KR970053450A - 반도체소자의 소자분리막 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 소자분리막 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970053450A KR970053450A KR1019950059659A KR19950059659A KR970053450A KR 970053450 A KR970053450 A KR 970053450A KR 1019950059659 A KR1019950059659 A KR 1019950059659A KR 19950059659 A KR19950059659 A KR 19950059659A KR 970053450 A KR970053450 A KR 970053450A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- forming
- nitride film
- film pattern
- pad oxide
- Prior art date
Links
Landscapes
- Element Separation (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체소자의 소자분리막 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 질화막패턴을 마스크로 하여 노출된 반도체기판을 열산화하여 소자 분리막을 형성하는 LOCOS 공정을 이용한 소자분리막 제조방법에서, BOE 용액으로 균일하게 생성된 질화막성분의 잔류물을 깨뜨리므로써, 상기 질화막성 잔류물을 관찰할 수 있고, RCA로 상기 질화막성 잔류물을 제거하므로써, 소자분리막을 용이하게 형성한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2E도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 소자분리막 제조 공정도.
Claims (5)
- 반도체기판의 상부에 소자분리영역을 노출하는 패드산화막패턴과, 제1질화막패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1질화막패턴, 패드산화막패턴의 측벽에 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 제1질화막패턴과, 패드산화막패턴 및 스페이서를 마스크로 반도체기판을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 트렌치가 형성된 부위의 반도체기판을 BOE 용액으로 세정하는 단계와, 상기 트렌치 부위의 반도체기판을 RCA로 세정하는 단계와, 상기 트렌치가 형성된 부위의 반도체기판에 필드산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 패드산화막은 50 내지 100Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 패드산화막은 1000 내지 2000Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 스페이서는 400 내지 600Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 트렌치는 100 내지 1000Å 깊이로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950059659A KR970053450A (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950059659A KR970053450A (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053450A true KR970053450A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66620161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950059659A KR970053450A (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053450A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100466199B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-05-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의소자분리막형성방법 |
| KR100541801B1 (ko) * | 1998-12-23 | 2006-04-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 및 그 제조방법 |
| KR100861360B1 (ko) * | 2006-03-24 | 2008-10-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 질화막이 노출된 반도체웨이퍼에 대한 습식세정방법 |
-
1995
- 1995-12-27 KR KR1019950059659A patent/KR970053450A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100466199B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-05-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의소자분리막형성방법 |
| KR100541801B1 (ko) * | 1998-12-23 | 2006-04-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 및 그 제조방법 |
| KR100861360B1 (ko) * | 2006-03-24 | 2008-10-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 질화막이 노출된 반도체웨이퍼에 대한 습식세정방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970030640A (ko) | 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법 | |
| KR970024021A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법(method of manufacturing a semiconductor device) | |
| KR970053450A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 | |
| KR970053380A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 | |
| KR970053475A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 | |
| KR970072295A (ko) | 반도체 소자의 격리막 형성방법 | |
| KR930018690A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR960012425A (ko) | 반도체 소자의 소자 분리막 형성방법 | |
| KR970053416A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 | |
| KR970023978A (ko) | 반도체 소자의 평탄된 소자분리막 제조 방법 | |
| KR970053468A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 | |
| KR890004415A (ko) | 반도체장치의 소자 분리방법 | |
| KR970053457A (ko) | 반도체 소자 분리막 형성 방법 | |
| KR970053412A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 | |
| KR960015856A (ko) | 반도체소자의 소자분리 방법 | |
| KR960002744A (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 | |
| KR970053470A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 | |
| KR970053413A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 | |
| KR970053410A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 | |
| JPH05121705A (ja) | 半導体装置 | |
| KR960002741A (ko) | 반도체 집적회로의 분리영역 제조방법 | |
| KR970053564A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 | |
| KR960002640A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| KR960026620A (ko) | 보이드(Void)를 이용한 반도체 소자분리 방법 | |
| KR890005851A (ko) | 반도체 장치의 소자분리 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |