24 항에 있어서,상기 층간 절연막은,상기 층간 절연막의 적어도 일부분을 구성하고 있는 상기 유기막을 패터닝하는 공정과;패터닝된 상기 유기막을 마스크로 사용하여 베이스 층을 패터닝하는 공정을 행함으로써 형성된, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
- 제 29 항에 있어서,상기 유기막을 패터닝하는 공정은 습식 에칭에 의해 행해지고,상기 베이스 층의 상기 패터닝은 O2, CF4, CHF3및 SF6중에서 선택된 적어도 한가지 종류의 가스를 사용하는 건식 에칭에 의해 행해지는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
- 제 30 항에 있어서,상기 층간 절연막은,수지를 도포하고 이 수지를 프리베이킹시킴으로써 유기막을 형성하는 공정과;형성된 상기 유기막의 표면 상에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트를 베이킹, 노광 및 현상함으로써 레지스트 패턴을 형성하는 공정과;상기 레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 유기막을 습식 에칭함으로써 상기 유기막의 패턴을 형성하는 공정과;상기 유기막 패턴을 마스크로 사용하여 상기 베이스 층을 건식 에칭하는 공정과;상기 레지스트를 제거하는 공정과;리베이킹에 의해 상기 유기막 패턴을 완전히 경화시키는 공정을 더 행함으로써 형성된, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
- 제 31 항에 있어서,상기 레지스트는 나프토퀴논디아조 화합물을 감광제로, 노보락 수지를 베이스 수지로, 메틸아민계 용제 또는 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 용제를 용제로 사용하는 포지티브형 레지스트이고,상기 현상은 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드(TMAH) 용액을 사용하여 행해지며,레지스트의 상기 제거는 디메틸설프옥사이드(DMSO)와 모노에탄올아민의 혼합용액, 에틸악테이트 또는 부틸악테이트를 사용하여 행해지는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
- 제 32 항에 있어서,상기 유기막을 형성하는 공정은 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트를 용제로 사용하여 벤조사이클로부틴 중합체를 도포하고 130 내지 200 ℃의 온도 범위에서 프리베이킹시킴으로써 행해지고,상기 유기막 패턴을 형성하는 공정은 1,3,5 트리아이소프로필벤젠과 방향족 탄화 수소의 혼합 용액 또는 글리콜에테르와 합성 아이소파라핀계 탄화수소의 혼합 용액을 사용하여 상기 유기막을 습식 에칭함으로써 행해지며,상기 유기막을 경화시키는 공정은 240 내지 300 ℃의 온도 범위에서의 리베이킹에 의해 행해지는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
- 제 32 항에 있어서,상기 유기막을 형성하는 공정은 폴리실러잔 화합물 또는 폴리실러잔 화합물과 아크릴 화합물의 중합체를 도포하고 130 내지 200 ℃의 온도 범위에서 프리베이킹시킴으로써 행해지고,상기 유기막 패턴을 형성하는 공정은 버퍼된 불화수소산 용액을 사용하여 상기 유기막을 습식 에칭함으로써 행해지며,상기 유기막을 경화시키는 공정은 240 내지 300 ℃의 온도 범위에서의 리베이킹에 의해 행해지는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
- 제 30 항에 있어서,상기 유기막 패턴을 형성하는 공정은 레지스트의 상기 현상과 유기막의 상기 에칭이 동시에 행지도록 행해지는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
- 제 35 항에 있어서,상기 층간 절연막은,수지를 도포하고 이 수지를 프리베이킹시킴으로써 유기막을 형성하는 공정과;형성된 상기 유기막의 표면 상에 레지스트를 도포하고, 베이킹 및 노광시키는 공정과;상기 레지스트를 현상함으로써 레지스트 패턴을 형성함과 동시에 상기 유기막을 습식 에칭함으로써 상기 유기막의 패턴을 형성하는 공정과;상기 유기막 패턴을 마스크를 사용하여 상기 베이스 층을 건식 에칭하는 공정과;상기 레지스트를 제거하는 공정과;리베이킹에 의해 상기 유기막 패턴을 완전히 경화시키는 공정을 더 행함으로써 형성되는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
- 제 36 항에 있어서,상기 레지스트는 나프토퀴논디아조 화합물을 감광제로, 노보락 수지를 베이스 수지로, 메틸아민계 용제, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 용제, 2-헵타논, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 또는 2-헵타논과 에틸-3-에톡시프로피오네이트의 혼합 용제를 용제로 사용하는 포지티브형 레지스트이고,레지스트의 상기 현상 및 유기막의 상기 습식 에칭은 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드(TMAH) 용액을 사용하여 행해지며,레지스트의 상기 제거는 디메틸설프옥사이드(DMSO)와 모노에탄올아민의 혼합용액, 에틸악테이트 또는 부틸악테이트를 사용하여 행해지는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
- 제 37 항에 있어서,상기 유기막을 형성하는 공정은 구조식 1에 의해 표현된 카르도형 화합물과 구조식 2에 의해 표현된 에폭시 기를 가진 화합물의 중합체를 도포하고 110 내지 170 ℃의 온도 범위에서 프리베이킹시킴으로써 행해지고,상기 유기막을 경화시키는 공정은 230 내지 280 ℃의 온도 범위에서의 프리베이킹에 의해 행해지는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.구조식 1구조식 2
