KR920022535A - 반도체 집적 회로 - Google Patents

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KR920022535A
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semiconductor integrated
insulator
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리 쿠오-후아
존 내기 윌리암
숭 잔미에
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제이. 티. 레흐버그
아메리칸 텔리폰 앤드 텔레그라프 캄파니
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 직접 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2 내지 5도는 본 발명의 장치의 예시적인 실시예의 레이아웃(layout)을 도시한 다이어그램도.
제6 내지 7도는 제5도에 다이어그램된 장치의 일부분의 단면도.

Claims (5)

  1. 게이트 구조(예를들어 25)와, 상기 게이트 근접한 소스 또는 드레인 (예를들어 15)과, 상기 게이트를 커버하는 첫번째 절연체 (예를들어 51)와, 상기 첫번째 절연체를 커버하는 첫번째 재료층(예를들어 35)과, 상기 첫번째 재료층을 적어도 부분적으로 커버하는 두번째 절연체 (예를들어 53)와, 소스 또는 드레인 영역을 함께 노출하는 각각의 제1 및 2개구를 갖는 첫번째 및 두번째 절연체(예를들어, 51, 53)와, 소스 또는 드레인 영역(예를들면 15)및 첫번째 재료층(예를들어 51)을 접촉하고 두번째 절연체(예를들어 53)를 부분적으로 커버하는 두번째 재료층(예를들어 43)을 포함하는 반도체 직접회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2개구(예를들어 100)가 상기 게이트(예를들어 25)에 대해 확장되는 반도체 직접회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 첫번째 재료(예를들어 35)가 폴리실리콘인 반도체 직접회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 두번째 재료(예를들어 43)가 폴리실리콘인 반도체 직접회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 첫번째 재료(예를들어 35)가 상기 소스 또는 드레인(예를들어 15)을 적어도 부분적으로 커버하는 반도체 직접 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920007690A 1991-05-16 1992-05-07 반도체 집적 회로 KR100257953B1 (ko)

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5213990A (en) * 1992-04-01 1993-05-25 Texas Instruments, Incorporated Method for forming a stacked semiconductor structure
JPH05283654A (ja) * 1992-04-03 1993-10-29 Toshiba Corp マスクｒｏｍとその製造方法
US5721445A (en) * 1995-03-02 1998-02-24 Lucent Technologies Inc. Semiconductor device with increased parasitic emitter resistance and improved latch-up immunity
US5631112A (en) * 1995-11-16 1997-05-20 Vanguard International Semiconductor Corporation Multiple exposure method for photo-exposing photosensitive layers upon high step height topography substrate layers
US5707765A (en) * 1996-05-28 1998-01-13 Microunity Systems Engineering, Inc. Photolithography mask using serifs and method thereof

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5736844A (en) * 1980-08-15 1982-02-27 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPS59201461A (ja) * 1983-04-28 1984-11-15 Toshiba Corp 読み出し専用半導体記憶装置およびその製造方法
JPS59231851A (ja) * 1983-06-14 1984-12-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体メモリセル
JPH0628302B2 (ja) * 1984-02-28 1994-04-13 富士通株式会社 半導体記憶装置
JPS63126270A (ja) * 1986-11-14 1988-05-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JPH0831533B2 (ja) * 1988-10-21 1996-03-27 セイコーエプソン株式会社 半導体記憶装置
KR940001252B1 (ko) * 1988-05-07 1994-02-18 세이꼬 엡슨 가부시끼가이샤 반도체 기억장치
JPH0735399Y2 (ja) * 1989-05-12 1995-08-09 ソニー株式会社 半導体メモリ

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DE69222973T2 (de) 1998-03-05
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