JP2986066B2 - 位相シフト・マスクの製造方法 - Google Patents

位相シフト・マスクの製造方法

Info

Publication number
JP2986066B2
JP2986066B2 JP10438095A JP10438095A JP2986066B2 JP 2986066 B2 JP2986066 B2 JP 2986066B2 JP 10438095 A JP10438095 A JP 10438095A JP 10438095 A JP10438095 A JP 10438095A JP 2986066 B2 JP2986066 B2 JP 2986066B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
substrate
phase shift
etching
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP10438095A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0855786A (ja
Inventor
ジョナサン・ダニエル・チャプル＝ソコル
ルイ・ルー＝チェン・スー
ポール・ジャー＝ミン・ツァン
チ＝ミン・ユアン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPH0855786A publication Critical patent/JPH0855786A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2986066B2 publication Critical patent/JP2986066B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/28—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof with three or more diverse phases on the same PSM; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は総括的に位相シフト・マ
スクを使用したサブミクロン・フォトリソグラフィに関
し、詳細にいえば、エッチ・モニタ・フィルムを用い
て、マスクの位相シフト部分のエッチ深さを制御するこ
のようなマスクに対する基板製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】簡単にいえば、位相シフト・マスクは透
明なマスクであり、隣接する開口を通過する光学的位相
を変更するために選択的に材料がこの上に除去あるいは
追加される。隣接する開口からの波の間の干渉効果は、
解像度の増加につながる。
【０００３】当分野において、レベンソン（Levenson）
・タイプの位相シフト・マスクが、サブミクロンの線お
よび空間のパターンに対するリソグラフィ解像度を改善
することは周知である。このようなマスクはレベンソン
他の"Improved Resolution and Photolithography with
a Phase-Shifting Mask," IEEE Transaction on Elect
ron Devices, ED-29,1828ページ（１９８２年）という
論文に記載されている。
【０００４】ＲＩＭタイプの位相シフト・マスクがコン
タクト開口または分離した空間か線、あるいはこれら両
方を作成するのに有利であることも周知である。レベン
ソン・タイプとＲＩＭタイプの両方を同一の位相シフト
・マスクに使用して、ハイブリッド・マスクを形成する
のが望ましい場合もある。最新の方法はレベンソン・タ
イプのＰＳＭまたはＲＩＭタイプのＰＳＭのいずれかに
あわせて設計されている。Ｌ−Ｒハイブリッド・マスク
を製造するように設計されたものは存在していない。位
相シフト・マスクのタイプについては、Semiconductor
International,Feb. 1992, pp 44-55でP. Burggraafに
よって説明されている。
【０００５】レベンソン・タイプのマスクに関連した問
題の１つは、線−空間パターンの終端部に、透過波の位
相エッジ効果によって生じる残留「ループ（loops）」
があり、このループが各隣接対の線の線パターンと結び
つくことである。この問題に対する公知の解決策の１つ
は、ブロックアウト（block-out）ないしトリム（tri
m）・マスクを使用して、ループを除去することであ
る。他の周知の解決策はマスク上のレベンソン線−空間
対の端部に９０度のシフト転移をもうけることである。
このような９０度のシフト転移を作り出すためには、加
法（additive）または減法（subtractive）のいずれか
を用いることができる。
【０００６】加法はしかしながら、エッチ停止フィルム
を必要とする。このフィルムがマスクのパフォーマンス
を低下させることがないようにするためには、界面効
果、フィルム欠陥密度、フィルムの屈折率、露光波長に
おける透過度などの、該フィルムのいくつかの態様を考
慮しなければならない。基板をエッチングして位相シフ
ト領域を形成する減法式の方法には上述の問題はない
が、他の難点、すなわち精密なエッチ深さ管理を、マス
クの製造を容易とすることが十分に出来ない程度まで達