- 제 37 항에 있어서,상기 유기막을 형성하는 공정은 아크릴 수지를 도포하고 80 내지 100 ℃의 온도 범위에서 프리베이킹시킴으로서 행해지고,상기 유기막을 경화시키는 공정은 220 내지 260 ℃의 온도 범위에서의 프리베이킹에 의해 행해지는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
- 제 35 항에 있어서,상기 층간 절연막은,열경화수지를 도포한 다음에 이 열경화수지를 프리베이킹시킴으로써 유기막을 형성하는 공정과;형성된 상기 유기막의 표면 상에 레지스트를 도포하고 이 레지스트를 베이킹 및 노광시키는 공정과;상기 레지스트를 현상함으로써 레지스트 패턴을 형성함과 동시에 상기 유기막을 습식 에칭함으로써 상기 유기막의 패턴을 형성하는 공정과;상기 유기막 패턴을 열가교반응에 의해 반경화시킴으로써 현상액에 대해 상기 유기막 패턴을 불용화시키는 공정과;상기 유기막 패턴을 마스크로 사용하여 상기 베이스 층을 건식 에칭하는 공정과;기판의 앞면과 뒷면중 적어도 한쪽 면에 UV 광을 조사함으로써 상기 현상액에 상기 레지스트를 가용화하는 공정과;상기 현상액을 사용하여 상기 레지스트를 제거하는 공정과;리베이킹에 의해 상기 유기막 패턴을 완전히 경화시키는 공정을 더 행함으로써 형성된, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
- 제 40 항에 있어서,상기 레지스트는 나프토퀴논디아조 화합물을 감광제로, 노보락 수지를 베이스 수지로, 메틸아민계 용제, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 용제, 2-헵타논, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 또는 2-헵타논과 에틸-3-에톡시프로피오네이트의 혼합 용제를 용제로 사용하는 포지티브형 레지스트이고,레지스트의 상기 현상, 유기막의 상기 습식 에칭 및 레지스트의 상기 제거는 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드(TMAH) 용액을 사용하여 행해지는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
- 제 37 항에 있어서,상기 유기막을 형성하는 공정은 아크릴 수지 및 광개시 중합제를 함유한 수지를 도포하고 80 내지 110 ℃의 온도 범위에서 프리베이킹시킴으로써 행해지고,상기 유기막을 경화시키는 공정은 220 내지 260 ℃의 온도 범위에서의 리베이킹에 의해 행해지는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
- 제 41 항에 있어서,상기 유기막을 형성하는 공정은 아크릴 수지 및 광개시 중합제를 함유한 수지를 도포하고 80 내지 110 ℃의 온도 범위에서 프리베이킹시킴으로써 행해지고,상기 유기막을 경화시키는 공정은 220 내지 260 ℃의 온도 범위에서의 리베이킹에 의해 행해지는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
- 제 35 항에 있어서,상기 층간 절연막은,i 라인 또는 보다 짧은 파장의 광에 감응하는 UV 경화 수지를 도포한 다음에, 이 UV 경화 수지를 프리베이킹시킴으로써 유기막을 형성하는 공정과;형성된 상기 유기막의 표면 상에 레지스트를 도포하고 이 레지스트를 베이킹시키는 공정과;상기 레지스트를 g 라인의 광으로 노광시키는 공정과;상기 레지스트를 현상함으로써 레지스트 패턴을 형성함과 동시에 상기 유기막을 습식 에칭함으로써 상기 유기막의 패턴을 형성하는 공정과;기판의 앞면 및 뒷면중 적어도 한쪽 면에 UV 광을 조사하고, 가교반응을 통해 상기 유기막 패턴을 반경화시킴으로써 현상액에 대해 상기 유기막 패턴을 불용화시키고, 상기 현상액에 대해 상기 레지스트를 가용화하는 공정과;상기 유기막 패턴을 마스크로 사용하여 상기 베이스 층을 건식 에칭하는 공정과;상기 현상액을 사용하여 상기 레지스트를 제거하는 공정과;리베이킹에 의해 상기 유기막 패턴을 완전히 경화시키는 공정을 더 행함으로써 형성되는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
- 제 44 항에 있어서,상기 레지스트는 나프토퀴논디아조 화합물을 감광제로, 노보락 수지를 베이스 수지로, 메틸아민계 용 제 및 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 용제를 용제로 이용하는 g 라인 감광성 포지티브형 레지스트이고,레지스트의 상기 현상, 유기막의 상기 습식 에칭 및 레지스트의 상기 제거는 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드(TMAH) 용액을 사용하여 행해지는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.
- 제 37 항에 있어서,상기 유기막을 형성하는 공정은 구조식 1에 의해 표현된 카르도형 화합물과 구조식 2에 의해 표현된 에폭시 기를 가진 화합물의 중합체, 및 광개시중합제를 함유한 수지를 도포한 다음에 80 내지 150 ℃의 온도 범위에 프리베이킹시킴으로써 행해지고,상기 유기막을 경화시키는 공정은 230 내지 280 ℃의 온도 범위에서의 리베이킹에 의해 행해지는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.구조식 1구조식 2
- 제 45 항에 있어서,상기 유기막을 형성하는 공정은 구조식 1에 의해 표현된 카르도형 화합물과 구조식 2에 의해 표현된 에폭시 기를 가진 화합물의 중합체, 및 광개시중합제를 함유한 수지를 도포한 다음에 80 내지 150 ℃의 온도 범위에 프리베이킹시킴으로써 행해지고,상기 유기막을 경화시키는 공정은 230 내지 280 ℃의 온도 범위에서의 리베이킹에 의해 행해지는, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치.구조식 1구조식 2
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