KR970053410A - 반도체소자의 소자분리막 제조방법 - Google Patents

반도체소자의 소자분리막 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970053410A
KR970053410A KR1019950054958A KR19950054958A KR970053410A KR 970053410 A KR970053410 A KR 970053410A KR 1019950054958 A KR1019950054958 A KR 1019950054958A KR 19950054958 A KR19950054958 A KR 19950054958A KR 970053410 A KR970053410 A KR 970053410A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
forming
pattern
photoresist
film
semiconductor substrate
Prior art date
Application number
KR1019950054958A
Other languages
English (en)
Inventor
김승준
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019950054958A priority Critical patent/KR970053410A/ko
Publication of KR970053410A publication Critical patent/KR970053410A/ko

Links

Landscapes

  • Element Separation (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체소자의 소자분리막 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 트렌치 구조의 소자분리막 제조방법에 있어서, 일정깊이의 트렌치를 형성한 후, 상기 트렌치가 형성된 부위의 반도체기판을 산화하여 필드산화막을 형성하므로써, 소자분리막을 용이하게 형성한다.

Description

반도체소자의 소자분리막 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2F도는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체소자의 소자분리막 제조 공정도.

Claims (7)

  1. 반도체기판의 상부에 패드산화막과 질화막을 형성하는 단계와, 상기 질화막의 상부에 소자분리영역을 형성하기 위한 제1감광막패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1감과막패턴의 측벽에 저온산화막으로 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 구조의 전 표면에 제2감광막패턴을 형성하는 단계와, 상기 스페이서를 제거하는 단계와, 상기 제1감광막패턴과, 제2감광막패턴을 마스크로 사용하여 질화막패턴과, 패드산화막패턴을 형성하고, 계속하여 반도체기판을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 제1감광막패턴과, 제2감광막패턴을 제거하는 단계와, 상기 트렌치가 형성된 부위의 반도체기판을 산화하여 필드산화막(8)을 형성하는 단계와, 상기 질화막패턴과, 패드산화막패턴을 제거하는 단계와, 상기 전체 구조를 세척하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1감광막은 1000 내지 8000Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 스페이서와 질화막이 중첩되는 폭은 산화되는 반도체기판 두께의 0.5 내지 4배인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 스페이서와 스페이서 사이의 간격은 300 내지 1500Å인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 스페이서를 제거할 때, 불산 또는 BOE용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 트렌치를 형성할 때, 반도체기판을 경사지게 식각하는것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 트렌치는 1000 내지 2500Å 깊이로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950054958A 1995-12-22 1995-12-22 반도체소자의 소자분리막 제조방법 KR970053410A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950054958A KR970053410A (ko) 1995-12-22 1995-12-22 반도체소자의 소자분리막 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950054958A KR970053410A (ko) 1995-12-22 1995-12-22 반도체소자의 소자분리막 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970053410A true KR970053410A (ko) 1997-07-31

Family

ID=66617641

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950054958A KR970053410A (ko) 1995-12-22 1995-12-22 반도체소자의 소자분리막 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR970053410A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100382548B1 (ko) * 2000-12-19 2003-05-09 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59181639A (ja) * 1983-03-31 1984-10-16 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPS63128642A (ja) * 1986-11-18 1988-06-01 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
JPS63131538A (ja) * 1986-11-21 1988-06-03 Fuji Photo Film Co Ltd アイソレ−シヨンの製造方法
JPH02140951A (ja) * 1988-11-22 1990-05-30 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH0613459A (ja) * 1992-06-26 1994-01-21 Rohm Co Ltd 素子分離方法及び半導体装置
JPH0766277A (ja) * 1992-05-26 1995-03-10 Rohm Co Ltd 素子分離方法及び半導体装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59181639A (ja) * 1983-03-31 1984-10-16 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPS63128642A (ja) * 1986-11-18 1988-06-01 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
JPS63131538A (ja) * 1986-11-21 1988-06-03 Fuji Photo Film Co Ltd アイソレ−シヨンの製造方法
JPH02140951A (ja) * 1988-11-22 1990-05-30 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH0766277A (ja) * 1992-05-26 1995-03-10 Rohm Co Ltd 素子分離方法及び半導体装置
JPH0613459A (ja) * 1992-06-26 1994-01-21 Rohm Co Ltd 素子分離方法及び半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100382548B1 (ko) * 2000-12-19 2003-05-09 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970053410A (ko) 반도체소자의 소자분리막 제조방법
KR890004415A (ko) 반도체장치의 소자 분리방법
KR960002745A (ko) 반도체 소자의 소자 분리막 형성방법
KR970053408A (ko) 반도체소자의 소자분리막 제조방법
KR960005939A (ko) 반도체 소자분리막 형성 방법
KR960002714A (ko) 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법
KR960002744A (ko) 반도체 소자의 소자분리막 형성방법
KR960039272A (ko) 반도체 소자의 소자분리 산화막 형성방법
KR960005937A (ko) 반도체 소자의 격리영역 형성방법
KR960043239A (ko) 롬의 게이트전극 제조방법
KR960002743A (ko) 트렌치와 필드절연막으로 소자분리된 반도체 장치 및 그 제조방법
KR970053462A (ko) 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법
KR960002640A (ko) 반도체 소자 및 그 제조방법
KR960005936A (ko) 반도체 소자의 필드산화막 형성방법
KR930014885A (ko) 반도체 장치의 소자분리방법
KR950021096A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성방법
KR970024226A (ko) 반도체 메모리소자의 스토리지 전극 형성방법
KR960035815A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성방법
KR970053372A (ko) 반도체소자의 소자분리막 제조방법
KR970053412A (ko) 반도체소자의 소자분리막 제조방법
KR970053468A (ko) 반도체소자의 소자분리막 제조방법
KR970030628A (ko) 반도체 소자의 소자분리막 제조방법
KR960026581A (ko) 반도체 소자의 필드산화막 형성방법
KR970072303A (ko) 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법
KR960002738A (ko) 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application