成しなければならないという問題がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的の１つ
は、精密なエッチ深さ管理を特徴とする、レベンソン・
タイプとＲＩＭタイプの両方の位相シフト・マスクを組
み合わせたハイブリッド・マスクを製造する上記減法式
の製造方法を提供することである。
【０００８】他の目的は、精密なエッチ深さ管理を特徴
とする、レベンソン・タイプのマスクのために９０度の
位相シフトを作り出す製造方法を提供することである。
【０００９】本発明の他の目的は、エッチ・モニタ・フ
ィルムを使用して、レベンソン・タイプの位相シフトマ
スクを製造する方法であって、モニタ・フィルムの残留
物が不透明パターンの頂部に残り、リソグラフィのパフ
ォーマンスに悪影響を及ぼさない製造方法を提供するこ
とである。
【００１０】さらに他の目的は、エッチ・モニタ・フィ
ルムを使用して、レベンソン・タイプの位相シフトマス
クを作成する方法であって、自動整合位相エラー補正を
行うことによって、モニタ・フィルムの残留物がリソグ
ラフィのパフォーマンスに好影響をもたらす製造方法を
提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のこれらおよびそ
の他の目的は、以下の明細書を読むことによって明らか
となるものであり、かつ、本発明の最適な実施例におい
て、サクリファイス・エッチ・モニタ・フィルムを設け
ることによって達成され、該モニタ・フィルムのマスク
された部分は、位相シフト・フォトリソグラフィ・マス
クのマスクされた基板部分と同時にエッチングされる。
モニタ・フィルムのエッチング部分が減損した時期を検
出することによって、基板のエッチングを停止する時期
が決定される。フィルムは位相シフト・マスクの不透明
部分上におかれ、エッチングが停止した後で残る残留フ
ィルム部分が位相シフト・マスクの側壁に隣接して配置
され、これによって側壁の散乱によって通常生じる位相
エラーが修正される。９０度の位相シフトを有するレベ
ンソン・タイプの位相シフト・マスク、ならびにレベン
ソン・タイプおよびＲＩＭタイプ両方の位相シフト・マ
スクを含むハイブリッド・マスクに、上述の特徴を含め
るようになっている。
【００１２】
【実施例】図１の平面図はハッチングのない部分を通過
した光に、本発明のハイブリッド・マスクの態様がもた
らす光学的位相シフトを示している。ブラケット（brac
ket）１で示されているマスクの第１の部分は、１８０
度（π）の位相シフト領域４を包囲している０度の位相
シフト領域３からなるＲＩＭタイプの位相シフト・マス
クである。ブラケット２で示されているマスクの第２部
分はπシフト領域５と０シフト領域６が交互に連続して
いるレベンソン・タイプの位相シフト・マスクである。
上記で指摘したように、ＲＩＭタイプ（１）とレベンソ
ン・タイプ（２）のマスクの組み合わせからなるハイブ
リッド位相シフト・マスクは、最適のコンタクト・ホー
ル、および同一の位相シフト・マスク上の線と空間のリ
ソグラフィ解像度を可能とする。
【００１３】本発明のプロセスのシーケンスにおける第
１ステップ（図２）を参照すると、クロムの層７が石英
基板８上に約８００Åないし１０００Åの厚さで付着さ
れている。ＳｉＯ2のようなＣＶＤ酸化物の層９が層７
の上に付着されている。酸化物の厚さはマスク露出光波
長、酸化物の屈折率などによって決定される。たとえ
ば、３６５０Åの厚さが深ＵＶ露出光に適している。レ
ジストのパターン化（図示せず）の後、酸化物層および
クロム層は従来の態様で石英基板８でエッチングされ
て、図示のパターンをもたらす。
【００１４】プラズマ・エンハンスドＣＶＤポリシリコ
ン、アモルファス・シリコン、またはその他のＴｉＳｉ
2などの選択的に化学エッチングできる（ＳｉＯ2に比較
して）適切な材料の層１０が、図３に示すように図２の
構造上に付着される。層１０の厚さはＲＩＭサイズによ
って決定され、熱応力を回避するために低温で付着され
る。たとえば、４×ツールを使用して露出したウェハ
（図示せず）上に０．１μｍのＲＩＭサイズを得るため
には、４０００Åの層１０が必要である。フィルム１０
はトリム（trim）・マスクおよび湿式エッチングによっ
て削り取られるので、層１０は図４に示すように、図１
の領域１に対応するコンタクト領域にだけ残る。
【００１５】層１０を次いで指向性エッチングして（図
５）、各コンタクト開口のエッジに沿って側壁スペーサ
１１をもたらす。Ｃｌ2／Ｏ2プラズマ・エッチは約２０
ないし５０：１のポリシリコン対酸化物のエッチ選択性
を有しており、適切なものである。
【００１６】レベンソン部分（図１の２）はこれで、ハ
イブリッド・マスクの線−空間領域でパターン化され
る。フォトレジスト１２は０度の位相シフト領域でパタ
ーン化され、酸化物９および石英８はそれぞれフォトレ
ジストおよびクロムでカバーされていない部分を、ＣＦ
4／Ｏ2中で位置１３にある酸化物をエッチ終点検出用の
モニタとして使用して（図５）乾式エッチされ、ついで
レジスト１２が剥離されて、図６の構造がもたらされ
る。周知のレーザ干渉計終点検出技法は終点検出サイト
１３で使用するのに適したものである。酸化物９の厚さ
は若干異なるエッチング速度を考慮してあらかじめ確立
されているので、酸化物９が完全に除去された場合、石
英の凹穴１４の深さが、石英基板８に凹穴が作成されて
いない位置１５を通過する光に関してπ位相シフトに対
応した希望量となる。
