JP2001222098A - 位相シフトマスクを用いたリソグラフ法 - Google Patents
位相シフトマスクを用いたリソグラフ法Info
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- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 生産性および信頼性を改善するための、位相
衝突が減少され、それによって実質的に望ましくない線
が除去される、かつ形状のサイズの微細化を容易にする
位相シフトマスクを提供する。生産性および信頼性が改
善される。 【解決手段】 本方法は、複数の実質的に透明な領域と
複数の実質的に不透明な領域を含むパターンを有する位
相シフトマスクを用いたリソグラフィー法であって、マ
スクパターンが少なくとも入射光の一部の位相をシフト
し、かつ位相が実質的に等しく隔てられ、それによって
与えられたリソグラフィーシステムの解像力が増加す
る。さらに位相シフトマスクを用いて半導体デバイスを
製作するための方法である。
衝突が減少され、それによって実質的に望ましくない線
が除去される、かつ形状のサイズの微細化を容易にする
位相シフトマスクを提供する。生産性および信頼性が改
善される。 【解決手段】 本方法は、複数の実質的に透明な領域と
複数の実質的に不透明な領域を含むパターンを有する位
相シフトマスクを用いたリソグラフィー法であって、マ
スクパターンが少なくとも入射光の一部の位相をシフト
し、かつ位相が実質的に等しく隔てられ、それによって
与えられたリソグラフィーシステムの解像力が増加す
る。さらに位相シフトマスクを用いて半導体デバイスを
製作するための方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はリソグラフィーに関
し、半導体デバイスを製作するために用いられる。本発
明は特に、位相シフトリソグラフィーマスクを伴うパタ
ーン形成に関する。
し、半導体デバイスを製作するために用いられる。本発
明は特に、位相シフトリソグラフィーマスクを伴うパタ
ーン形成に関する。
【０００２】
【従来の技術】リソグラフィーは、半導体デバイス製作
において、集積回路製造のための半導体ワークピース上
のパターン形状を製作するために用いられる。
において、集積回路製造のための半導体ワークピース上
のパターン形状を製作するために用いられる。
【０００３】図１は、ワークピース１２０にパターン形
状を規定するための、従来技術による、リソグラフィー
製造システム１００を示している。典型的にはワークピ
ース１２０は、ワークピース１２０の表面に堆積され
た、レジスト層１０１および二酸化シリコンのような、
一ないしそれ以上の基板（図示されない）層を伴う半導
体基板からなる。
状を規定するための、従来技術による、リソグラフィー
製造システム１００を示している。典型的にはワークピ
ース１２０は、ワークピース１２０の表面に堆積され
た、レジスト層１０１および二酸化シリコンのような、
一ないしそれ以上の基板（図示されない）層を伴う半導
体基板からなる。
【０００４】典型的には、波長λの照射光が水銀灯やレ
ーザのような光源１０６によって発生される。照射光
は、光コリメータレンズあるいはレンズシステム１０
４、不透明と透明なパターン形状を持つパターン形成さ
れたリソグラフィーマスク１０３、および光投影レンズ
あるいはレンズシステム１０２を介して伝わる。マスク
１０３を介して伝達された照射光は、レンズ１０２によ
ってレジスト層１０１上に投影され、それによってマス
クパターンに対応するパターン領域がさらされる。レジ
スト層１０１がポジティブであると、現像後にパターン
領域は除去され、また、ネガティブであるとパターン領
域はそのまま残される。こうしてマスク１０３のパター
ンはレジスト層１０１に転写（印刷）される。ここでの
“マスク”とは“マスク”あるいは“レチクル”を意味
している。
ーザのような光源１０６によって発生される。照射光
は、光コリメータレンズあるいはレンズシステム１０
４、不透明と透明なパターン形状を持つパターン形成さ
れたリソグラフィーマスク１０３、および光投影レンズ
あるいはレンズシステム１０２を介して伝わる。マスク
１０３を介して伝達された照射光は、レンズ１０２によ
ってレジスト層１０１上に投影され、それによってマス
クパターンに対応するパターン領域がさらされる。レジ
スト層１０１がポジティブであると、現像後にパターン
領域は除去され、また、ネガティブであるとパターン領
域はそのまま残される。こうしてマスク１０３のパター
ンはレジスト層１０１に転写（印刷）される。ここでの
“マスク”とは“マスク”あるいは“レチクル”を意味
している。
【０００５】従来から知られているように、シンプルレ
ンズ１０２の場合、指示長Ｌ1およびＬ2は1/Ｌ1＋１/Ｌ
2＝１/Ｆを満たし、ここでＦはレンズ１０２の焦点距離
である。レジスト層１０１上のマスク１０３により形成
されたパターンは、もしレジスト層１０１が投影レンズ
１０２から距離Ｌ２であるならば、実質的に焦点が合っ
ている。この結論は、光が直線のなかで伝播すると仮定
した幾何学的な光学分析に基づいている。しかしなが
ら、パターン形状のサイズがλ/ＮＡと同等（λが照射
光の波長、ＮＡは投影レンズの開口数）の場合、光の波
としての性質を含む物理的な光学的分析が考慮されるべ
きである。この分析によると回折効果が与えられ、距離
Ｌ2での像の解像力が減少され、それによって構成して
いるパターン形状の解像力が減少される。半導体デバイ
スにとって構成要素のサイズを最小化することによって
単位面積あたりの回路の構成要素の数を最大化すること
が望ましい。構成要素のサイズが減少するにつれて、回
折効果がより顕著になるので構成要素のサイズの微細化
は制限される。回折効果によって引き起こされるマスク
の像のシャープネスの低下は生産性を減少させデバイス
の故障率を増加させる。
ンズ１０２の場合、指示長Ｌ1およびＬ2は1/Ｌ1＋１/Ｌ
2＝１/Ｆを満たし、ここでＦはレンズ１０２の焦点距離
である。レジスト層１０１上のマスク１０３により形成
されたパターンは、もしレジスト層１０１が投影レンズ
１０２から距離Ｌ２であるならば、実質的に焦点が合っ
ている。この結論は、光が直線のなかで伝播すると仮定
した幾何学的な光学分析に基づいている。しかしなが
ら、パターン形状のサイズがλ/ＮＡと同等（λが照射
光の波長、ＮＡは投影レンズの開口数）の場合、光の波
としての性質を含む物理的な光学的分析が考慮されるべ
