KR920017226A - 반도체장치의 비트라인 콘택영역의 단차 개선방법 - Google Patents

반도체장치의 비트라인 콘택영역의 단차 개선방법 Download PDF

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KR920017226A
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김우식
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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내용 없음

Description

반도체장치의 비트라인 콘택영역의 단차 개선방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도(a)∼(f)는 본 발명의 1실시예에 따른 제조공정도이다.

Claims (1)

  1. 반도체장치의 제조공정에 있어서, 반도체기판 표면이 노출된 비트라인 콘택영역에 소정두께의 패드 폴리와 고온산화막을 도포하여 단차를 완화한 것을 특징으로 하는 반도체장치의 비트라인 콘택영역의 단차 개선방법.
    ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910002578A 1991-02-18 1991-02-18 반도체장치의 비트라인 콘택영역의 단차 개선방법 KR920017226A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101428697B1 (ko) * 2013-07-11 2014-08-11 숭실대학교산학협력단 박막패턴 어레이 및 그 제조방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101428697B1 (ko) * 2013-07-11 2014-08-11 숭실대학교산학협력단 박막패턴 어레이 및 그 제조방법
US9530668B2 (en) 2013-07-11 2016-12-27 Foundation Of Soongsil University-Industry Cooperation Thin-film pattern array and production method therefor

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