TW394986B - Active matrix liquid crystal display device and its manufacturing method - Google Patents

Active matrix liquid crystal display device and its manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
TW394986B
TW394986B TW087119514A TW87119514A TW394986B TW 394986 B TW394986 B TW 394986B TW 087119514 A TW087119514 A TW 087119514A TW 87119514 A TW87119514 A TW 87119514A TW 394986 B TW394986 B TW 394986B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
thin film
organic thin
photoresist
organic
film
Prior art date
Application number
TW087119514A
Other languages
English (en)
Inventor
Michiaki Sakamoto
Original Assignee
Nippon Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co filed Critical Nippon Electric Co
Application granted granted Critical
Publication of TW394986B publication Critical patent/TW394986B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 B? 五、發明説明（i ) ~…—------ 切二發明是有關於一種帶有薄膜電晶體基底之主動矩陣 式液日日顯示裝置以及其製造方法。 發明背景： 一種習知具有薄膜電晶體(TFT)基底之主動矩陣 裝置，將於P圖中詳細;:液: 3:0結構也顯示於第1B圖’其中扭轉的'線狀液 以三明治形式被夹在TFT基底630和據光器620 :二 。TFT基底630之結構是經由依序形成-間電 極奶、一間極絕緣層107、一石夕層1〇9、—n+型石W、 一源極電極112、沒極電極lu、—晝素電極631日以及— 保護層632於TFT玻璃基底1〇4上而構成。由於保護層㈣ 一般都是由厚度約300A之化學氣相沉積氮切層所構成。 換句話說’ CF基底610之結構便可使黑色矩陣612、彩 色層6U和相反電没614依序形成於⑶破璃基底川上。 在如上所述之主動矩陣液晶顯示裝置中，黑色矩陣612 必須透過光漏洞區B來遮蔽光線。因此，由於必須估計出 J光遮蔽區之重疊邊界，故LC顯示方格之光穿透區a必 須被減少。然而，所要面對的問題是整個裝置之穿透性將 會被降低。 因此，用來放大光穿透區之裝置，例如可設計用來促 進孔徑比例之裝置，如日本專利申請案丨aid_〇pen n〇 9_ 152625(1997)。如第2A圖所示，在此裝置之結構中，畫素 電極63 1、數據線602和閘極線是彼此重疊的。如同此結 構所彳冓成之主動矩陣液晶顯示裝置，介層絕緣層7〇1必須Ό 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ29?公楚） .,J(一 I 裝------訂------'線--------L--- (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Μ n? 五、發明説明（2) 使用低傳導度之材料構成’且其厚度最後足夠降低晝素電 極631、數據線6〇2和閘極線6〇丨間之重疊電容。此介層 '、’巴緣層例如可由厚度2〜之正型光敏感丙烯酸樹脂且 特異傳導度ε=3·0以薄膜狀形成於氮化石夕所構成之無機膜 層而構成。 、此製作介層絕緣層701之方法將於第3A〜3D圖詳細 說明。如同習知的方法，利用電漿化學氣相沉積法形成一 薄膜狀且厚度約300nm之氮化矽層1〇3，並且定義出一接 =開口 113 (第3A圖）。然後，將光敏感丙稀酸樹脂塗佈於 其上，接著以預烤、曝光和鹼性顯影等微影步驟進行光敏 感丙稀酸樹脂之定義（第3B圖和第3C圖）。然後，以包括i 線在内之紫外線輕射所要表面使其去色化成一可透光的薄 、二、:後在以熱架橋連接反應使樹脂硬化。然後，利用 _法’形成一可透光的膜例如ITO,並且定義成化素電 極631(第3D圖）。最後，於25〇〇c退火3〇分鐘。 如此，便可得到帶有TFT基底之主動矩陣液晶顯示裝 置，其不具光遺漏區，且也不需要黑色矩陣。 然而，在習知的方法中，薄膜的形成和定義必須由氮 ^夕層和有機薄膜來進行，且在以濕㈣定義有機薄膜後， ' '乾姓刻來去除殘餘的樹脂，以免可能使接觸開口 的製造遭遇失敗。因此，製程的步驟增加將影響到運作 性能和產率。 ^為了防止製程增加而降低產率，較適合的製程是盡可 i同時I作。例如’在形成氮切層和有機薄膜後，接著 私紙張认適用中國國家 (210X297公釐） . 衣-- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-0 線 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 hi —-——— __ΙΓ 五、發明説明（3) — …’ — ~~ 進行有機薄膜之濕蝕刻，而基層之乾蝕刻則可使甩所得到 之有機薄膜圖案作為罩幕。然而，正型光敏感丙烯酸樹脂 '•士乾钱刻缺乏抗性，因此其表面會被乾餘刻顯著地磨損。 因此，此類方法並無法被應用。 此外，另外一個問題是正型光敏感丙烯酸樹脂對近i 線之光學傳導性是低的。此外，光敏感官能基對熱的抗性 並不足夠，且其光學傳導性在後續的熱處理，例如退火時， 可能會被進—步地降低。因此，TFT基底之性能將會惡化。 發明概要： 因此，本發明之特徵乃是提供一種可在帶有晝素電極 和導線重疊結構之TFT基底，有效率地製造具有高傳導度 和南耐熱性之介層絕緣層的方法。 本毛明之另一特徵是提供一種提供包括該種TFT基底 之主動矩陣液晶顯示裝置。 根據本發明，一種製造主動矩哮式液晶顯示裝置之方 法’其步驟包括： 形成一介層絕緣層於一帶有畫素電極和導線互相重疊 之結構的薄膜電晶體基底上，其中該絕緣層之至少一部份 是由有機薄膜所構成； 定義該有機薄膜；以及 使用該又義出來的有機薄膜作為罩幕，《義出一基 層。 根據本發明之另__ 4* m _ 朴二 力特徵’—種主動矩陣液晶顯示裝 6 本紙張尺度適财酬家標) A4規格（~~~~-— (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 、-° 線 五、發明説明（4 ) — . ~—一-- 一帶有畫素電極和導線彼此 底，·以及 里s、、》構之溥膜電晶體基 一介層絕緣層，其至少—部 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1中茈古嬙伤疋由有機溥膜所構成； 八中此有機相對g線之傳導度大於9〇% 薄迷之熱耐性大於25〇t：。 且此有機 圖式之簡單說明： 特徵更清楚可見，兹將以«本 只施例，並配合相關圖式，詳細說明如下。 第1八和1B圖分別是平視圖和 第一種習知液晶顯示裝置之畫素。 /、..、、員不的疋 /第2A * 2B圖分別是平視圖和剖面圖，其顯 第二種習知液晶顯示裝置之晝素。 /、，.…、，疋 第3A〜犯圖顯示的是製造第二種習知液晶顯示裝置 之方法。 一第4A〜4E圖是剖面圖-’顯示的是根據本發明之第一 實施例以製造主動矩陣液晶顯示裝置之方法& —第5A〜5E圖是剖面圖，顯示的是根據本發明之第二 貫施例以製造主動矩陣液晶顯示裝置之方法。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 声6A〜6D圖是剖面圖，顯示的是根據本發明之第三 實施例以製造主動矩陣液晶顯示裝置之方法。 —一第7A〜7F圖是剖面圖，顯示的是根據本發明之第四 實施例以製造主動矩陣液晶顯示裝置之方法。 第8A〜8E.圖是剖面圖，顯示的是根據本發明之第五 實施例以製造主動矩陣液晶顯示裝置之方法。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公楚） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（5 ) 符號說明： 機膜，102〜氮化石夕膜；1〇3〜光阻圖帛；1〇4〜薄膜電晶骨 玻璃基底，1〇5〜閘電極；106〜閘極侧邊接腳；1〇7〜閘名 絕緣膜；108〜數據側接腳；1〇9〜非晶矽層；u〇〜n+s# 日日矽層，111〜汲極電極；112〜源極電極；113〜接觸洞； 601〜閘極線；6G2〜數據線；⑽〜彩色濾光片玻璃基底，· 〜黑色矩陣；613〜彩色層；614〜相反電極；62〇〜液 晶層；630〜薄膜電晶體基底；631〜晝素電極；632〜保讀 膜；701〜介層絕緣層。 本發明之較佳實施合丨 η以下將描述本發明之第—實施例。在此實施例中节 環丁烯聚合物可用作介層絕緣薄膜之材料，其製程將於 4Α〜4Ε圖中詳細說明。 ，节環丁烯聚合物是被設於氮化吩薄膜1Q2 i，其可利 用^知的方法，藉由旋塗、17〇°C的預烤（第4A圖）而形成。 下壤丁烯聚合物之#刻速率將會因為預烤而改變，可使其 =續的光阻溶劑中不被溶解。然後1烤摻混有丙二醇 酸自旨溶劑之萘酿重氮·熱塑性㈣轉脂系統正型 Ξ曰顯旦Λ再依序曝光、顯影，形成光阻圖案則（第4B 的)，其^時所用的光阻顯影劑是含有約Gi〜imGi百分比 二基錢溶液。然後’使用光阻圖案103作為罩幕， ;〇u第丁烯聚合物_，形成-有機薄膜圖案 (第C圖）。濕姓刻時所用㈣刻液是三異丙 ^ 丨. ' 1裝 訂------' 線 (請先閲讀労16之注意事項再填寫本瓦)
21.0X297 公釐） 五 Λ7 Β7 、發明説明（6) ~和芳香系統碳氫化合物。然後，使用光阻圖案1〇3和有機 溥膜圖案101作為罩幕，去除閘極絕緣薄膜1〇7(第4D圖）， 其中所使用的钱刻氣體為氧氣/六氟化硫。然後，使用dMS〇 氨系統的光阻剝除液將光阻圖案去除（第4E圖）。最後於 270。。再烘烤6〇分鐘’使苄環丁烯聚合物完全硬化。 實把例的特徵疋基層的乾钱刻是使用濕银刻所獲得 之有機4膜圖案作為罩幕。在此製程中’基層的氮化石夕薄 膜被定義，且濕蝕刻後所留下的节環丁烯聚合物可一併被 '、簡而Q之，在習知方法中個別進行的此二步驟，在 此製程可於—個步驟中完成，因此可提昇產率。此外，厚 度之料環丁婦聚合物薄膜的傳導度有95%是大於 且其耐熱性是大於3⑽。c。因此所形成的介層絕 緣層具有芩傳導度和高耐熱性。 :發明之第二實施例將於第5a〜5e目中詳細說明。 h知例中，聚⑪f燒化合物被用來做介層絕之 料。 〜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 此實施例可如第一實施例般將聚矽甲烷化合物 、（苐5A圖），而不需要氮化石夕薄膜102。此乃 化合物和a_si層之介面性質極好，且部分聚 氮化勿二過程中，被變性為氧化梦薄膜或者 水性和耐污毕性：甲烧變得更密實’而具有好的耐 方法進〜：下的製程將以類似第-實施例所述之 進仃，其中預烤的溫度為16代，而緩衝的氫氣 本紙張尺度適 訂------"踩------ 經濟部t央標準局員工消費合作社印製 Λ7 '---_ — H7 九、發明説明（7) 一 液則疋被用作濕蝕刻劑。此外，再次烘烤之條件為2701 ’ 6〇分鐘。 本實施例的特徵是在使用聚矽曱烷化合物後，便不需 要—般用作基層之氮化矽層。簡而言之，此製程可被進— 步簡化，進而提昇產率。此外，厚度3"m之厚苄環丁烯 聚合物薄膜的傳導度有95%是大於棚nm，且其耐熱性是 j於300 C。因此，所形成的介層絕緣層具有高傳導度和 高耐熱性。 根據本發明之第三實施例將於以下詳細說明。在此實 施例中，以結構式代表的Card〇_型聚合物以及結構式2所 代表的環氧化官能基被用作介層絕緣薄膜之之材料其製 私將於第6A〜6E圖中詳細說明。 將如上所述之聚合物設於氮化矽薄膜102上，其可利 用習知的方法形成，藉由旋塗、於15〇t：預烤（第6八圖）而 成。此聚合物之蝕刻速率將會因為預烤而改變，可使其在 後續的光阻溶劑中不被溶解。然後，烘烤摻混有丙二醇單 乙轉醋酸餘劑之㈣重氮熱性料義樹脂系統正型樹 脂，接著再依序曝光、顯影，形成光阻圖案1〇〇(第6^圖）。 顯影時所用的光阻顯影般含有肖Q1〜lmGl 1分比的經 基四甲基銨（THAM)溶液。然後，使用光阻圖案1〇3和有機 薄膜圖案HH作為罩幕，乾⑽】部分不需要的氮化石夕薄膜 以及閘極絕緣薄膜107(第6C圖）。其中，乾蝕刻時所用的 蝕刻氣體為氧氣/六氣化硫。然後，使用乳酸丁酉旨將光阻圖 案103去除（第6D圖）。最後，於25〇〇c再烘烤3〇分鐘， 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS ) A4規格（2ΙΟχ297公梦） --\'-----'-裝------訂------'球 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 五、發明説明（8) —...........................-- 使聚合物完全硬化。 實施例的特徵是基層的乾蝕刻是使用濕蝕刻所獲得 之有機薄膜圖案作為罩幕。在此製程中，基層的氮化石夕薄 膜被定f，且濕钱刻後所留.下的节環丁烯聚合物可-併被 f'簡而σ之，在習知方法中個別進行的此二步驟，在 此製私可於一個步驟中完成，因此可提昇產率。此外，厚 度3//m之厚节環丁稀聚合物薄膜的傳導度有是大於 400nm ’且其耐熱性是大於26代。因此，所形成的介層絕 緣層具有高傳導度和高耐熱性。 本發明之第四個較佳實施例將於以下說明之。在此實 施例中’非光敏感性的甲基丙烯酸和glygU曱基丙烯酯等 丙烯酸樹脂是被用來當作介層絕緣薄膜之材料（微製造的 JSS系列），其製程將於第7A〜7F圖中詳細說明。 如上所述之丙稀酸樹脂是形成於氮化石夕薄膜1 〇2上， 利用習知的方法形成，藉由旋塗、於9〇t預烤（第7a圖） 而成。此聚合物之蝕刻速率將會因為預烤而改變，可使其 在後續的光阻溶劑中不被溶解。然後，烘烤摻混有2_己酮 和乙基-3 -乙氧基丙酸酯作為混合溶劑之萘醌重氮-熱性酚曱 醛類樹脂系統正型光阻（JSR製造的JCX-100)，接著再依序 曝光、顯影，形成光阻圖案103,並且用來濕蝕刻有機薄 膜100(第7B圖）。顯影時所用的光阻顯影劑是含有約 〜Imol百分比的羥基四曱基銨溶液。然後，如第3實施例 般，可使基層立即被乾蝕刻掉，並且將光阻圖案丨〇3去除。 在此例中，DMSO氨系統光阻剝除劑之濃度是調整為不會 11 本紙張尺度適用中國國i標準（CNS ) A4規格（2丨〇X297公楚） ---- T ^ -¾衣------1T------' ^ (請先閱讀背面之注意事項-再填寫本頁) Λ7 Λ7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 - 五、發明説明（9 ) … ~ 使有機圖案ιοί膨脹或者被磨損。此外，光阻圖案1〇3和 有機薄膜圖案101形成後，繼續進行下列步驟：於13〇它 熱處理5分鐘，藉由熱架橋連接反應，使有機薄膜圖案1〇1 不會被羥基四甲基銨（THAM)溶解（第7C圖）。此外，以紫 外線輻射整個基底表面’使光阻圖案1G3可被驗性溶液溶 解（第70圖）。 然後，使用光阻圖案103和有機薄膜圖案1〇1作為罩 幕’乾蚀刻部分不需要的氮化矽薄膜1〇2以及閘極絕緣薄 膜1〇7(第7E圖）。其中，乾银刻時所用的餘刻氣體為氧氣/ 六氟化硫。然後，使用THAM溶液將光阻圖案1〇3去除（第 丌圖）。最後，於25(rc再烘烤3〇分鐘’使聚合物完全硬 化0 此實施例除使用與第3實施例相同的光阻剝除液外， 其特徵是使用不同的方法來去除光阻，藉由熱塑性樹脂的 特性，使其更可應用於THAM溶液令。簡而言之，藉由兩 階段熱處理：藉由熱架橋連接反應使有機薄膜半硬化，並 且不溶於光阻剝除液中；以及在去除光阻後，再烘 使其完全硬化，且更進一步地使用紫外線輻射之，使其可 溶解於THAM構成的光阻剝除液中。其比乳酸丁醋具有較 佳的去除能力，且其可在光阻剝除後提供比DMs〇氨系統 之光阻剝除液較佳的表面狀態。 此外，在此所使用的丙烯酸樹脂與習知技術所用的丙 缔酸樹脂不同，在習知技術中所用的丙烯酸樹脂並不包括 任何光敏感官能基。此外，厚度m之薄膜的傳導度有95% 12
本紙張功4财_&準丨0X297公釐I I;-----Q-裝------訂-----',踩 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 ------ B? 五、發明説明（丨0 ) ~ ~ _ 是大於400nm，且其耐熱性是大於26(rc。因此，所形成 的介層絕緣層具有高傳導度和高耐熱性。 根據本發明之第五實施例將於以下詳細說明。在此實 施例中，對i線敏感的紫外光可塑性的型聚合物被 用作介層絕緣薄膜之之材料，其製程相當類似第四實施例， 惟其預烤知溫度為13(TC。此外’藉由利用使用丙二醇單 乙醚醋酸醋溶劑獲甲氨系統溶劑之萘視重氮_熱性盼甲酸類 樹脂系統的g線敏感正型光阻，再以5〇〜1〇〇mj/cmkg 線進行曝光。曝光後，便可在顯影完成時形成—光阻圖案 103,以及有機薄膜圖案1〇1(第7B圖）。然後，基層可立即 被乾敍刻掉’且一併將光阻圖案丨〇3去除。在此例中， 氨系統光阻剝除劑之濃度是如第四實施例般被調整，因此 不會使樹脂表面被磨損。此外，光阻圖案1〇3和有機薄膜 圖案101形成後，繼續進行下列步驟··以500〜1〇〇〇mJ/cm2 之备、外光照射整個基底之正面和背面，使Card0_型的聚合 物可經由熱架橋連接反應而被半硬化，進而使其不會被鹼 性/谷液所溶解，同時並使光阻可被鹼性溶液溶解（第8C圖）。 此外，使其於250 C再烘烤30分鐘，使Cardo-型的聚合物 完全硬化。另外，紫外線輻射可再乾蝕刻前或者後進行。 此實施例之特徵是使使用紫外線可塑性之樹脂。簡而 吕之’在第四實施例中利用熱架橋連接反應，以進行半硬 化製程，在此實施例中則是以光學架橋連接反應來取代。 因此製程中’光阻可同步被溶解於THAM溶液内，因此可 簡化製程的步驟。此外，厚度之薄膜的傳導度有92% _ 13 氏張尺度適财國|家鮮（CNS) A槻格（21Gx-^7公趁1 — - -T—}------裝------訂—；-----,d. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Λ7 B? 五、發明説明（u ) —................ — _ 是大於400nm，且其耐熱性是大於25〇ι。因此，所形成 的介層'絕緣層具有高傳導度和高对熱性。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限f本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 和祀圍内，所作之各種更動與潤飾均落在本發明之範圍内，
Si:明之專利保護範圍當視後附之申請專利範圍所界 ml I -- - - - —II 1 I I '， - U3. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 、一 =0 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） *—---

Claims (1)

  1. A8 B8 C8 D8 ^申請專利範圍 包括、種製造主動矩陣式液晶顯示裝置之方法，其步驟 夕姓^成介層絕緣層於一帶有晝素電極和導線互相重疊 曰a 士 、電日日體基底上，其中該絕緣層之至少一部份 疋由^機薄瞑所構成； 定義該有機薄膜；以及 層。使用該疋義出來的有機薄膜作為罩幕’定義出一基 眩夕j中請專利範圍帛1項所述之方法，其中該有機薄 則^步驟是利用濕㈣法進行，而讓.定義基層之步驟 二、|用乾ϋ刻法進行’其中所使用㈣刻氣體是由至少 種選自氧氣、四說化 -翁田}^ 體所構成。 齔化厌、二亂曱烷、以及六氟化硫之氣 3.如申請專利範圍帛2項所述之方法，其中更 列步驟： Υ炅包括下 利用樹脂並且預先充填來形成該有機薄膜； 、，在該有機薄膜上先形成—光阻層1後再依序、 曝光和顯影，形成一光阻圖案； 使用該光阻圖案作為罩幕，利用濕蝕 特定圖案之有機薄膜； 人義出-具 使用該具特定圖案之有機薄膜作為罩幕，乾蝕刻該基 .層； 土. 去除該光阻；以及 藉由再-烘烤使得該有機薄膜完全硬化。 ----------^‘裝------訂------ k Γ . 5 N (請先閱讀背面之注意事項再填寫本育) _ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 15 -種正·型光==3項所述之方法，其中該光㈣ ㈣甲《樹脂樹合物作為光叫^ 二醇翠乙-醋酸酿作甲氨系晴或者月 由氨氧基四甲基銨_所構成;以及 -5·如Μ專利範圍第4項所述之方法，里中. ㈣㈣由❹丙料油單㈣乙酸 下預姻而成土 物於溫度職〜载之環境 播植Γ有f薄膜圖案形成之步驟是制㈣耻定義該有 :显Ί ’其中該濕㈣步驟所使用的#刻液是由u，5- .' 土苯和芳香系統之碳氫化合物所構成之混合溶液或 ^甘油醚和合成的異鏈烧烴系統之碳氫化合物所構成之混 合溶液所構成；而 該有機薄膜之硬化步驟則是藉由於溫度24〇。匸〜二C 之再-烘烤程序而完成。 6·如申請專利範圍第4項所述之方法，其中： 又該有機薄膜之形成步驟是利用聚矽曱烷化合物或一種 聚矽曱烷化合物之聚合物以及丙稀酸化合物於溫度13〇ρ 〜200 C之環境預烤而成； 該有機薄膜圖案之形成步驟是使用緩衝的氬氟酸溶液 濕蝕刻該有機薄膜而成；且 ------ 申請專利範圍 δ亥有機薄膜之 之再·供烤程序％完:化步驟則是藉由於溫度24(rc〜300t 二申::::圍*2項所一其I 該有機薄膜之蝕刻。 风/驟疋在光阻顯影後，再進行 步驟:8.