きである。この分析によると回折効果が与えられ、距離
Ｌ2での像の解像力が減少され、それによって構成して
いるパターン形状の解像力が減少される。半導体デバイ
スにとって構成要素のサイズを最小化することによって
単位面積あたりの回路の構成要素の数を最大化すること
が望ましい。構成要素のサイズが減少するにつれて、回
折効果がより顕著になるので構成要素のサイズの微細化
は制限される。回折効果によって引き起こされるマスク
の像のシャープネスの低下は生産性を減少させデバイス
の故障率を増加させる。
【０００６】回折効果は従来のバイナリマスクにたいし
て厳しいものである。図２Ａは従来のバイナリマスク１
０の断面図を示している。バイナリマスク１０は典型的
にはガラスあるいは石英層１２とそこに付着したパター
ン形成されたクロム層４０からなる。パターン形成され
たクロム層は複数の実質的に透明な領域１４，１５，１
６と複数の減衰領域１８，１９，２０，２１を含む。領
域１４，１５，１６を通して伝播する電磁照射光はそれ
と共に関連する電場を持つ。マスクレベルでの電場の大
きさは図２Ｂのマスクの断面図を参照して示され、ここ
でステップ３６，３７，３８はそれぞれ開口１４，１
５，１６を通して伝播する照射光からの電場に対応して
いる。照射光の波としての性質のために伝播するにつれ
て広がる。それゆえたとえマスクレベルでお互いに電場
が離れていても、ワークピースの表面のようにマスクか
ら離れるとお互いに干渉するかもしれない。これは図２
Ｃに示されている。回折効果のために電場がマスクレベ
ルに比較してワークピース表面で広く広がることは明ら
かである。パターン形状のサイズが小さくなるにつれ
て、透明領域１４，１５，１６によって示されたよう
に、広がりは大きくなる。
て厳しいものである。図２Ａは従来のバイナリマスク１
０の断面図を示している。バイナリマスク１０は典型的
にはガラスあるいは石英層１２とそこに付着したパター
ン形成されたクロム層４０からなる。パターン形成され
たクロム層は複数の実質的に透明な領域１４，１５，１
６と複数の減衰領域１８，１９，２０，２１を含む。領
域１４，１５，１６を通して伝播する電磁照射光はそれ
と共に関連する電場を持つ。マスクレベルでの電場の大
きさは図２Ｂのマスクの断面図を参照して示され、ここ
でステップ３６，３７，３８はそれぞれ開口１４，１
５，１６を通して伝播する照射光からの電場に対応して
いる。照射光の波としての性質のために伝播するにつれ
て広がる。それゆえたとえマスクレベルでお互いに電場
が離れていても、ワークピースの表面のようにマスクか
ら離れるとお互いに干渉するかもしれない。これは図２
Ｃに示されている。回折効果のために電場がマスクレベ
ルに比較してワークピース表面で広く広がることは明ら
かである。パターン形状のサイズが小さくなるにつれ
て、透明領域１４，１５，１６によって示されたよう
に、広がりは大きくなる。
【０００７】図２Ｃの線２２，２４はそれぞれ開口１
４，１６からの電場を示し、破線２６は開口１５からの
電場を示している。隣接する開口（例えば１４と１５）
からの電場の大きさが、網目領域３０，３２で重なる。
図２Ｄに示したように、電場のこの干渉あるいは構造上
の付加は、周りの領域に比較して領域３０，３２で、マ
スクレベルよりもワークピース表面で高い強度を持つ電
場をもたらす。それゆえマスクレベルよりもワークピー
ス表面で光強度分布におけるコントラストが低下し、そ
れによってツールの解像力が低下する。
４，１６からの電場を示し、破線２６は開口１５からの
電場を示している。隣接する開口（例えば１４と１５）
からの電場の大きさが、網目領域３０，３２で重なる。
図２Ｄに示したように、電場のこの干渉あるいは構造上
の付加は、周りの領域に比較して領域３０，３２で、マ
スクレベルよりもワークピース表面で高い強度を持つ電
場をもたらす。それゆえマスクレベルよりもワークピー
ス表面で光強度分布におけるコントラストが低下し、そ
れによってツールの解像力が低下する。
【０００８】望まれない回折効果は小さい寸法のパター
ン形状の場合により顕著になる。ここで用いられる“小
さい寸法”とはサイズおよび透明領域の間隔がλ/ＮＡ
に比較して小さいことを意味している。ここでλは光源
の波長でＮＡは投影システムの開口数である。
ン形状の場合により顕著になる。ここで用いられる“小
さい寸法”とはサイズおよび透明領域の間隔がλ/ＮＡ
に比較して小さいことを意味している。ここでλは光源
の波長でＮＡは投影システムの開口数である。
【０００９】位相シフトマスクを用いてシステムの解像
力を改善することは技術的に知られている。マスクは入
射光に、典型的にはπラジアンの、位相シフトを与え
る。位相シフトマスクは一般的には入射光波長λで１に
近い光強度吸収係数Ｔを持つ透明領域、波長λで約０．
０５ないし０．１５の範囲のＴをもつ減衰領域あるいは
部分的な透過領域、および任意で、約０．０１に等しい
かそれ以下のＴをもつ不透明領域からなる。
力を改善することは技術的に知られている。マスクは入
射光に、典型的にはπラジアンの、位相シフトを与え
る。位相シフトマスクは一般的には入射光波長λで１に
近い光強度吸収係数Ｔを持つ透明領域、波長λで約０．
０５ないし０．１５の範囲のＴをもつ減衰領域あるいは
部分的な透過領域、および任意で、約０．０１に等しい
かそれ以下のＴをもつ不透明領域からなる。
【００１０】図３Ａは従来のπラジアン位相シフトマス
ク３００の断面図を示している。マスク３００は実質的
にバイナリマスク１０と類似しているが、位相シフト層
３１０を透明領域１４および１６の上に含んでいる。図
３Bの３２０，３２２，３３０に示したように、位相シ
フト層３１０が、開口１５に比較して開口１４および１
６での電場ベクトルの方向を反転する。πラジアン位相
シフトは、位相シフト層３１０をd＝λ/2（ｎ-1）の厚
さで用いることによって作り出される。ここでλは光源
の波長であり、ｎはλでの層３１０の屈折率である。位
相シフト層は入射光の移動する光学的距離を修正し、そ
れによって位相シフトを生み出す。図３Cのピーク３４
０，３４５，３５０によって示されるように隣接する電
場の重なり領域は逆の大きさを持ち、それゆえ打ち消し
的な干渉が起こる。それらの位置での電場の打ち消しは
図３Dに示したように場の強度のコントラストを改善す
る。図３Eは、πラジアン位相シフトマスクを通して伝播
する照射光によって生み出されたワークピースレベルで
の電場のベクトル図を示す。ベクトル３８０は開口１５
