JPH0744148B2 - 両面吸収体ｘ線マスクの製造方法 - Google Patents
両面吸収体ｘ線マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH0744148B2 JPH0744148B2 JP8308092A JP8308092A JPH0744148B2 JP H0744148 B2 JPH0744148 B2 JP H0744148B2 JP 8308092 A JP8308092 A JP 8308092A JP 8308092 A JP8308092 A JP 8308092A JP H0744148 B2 JPH0744148 B2 JP H0744148B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- absorber
- pattern
- ray absorber
- film
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、パターン配置精度の
高い両面吸収体Ｘ線マスクの製造方法に関する。
高い両面吸収体Ｘ線マスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】メンブレンの片面にＸ線吸収体パターン
の形成されたＸ線マスクが一般的に用いられているが、
この種のマスクは吸収体アスペクト比が異常に高くな
り、加工が困難になるという問題と、応力歪が大きいと
いう問題がある。
の形成されたＸ線マスクが一般的に用いられているが、
この種のマスクは吸収体アスペクト比が異常に高くな
り、加工が困難になるという問題と、応力歪が大きいと
いう問題がある。
【０００３】これらの問題を解決するため、次に示すよ
うな手順で両面に吸収体パターンが形成されるＸ線マス
クの提案がなされた。即ち、図２に示される様に (a) 基板1両面を覆うようにメンブレン3a、3bを被着
後、一方のメンブレン3bの表面にＸ線吸収体膜2bを被着
させる。 (b) 裏側のメンブレン3aにバックエッチ用の開口部30
を形成する。 (c) 前記Ｘ線吸収体膜2bを処理して所望のパターン20b
を形成する。 (d) 前記開口部30側から基板1をバックエッチし、ウイ
ンドウ10を形成する。 (e) 露出したメンブレン3b裏面にＸ線吸収体膜2a及び
レジスト4を順次被着させ、更に前記Ｘ線吸収体パター
ン20bの形成された表面側から垂直にＸ線を照射して該
レジスト4に対する露光を行なう。 (f) この裏面のレジスト4を現像してレジストパターン
40を形成する。 (g) 該レジストパターン40をマスクにして裏面のＸ線
吸収体膜2aをエッチングし、このレジストパターン40を
除去して両面吸収体Ｘ線マスク5を製造する。
うな手順で両面に吸収体パターンが形成されるＸ線マス
クの提案がなされた。即ち、図２に示される様に (a) 基板1両面を覆うようにメンブレン3a、3bを被着
後、一方のメンブレン3bの表面にＸ線吸収体膜2bを被着
させる。 (b) 裏側のメンブレン3aにバックエッチ用の開口部30
を形成する。 (c) 前記Ｘ線吸収体膜2bを処理して所望のパターン20b
を形成する。 (d) 前記開口部30側から基板1をバックエッチし、ウイ
ンドウ10を形成する。 (e) 露出したメンブレン3b裏面にＸ線吸収体膜2a及び
レジスト4を順次被着させ、更に前記Ｘ線吸収体パター
ン20bの形成された表面側から垂直にＸ線を照射して該
レジスト4に対する露光を行なう。 (f) この裏面のレジスト4を現像してレジストパターン
40を形成する。 (g) 該レジストパターン40をマスクにして裏面のＸ線
吸収体膜2aをエッチングし、このレジストパターン40を
除去して両面吸収体Ｘ線マスク5を製造する。
【０００４】以上の様なＸ線露光工程により、メンブレ
ン3bの両面にセルフアラインでＸ線吸収体パターン20
a、20bが形成されることになる。そのため両面に吸収体
パターン20a、20bが分散されることになり、片面当りの
吸収体膜厚を薄くすることが可能となって、該吸収体膜
の加工が容易になるというメリットがある。又メンブレ
ン3b両面に同じ吸収体パターン20a、20bが形成されるた
め、応力バランスがとれ、Ｘ線マスクのパターン領域の
歪みが低減できることにもなる。
ン3bの両面にセルフアラインでＸ線吸収体パターン20
a、20bが形成されることになる。そのため両面に吸収体
パターン20a、20bが分散されることになり、片面当りの
吸収体膜厚を薄くすることが可能となって、該吸収体膜
の加工が容易になるというメリットがある。又メンブレ
ン3b両面に同じ吸収体パターン20a、20bが形成されるた
め、応力バランスがとれ、Ｘ線マスクのパターン領域の
歪みが低減できることにもなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上の技術では、最終