【００１７】ポリシリコン・スペーサ１１が湿式エッチ
で剥離され（図７）、ハイブリッド・マスクの最終構造
が形成される。ＲＩＭタイプ・マスク部分のエッチ凹穴
４７がショルダ領域１６に包囲されて、それぞれ必要な
πおよび０度のこれも図１に示されているＲＩＭタイプ
の位相シフトマスク領域４および３をもたらすことに留
意すべきである。また、もとの層９の残留酸化物１７、
１８および１９が依然０度の位相シフト側壁領域に残っ
ていることにも留意すべきである。図１９に関して以下
で詳細に説明するように、このような残留酸化物は酸化
物が残留していない位相シフト・マスクでの側壁の散乱
によって通常生じる位相エラーの修正時に重要な役割を
演じる。このような側壁散乱はエッチされた領域１４で
のみ生じ、側壁を有していない未エッチ領域１５では生
じない。エッチ・モニタ・フィルムの酸化物残留物が不
透明なクロム・パターンの上にある限り、リソグラフィ
のパフォーマンスに酸化フィルムの特性および品質に起
因する有害な影響を及ぼすことはない。
【００１８】図８の平面図は本発明の多段レベンソン・
マスクによる光学的位相シフトを示す。本発明によれ
ば、９０度の位相シフト領域がトリム領域２０の隣接す
る線セグメントの両端に作成される。図８はセグメント
の上端における位相シフト領域だけを示している。同様
な９０度の位相シフト領域が完成したマスクの線セグメ
ントの荷担（図示せず）にも作成されることに留意すべ
きである。この目的はゼロ・シフト・パターンの端部に
形成されるループをトリムして除去することである。
【００１９】９０度の位相シフト領域を有するレベンソ
ン・タイプのマスクを製造する本発明のプロセス・シー
ケンスの最初のステップを参照すると、ＣＶＤポリシリ
コン２１（５００Å）、クロム２２（８００Å）、厚さ
が９０度の光学的位相シフト（たとえば、１８２５Å）
に等しいＣＶＤ酸化物２３および頂部ＣＶＤポリシリコ
ン（５００Å）の多層フィルムが、石英基板２５上に付
着されている。従来のマスク・パターン化を行い、これ
によって、ポリシリコン２４がＣｌ2／Ｏ2プラズマ中で
エッチされ、酸化物２３がＣＦ4／Ｏ2プラズマ中でエッ
チされ、クロム層２２で停止して図９に示される構造が
もたらされる。クロム２２が次に、従来の方法を使用し
て、ＣＦ4と５０％のＯ2のプラズマ中で、図１０に示す
ように、ポリシリコン２１までエッチされる。
【００２０】次の一連のステップにおいて、レベンソン
・パターンおよび第１終点パターンが、図１１のマスク
２６を使用して画定される。マスクされていない領域の
ポリシリコンの頂部層（２４）および底部層（２１）が
Ｃｌ2／Ｏ2プラズマ中で、それぞれ酸化物２３および石
英２５まで同時にエッチされる。次いで、レジスト・マ
スク２６がＯ2アッシングによって除去される。ＣＶＤ
酸化物２３の露出部分（あらかじめマスクが除去された
領域のエッチされたポリシリコン２４によって露出させ
られた）および露出した石英２５が、ＣＦ4プラズマ中
で同時にエッチされる。このプラズマは約１５：１の酸
化物対クロムの選択性を有している。第１終点検出サイ
ト２７を使用して、エッチされた酸化物２３が第１終点
サイト上から完全に除去される時期を決定する。即ち、
その決定された時点で、凹穴２８、２９、３０および３
１（図１２）は遠ＵＶ波長に対して１８２５Å超である
９０度（π／２）光学的位相シフトに等しい深さに達し
ている。
【００２１】トリム領域２０および第２終点検出サイト
３２がマスク３３（図１４）を使用してパターン化され
る。これによって、トリム領域に残っている（底部）ポ
リシリコン２１が、マスク２６を除去することによって
（図１５）露出された（頂部）ポリシリコン２４ととも
に除去される。酸化物２３および石英２５が次いで、酸
化物が終点検出サイト３２において完全に除去されるま
で、同時にエッチされる。その段階で、基板２５の凹穴
３４、３５、３６および３７がπ光学位相深さまで深く
され、かつ新しい凹穴３８、３９および４０がπ／２光
学位相深さで形成されている。プロセスのこの点で、ト
リム領域および線／空間領域の断面はそれぞれ図１６お
よび図１７に示すようになる。最後のステップは０度位
相シフト領域の露出したポリシリコン２４および２１を
エッチして、線／空間パターンを完成することである
（図１８）。残留酸化物４１が０度位相シフト側壁領域
に隣接して残っていることに留意されたい。
【００２２】クロム・マスクの頂部のみにある残留酸化
物４１が、レベンソン・マスクにおける側壁散乱による
固有位相エラーを最小限とするのに役立つということが
実際に判明している。図１９は残留酸化物の厚さがπ位
相シフト（ｉ線が０．３８８μｍの場合の）に等しい本
発明の残留酸化物を有する位相シフト・マスク（ＰＳ
Ｍ）のパフォーマンスをシミュレーションした強度対距
離のプロットである。残留酸化物を有するＰＳＭの隣接
する２つのピークの間の強度の相違が、残留酸化物のな
い従来のＰＳＭのものよりも少ないことがわかる。残留
酸化物のないＰＳＭ直線での強度は、非対称の隣接ピー
クを示している。エッチされた（すなわち、πの）ウィ
ンドウの左側のピークは側壁散乱効果のため、側壁のな
い右側のピークよりも強度が少なくなっている。その結
果、ウェハにプリントされるパターンは他のものよりも
若干大きなパターンを示す。
【００２３】当分野の技術者には、異なる実施例を本発
明の精神および範囲内で作ることができることができ、
特許請求の範囲が図示の実施例に限定されるものではな