を通過してきたようなシフトされない照射光からの電場
を示す。ベクトル３９０は開口１４および位相シフト層
３１０を通って伝播してきたような位相のシフトされた
照射光に相当する。ベクトル３９０の大きさはベクトル
３８０の負側の大きさに等しい、それによって干渉部分
上で打ち消される。
ク３００の断面図を示している。マスク３００は実質的
にバイナリマスク１０と類似しているが、位相シフト層
３１０を透明領域１４および１６の上に含んでいる。図
３Bの３２０，３２２，３３０に示したように、位相シ
フト層３１０が、開口１５に比較して開口１４および１
６での電場ベクトルの方向を反転する。πラジアン位相
シフトは、位相シフト層３１０をd＝λ/2（ｎ-1）の厚
さで用いることによって作り出される。ここでλは光源
の波長であり、ｎはλでの層３１０の屈折率である。位
相シフト層は入射光の移動する光学的距離を修正し、そ
れによって位相シフトを生み出す。図３Cのピーク３４
０，３４５，３５０によって示されるように隣接する電
場の重なり領域は逆の大きさを持ち、それゆえ打ち消し
的な干渉が起こる。それらの位置での電場の打ち消しは
図３Dに示したように場の強度のコントラストを改善す
る。図３Eは、πラジアン位相シフトマスクを通して伝播
する照射光によって生み出されたワークピースレベルで
の電場のベクトル図を示す。ベクトル３８０は開口１５
を通過してきたようなシフトされない照射光からの電場
を示す。ベクトル３９０は開口１４および位相シフト層
３１０を通って伝播してきたような位相のシフトされた
照射光に相当する。ベクトル３９０の大きさはベクトル
３８０の負側の大きさに等しい、それによって干渉部分
上で打ち消される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】πラジアンシフトを生
み出す位相シフトマスクはバイナリマスクを超える改良
である。しかしながらそれらは、例えばパターン形状の
配置によって、位相衝突が、一般的に位相遷移が避けら
れない場合に、起こるというように全ての問題点を完全
に解決するものではない。位相遷移が起こるときはいつ
でも、暗線が現れるだろう。
み出す位相シフトマスクはバイナリマスクを超える改良
である。しかしながらそれらは、例えばパターン形状の
配置によって、位相衝突が、一般的に位相遷移が避けら
れない場合に、起こるというように全ての問題点を完全
に解決するものではない。位相遷移が起こるときはいつ
でも、暗線が現れるだろう。
【００１２】電場の干渉は、π/2ラジアンシフト3/2π
ラジアンシフトを持つマスクを用いることによってアド
レスされてきた。Liebmann等の“Alternating Phase S
hiftedMask for Logic Gate Levels, Design and
Mask Manufacturing" SPIE Vol.3679 p.27(1999)
参照。技術的にπ：2/3 π：1/3 π：0ラジアンシフ
トマスクの利用は知られている。
ラジアンシフトを持つマスクを用いることによってアド
レスされてきた。Liebmann等の“Alternating Phase S
hiftedMask for Logic Gate Levels, Design and
Mask Manufacturing" SPIE Vol.3679 p.27(1999)
参照。技術的にπ：2/3 π：1/3 π：0ラジアンシフ
トマスクの利用は知られている。
【００１３】それゆえ位相衝突を減少し、それによって
実質的に望ましくない線を除去することが望ましく、形
状サイズの微細化を容易にし生産性および信頼性を改善
することが望ましい。
実質的に望ましくない線を除去することが望ましく、形
状サイズの微細化を容易にし生産性および信頼性を改善
することが望ましい。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、実質的に等し
い間隔で隔てられた位相を持ち、それによって実質的に
ゼロ次周波数を除去しかつ一次回折周波数を減少する位
相シフトマスクを用いてワークピースにパターンを転写
するためのリソグラフィー法に関する。
い間隔で隔てられた位相を持ち、それによって実質的に
ゼロ次周波数を除去しかつ一次回折周波数を減少する位
相シフトマスクを用いてワークピースにパターンを転写
するためのリソグラフィー法に関する。
【００１５】本発明の一実施例では、実質的には透明な
領域と実質的に不透明な領域からなるパターンを持つ三
位相シフトマスクを利用する。ここでマスクパターンは
入射光の位相を0,2/3,4/3πラジアンづつシフトする。
領域と実質的に不透明な領域からなるパターンを持つ三
位相シフトマスクを利用する。ここでマスクパターンは
入射光の位相を0,2/3,4/3πラジアンづつシフトする。
【００１６】本発明は更に位相シフトマスクを用いた半
導体デバイス製作のための方法に関する。こうような応
用では、本発明は、構成要素のサイズの減少を容易に
し、かつデバイスの信頼性を改善する。
導体デバイス製作のための方法に関する。こうような応
用では、本発明は、構成要素のサイズの減少を容易に
し、かつデバイスの信頼性を改善する。
【００１７】
【発明の実施の形態】続く説明が本発明の説明の為に選
択された特定の実施例を紹介する事のみを意図し、特許
請求の範囲に定められる本発明のほかの実施例を規定し
かつ制限することが意図されないことは理解されるであ
ろう。
択された特定の実施例を紹介する事のみを意図し、特許
請求の範囲に定められる本発明のほかの実施例を規定し
かつ制限することが意図されないことは理解されるであ
ろう。
【００１８】本発明は実質的に等し区隔てられた位相を
持ち、ゼロ次の回折周波数が実質的にキャンセルされ一
次の回折周波数が、非位相シフトマスクあるいは等しく
隔てられない位相を持つマスクと比べて減少された、位
相シフトマスクを用いるリソグラフィー法を含む。任意
の数の等しい間隔で隔てられた位相が、実質的に同じパ
ターンの転写結果を与え、かつ本発明の精神と範囲の中
にある。しかしながら位相シフトマスクは製造を単純に
するために３つの等しい間隔で隔てられた位相を持つと
好ましい。1/3πラジアンの倍数の位相シフトを持つ、位
相シフトマスクは、すぐに利用できる1/3πラジアンの
位相シフト構成要素の層によって製作され得る。
持ち、ゼロ次の回折周波数が実質的にキャンセルされ一
次の回折周波数が、非位相シフトマスクあるいは等しく
隔てられない位相を持つマスクと比べて減少された、位