的な状態においてＸ線マスク両面の応力バランスがと
れ、歪が低減することになるものの、前記工程(e)にお
けるＸ線吸収体膜2a被着の際に熱と吸収体材料による応
力がメンブレン3bに加わり、既に表面側に形成されてい
るＸ線吸収体パターン20bの位置がずれ、位置歪を生ず
ることになる。しかもこの歪はその後の工程で是正され
ることはない。この様なパターン配置精度の劣化によ
り、依然として総合的な意味での重ね合せ精度はあまり
高くない。
的な状態においてＸ線マスク両面の応力バランスがと
れ、歪が低減することになるものの、前記工程(e)にお
けるＸ線吸収体膜2a被着の際に熱と吸収体材料による応
力がメンブレン3bに加わり、既に表面側に形成されてい
るＸ線吸収体パターン20bの位置がずれ、位置歪を生ず
ることになる。しかもこの歪はその後の工程で是正され
ることはない。この様なパターン配置精度の劣化によ
り、依然として総合的な意味での重ね合せ精度はあまり
高くない。
【０００６】本発明は従来技術の以上の様な問題に鑑み
創案されたもので、両面吸収体Ｘ線マスクの新たな製造
方法を提供することにより、パターン配置精度の高い両
面吸収体Ｘ線マスクが得られるようにせんとするもので
ある。
創案されたもので、両面吸収体Ｘ線マスクの新たな製造
方法を提供することにより、パターン配置精度の高い両
面吸収体Ｘ線マスクが得られるようにせんとするもので
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そのため本発明の両面吸
収体Ｘ線マスクの製造方法は、最初に基板上に、Ｘ線吸
収体膜、Ｘ線メンブレン、更にもう１層のＸ線吸収体膜
の３層を前記Ｘ線吸収体膜の応力緩和処理を伴って順次
被着させ、その後基板の処理及び両面Ｘ線吸収体膜の処
理を行なって、前記Ｘ線メンブレンの表裏面に所望のＸ
線吸収体パターンを形成することを基本的特徴としてい
る。
収体Ｘ線マスクの製造方法は、最初に基板上に、Ｘ線吸
収体膜、Ｘ線メンブレン、更にもう１層のＸ線吸収体膜
の３層を前記Ｘ線吸収体膜の応力緩和処理を伴って順次
被着させ、その後基板の処理及び両面Ｘ線吸収体膜の処
理を行なって、前記Ｘ線メンブレンの表裏面に所望のＸ
線吸収体パターンを形成することを基本的特徴としてい
る。
【０００８】以上の構成では、最初に基板上に、Ｘ線吸
収体膜、Ｘ線メンブレン、更にもう１層のＸ線吸収体膜
を順次被着させてからパターン露光やパターン形成を行
なっているため、所望のパターンを形成する前にＸ線吸
収体膜が２層ともＸ線メンブレン表面に形成されている
ことになり、従ってＸ線吸収体膜被着工程時の応力変化
や熱の問題によるパターン配置精度の劣化が抑えられる
ことになる。
収体膜、Ｘ線メンブレン、更にもう１層のＸ線吸収体膜
を順次被着させてからパターン露光やパターン形成を行
なっているため、所望のパターンを形成する前にＸ線吸
収体膜が２層ともＸ線メンブレン表面に形成されている
ことになり、従ってＸ線吸収体膜被着工程時の応力変化
や熱の問題によるパターン配置精度の劣化が抑えられる
ことになる。
【０００９】又前記３層を基板上に被着せしめた後に行
なわれる該基板の処理及び両面Ｘ線吸収体膜の処理につ
いては、まず表面側のＸ線吸収体膜を処理して第１のＸ
線吸収体パターンを形成し、次に基板側をバックエッチ
し、第１のＸ線吸収体パターンが形成された側とは反対
側のＸ線吸収体膜表面にレジストを被着させると共に、
第１のＸ線吸収体パターンの形成された側からＸ線を照
射し、更に前記レジストを現像した後、露出したＸ線吸
収体膜をエッチングして第１のＸ線吸収体パターンと同
じパターンを形成するようにすると良い。以上の様な処
理を行なうことでメンブレンの両面にセルフアラインで
Ｘ線吸収体パターンが形成されることになる。
なわれる該基板の処理及び両面Ｘ線吸収体膜の処理につ
いては、まず表面側のＸ線吸収体膜を処理して第１のＸ
線吸収体パターンを形成し、次に基板側をバックエッチ
し、第１のＸ線吸収体パターンが形成された側とは反対
側のＸ線吸収体膜表面にレジストを被着させると共に、
第１のＸ線吸収体パターンの形成された側からＸ線を照
射し、更に前記レジストを現像した後、露出したＸ線吸
収体膜をエッチングして第１のＸ線吸収体パターンと同
じパターンを形成するようにすると良い。以上の様な処
理を行なうことでメンブレンの両面にセルフアラインで
Ｘ線吸収体パターンが形成されることになる。
【００１０】
【実施例】以下本発明法の具体的実施例につき添付図面
に基づき説明する。
に基づき説明する。
【００１１】図１は本発明の一実施例に係る両面吸収体
Ｘ線マスクの製造工程を示している。
Ｘ線マスクの製造工程を示している。
【００１２】まず同図(a)に示される様に、Si基板1上に
下層Ｘ線吸収体膜2a、その上にＸ線メンブレン3、更に
その上に上層Ｘ線吸収体膜2bを順次積層する。この時両