いことが容易に理解できよう。
【００２４】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
【００２５】（１）基板を設け、上記基板上に所定のパ
ターンで不透明な材料をおき、上記不透明材料上にだけ
エッチ・モニタのための第１フィルムを取り付け、上記
第１フィルムの選択した部分をマスクし、第１のエッチ
ング・ステップにおいて、マスクされていない上記第１
フィルムの部分と上記基板の露出部分を同時に、前記の
マスクされていない第１フィルムの部分が完全に除去さ
れるまでエッチングすることからなるリソグラフィ位相
シフト・マスクの製造方法であって、上記のマスクされ
ていない第１フィルムの部分が完全に除去された時期を
検出し、上記フィルムの部分上での前記エッチングを停
止することからなり、上記エッチングが停止したとき
に、上記材料上に上記のマスクされた第１フィルムが残
ることを特徴とする位相シフト・マスクの製造方法。 （２）第２のフィルムを上記パターン化不透明材料の連
続した対の上記第１フィルム上、およびその間におき、
上記第２フィルムの指向性エッチングを行って、上記同
時エッチング・ステップ前に、上記連続対上に側壁を作
成することをさらに含んでいることを特徴とする、上記
（１）に記載の方法。 （３）上記同時エッチング・ステップに引き続いて、上
記側壁を除去することをさらに含んでいることを特徴と
する、上記（２）に記載の方法。 （４）上記第１フィルムの上記選択部分の上記マスキン
グを除去し、第２のエッチング・ステップにおいて、上
記第１フィルムの上記選択部分と該基板の露出部分を同
時にエッチングすることをさらに含んでいることを特徴
とする、上記（１）に記載の方法。 （５）上記基板と前記材料の間に第３のフィルムをお
き、上記第１エッチング・ステップの前に、上記第３フ
ィルムの第１部分を選択的に除去し、上記第１エッチン
グ・ステップに引き続き、ただし、上記第２エッチング
・ステップの前に上記第３フィルムの第２部分を選択的
に除去することをさらに含んでいることを特徴とする、
上記（４）に記載の方法。 （６）上記基板と前記材料の間に第３のフィルムをお
き、上記第１エッチング・ステップの前に、上記第３フ
ィルムの第１部分を選択的に除去し、上記第２エッチン
グ・ステップに引き続いて、上記第３フィルムの第２部
分を選択的に除去することをさらに含んでいることを特
徴とする、上記（４）に記載の方法。 （７）上記第１フィルムが前記基板と同時にエッチされ
たときに、上記第１フィルムが完全に除去された時点
で、基板がπ／２位相シフトに等しい深さまでエッチさ
れるように、上記第１フィルムの厚さが選択されている
ことを特徴とする、上記（４）に記載の方法。 （８）上記第１フィルムが上記基板と同時にエッチされ
たときに、上記第１フィルムが完全に除去された時点
で、基板がπ位相シフトに等しい深さまでエッチされる
ように、上記第１フィルムの厚さが選択されていること
を特徴とする、上記（１）に記載の方法。 （９）上記検出ステップが前記第１フィルムの特定部分
においてレーザ干渉計終点検出を使用することからなっ
ていることを特徴とする、上記（１）に記載の方法。 （１０）上記エッチングが停止したときに上記材料に残
っている前記のマスクされたフィルムが位相シフト・マ
スクの開口の側壁に隣接して配置されており、これによ
って側壁散乱によって生じる位相エラーが修正されるこ
とを特徴とする、上記（１）に記載の方法。
【００２６】
【発明の効果】本願発明により、精密なエッチ深さ管理
が可能であり、エッチ・モニタ・フィルムを使用して、
位相シフト・マスクの位相シフト領域を精密に作り出す
ことが容易にできる製造方法が与えられる。また、この
製造方法において使用されたモニタ・フィルムの残留物
が、リソグラフィのパフォーマンスに好影響をもたらす
位相シフト・マスクを与える。
【図面の簡単な説明】
【図１】ハイブリッド位相シフト・マスクの平面図であ
る。
【図２】本発明の製造ステップにおいて生じる図１の断
面図である。
【図３】本発明の製造ステップにおいて生じる図１の断
面図である。
【図４】本発明の製造ステップにおいて生じる図１の断
面図である。
【図５】本発明の製造ステップにおいて生じる図１の断
面図である。
【図６】本発明の製造ステップにおいて生じる図１の断
面図である。
【図７】本発明の製造ステップにおいて生じる図１の断
面図である。
【図８】０、９０および１８０度の多段レベンソン・タ
イプの位相シフト・マスクの平面図である。
【図９】本発明の製造ステップにおいて生じる図８の断
面図である。
【図１０】本発明の製造ステップにおいて生じる図８の
断面図である。
【図１１】本発明の製造ステップにおいて生じる図８の
断面図である。
【図１２】本発明の製造ステップにおいて生じる図８の
断面図である。
【図１３】０、９０および１８０度の多段レベンソン・
タイプの位相シフト・マスクの平面図である。
【図１４】０、９０および１８０度の多段レベンソン・
タイプの位相シフト・マスクの平面図である。
【図１５】本発明の製造ステップにおいて生じる図８の
断面図である。
【図１６】本発明の製造ステップにおいて生じる図８の
断面図である。
【図１７】本発明の製造ステップにおいて生じる図８の
断面図である。
【図１８】本発明の製造ステップにおいて生じる図８の
断面図である。
【図１９】本発明が提供する自動整合位相エラー補正を
示すシミュレーション計算の一連のプロットである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ルイ・ルー＝チェン・スー アメリカ合衆国12524 ニューヨーク州 （ダッチェス・カウンティ）フィッシュ キル クロスビー・コート ７ (72)発明者 ポール・ジャー＝ミン・ツァン アメリカ合衆国12603 ニューヨーク州 （ダッチェス・カウンティ）ポーキープ シー サドル・ロック・ドライブ 50 (72)発明者 チ＝ミン・ユアン アメリカ合衆国78746 テキサス州（ト ラビス・カウンティ）オースチン ポー ト・ロイヤル・ドライブ 1902 (56)参考文献 特開 昭62−265727（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−166721（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−269157（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−200149（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/08

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板を設け、 上記基板上に所定のパターンで不透明な材料をおき、 上記不透明材料上にだけエッチ・モニタのための第１フ
    ィルムを取り付け、 上記第１フィルムの選択した部分をマスクし、 第１のエッチング・ステップにおいて、マスクされてい
    ない上記第１フィルムの部分と上記基板の露出部分を同
    時に、前記のマスクされていない第１フィルムの部分が
    完全に除去されるまでエッチングすることからなるリソ
    グラフィ位相シフト・マスクの製造方法であって、 上記のマスクされていない第１フィルムの部分が完全に
    除去された時期を検出し、 上記フィルムの部分上での前記エッチングを停止するこ
    とからなり、 上記エッチングが停止したときに、上記材料上に上記の
    マスクされた第１フィルムが残ることを特徴とする位相
    シフト・マスクの製造方法。
  2. 【請求項２】第２のフィルムを上記パターン化不透明材
    料の連続した対の上記第１フィルム上、およびその間に
    おき、 上記第２フィルムの指向性エッチングを行って、上記同
    時エッチング・ステップ前に、上記連続対上に側壁を作
    成することをさらに含んでいることを特徴とする、請求
    項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】上記同時エッチング・ステップに引き続い
    て、上記側壁を除去することをさらに含んでいることを
    特徴とする、請求項２に記載の方法。
  4. 【請求項４】上記第１フィルムの上記選択部分の上記マ
    スキングを除去し、 第２のエッチング・ステップにおいて、上記第１フィル
    ムの上記選択部分と該基板の露出部分を同時にエッチン
    グすることをさらに含んでいることを特徴とする、請求
    項１に記載の方法。
  5. 【請求項５】上記基板と前記材料の間に第３のフィルム
    をおき、 上記第１エッチング・ステップの前に、上記第３フィル
    ムの第１部分を選択的に除去し、 上記第１エッチング・ステップに引き続き、ただし、上
    記第２エッチング・ステップの前に上記第３フィルムの
    第２部分を選択的に除去することをさらに含んでいるこ
    とを特徴とする、請求項４に記載の方法。
  6. 【請求項６】上記基板と前記材料の間に第３のフィルム
    をおき、 上記第１エッチング・ステップの前に、上記第３フィル
    ムの第１部分を選択的に除去し、 上記第２エッチング・ステップに引き続いて、上記第３
    フィルムの第２部分を選択的に除去することをさらに含
    んでいることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
  7. 【請求項７】上記第１フィルムが前記基板と同時にエッ
    チされたときに、上記第１フィルムが完全に除去された
    時点で、基板がπ／２位相シフトに等しい深さまでエッ
    チされるように、上記第１フィルムの厚さが選択されて
    いることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
  8. 【請求項８】上記第１フィルムが上記基板と同時にエッ
    チされたときに、上記第１フィルムが完全に除去された
    時点で、基板がπ位相シフトに等しい深さまでエッチさ
    れるように、上記第１フィルムの厚さが選択されている
    ことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
  9. 【請求項９】上記検出ステップが前記第１フィルムの特
    定部分においてレーザ干渉計終点検出を使用することか
    らなっていることを特徴とする、請求項１に記載の方
    法。
  10. 【請求項１０】上記エッチングが停止したときに上記材
    料に残っている前記のマスクされたフィルムが位相シフ
    ト・マスクの開口の側壁に隣接して配置されており、こ
    れによって側壁散乱によって生じる位相エラーが修正さ
    れることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
JP10438095A 1994-04-28 1995-04-27 位相シフト・マスクの製造方法 Expired - Lifetime JP2986066B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/234,899 US5465859A (en) 1994-04-28 1994-04-28 Dual phase and hybrid phase shifting mask fabrication using a surface etch monitoring technique
US234899 1994-04-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0855786A JPH0855786A (ja) 1996-02-27
JP2986066B2 true JP2986066B2 (ja) 1999-12-06

Family

ID=22883271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10438095A Expired - Lifetime JP2986066B2 (ja) 1994-04-28 1995-04-27 位相シフト・マスクの製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5465859A (ja)
EP (1) EP0679948A3 (ja)
JP (1) JP2986066B2 (ja)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5567553A (en) * 1994-07-12 1996-10-22 International Business Machines Corporation Method to suppress subthreshold leakage due to sharp isolation corners in submicron FET structures
KR100399444B1 (ko) * 1995-06-30 2004-04-29 주식회사 하이닉스반도체 에지강조형위상반전마스크및그제조방법
JP3388986B2 (ja) * 1996-03-08 2003-03-24 株式会社東芝 露光用マスク及びその製造方法
US5914202A (en) * 1996-06-10 1999-06-22 Sharp Microeletronics Technology, Inc. Method for forming a multi-level reticle
US5955222A (en) * 1996-12-03 1999-09-21 International Business Machines Corporation Method of making a rim-type phase-shift mask and mask manufactured thereby
US6120942A (en) 1997-02-18 2000-09-19 Micron Technology, Inc. Method for making a photomask with multiple absorption levels
US6025116A (en) * 1997-03-31 2000-02-15 Siemens Aktiengesellschaft Etching of contact holes
JP3363799B2 (ja) * 1998-08-28 2003-01-08 キヤノン株式会社 デバイスの構造部分の配置方法およびデバイス
US6136712A (en) 1998-09-30 2000-10-24 Lam Research Corporation Method and apparatus for improving accuracy of plasma etching process
US6297166B1 (en) * 1999-04-22 2001-10-02 International Business Machines Corporation Method for modifying nested to isolated offsets
EP1089318A1 (en) * 1999-09-30 2001-04-04 Infineon Technologies AG Method for determining the endpoint of etch process steps
US6642150B1 (en) 1999-12-28 2003-11-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for testing for blind hole formed in wafer layer
TW512424B (en) * 2000-05-01 2002-12-01 Asml Masktools Bv Hybrid phase-shift mask
US6524755B2 (en) 2000-09-07 2003-02-25 Gray Scale Technologies, Inc. Phase-shift masks and methods of fabrication
US6716362B1 (en) * 2000-10-24 2004-04-06 International Business Machines Corporation Method for thin film laser reflectance correlation for substrate etch endpoint
WO2002037537A2 (en) * 2000-11-02 2002-05-10 Advanced Micro Devices, Inc. Phase transition design to maintain constant line length through focus
US6818357B2 (en) 2001-10-03 2004-11-16 Intel Corporation Photolithographic mask fabrication
DE10327613B4 (de) * 2003-06-18 2007-10-31 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Bildung einer Öffnung auf einer alternierenden Phasenmaske
JP2007511800A (ja) * 2003-11-17 2007-05-10 トッパン、フォウタマスクス、インク 位相シフト・フォトマスク、およびウェハ上の構造の印刷性を向上させる方法
US20050112473A1 (en) * 2003-11-24 2005-05-26 Wen-Tien Hung Photomask for enhancing contrast
US7498104B2 (en) * 2004-08-28 2009-03-03 United Microelectronics Corp. Phase shift photomask
US7511664B1 (en) * 2005-04-08 2009-03-31 Raytheon Company Subassembly for an active electronically scanned array
US7456789B1 (en) 2005-04-08 2008-11-25 Raytheon Company Integrated subarray structure
US7391382B1 (en) 2005-04-08 2008-06-24 Raytheon Company Transmit/receive module and method of forming same
CN101122736A (zh) * 2006-07-06 2008-02-13 Asml蒙片工具有限公司 一种改进的cpl掩模及产生cpl掩模的方法和程序产品
JP4872737B2 (ja) * 2007-03-20 2012-02-08 大日本印刷株式会社 位相シフトマスクの製造方法および位相シフトマスク
JP5282512B2 (ja) * 2008-09-30 2013-09-04 大日本印刷株式会社 クロム膜のパターニング方法
KR101090474B1 (ko) * 2009-12-30 2011-12-06 주식회사 하이닉스반도체 교번형 위상반전마스크 제조방법

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4496425A (en) * 1984-01-30 1985-01-29 At&T Technologies, Inc. Technique for determining the end point of an etching process
JPS61116358A (ja) * 1984-11-09 1986-06-03 Mitsubishi Electric Corp フオトマスク材料
ATA331285A (de) * 1985-11-13 1988-11-15 Ims Ionen Mikrofab Syst Verfahren zur herstellung einer transmissionsmaske
US4902899A (en) * 1987-06-01 1990-02-20 International Business Machines Corporation Lithographic process having improved image quality
JPH01117034A (ja) * 1987-10-29 1989-05-09 Fujitsu Ltd トレンチエッチング方法
US4937129A (en) * 1988-01-06 1990-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film pattern structure formed on a glass substrate
US4927485A (en) * 1988-07-28 1990-05-22 Applied Materials, Inc. Laser interferometer system for monitoring and controlling IC processing
FR2643145A1 (fr) * 1989-02-14 1990-08-17 Bertin & Cie Procede et dispositif de detection et de mesure d'une grandeur physique