如0專利範圍第7項所述之方法，其更包括下列 利用樹脂，然後再預烤之， 阻被:烤成::二於該形成的有機薄膜表面有:二:使該光 機薄成的_案，_該有 使用該有機薄膜圖 去除該級刻該基層； 猎由再烘烤使得該有機薄膜完整地硬化。 ^如巾請專㈣圍第8項所述之方法，其中： .、光阻疋種正型光阻，其使用萘醌重氮化合物 =劑，熱_甲⑽樹脂樹脂作為基樹脂，以及甲基 溶劑，丙二醇單乙爾醋試劑，2_庚酮，乙基_3_ 丙酿或者2_庚酮和乙基3_乙氧基丙 劑作為溶劑； 行該光阻之顯影和該有機薄膜之濕㈣步驟時之溶 液為氳氧基四甲基銨（ΤΜΑΗ);以及 該光障去除步驟是由二甲基亞篇、乙醇氨和乙酸乙酉旨 t紙嶋家標準7^y^"( 2ι〇χ297公訂 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 或乳酸丁_構成之混合溶液來進行。 ^如巾請相範圍第9項所述之方法，其中：成—_構式⑴表示的 構点夕2 結構式⑺表示的乙氧基化合物所 構成=合物，於溫度⑽c〜mt<環境㈣而成；且 ^ “機薄膜之步驟是藉由在溫度紐。〔〜2贼之 每;兄下預缘而完成®^
    ⑴ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 袭------ 訂 鯉濟部中央標準局員工消費合作社印製
    〇 (2鶴I 11 ·如申請專利範圍第9項所述之方法，其中： ！:表d 該有機薄膜之形成步驟是在溫度範圍8(TC〜l〇〇°C之 環境下，預烤丙稀-酸樹s脂；而 該有機薄威之硬化步驟敗是在溫度範圍22(TC〜260°Γ 之環境下再次烘烤而得。 18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 列步 申請專利範圍 :;如申請專利範圍第7項所述之方法，其中更包括下 二置的熱塑性樹脂，而形成-有機薄膜； 被烘烤和曝光；'機薄膜上形成—光阻’ ‘岐再使該光阻 利用使該光阻顯影後而形成的光阻圖索，篇勒幻兮士 機薄膜，形成—有機_„先㈣案錢刻該有 «有機_圖案不溶解於—種 架橋反應使其半硬化； ^工〜错由熱 —~有機薄膜圖案作為罩幕，乾#刻，該基層； 阻在外㈣㈣基叙H正面m使得該光 在該顯衫劑内被溶解掉；以及 猎由再烘烤使得僉有機薄膜完整地硬化。 U•如申請專利範圍第12項所述之方法，其中： 該光阻是一種正型光阻，其使用萘酸重氮化合物作為 :敏成%1熱性紛甲酸類樹脂樹脂作為基樹腾，以及甲基 氨f統溶劑，丙二醇單⑽舰舰劑，2·庚肩，乙基 乙氧基丙Ϊ旨或者2-庚酮和乙基3_乙氧基㈣構成之混合溶 劑作為溶劑； 進行該光阻之顯影和該有機薄膜之濕蝕刻步驟時之溶 液為氫氧基四甲基銨（ΤΜΑΗ)。 14.如申請專利範圍第$項所述之方法，其中： 該有機薄膜之形成步驟是利用丙烯酸樹脂和包含光聚 合起始劑之樹脂在溫度範圍80°C〜110Τ：環境預烤而成； -------- 19 本紙張从適用CNS)公釐) ---1--------裝------訂------.奴 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央操準局員工消費合作社印製
    A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 而 $ ™該有機薄膜之硬化步驟則是在溫度範圍220°C〜260°C 環境下再次烘烤而得。 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中： 人該有機薄膜之形成步驟是利用丙烯酸樹脂和包含光聚 始劑之樹脂在溫度範圍80°C〜110X-環度預烤_亟成」 > a孩有機薄膜之磲化步驟則是在溫度範圍220°C〜260。(： 之環境下再次烘烤而得。 6.如申凊專利範圍第7項所述之方法，更包括下列步 利用對卜線或更短波長之光線敏感之紫外線可塑性樹 知進行預烤，而形成-有機薄膜； 在。亥开ν成的有機薄膜表面形成一光阻，並且洪烤之； 以g-線進行曝光； 使用該有機薄膜圖案作為罩幕，乾蝕刻該基層； 使用顯影劑去除該光阻；以及 藉由再烘烤使該㈣帛膜® t H地硬化。 Π•如申請專利範圍第16項所述之方法，其中： π 阻疋屬於線光敏感正型先阻，其使用萘釅重氮 光散試劑’熱塑性解薇樹腊作為基樹脂，及 其 先'合劑，丙二醇單乙醚醋酸酯試劑，2-庚酮，乙 旨或者2_庚_和乙基3·乙氧基丙醋構成之混 合洛劑作為溶劑； L__ ------------- 20 7紙_ 用中 底 申請專利範圍 诙我：一仃：光阻孓顯影和該有機薄膜之濕蝕刻步驟時之溶 液為風軋基四曱基銨(TMAH)。 18·如申請專利範圍第9項所述之方法，直中：. 形成步驟是利用-種以結構式⑴表示的 構成之β ^ 独結構式⑺表灿乙氧基化合物蛛 ^ ’於溫度8〇°C〜15〇t：之環境預烤而成；且 进、μ有機薄膜之硬化步驟是藉由在溫度23〇τ〜28〇它之 % i兄下預烤而完成。 :9.如申請專利範圍第16項所述之方法，其中： 4機薄膜之形成步驟是利用一種以結構式(1)表示的 爐忐夕^化"物和一種以結構式⑺表示的乙氧基化合物所 上，0物，於溫度8〇〇c〜15〇〇c之環境預烤而成；且 該有機薄膜之硬化步驟是藉由在溫度23(TC〜28(TC之 環境下預烤而完成。 •種主動矩陣液晶顯示裝置，其包括： ▼有晝素電極和導線據此重疊結構 < 薄膜電晶體 以及 —介層絕緣層，其至少一部份是由有機薄膜所構成。 1 ·如申凊專利範圍第20項所述之主動矩陣液晶顯示 裝置’其中： 該有機薄膜是屬於节環丁烯聚合物。 22·如申请專利範圍第2〇項所述之主動矩陣氣晶示 裝置’其中： 一 該有機薄氣是屬於聚砍Τ I化合物表者聚矽f處化合 4---Γ------- 裝------訂------：-k (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製
    經濟部中央檩準局員工消費合作社印製
    (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
    '申請專利範圍 物和丙烯酸化合物所構成之聚合物。 其3中如申所專利範圍第2 0項所述之主動矩陣液晶顯示 24·如申請專利範圍第2〇項所述之主動 不裝置，其电： 該有機薄模是屬於丙燦酸系統樹脂。 示穿置2=:=利範圍第2〇項所述之主動矩陣液晶 裝置其中該介層絕緣層是利用下列步驟形成： 膜；=由至少_部份該介層絕緣層所構成之該有機 使用該定義出來的有機薄膜當作罩幕，定義出一其
    L--f裝------訂-- -II » --- _
    本紙張妓賴巾 、申請專利範圍 層。 26.如申請專利範 示裝置，其中該介展6 第21項所述之主動矩陣液晶顯 定義由至少；t層是利用下列步驟形成： 膜；以及 71該介層絕緣層所構成之該有機薄 使用該定義屮I 層。 的有機薄膜當作罩幕，定義出一基 27.如申請專利範 示裝置，其中讓介屏绍拉 22項所述之主動矩降液晶顯 定義由至少一\、層是利甩下列步驟形成」 膜；以及, P份該介層絕緣層所構成各該有機薄 使用該定義屮水 層 的有機薄膜當作罩幕…，定義出一基 28·如申請專利範 示裝置，其巾該介層纟 _述之絲矩陣液晶顯 定羞h I 緣層疋利用下列步驟形成： 膜；Γ及 部份該介層絕緣層所構、成之該有機薄 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 層 使用該定義出來的有機薄膜當作罩幕，ttn 29·如t請專利_第24項所述之主動 示裝置f Λ中該介層絕緣妓利用下列步驟形成： 膜;=由至少一部份該介層絕緣層所構成之該有機薄 使用該定義出來的有機薄膜當作罩幕，定義出—基 23 本紙張纽it财關家網t (。叫入4規格（21〇><297公着··