相シフトマスクを用いるリソグラフィー法を含む。任意
の数の等しい間隔で隔てられた位相が、実質的に同じパ
ターンの転写結果を与え、かつ本発明の精神と範囲の中
にある。しかしながら位相シフトマスクは製造を単純に
するために３つの等しい間隔で隔てられた位相を持つと
好ましい。1/3πラジアンの倍数の位相シフトを持つ、位
相シフトマスクは、すぐに利用できる1/3πラジアンの
位相シフト構成要素の層によって製作され得る。
【００１９】図４は三位相シフトマスク４００の断面図
を示している。三位相シフトマスク４００は複数の実質
的に透明な領域４０２，４０４および４０６と複数の実
質的に不透明な領域４１０，４１２，４１４，４１６を
持っている。位相シフター４２０、４２２はそれぞれ開
口４０２，４０４にわたって延びている。位相シフター
４２０は2/3πラジアンシフトを位相シフター４２２は4
/3πラジアンシフトをもたらす。図４Ｂはマスクレベル
での電場の大きさを示したもので、ここで開口４０２、
４０４からの場の領域はそれぞれ負の段４３０、４３２
によって、開口４０６からの場の領域は正の段４３４に
よって示されている。電場は本来、ベクトルであるの
で、図４Ｂは連続的に時間につれて変化する特定のモー
メントでの場のスナップショットとして理解すべきであ
る。図４Ｃはそれぞれ開口４０２，４０４，４０６から
のワークピースでの電場４４０，４４２，４４４を示
す。バイナリマスクと違って、重なり領域での電場は打
ち消すように加えられる。それゆえ開口４０２，４０
４，４０６からのワークピース表面上で像が重なる場
所、図４Ｄの４５０，４５２で強度は実質的にゼロにな
る。
を示している。三位相シフトマスク４００は複数の実質
的に透明な領域４０２，４０４および４０６と複数の実
質的に不透明な領域４１０，４１２，４１４，４１６を
持っている。位相シフター４２０、４２２はそれぞれ開
口４０２，４０４にわたって延びている。位相シフター
４２０は2/3πラジアンシフトを位相シフター４２２は4
/3πラジアンシフトをもたらす。図４Ｂはマスクレベル
での電場の大きさを示したもので、ここで開口４０２、
４０４からの場の領域はそれぞれ負の段４３０、４３２
によって、開口４０６からの場の領域は正の段４３４に
よって示されている。電場は本来、ベクトルであるの
で、図４Ｂは連続的に時間につれて変化する特定のモー
メントでの場のスナップショットとして理解すべきであ
る。図４Ｃはそれぞれ開口４０２，４０４，４０６から
のワークピースでの電場４４０，４４２，４４４を示
す。バイナリマスクと違って、重なり領域での電場は打
ち消すように加えられる。それゆえ開口４０２，４０
４，４０６からのワークピース表面上で像が重なる場
所、図４Ｄの４５０，４５２で強度は実質的にゼロにな
る。
【００２０】この現象は更に図４Ｅに示されている。図
４Ｅはワークピースレベルでのマスク４００に対する電
場に相当する電場ベクトルを示している。電場の大きさ
は図に示されたベクトルの縦軸への投影である。ベクト
ル４６０はシフトされない照射光が伝播する開口４０６
によって与えられた電場に相当する。ベクトル４６２は
位相シフター４２０によって2/3πラジアン位相シフト
される開口４０２を通して伝播される放射によって与え
られる。ベクトル４６４は開口４０４と4/3πラジアン位
相シフター４２２を通して伝播する放射のワークピース
レベルでの電場を規定している。ベクトル４６０がその
最大の大きさで図４Ｅに示したとき、ベクトル４６２と
４６４の大きさは実質的に等しい。ベクトルアレイは入
射光の周波数によって決定される周波数で時と共に時計
回りに回転する。ベクトル４６０が回転するにつれて、
その大きさは減少する。ベクトル４６０の大きさが減少
するにつれて、ベクトル４６２の負の大きさがより大き
くなり、ベクトル４６４の負の大きさは小さくなる。し
かしながらベクトル４６０，４６２，４６４の大きさの
合計は一般にゼロに等しく、それによって電場の重なる
場所で光強度は実質的に除去される。任意の数の実質的
に等しい間隔で隔てられた位相をもつマスクに対して、
相当する電場ベクトルは一般に総じてゼロとなるだろ
う。
４Ｅはワークピースレベルでのマスク４００に対する電
場に相当する電場ベクトルを示している。電場の大きさ
は図に示されたベクトルの縦軸への投影である。ベクト
ル４６０はシフトされない照射光が伝播する開口４０６
によって与えられた電場に相当する。ベクトル４６２は
位相シフター４２０によって2/3πラジアン位相シフト
される開口４０２を通して伝播される放射によって与え
られる。ベクトル４６４は開口４０４と4/3πラジアン位
相シフター４２２を通して伝播する放射のワークピース
レベルでの電場を規定している。ベクトル４６０がその
最大の大きさで図４Ｅに示したとき、ベクトル４６２と
４６４の大きさは実質的に等しい。ベクトルアレイは入
射光の周波数によって決定される周波数で時と共に時計
回りに回転する。ベクトル４６０が回転するにつれて、
その大きさは減少する。ベクトル４６０の大きさが減少
するにつれて、ベクトル４６２の負の大きさがより大き
くなり、ベクトル４６４の負の大きさは小さくなる。し
かしながらベクトル４６０，４６２，４６４の大きさの
合計は一般にゼロに等しく、それによって電場の重なる
場所で光強度は実質的に除去される。任意の数の実質的
に等しい間隔で隔てられた位相をもつマスクに対して、
相当する電場ベクトルは一般に総じてゼロとなるだろ
う。
【００２１】都合の良いことに、三位相シフトマスク４
００の周波数構成要素はバイナリマスク１０やπラジア
ン位相シフトマスク３００より低い。これにより、照射
光が投影レンズの制限された開口数を通過することが可
能となり、それゆえ与えられたシステムでより高い解像
力を達成できる。この現象はまた、他の数の等しい間隔
で隔てられた位相を伴うマスクにも存在するだろう。
００の周波数構成要素はバイナリマスク１０やπラジア
ン位相シフトマスク３００より低い。これにより、照射
光が投影レンズの制限された開口数を通過することが可
能となり、それゆえ与えられたシステムでより高い解像
力を達成できる。この現象はまた、他の数の等しい間隔
で隔てられた位相を伴うマスクにも存在するだろう。
【００２２】図５はバイナリマスク、πラジアン位相シ
フトマスクおよび等しい間隔で隔てられた三位相シフト
マスクのフーリエスペクトルを示している。ゼロ次の回
折周波数は実質的に除去され、一次の回折周波数はバイ
ナリやπラジアン位相シフトマスクと比較して三位相シ
フトマスクでは減少される。バイナリマスク（スペクト
ル５１０）はＣに中心を持つ一次の回折周波数を示す。
πラジアン位相シフトマスク（スペクトル５２０）はよ
り低い周波数を示すＢに中心を持つ一次の回折周波数を
持つ。都合の良いことに、三位相シフトマスク（スペク
トル５３０）はπラジアン位相シフトマスクよりも低い
周波数を示すＡに中心を持つ一次回折周波数を示す。よ
り低い回折周波数は改善された解像力に対応する。それ
ゆえ、三位相シフトマスクでの解像力はバイナリやπラ
ジアン位相シフトマスクでのものよりよいので、より小
さいパターン形状の形成を容易にする。他の等しい間隔
で隔てられた位相シフトマスクは三位相シフトマスクか
ら得られる結果と類似の結果を与えるだろう。
フトマスクおよび等しい間隔で隔てられた三位相シフト
マスクのフーリエスペクトルを示している。ゼロ次の回
折周波数は実質的に除去され、一次の回折周波数はバイ
ナリやπラジアン位相シフトマスクと比較して三位相シ
フトマスクでは減少される。バイナリマスク（スペクト
ル５１０）はＣに中心を持つ一次の回折周波数を示す。
πラジアン位相シフトマスク（スペクトル５２０）はよ
り低い周波数を示すＢに中心を持つ一次の回折周波数を
持つ。都合の良いことに、三位相シフトマスク（スペク
トル５３０）はπラジアン位相シフトマスクよりも低い
周波数を示すＡに中心を持つ一次回折周波数を示す。よ
り低い回折周波数は改善された解像力に対応する。それ
ゆえ、三位相シフトマスクでの解像力はバイナリやπラ
ジアン位相シフトマスクでのものよりよいので、より小
さいパターン形状の形成を容易にする。他の等しい間隔
で隔てられた位相シフトマスクは三位相シフトマスクか
ら得られる結果と類似の結果を与えるだろう。
【００２３】図６はマスクパターンの一例を示し、ここ
ではπラジアンシフトで位相衝突が起こりがちである。
図６は、透明領域６４０，６５０，６６０，６７０およ
び６８０に囲まれる、３つの不透明なマスクのパターン
形状６１０，６２０および６３０が示されている。π位
相シフトマスクが透明領域６４０、６６０を介して伝播
する照射光をπラジアンで位相シフトするために用いら
れ、かつ領域６５０，６７０を介して伝播する照射光が
シフトされないかゼロでシフトされたなら、透明領域６
４０，６５０，６６０を介して伝播する照射光の回折に
よって与えられる電場の干渉は最小化されるだろう。し
かしながら透明領域６８０は透明領域６４０，６５０，
６６０と隣接した部分を持っているので、６８０と６５
０の間あるいは６８０と６４０/６６０の間の位相遷移
は避けられない。位相遷移が起こる場所で望まれない暗
線が常に生み出されるであろう。この現象が“位相衝
突”と呼ばれている。
ではπラジアンシフトで位相衝突が起こりがちである。
図６は、透明領域６４０，６５０，６６０，６７０およ
び６８０に囲まれる、３つの不透明なマスクのパターン
形状６１０，６２０および６３０が示されている。π位
相シフトマスクが透明領域６４０、６６０を介して伝播
する照射光をπラジアンで位相シフトするために用いら
れ、かつ領域６５０，６７０を介して伝播する照射光が
シフトされないかゼロでシフトされたなら、透明領域６
４０，６５０，６６０を介して伝播する照射光の回折に
よって与えられる電場の干渉は最小化されるだろう。し
かしながら透明領域６８０は透明領域６４０，６５０，
６６０と隣接した部分を持っているので、６８０と６５
０の間あるいは６８０と６４０/６６０の間の位相遷移
は避けられない。位相遷移が起こる場所で望まれない暗
線が常に生み出されるであろう。この現象が“位相衝
突”と呼ばれている。
【００２４】都合の良いことに、実質的に等しい間隔で
隔てられた位相シフトマスクは位相衝突を減少する。例
えば、図６に示されたマスクパターンに対して、三位相
を導入しかつ等しい間隔で隔てられた位相を持つことに
よってパターン形状６５０，６６０，６８０はお互いに
異なる位相を持つことができ、それによって実質的に位
相衝突を除外することができる。さらに透明領域６４０
は、位相衝突を起こすことなく透明領域６６０と同じ位
相を持ち得る。三つのパターン形状からの電場の干渉は
実質的に除外されるので、望まれない暗線は一般的に除
外される。
隔てられた位相シフトマスクは位相衝突を減少する。例
えば、図６に示されたマスクパターンに対して、三位相
を導入しかつ等しい間隔で隔てられた位相を持つことに
よってパターン形状６５０，６６０，６８０はお互いに
異なる位相を持つことができ、それによって実質的に位
相衝突を除外することができる。さらに透明領域６４０
は、位相衝突を起こすことなく透明領域６６０と同じ位
相を持ち得る。三つのパターン形状からの電場の干渉は
実質的に除外されるので、望まれない暗線は一般的に除
外される。
【００２５】好ましいマスクの厚みはその応用とマスク
材料に依存する。例えば半導体デバイスの製作に用いら
れるフォトリソグラフィープロセスでは、好ましくはマ
スクの厚みは約０．２２ｃｍないし約０．６４ｃｍの範
囲である。照射光の透過がマスクパターンをワークピー
スに転写するために十分であり、かつそれの用いられる
プロセスに耐えるために必要とされる構造の完全さをも
つ、任意のマスク厚が適切であることは当業者には理解
されるであろう。
材料に依存する。例えば半導体デバイスの製作に用いら
れるフォトリソグラフィープロセスでは、好ましくはマ
スクの厚みは約０．２２ｃｍないし約０．６４ｃｍの範
囲である。照射光の透過がマスクパターンをワークピー
スに転写するために十分であり、かつそれの用いられる
プロセスに耐えるために必要とされる構造の完全さをも
つ、任意のマスク厚が適切であることは当業者には理解
されるであろう。
【００２６】好ましいマスクの材料はまた、そのマスク
の用いられる応用に依存する。例えば半導体デバイスの
製作でのフォトリソグラフィープロセスにおいて用いら
れる時、マスクはガラスあるいは石英を含む。それが用
いられ、かつマスクパターンをワークピースに転写する
ために十分な照射光が伝達される、特定のリソグラフプ
ロセスに十分耐え得る、任意の材料が用いられるかもし
れない。それに限定されるものではないが、更なるマス
ク材料の例として二酸化シリコンフッ化物、アルカリ金
属フッ化物およびアルカリ土類フッ化物が含まれる。フ
ッ化カルシウムおよびフッ化マグネシウムはマスク材料
として特に適している。
の用いられる応用に依存する。例えば半導体デバイスの
製作でのフォトリソグラフィープロセスにおいて用いら
れる時、マスクはガラスあるいは石英を含む。それが用
