KR970053468A - 반도체소자의 소자분리막 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 소자분리막 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 반도체기판의 상부에 패드산화막과 질화막을 차례로 형성하고, 상기 질화막의 상부에 폴리실리콘층을 형성하고, 상기 구조의 전 표면에 소자분리 영역을 노출하는 감광막패턴을 형성하고, 상기 감광막패턴을 마스크로 상기 폴리실리콘층을 식각하여 폴리실리콘층패턴을 형성하고, 상기 감광막패턴을 제거하고, 상기 폴리실리콘층패턴을 열산화하여 산화막패턴을 형성하고, 상기 산화막패턴을 마스크로 질화막패턴 및 게이트산화막패턴을 형성하고, 계속하여 반도체기판에 홈을 형성하고, 상기 홈이 형성된 부위의 반도체기판을 열산화하여 필드산화막을 형성하고, 상기 질화막패턴과, 패드산화막패턴을 제거하므로써, 소자의 신뢰성을 향상하고, 고집적소자에 유용하다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2F도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 소자분리막 제조 공정도.
Claims (10)
- 반도체기판의 상부에 패드산화막과 질화막을 차례로 형성하는 단계와, 상기 질화막의 상부에 폴리실리콘층을 형성하는 단계와, 상기 구조의 전 표면에 소자분리영역을 노출하는 감광막패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막패턴을 마스크로 상기 폴리실리콘층을 식각하되, 상기 질화막이 노출될 때까지 식각하여 폴리실리콘층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막패턴을 제거하는 단계와, 상기 폴리실리콘층패턴을 열산화하여 산화막패턴을 형성하는 단계와, 상기 산화막패턴을 마스크로 질화막패턴 및 게이트산화막패턴을 형성하고, 계속하여 반도체기판에 홈을 형성하는 단계와, 상기 홈이 형성된 부위의 반도체기판을 열산화하여 필드산화막을 형성하는 단계와, 상기 질화막패턴을 제거하는 단계와, 상기 패드산화막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 패드산화막은 30 내지 300Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 패드산화막은 400 내지 900℃의 온도에서 CVD 방법으로 30 내지 300Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질화막은 1000 내지 5000Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘층은 100 내지 1000Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘층패턴을 열산화하여 산화막패턴을 형성할 때, 600 내지 1200℃의 온도에서 열산화하여 1500 내지 5000Å 두께의 산화막패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 홈은 반도체기판을 100 내지 1000Å 깊이로 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 필드산화막은 1500 내지 5000Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질화막패턴은 불산으로 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 패드산화막은 불산이나 BOE 용액으로 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950066121A KR970053468A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019950066121A KR970053468A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053468A true KR970053468A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66637720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950066121A KR970053468A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053468A (ko) |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950066121A patent/KR970053468A/ko not_active Application Discontinuation
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