    、申請專利範圍 層。 示裝置，其^專利1& 11第29項所述之主動矩陣液晶顯 ϋ其/有機薄膜之定義步驟是利用濕㈣法進行，而該定 氣i =步驟則是湘乾_法進行，其纽使甩的展刻 丄I 至夕—種選自氧氣、'^惠化碳、三1曱院、以及 八鼠化硫之氣體所構成。 31. 如中請專利範圍第3G項所述之主動矩陣液晶顯 ' ”中該介層絕緣薄膜之形成更包括有下列步驟： 利用樹腊並且預先充填來形成該有機薄膜； 在該有機薄膜上先形成一光阻層，然後再依序洪烤、 曝光和顯影，形成一光阻圖案； 使用該光阻圖案作為罩幕，利用濕蝕刻法定義出一具 特定圖案之有機薄膜；. 八 使用該具特定圖案之有機薄膜作為罩幕，乾蝕刻讓基 層； 去除該光阻；以及 藉由再-烘烤使得該有機薄膜完全硬化。 32. 如申請專利範圍第3丨項_所樹脂主動矩陣液晶顯 示裝置，其中： 該光阻是一種i型光阻，其使用萘酿重氮化舍物作為 光敏試劑’熱塑性盼，曱醛樹脂作為基樹脂，而甲氨系統溶 劑或者丙二醇單乙醚醋酸酯作為溶劑； 該顯影劑是由氫氧备四甲基銨（TMAH)所構成；以及 24 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（21〇><297公釐） 1—------^ -裝------訂------i4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 琢光阻去除步驟是由二甲基亞砜 乙醇氨和乙酸乙酿 叫 一 | Φ 5Z ^ 或乳酸丁輯所構成之混合溶液來進行 示裝置，專利乾圍第32項所述之主動矩陣液晶海 ㈣…咐錄乙勒越 下預-洪烤而成土；物於温度i3〇t〜2〇<rc之環續 機壤Γ有f薄膜圖案形成之步驟是利用濕|刻法定義該有 二里、而侍，其中該濕钱'刻步驟所使甩的蝕刻液是由丨3,5_ 二異丙基本和芳香系統之礙氫北合物所構成之混合溶液或 趑和β成的異鏈烷烴系統之碳氫化合物 合溶液所構成；而 ^ °亥有機薄膜之硬化步驟則是藉由於溫度24〇。〇〜3〇〇它 之再-烘烤程序而完成。 _ 34.如申請專利範圍第32項所述之主動矩陣液晶顯 示裝置，其中： t該有機薄膜之形成步驟是由使用丙烯甘油單乙醚乙酸 酉曰所構成之苄基環丁烯聚合物於溫度13 0。(：〜200°C之環境 下預-烘烤而成； 兄 該有機薄膜圖案形成之步驟是利用濕蝕刻法定義該有 機薄膜而得，其中該-濕麵刻步驟所使用的蝕刻液是由！，3,5_ 二異丙基苯和芳香系統之碳氫化合物所構成之混合溶液或 者甘療崎和合成的異鏈烷.烴系統之碳氫化合物所構成之混 合溶液所構成；而 & L. —__ 25 ( 210X297公釐) J -------,裝------訂 f請先閲讀背面之注意事項一Φ填窝本頁)、 經濟部中央標率局員工消費合作社印製
    申請專利範圍 經濟部中央標牟局員工消費合作社印製 該有機薄膜之硬化步驟則θ並山 之再♦烤程序而完成。k精由於湿度240。(：〜3〇〇°C f 30 該有❹科在級轉後，再崎 示f置36=請專難圍第35韻叙域矩陣液晶顯 丁震置，其中該介層絕緣層之形成包括下列步驟： 用樹脂，然後再預烤之，而形成 阻料㈣㈣««面，然後再使該光 钱⑽，形成—有機薄膜圖案； 2用該有機薄膜圖案作為—罩幕，乾_該基層； 去除該光阻；以及 藉由再烘烤使得該有機薄膜完整地硬化。 37,如中請專利範圍第％項所述之主動㈣液晶顯示 装置，其中： Ί正型光阻，其使用纽重氮化合物作為 二、劑’熱塑性酚甲醛樹脂作為基樹脂，以及甲基氨系 統浴劑’丙二醇單乙醚醋酸酯試劑，2_庚酮，乙基_3-乙氧 基丙S旨或者2-庚_和乙基3_乙氧基㈣構成之混合溶 為溶劑； ^ 進行該光阻之顯影和該有機薄膜之濕蝕刻步驟時之溶 26 I-------V *裝------訂------^.w (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) m 張嫩用 ( cnST^("210x297^7 六、申請專利範園 液為氫氧基四甲基銨（TMAH);以及 該光阻去除步驟是由二甲基 «t酸丁 w 『基亞砜、乙醇氰和乙酸乙酯 次扎黾丁酗所構成之混合溶液來進行。 裝置，38其如中申請專利範圍第37項所述之主動矩陣液晶顯示 裝 該有機薄膜之形成步驟是利用一種以結構式⑴表示的 f型化合物和-種以結構式⑺表示的乙氧基化合物所 構成之聚合物，於溫度110°C〜削。c之環境預烤而成；且. 該有機薄臈之硬化步驟是藉由在溫度23〇t：〜28{rC2 環境下預烤而完成。 39.如申請專利範圍第37項所述之主動矩陣液晶顯 示裝置，其中： 訂 該有機薄膜之形成步驟是利用一種以結構式（1)表示的 Cardo-型化合物和一種以結構式（2)表示的乙氧基化合物所 構成之聚合物’於溫度抓^〜^^之環境預烤而成二且 該有機薄膜之硬化步驟是藉由在溫度23(rc〜28〇t：之 環境下預烤而完成。 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 一 40.如申請專利範圍第35項所述之主動矩陣液晶顯 示裝査’其中更包括下列步驟： 藉由預烤一設置的熱塑性樹脂，而形成一有機薄膜； 在該形成的有機薄膜上形成一光阻，然後再使該光阻 被烘烤和曝光； 利用使該光阻顯影後而形成的光阻圖案，濕蝕刻該有 機薄膜’形成一有機薄膜圖案； 27 尽、表張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公疫） 經 部 中 標 準 員 費 合 作 社 印 製 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 . 使忒有機薄膜圖案不溶解於一種顯影劑内，並藉由熱 架橋反應使其半硬化 使用該有機薄膜圖案作為罩幕，乾蝕刻該基層； 藉由紫外線輻射該基底之至少一前面或背面使得該光 阻在該顯影劑内被溶解掉；以及 藉由再烘烤使得該有機薄膜完整地硬化。 一 41·如申請專利範圍第40項所述之主動矩陣液晶顯 示裝置，其中： 、>該光阻疋—種正型光阻，其使用萘醌重氮化合物作為 光敏試劑，熱塑性紛甲越樹脂作為基樹脂，以及甲基氨系 、:溶’、丙二醇單乙醚醋酸醋試劑，2_庚酮，乙基乙氧 -或者2庚酮和乙基3_乙氧基丙酯構成之混合 為溶劑； 進，該光阻之顯影和該有機薄膜之濕蝕刻步驟時之溶 液為虱軋基四甲基銨（TMAH);以及 該光阻去除步驟是由二甲基 或乳酸丁i旨所構成之混合溶絲進行。風乙^乙酿 示裳置们:請專利範圍第广項所述之主動矩陣液晶顯 人法Z有機薄膜之形成步驟是利用丙稀酸樹脂和包含光聚 :起始劑之樹脂在溫度範圍㈣〜⑽環境預㈣ 該有機薄膜之硬化步驟則是在 之環境下再次烘烤而得。 〜260 c 1—— 2 8 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) ___一-------------.裝-------訂------/J---·.---:----：---P » ϋ fn ft n