いられ、かつマスクパターンをワークピースに転写する
ために十分な照射光が伝達される、特定のリソグラフプ
ロセスに十分耐え得る、任意の材料が用いられるかもし
れない。それに限定されるものではないが、更なるマス
ク材料の例として二酸化シリコンフッ化物、アルカリ金
属フッ化物およびアルカリ土類フッ化物が含まれる。フ
ッ化カルシウムおよびフッ化マグネシウムはマスク材料
として特に適している。
【００２７】リソグラフプロセスにおいて、照射光はマ
スクを通して伝播し、レンズによってレジストで被覆さ
れたワークピースに集光される。もしネガティブレジス
トが用いられると、さらされた領域はそのまま残る。も
しポジティブレジストが用いられると、さらされた領域
は除去される。このプロセスによって、マスクのパター
ンはワークピースに転写される。レジストが除去された
領域は、例えばエッチングやめっきといった更なるプロ
セスを施され、所望のパターンの形状をワークピース上
に形成する。
スクを通して伝播し、レンズによってレジストで被覆さ
れたワークピースに集光される。もしネガティブレジス
トが用いられると、さらされた領域はそのまま残る。も
しポジティブレジストが用いられると、さらされた領域
は除去される。このプロセスによって、マスクのパター
ンはワークピースに転写される。レジストが除去された
領域は、例えばエッチングやめっきといった更なるプロ
セスを施され、所望のパターンの形状をワークピース上
に形成する。
【００２８】本発明は更に、主として改善された解像力
のために、従来の方法より良く規定されたパターン形状
を形成することができる。図７は、本発明を実施するこ
とによって形成される半導体デバイス２００の概略図で
ある。当業者には理解されるように、図解のみを目的と
するために半導体デバイス２００を簡略化した図を示し
ている。実際のデバイスは厚みの変化を含む層や他の構
成要素を含むかもしれない。半導体基板２０２は第一の
誘電体層２０４で被覆される。第一の誘電体層２０４の
上に第一の金属層２０６がある。ビアや相互接続２０
８，２１０，２１２および２１４が層２０４から突き出
て、かつ第一の金属層２０６を半導体基板２０２に導電
的に接続している。層２２６、２２８および相互接続２
３２，２３４，２３６で部分的に示されたように、この
層となったシーケンスが必要なだけ繰り返されるかもし
れない。上部パシベーション層２３０が有害な電気的、
化学的あるいは他の条件からデバイスを保護し、電気的
安定性を与えるように適用されるかもしれない。
のために、従来の方法より良く規定されたパターン形状
を形成することができる。図７は、本発明を実施するこ
とによって形成される半導体デバイス２００の概略図で
ある。当業者には理解されるように、図解のみを目的と
するために半導体デバイス２００を簡略化した図を示し
ている。実際のデバイスは厚みの変化を含む層や他の構
成要素を含むかもしれない。半導体基板２０２は第一の
誘電体層２０４で被覆される。第一の誘電体層２０４の
上に第一の金属層２０６がある。ビアや相互接続２０
８，２１０，２１２および２１４が層２０４から突き出
て、かつ第一の金属層２０６を半導体基板２０２に導電
的に接続している。層２２６、２２８および相互接続２
３２，２３４，２３６で部分的に示されたように、この
層となったシーケンスが必要なだけ繰り返されるかもし
れない。上部パシベーション層２３０が有害な電気的、
化学的あるいは他の条件からデバイスを保護し、電気的
安定性を与えるように適用されるかもしれない。
【００２９】半導体基板２０２は例えばシリコンを含
む。それに制限されるものではないが、共通の誘電体
は、ホウ素りんのドープされたケイ酸塩ガラス（ＢＰＳ
Ｇ）のようなシリコン酸化物、テトラエチルオルトシリ
ケート（ＴＥＯＳ）由来のものおよび二酸化シリコン
（ＳｉＯ2）を含む。共通な金属は例えばアルミニウム、
銅およびタングステンを含む。更に金属と誘電体層の接
着性を改善するために、それらの間に薄い層が導入され
るかもしれない。チタンがこの目的のために一般的に用
いられる。電子回路はリソグラフィー法によって層の中
に規定される。
む。それに制限されるものではないが、共通の誘電体
は、ホウ素りんのドープされたケイ酸塩ガラス（ＢＰＳ
Ｇ）のようなシリコン酸化物、テトラエチルオルトシリ
ケート（ＴＥＯＳ）由来のものおよび二酸化シリコン
（ＳｉＯ2）を含む。共通な金属は例えばアルミニウム、
銅およびタングステンを含む。更に金属と誘電体層の接
着性を改善するために、それらの間に薄い層が導入され
るかもしれない。チタンがこの目的のために一般的に用
いられる。電子回路はリソグラフィー法によって層の中
に規定される。
【００３０】デバイス２００の回路を形成するために用
いられるリソグラフ法において、レジストは誘電体層の
上に堆積される。レジストは実質的に等しい間隔の位相
シフトマスクを介して誘電体層の表面に伝えられる照射
光にさらされ、それによって所望の回路が規定され、か
つ実質的に位相衝突を除外する。用いられる照射光の形
態はレジストの種類と他の製造パラメータに依存する。
ワークピースに悪影響を与えることなしにレジストをさ
らす、照射光の任意の形態が用いられ得る。一般的な例
として紫外光、電子線およびＸ線が含まれる。もしポジ
ティブレジストが用いられると、さらされた領域は除去
され、その下の誘電体層があらわれる。誘電体層はエッ
チングによって除去されるかもしれない。さらされた誘
電体層を除去する一方でレジストで被覆された部分をそ
のまま残す、任意の方法がまた用いられるかもしれな
い。ネガティブレジストも使用可能で、この場合、さら
された領域が露光の後にそのまま残り、さらされない領
域が除去される。ネガティブレジストプロセスに対し
て、回路自体よりもむしろ回路要素の間の間隔を規定す
るマスクが用いられる。実質的に等しい間隔で隔てられ
た位相シフトマスクを用いるリソグラフィープロセス
は、例えば誘電体層の中の相互接続のようなほかのデバ
イスの形状を形成するためにもまたもちいられる。
いられるリソグラフ法において、レジストは誘電体層の
上に堆積される。レジストは実質的に等しい間隔の位相
シフトマスクを介して誘電体層の表面に伝えられる照射
光にさらされ、それによって所望の回路が規定され、か
つ実質的に位相衝突を除外する。用いられる照射光の形
態はレジストの種類と他の製造パラメータに依存する。
ワークピースに悪影響を与えることなしにレジストをさ
らす、照射光の任意の形態が用いられ得る。一般的な例