JPH02224386A (ja) * 1989-02-27 1990-09-06 Mitsubishi Electric Corp λ／４シフト型回折格子の製造方法
US5170217A (en) * 1989-03-31 1992-12-08 Canon Kabushiki Kaisha Object measuring apparatus using lightwave interference
US5100503A (en) * 1990-09-14 1992-03-31 Ncr Corporation Silica-based anti-reflective planarizing layer
FR2669466B1 (fr) * 1990-11-16 1997-11-07 Michel Haond Procede de gravure de couches de circuit integre a profondeur fixee et circuit integre correspondant.
US5225035A (en) * 1992-06-15 1993-07-06 Micron Technology, Inc. Method of fabricating a phase-shifting photolithographic mask reticle having identical light transmittance in all transparent regions
US5308721A (en) * 1992-06-29 1994-05-03 At&T Bell Laboratories Self-aligned method of making phase-shifting lithograhic masks having three or more phase-shifts
US5300379A (en) * 1992-08-21 1994-04-05 Intel Corporation Method of fabrication of inverted phase-shifted reticle

Also Published As

Publication number Publication date
EP0679948A3 (en) 1996-10-30
EP0679948A2 (en) 1995-11-02
JPH0855786A (ja) 1996-02-27
US5465859A (en) 1995-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2986066B2 (ja) 位相シフト・マスクの製造方法
US5792578A (en) Method of forming multiple layer attenuating phase shifting masks
US6410191B1 (en) Phase-shift photomask for patterning high density features
KR101656456B1 (ko) 하프톤형 위상반전 블랭크 포토마스크와 하프톤형 위상반전 포토마스크 및 그의 제조방법
JP2887773B2 (ja) 位相反転マスクの製造方法
JP3913319B2 (ja) ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法
JP2719897B2 (ja) 位相反転マスク製造方法
JP2002318449A (ja) 位相シフト・マスク
KR100886419B1 (ko) 위상시프트 마스크의 제조 방법 및 위상시프트 마스크
US6582856B1 (en) Simplified method of fabricating a rim phase shift mask
JP3125865B2 (ja) 位相反転マスクの製造方法
US5895735A (en) Phase shift masks including first and second radiation blocking layer patterns, and methods of fabricating and using the same
JP2002040624A (ja) 位相シフトマスクの製造方法および位相シフトマスク
US6627359B2 (en) Phase-shift photomask manufacturing method and phase-shift photomask
JP3998756B2 (ja) 位相反転マスク及びその製造方法
JP2002244270A (ja) 位相シフトマスクの製造方法および位相シフトマスク
KR100314743B1 (ko) 반도체소자의위상반전마스크제조방법
US6562521B1 (en) Semiconductor feature having support islands
KR100226738B1 (ko) 마스크의 제조 방법
JP2002268197A (ja) 位相シフトマスクの製造方法および位相シフトマスク
JPH07295201A (ja) 位相シフトマスクの製造方法
KR0183754B1 (ko) 위상반전 마스크의 제조방법
KR100861292B1 (ko) 미세 패턴 형성 방법
JP2002258457A (ja) 位相シフトマスクの製造方法および位相シフトマスク
KR20000027511A (ko) 위상 반전 마스크의 제조방법