    申請專利範圍 如申明專利範圍第41項所述之主動矩陣液晶顯 示裝置，其中： '^有機薄膜之形成步驟是利用丙稀酸樹脂和包含光聚 起口 J之柯月曰在溫度範圍8(rc〜110t>c環境預烤而成； 而 、該有機薄膜之硬化步驟則是在溫度範菌22(TC〜260°C 之ί哀境下再次烘烤而得。 _ 44.如申請專利範圍第35項所述之主動矩陣液晶顯 不裝置中該介層絕緣薄膜之形成更包括有下列步驟： 矛J用對卜線或更短波長之光線敏感之紫外線可塑性樹 脂進行預烤，而形成—有機薄膜； 在該形成的有機薄膜表面形成一光阻，並且烘烤之； 以g-線進行曝光； 、^該光R顯H形成—光衷®案，難:制用濕钱 刻法定義出—具特定圖案之有機薄膜： 以备、外線照射至少一該基底之正面或背面，然後使該 有機薄膜圖案*溶解於—種顯影劑内，並藉由熱架橋反應 使八半硬化，然後使該光阻溶解於顯影劑内； 使用該有機薄膜圖案作為罩幕，乾蝕刻該基層； 使用顯影劑去除該光阻；以及 藉由号烘烤使該有機薄膜圖案完整地硬化 45·如申請專利範圍第料項所述之 該光阻是屬於g-線光敏感正型光阻，其使用萘艇、重 化合物作為光敏試劑’熱塑性酚甲醛樹脂作為基樹脂，以 ----------.裝------#------k (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 2
    經濟部中央標準局員工消費合作社印製 申請專利範圍 及甲基氨系統溶劑，而_ 乙基1乙氧基丙·或乙㈣酸酯試劑，2舶， 混合溶劑作為溶劑 庚_和乙基3,乙氧基丙酯構成之 液為虱乳基四甲基銨(tmah)。 ^ 示裝置，:中申;'專利範圍第37項所述之主動矩陣液晶顯 吻™糊)表示的 媸…入 結構式(2)表示的乙氧基化合物所 =&物/於溫度80°c〜⑼。C之環境預烤而成；且 m g有機薄膜之硬化步驟是藉由在溫度23〇。〇〜28〇c>c 環境下預烤而完成。 .如中$專利範圍第45項所述之主動矩陣液晶顯 示裝置，其中： 該有機薄膜之形成步驟是利用一種以結構式（1)表示的 Card。-型化合物和一種以結構式⑺表示w乙氧基化合物所 構成之聚合物’於溫度8〇°C〜15(TC之環境預烤而成；且 、 該有機薄膜之硬化步驟是藉由在溫度23(rc〜28(rc之 辕境下預烤而完成。 --------^裝一ί (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
    本紙張认適财_家轉（CNS)八4祕（21()><297公董）
TW087119514A 1997-11-25 1998-11-24 Active matrix liquid crystal display device and its manufacturing method TW394986B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32342397 1997-11-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW394986B true TW394986B (en) 2000-06-21

Family

ID=18154528

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW087119514A TW394986B (en) 1997-11-25 1998-11-24 Active matrix liquid crystal display device and its manufacturing method

Country Status (5)

Country Link
US (2) US6284558B1 (zh)
EP (1) EP0919850B1 (zh)
KR (1) KR100329094B1 (zh)
DE (1) DE69839935D1 (zh)
TW (1) TW394986B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019015317A1 (zh) * 2017-07-17 2019-01-24 京东方科技集团股份有限公司 构图方法和阵列基板的制备方法

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3230664B2 (ja) * 1998-04-23 2001-11-19 日本電気株式会社 液晶表示装置とその製造方法
CA2394886C (en) * 1999-12-21 2012-07-17 Plastic Logic Limited Inkjet-fabricated integrated circuits
JP5073141B2 (ja) 1999-12-21 2012-11-14 プラスティック ロジック リミテッド 内部接続の形成方法
KR100603851B1 (ko) * 2000-02-12 2006-07-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사형 액정 표시장치
KR100641732B1 (ko) * 2000-12-29 2006-11-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 엑스-선 검출소자의 제조방법
KR100752212B1 (ko) * 2000-12-29 2007-08-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 제조방법
WO2002084756A1 (en) 2001-04-10 2002-10-24 Sarnoff Corporation Method and apparatus for providing a high-performance active matrix pixel using organic thin-film transistors
KR100495702B1 (ko) * 2001-04-13 2005-06-14 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100720099B1 (ko) 2001-06-21 2007-05-18 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법
JP4002410B2 (ja) * 2001-06-22 2007-10-31 日本電気株式会社 アクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法
TW513593B (en) * 2001-10-03 2002-12-11 Chunghwa Picture Tubes Ltd Liquid display device
KR100813016B1 (ko) * 2001-10-22 2008-03-13 삼성전자주식회사 액정표시장치의 제조방법
TW522570B (en) * 2001-11-06 2003-03-01 Hannstar Display Corp Manufacturing method of thin film transistor array substrate and its structure
US7009663B2 (en) 2003-12-17 2006-03-07 Planar Systems, Inc. Integrated optical light sensitive active matrix liquid crystal display
