KR900017213A - 반도체 장치 - Google Patents

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KR900017213A
KR900017213A KR1019900004880A KR900004880A KR900017213A KR 900017213 A KR900017213 A KR 900017213A KR 1019900004880 A KR1019900004880 A KR 1019900004880A KR 900004880 A KR900004880 A KR 900004880A KR 900017213 A KR900017213 A KR 900017213A
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KR
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film
surface stabilization
scribe line
stabilization film
interlayer insulating
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KR1019900004880A
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English (en)
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Inventor
나오유끼 모리따
히로아끼 쯔가네
Original Assignee
야마무라 가쯔미
세이코 엡슨 가부시끼가이샤
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Publication date
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Publication of KR900017213A publication Critical patent/KR900017213A/ko
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Abstract

내용 없음

Description

반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 반도체 장치의 제1실시예에 의한 구조의 개략 단면도.
제7도는 스크라이브 라인상에 패턴을 가지지 않은 제1도에 도시한 반도체 장치의 실시예.
제8도는 본 발명에 의한 반도체 장치의 제2실시예에 의한 개략 단면도.

Claims (4)

  1. 스크라이빙 단계전 상태에서 스크라이브 라인의 전체 표면상에 층간 절연막 및 표면 안정화막을 포함하는 반도체 장치.
  2. 스크라이빙 단계전 상태에서 스크라이브 라인상에 있는 층간 절연막 및 표면 안정화막과; 침 주변을 따라서 상기 안정화막의 가장자리 부근에서 제거되는 반도체 장치.
  3. 스크라이빙 단계전 상태에서 스크라이브 라인상에 층간 절연막 및 표면 안정화막과; 침 주변을 따라서 상기 표면 안정화막의 가장자리 부근에 형성된 슬릿홈을 포함하고; 패턴이 형성된 영역에서의 상기 표면 안정화막은 상기 슬릿홈에 해당하는 부분에서 제거되며, 패턴이 형성된 상기 영역을 제외한 영역에서의 상기 표면 안정화막은 제거되는 반도체 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서. 상기 슬릿홈은 상기 스크라이브 라인의 양가장자리에 형성되는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900004880A 1989-04-13 1990-04-10 반도체 장치 및 그의 제조 방법 KR100221688B1 (ko)

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JP94124 1989-04-13
JP9412489 1989-04-13
JP1-94124 1989-04-13
JP12474189 1989-05-18
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JP43290A JP2913716B2 (ja) 1989-04-13 1990-01-08 半導体装置

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US5593927A (en) * 1993-10-14 1997-01-14 Micron Technology, Inc. Method for packaging semiconductor dice
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JPH0372653A (ja) 1991-03-27
JP2913716B2 (ja) 1999-06-28
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