として紫外光、電子線およびＸ線が含まれる。もしポジ
ティブレジストが用いられると、さらされた領域は除去
され、その下の誘電体層があらわれる。誘電体層はエッ
チングによって除去されるかもしれない。さらされた誘
電体層を除去する一方でレジストで被覆された部分をそ
のまま残す、任意の方法がまた用いられるかもしれな
い。ネガティブレジストも使用可能で、この場合、さら
された領域が露光の後にそのまま残り、さらされない領
域が除去される。ネガティブレジストプロセスに対し
て、回路自体よりもむしろ回路要素の間の間隔を規定す
るマスクが用いられる。実質的に等しい間隔で隔てられ
た位相シフトマスクを用いるリソグラフィープロセス
は、例えば誘電体層の中の相互接続のようなほかのデバ
イスの形状を形成するためにもまたもちいられる。
【００３１】ここで記載された方法は、半導体デバイス
の製造にその利用を制限するものではなく、本発明の精
神と範囲の中で、その方法がパターンのワークピースへ
の転写を促進するようなリソグラフィープロセスに応用
される。
の製造にその利用を制限するものではなく、本発明の精
神と範囲の中で、その方法がパターンのワークピースへ
の転写を促進するようなリソグラフィープロセスに応用
される。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、位相衝突が減少され、
それによって実質的に望ましくない線が除去され、かつ
形状のサイズの微細化を容易にする位相シフトマスクが
提供され、生産性および信頼性が改善される。
それによって実質的に望ましくない線が除去され、かつ
形状のサイズの微細化を容易にする位相シフトマスクが
提供され、生産性および信頼性が改善される。
【図１】図１は、本発明を実施する上で有益な従来技術
のリソグラフシステムを示した図である。
のリソグラフシステムを示した図である。
【図２Ａ】図２Ａは、従来のバイナリマスクを示した図
である。
である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、従来のバイナリマスクを示した図
である。
である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、従来のバイナリマスクを示した図
である。
である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、従来のバイナリマスクを示した図
である。
である。
【図３Ａ】図３Ａは、従来のπラジアン位相シフトマス
クを示した図である。
クを示した図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、従来のπラジアン位相シフトマス
クを示した図である。
クを示した図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、従来のπラジアン位相シフトマス
クを示した図である。
クを示した図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、従来のπラジアン位相シフトマス
クを示した図である。
クを示した図である。
【図３Ｅ】図３Ｅは、従来のπラジアン位相シフトマス
クを示した図である。
クを示した図である。
【図４Ａ】図４Ａは、本発明の三位相シフトマスクを示
した図である。
した図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、本発明の三位相シフトマスクを示
した図である。
した図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、本発明の三位相シフトマスクを示
した図である。
した図である。
【図４Ｄ】図４Ｄは、本発明の三位相シフトマスクを示
した図である。
した図である。
【図４Ｅ】図４Ｅは、本発明の三位相シフトマスクを示
した図である。
した図である。
【図５】図５は、三位相シフトマスク、πラジアン位相
シフトマスクおよびバイナリマスクのフーリエスペクト
ルを示した図である。
シフトマスクおよびバイナリマスクのフーリエスペクト
ルを示した図である。
【図６】図６は、マスクパターンを示した図である。
【図７】図７は、従来の半導体デバイスを示した図であ
る。
る。
１００ リソグラフィー製造システム １０１ レジスト層 １０２ レンズ １０３ リソグラフィーマスク １０４ レンズシステム １０６ 光源 １２０ ワークピース １０ バイナリマスク １２ 石英層 １４，１５，１６ 透明領域 １８，１９，２０，２１ 減衰領域 ２２，２４，２６ 電場 ３６，３７，３８ 段 ３００ 位相シフトマスク ３１０ 位相シフトレジスト層 ３４０，３５０，３４５ ピーク ３８０，３９０ ベクトル ４００ 三位相シフトマスク ４１０，４１２，４１４，４１６ 不透明領域 ４０２，４０４，４０６ 透明領域 ４２０、４２２ 位相シフター ４３０，４３２，４３４ 段 ４４０，４４２，４４４ 電場 ４６０，４６２，４６４ ベクトル ６４０，６５０，６６０，６７０，６８０ 透明領域 ６１０，６２０，６３０ 不透明マスクパターン形状 ２００ デバイス ２０２ 半導体基板 ２０４ 第一の誘電体層 ２０６ 第一の金属層 ２２６，２２８ 層 ２３０ 上部パシベーション層 ２３２，２３４，２３６ ビアや相互接続
Claims (14)
- 【請求項１】 パターンをワークピースに転写するため
のリソグラフィー法であって、 位相シフトマスクを介して照射光を伝播するステップ
と、レンズで前記照射光をレジスト層に集光し，それに
よってレジストを露光するステップとを含む方法におい
て、前記位相シフトマスクが、複数の実質的に透明な領
域と複数の実質的に不透明な領域を含むパターンからな
り、前記マスクパターンが少なくとも前記照射光の一部
の位相をシフトしかつ、前記位相が実質的に等しい間隔
で隔てられて、解像力を増加させることを特徴とする方
法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のリソグラフィー法にお
いて、前記照射光が約０、約2/3πおよび約4/3πラジア
ンでシフトされる方法 - 【請求項３】 請求項１に記載のリソグラフィー法にお
いて、前記照射光が紫外光である方法。 - 【請求項４】 請求項１に記載のリソグラフィー法にお
いて，前記マスクがフォトリソグラフィーマスクである
方法。 - 【請求項５】 請求項１に記載のリソグラフィー法にお