US7053967B2 (en) 2002-05-23 2006-05-30 Planar Systems, Inc. Light sensitive display
AU2002336341A1 (en) 2002-02-20 2003-09-09 Planar Systems, Inc. Light sensitive display
KR20030079542A (ko) * 2002-04-04 2003-10-10 동우 화인켐 주식회사 포토레지스트 조성물
KR100436181B1 (ko) * 2002-04-16 2004-06-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
KR100482328B1 (ko) * 2002-04-29 2005-04-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액티브 매트릭스형 유기 전계발광 표시패널 및 그의제조방법
US20080084374A1 (en) 2003-02-20 2008-04-10 Planar Systems, Inc. Light sensitive display
US6921679B2 (en) * 2003-12-19 2005-07-26 Palo Alto Research Center Incorporated Electronic device and methods for fabricating an electronic device
TWI255535B (en) * 2004-03-31 2006-05-21 Sanyo Electric Co Device mounting board and semiconductor apparatus using the same
US7773139B2 (en) 2004-04-16 2010-08-10 Apple Inc. Image sensor with photosensitive thin film transistors
JP2005347411A (ja) * 2004-06-01 2005-12-15 Sanyo Electric Co Ltd 素子搭載基板およびそれを用いる半導体装置
US20060045240A1 (en) * 2004-08-31 2006-03-02 Buchner Gregory C Method and apparatus for delayed answering of telecommunications request
US7789971B2 (en) 2005-05-13 2010-09-07 Tokyo Electron Limited Treatment of substrate using functionalizing agent in supercritical carbon dioxide
KR100631858B1 (ko) 2005-12-22 2006-10-04 제일모직주식회사 액정표시장치 칼라필터용으로 사용되는 블랙 매트릭스용카본블랙 분산액 조성물
TWI290771B (en) * 2006-01-02 2007-12-01 Wintek Corp TFT substrate, liquid crystal display panel, transflective liquid crystal display device, and methods for the same
CN100449737C (zh) * 2006-02-28 2009-01-07 友达光电股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
US9310923B2 (en) 2010-12-03 2016-04-12 Apple Inc. Input device for touch sensitive devices
US9329703B2 (en) 2011-06-22 2016-05-03 Apple Inc. Intelligent stylus
US8638320B2 (en) 2011-06-22 2014-01-28 Apple Inc. Stylus orientation detection
US8928635B2 (en) 2011-06-22 2015-01-06 Apple Inc. Active stylus
US9557845B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Apple Inc. Input device for and method of communication with capacitive devices through frequency variation
US9652090B2 (en) 2012-07-27 2017-05-16 Apple Inc. Device for digital communication through capacitive coupling
US9176604B2 (en) 2012-07-27 2015-11-03 Apple Inc. Stylus device
US10048775B2 (en) 2013-03-14 2018-08-14 Apple Inc. Stylus detection and demodulation
CN103926752B (zh) * 2013-07-30 2017-04-19 上海中航光电子有限公司 一种液晶显示器、平面转换模式的阵列基板及其制造方法
US9939935B2 (en) 2013-07-31 2018-04-10 Apple Inc. Scan engine for touch controller architecture
CN105590848B (zh) * 2014-11-17 2019-02-15 上海和辉光电有限公司 显示器件制备方法
US10067618B2 (en) 2014-12-04 2018-09-04 Apple Inc. Coarse scan and targeted active mode scan for touch
US10474277B2 (en) 2016-05-31 2019-11-12 Apple Inc. Position-based stylus communication
KR102075891B1 (ko) * 2017-11-24 2020-02-12 한국생산기술연구원 펄스 자외선을 이용한 폴리실라잔계 소재 박막의 패터닝 및 이의 제조방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6473316A (en) 1987-09-14 1989-03-17 Canon Kk Liquid crystal device
KR910010623A (ko) 1989-11-18 1991-06-29 문정환 건식 식각 및 습식 식각의 특성을 이용한 접촉 식각 방법
EP0603866B1 (en) * 1992-12-25 2002-07-24 Sony Corporation Active matrix substrate
KR100284560B1 (ko) * 1995-02-23 2001-03-15 하루타 히로시 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR970011972A (ko) * 1995-08-11 1997-03-29 쯔지 하루오 투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JPH09244009A (ja) * 1996-03-14 1997-09-19 Seiko Epson Corp 液晶表示体及びその製造方法
DE19712233C2 (de) * 1996-03-26 2003-12-11 Lg Philips Lcd Co Flüssigkristallanzeige und Herstellungsverfahren dafür
KR100244450B1 (ko) 1996-08-30 2000-02-01 구본준 액정표시장치의 기판의 제조방법 및 그 제조방법에 의하여 제조 되는 기판의 구조
KR100223153B1 (ko) * 1996-05-23 1999-10-15 구자홍 액티브 매트릭스 액정표시장치의 제조방법 및 액티브매트릭스액정표시장치
JP3317387B2 (ja) 1996-06-03 2002-08-26 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JPH1031231A (ja) * 1996-07-15 1998-02-03 Sony Corp 反射型ゲストホスト液晶表示装置及びその製造方法
KR100251091B1 (ko) 1996-11-29 2000-04-15 구본준 액정표시장치의 제조방법 및 그 제조방법으로 제조되는 액정표시장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019015317A1 (zh) * 2017-07-17 2019-01-24 京东方科技集团股份有限公司 构图方法和阵列基板的制备方法
US11347148B2 (en) 2017-07-17 2022-05-31 Boe Technology Group Co., Ltd. Patterning method and method for manufacturing array substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990045543A (ko) 1999-06-25
EP0919850B1 (en) 2008-08-27
EP0919850A3 (en) 2000-03-22
KR100329094B1 (ko) 2002-10-25
EP0919850A2 (en) 1999-06-02
US6284558B1 (en) 2001-09-04
US20020047121A1 (en) 2002-04-25
DE69839935D1 (de) 2008-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW394986B (en) Active matrix liquid crystal display device and its manufacturing method
TW539887B (en) Liquid crystal display device and method of fabricating TFT panel
CN101427181B (zh) 可湿法显影的底部抗反射涂料组合物及其使用方法
TWI364781B (en) Method for forming fine pattern of semiconductor device
JP4687250B2 (ja) 感光性樹脂組成物
JP5111742B2 (ja) レジストおよびこれを用いた表示装置の製造方法
TWI411884B (zh) 含有矽氧烷的正型感光性樹脂組成物
TW200813490A (en) Colored masking for forming transparent structures
WO2011089975A1 (ja) タッチパネル部材、並びに、上記タッチパネル部材を用いた表示装置及びタッチパネル
US20060115772A1 (en) Polymeric tetrahedral carbon films, methods of forming the same and methods of forming fine patterns using the same
CN101735690B (zh) 油墨组合物以及使用该油墨组合物制造液晶显示器件的方法
TW200903170A (en) Positive type photosensitive resin composition
KR20120106086A (ko) 화학증폭형 포지티브 감광형 유기절연막 조성물 및 이를 이용한 유기절연막의 형성방법
TW201732515A (zh) 膜觸控感測器及其製作方法
TW200804991A (en) Method for pattern formation and high-carbon-containing resin composition
TW201217906A (en) Negative photosensitive resin composition
JP3161438B2 (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
US8354220B2 (en) Resist ink and method of forming pattern using the same
TWI364632B (en) Photoresist removing liquid compositions for the substrate containing ag and/ or ag alloy, process for making aptterns made from these, and process for making display units containing them
US7179697B2 (en) Method of fabricating an electronic device
KR20170083287A (ko) 필름 터치 센서 및 이의 제조 방법
JP2003149429A (ja) 突起構造付きカラーフィルターの形成方法及び突起構造付きカラーフィルター
JP2000319354A (ja) 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびスペーサー
JP4556639B2 (ja) ネガ型感光性樹脂組成物、それから形成された透明硬化膜、および硬化膜を有する素子
CN109031742B (zh) 显示基板的制造方法、显示基板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MK4A Expiration of patent term of an invention patent