Ｘ線吸収体膜2a、2bとも厚さ0.4μmのＷで、又、メンブ
レン3は厚さ2μmのSiNxで形成されている（但し材料、
厚みともこれに限定されるものではない）。
下層Ｘ線吸収体膜2a、その上にＸ線メンブレン3、更に
その上に上層Ｘ線吸収体膜2bを順次積層する。この時両
Ｘ線吸収体膜2a、2bとも厚さ0.4μmのＷで、又、メンブ
レン3は厚さ2μmのSiNxで形成されている（但し材料、
厚みともこれに限定されるものではない）。
【００１３】そして同図(b)に示される様に、上層Ｘ線
吸収体膜2bに通常の方法で上層Ｘ線吸収体パターン20b
を形成する。
吸収体膜2bに通常の方法で上層Ｘ線吸収体パターン20b
を形成する。
【００１４】一方Si基板1をバックエッチしてウインド
ウ10を開けた後、同図(c)に示される様に、このバック
エッチ側の面にＸ線レジスト4を塗布する。次に上層Ｘ
線吸収体パターン20b側からメンブレン3の面に対して垂
直にＸ線を照射する。
ウ10を開けた後、同図(c)に示される様に、このバック
エッチ側の面にＸ線レジスト4を塗布する。次に上層Ｘ
線吸収体パターン20b側からメンブレン3の面に対して垂
直にＸ線を照射する。
【００１５】更にＸ線レジスト4を現像してレジストパ
ターン40を形成せしめた後、同図(d)に示される様に、
該レジストパターン40をマスクとして下層Ｘ線吸収体膜
2aをエッチングし、下層Ｘ線吸収体パターン20aを形成
する。
ターン40を形成せしめた後、同図(d)に示される様に、
該レジストパターン40をマスクとして下層Ｘ線吸収体膜
2aをエッチングし、下層Ｘ線吸収体パターン20aを形成
する。
【００１６】最後に前記レジストパターン40を除去し、
同図(e)に示される様な両面吸収体Ｘ線マスク5を得る。
同図(e)に示される様な両面吸収体Ｘ線マスク5を得る。
【００１７】以上の工程では、メンブレン3に所望のＸ
線吸収体パターンを形成する前に、該Ｘ線吸収体膜2a、
2bが２層とも形成されているため、これまで２回に分け
て行なわれていたために問題とされたＸ線吸収体膜の２
回目の被着の際に発生する応力変化や熱の影響は問題と
ならなくなり、形成された吸収体パターンに位置歪が生
じなかった。
線吸収体パターンを形成する前に、該Ｘ線吸収体膜2a、
2bが２層とも形成されているため、これまで２回に分け
て行なわれていたために問題とされたＸ線吸収体膜の２
回目の被着の際に発生する応力変化や熱の影響は問題と
ならなくなり、形成された吸収体パターンに位置歪が生
じなかった。
【００１８】上記工程のうち、図１(a)に示す最初の工
程でＷによるＸ線吸収体膜2a、2bを形成する際に、イン
プラテーション（イオン注入）を行なって、これらの吸
収体膜2a、2bの応力制御（応力緩和処理）を行なってお
いた。
程でＷによるＸ線吸収体膜2a、2bを形成する際に、イン
プラテーション（イオン注入）を行なって、これらの吸
収体膜2a、2bの応力制御（応力緩和処理）を行なってお
いた。
【００１９】尚Si基板1と吸収体金属2aが混合するのを
防止し、且つ工程(c)のＸ線露光の際に吸収体膜2bから
の発生電子の影響を受けてレジストパターン40の解像度
が劣化するのを防止する目的で、図１(a)に示す最初の
工程で吸収体膜2aを形成する前に酸化膜あるいは窒化膜
を形成し、かつ工程(c)でレジストパターン40をマスク
に該酸化膜あるいは窒化膜にエッチングでパターン転写
後、さらにエッチングを行なって吸収体パターン20aを
形成すれば良いことは言うまでもない。
防止し、且つ工程(c)のＸ線露光の際に吸収体膜2bから
の発生電子の影響を受けてレジストパターン40の解像度
が劣化するのを防止する目的で、図１(a)に示す最初の
工程で吸収体膜2aを形成する前に酸化膜あるいは窒化膜
を形成し、かつ工程(c)でレジストパターン40をマスク
に該酸化膜あるいは窒化膜にエッチングでパターン転写
後、さらにエッチングを行なって吸収体パターン20aを
形成すれば良いことは言うまでもない。
【００２０】
【発明の効果】以上詳述した本発明法によれば、メンブ
レン表面に所望のＸ線吸収体パターンを形成する前に、
Ｘ線吸収体膜が２層ともその両面に形成されているた
め、Ｘ線吸収体膜被着工程時に他方の面に既に形成され
ていたＸ線吸収体パターンの応力変化や熱の問題による
パターン配置精度の劣化の問題は発生しないことにな
る。
レン表面に所望のＸ線吸収体パターンを形成する前に、
Ｘ線吸収体膜が２層ともその両面に形成されているた
め、Ｘ線吸収体膜被着工程時に他方の面に既に形成され
ていたＸ線吸収体パターンの応力変化や熱の問題による
パターン配置精度の劣化の問題は発生しないことにな
る。
【図１】本発明法のマスク製造工程を示す説明図であ
る。
る。
【図２】従来の両面吸収体Ｘ線マスクの製造工程を示す
説明図である。
説明図である。