いて，前記マスクが約０．２２ｃｍないし約０．６４ｃ
ｍの範囲の厚みを有する方法。 - 【請求項６】 請求項１に記載のリソグラフィー法にお
いて，前記マスクが，ガラス、石英、二酸化シリコンフ
ッ化物、アルカリ土類フッ化物およびアルカリ金属フッ
化物を含む群から選択された材料からなる方法。 - 【請求項７】 集積回路の配置された一ないし複数の層
を有する、半導体デバイスを製作するための方法であっ
て、集積回路のパターンを少なくとも前記一ないし複数
の層の一つにリソグラフィープロセスによって転写する
ステップにおいて、前記リソグラフィープロセスは位相
シフトマスクを介して照射光を伝達するステップを含
み、前記位相シフトマスクは複数の実質的に透明な領域
と複数の実質的に不透明な領域を有し，前記マスクパタ
ーンは少なくとも照射光の一部の位相をシフトし，かつ
前記位相が実質的に等間隔で隔てられて、解像力を増加
させることを特徴とする方法。 - 【請求項８】 請求項７に記載の方法において，前記照
射光は約０、約2/3πおよび約4/3πラジアンでシフトさ
れる方法。 - 【請求項９】 請求項７に記載のリソグラフィー法にお
いて、前記照射光が紫外光である方法。 - 【請求項１０】 請求項７に記載のリソグラフィー法に
おいて，前記マスクがフォトリソグラフィーマスクであ
る方法。 - 【請求項１１】 請求項７に記載のリソグラフィー法に
おいて，前記マスクが約０．２２ｃｍないし約０．６４
ｃｍの範囲の厚みを有する方法。 - 【請求項１２】 請求項７に記載のリソグラフィー法に
おいて，前記マスクが，ガラス、石英、二酸化シリコン
フッ化物、アルカリ土類フッ化物およびアルカリ金属フ
ッ化物を含む群から選択された材料からなる方法。 - 【請求項１３】 ワークピースにパターンを転写するた
めの方法であって，三位相シフトマスクを介して照射光
を伝播するステップと、レンズでレジスト層に前記照射
光を集光することによって前記レジストが露光されるス
テップとを含む方法において，前記三位層シフトマスク
は複数の実質的に透明な領域と複数の実質的に不透明な
領域を含み、前記マスクパターンは少なくとも入射光の
一部の位相を約2/3πおよび4/3πラジアンでシフトし、
かつ少なくとも前記照射光の一部が実質的にシフトされ
ないマスクを通過して、解像力が増加される方法。 - 【請求項１４】 集積回路の配置された一ないし複数の
層を有する、半導体デバイスを製作するための方法であ
って、集積回路のパターンを少なくとも前記一ないし複
数の層の一つにリソグラフィープロセスによって転写す
るステップにおいて、前記リソグラフィープロセスは位
相シフトマスクを介して照射光を伝達するステップを含
み、前記位相シフトマスクは複数の実質的に透明な領域
と複数の実質的に不透明な領域を有し，前記マスクパタ
ーンは少なくとも照射光の一部の位相を約2/3πおよび4
/3πラジアンでシフトし，かつ少なくとも前記照射光の
一部が実質的にシフトされないマスクを通過して、解像
力が増加される方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/488355 | 2000-01-20 | ||
| US09/488,355 US6436608B1 (en) | 2000-01-20 | 2000-01-20 | Lithographic method utilizing a phase-shifting mask |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001222098A true JP2001222098A (ja) | 2001-08-17 |
Family
ID=23939410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001010944A Pending JP2001222098A (ja) | 2000-01-20 | 2001-01-19 | 位相シフトマスクを用いたリソグラフ法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6436608B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001222098A (ja) |
| KR (1) | KR20010076292A (ja) |
| GB (1) | GB2358484A (ja) |
| TW (1) | TW478037B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005345920A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6638663B1 (en) * | 2000-01-20 | 2003-10-28 | Agere Systems Inc. | Phase-shifting mask and semiconductor device |
| US7171034B2 (en) * | 2002-12-03 | 2007-01-30 | International Business Machines Corporation | Method and system for phase/amplitude error detection of alternating phase shifting masks in photolithography |
| US7924399B2 (en) * | 2006-03-27 | 2011-04-12 | Asml Netherlands B.V. | Assembly comprising a conditioning system and at least one object, a conditioning system, a lithographic apparatus and methods |
| US11306193B1 (en) * | 2018-12-10 | 2022-04-19 | Facebook Technologies, Llc | Methods for forming ordered and disordered nanovoided composite polymers |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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