1 基板 2a、2b Ｘ線吸収体膜 3、3a、3b、 メンブレン 4 レジスト 5 両面吸収体Ｘ線マスク 10 ウインドウ 20a、20b Ｘ線吸収体パターン 30 開口部 40 レジストパターン
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｘ線メンブレンの表裏面にＸ線吸収体パ
ターンを設けた両面吸収体Ｘ線マスクの製造方法におい
て、最初に基板上に、Ｘ線吸収体膜、Ｘ線メンブレン、
更にもう１層のＸ線吸収体膜の３層を前記Ｘ線吸収体膜
の応力緩和処理を伴って順次被着させ、その後基板の処
理及び両面Ｘ線吸収体膜の処理を行なって、前記Ｘ線メ
ンブレンの表裏面に所望のＸ線吸収体パターンを形成す
ることを特徴とする両面吸収体Ｘ線マスクの製造方法。 - 【請求項２】 請求項第１項記載の両面吸収体Ｘ線マス
クの製造方法において、基板上にＸ線吸収体膜、Ｘ線メ
ンブレン、更にもう１層のＸ線吸収体膜の３層を形成さ
せた後の処理につき、表面側のＸ線吸収体膜を処理して
第１のＸ線吸収体パターンを形成し、次に基板側をバッ
クエッチし、第１のＸ線吸収体パターンが形成された側
とは反対側のＸ線吸収体膜表面にレジストを被着させる
と共に、第１のＸ線吸収体パターンの形成された側から
Ｘ線を照射し、更に前記レジストを現像した後、露出し
たＸ線吸収体膜をエッチングして第１のＸ線吸収体パタ
ーンと同じパターンを形成することを特徴とする請求項
第１項記載の両面吸収体Ｘ線マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8308092A JPH0744148B2 (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 両面吸収体ｘ線マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8308092A JPH0744148B2 (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 両面吸収体ｘ線マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251314A JPH05251314A (ja) | 1993-09-28 |
| JPH0744148B2 true JPH0744148B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=13792210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8308092A Expired - Lifetime JPH0744148B2 (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 両面吸収体ｘ線マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744148B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001307979A (ja) * | 2000-04-20 | 2001-11-02 | Nec Corp | メンブレンマスクおよびその製造方法 |
| JP2020013059A (ja) * | 2018-07-20 | 2020-01-23 | 株式会社東芝 | 装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH023218A (ja) * | 1988-06-17 | 1990-01-08 | Fujitsu Ltd | Ｘ線マスク及びその製造方法 |
| JPH0330425B2 (ja) * | 1982-08-11 | 1991-04-30 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3030425U (ja) * | 1996-04-22 | 1996-11-01 | 株式会社第一工芸 | 濾過装置 |
-
1992
- 1992-03-05 JP JP8308092A patent/JPH0744148B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0330425B2 (ja) * | 1982-08-11 | 1991-04-30 | ||
| JPH023218A (ja) * | 1988-06-17 | 1990-01-08 | Fujitsu Ltd | Ｘ線マスク及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05251314A (ja) | 1993-09-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19951031 |