JPS6020514A - Ｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクInfo
- Publication number
- JPS6020514A JPS6020514A JP58128366A JP12836683A JPS6020514A JP S6020514 A JPS6020514 A JP S6020514A JP 58128366 A JP58128366 A JP 58128366A JP 12836683 A JP12836683 A JP 12836683A JP S6020514 A JPS6020514 A JP S6020514A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin
- pattern
- ray exposure
- mask
- patterns
- Prior art date
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＸ線露光用マスクに関するものである。
従来例の構成とその問題点
半導体素子が微細化するにつれて、パターン転写にＸ線
が用いられ始めている。第１図に従来のＸ線露光用マス
クの１析面図を示す。Ｓｉで形成された枠状の支持体１
の一方の面にＳｉ３Ｎ４薄膜２が形成され、この薄膜２
上にＡｕパターン３が形成されている構造である。この
構造では、支持体１とＳｉ３Ｎ４薄膜２との間に応力が
生じるため、マスク面の反シが問題となる。Ｘａ露光は
近接方式であるので、マスクの平面度はきわめて重要で
ある。
が用いられ始めている。第１図に従来のＸ線露光用マス
クの１析面図を示す。Ｓｉで形成された枠状の支持体１
の一方の面にＳｉ３Ｎ４薄膜２が形成され、この薄膜２
上にＡｕパターン３が形成されている構造である。この
構造では、支持体１とＳｉ３Ｎ４薄膜２との間に応力が
生じるため、マスク面の反シが問題となる。Ｘａ露光は
近接方式であるので、マスクの平面度はきわめて重要で
ある。
発明の目的
本発明は以上の問題点を解決し、反シのない、したがっ
て、平面度のよいＸ線露光用マスクの構造を実現するも
のである。
て、平面度のよいＸ線露光用マスクの構造を実現するも
のである。
発明の構成
すなわち、本発明は枠状支持体の両面に薄膜が形成され
、一方の薄膜上に金属パターンを有することを特徴とす
るＸ線露光用マスクである。
、一方の薄膜上に金属パターンを有することを特徴とす
るＸ線露光用マスクである。
実施例の説明
第２図に本発明の実施例を断面図で示すＯ８ｉ基板から
なる枠状支持体１の両面に薄膜２および薄膜４を有し、
前記一方の薄膜２上にハＵノ（ターン３が形成された構
造である。つぎに第３図に基いて本発明によるＸ線露光
用マスクの製作方法を例示する。
なる枠状支持体１の両面に薄膜２および薄膜４を有し、
前記一方の薄膜２上にハＵノ（ターン３が形成された構
造である。つぎに第３図に基いて本発明によるＸ線露光
用マスクの製作方法を例示する。
はじめに、第３図ａのように、厚さ２００μｍのＳｉの
支持板１の両面に１μｍの厚さの５１３Ｎ４からなる薄
膜２お」：び同４を形成する。薄膜の形成は、たとえば
、減圧ＣＶＤを用いて、支持板１をたてておき、その支
持板１の表裏にそれぞれＳｉ３Ｎ４からなる薄膜２およ
び４を１μｍの厚さに成長させる。次に、薄膜２の表面
に、１μｍの厚さにＰＭＭＡレジストを塗布し、１７０
℃４０分のプリベークを行い、電子ビーム露光、現像に
より形成用Ａｕパターンの逆のレジストパターンを形成
する。厚さ０．７μｍのＡｕを蒸着し、トリクロルエチ
レン中でボイルして前記レジストパターンをリフトオフ
することによりｍ３図すのようなＡｕパターン３を形成
する。次に、薄膜４を、第３図Ｃに示すように、格子状
にｊｔｕ工した後、その格子６間の開口４す目を通して
、ＨＦ／ＨＮＯ３−１／３の溶液で支ｊ１１゛板１をエ
ツチングすることによって、そのＩＩ−ＩＩＩ析而が面
２図のよりなＸ線露光用マスクができる。同形状で、／
ととえば１００μｍｑの正方形ぬきパターンのＩｊｉＪ
Ｄ ’！す目と１００μｍ幅の残しパターン状の格子５
とを形成すれば、前記開口まず目を通してのサイドエツ
チングにより、容易に残しパターンの下部に位置するＳ
ｉ基板が除去される。
支持板１の両面に１μｍの厚さの５１３Ｎ４からなる薄
膜２お」：び同４を形成する。薄膜の形成は、たとえば
、減圧ＣＶＤを用いて、支持板１をたてておき、その支
持板１の表裏にそれぞれＳｉ３Ｎ４からなる薄膜２およ
び４を１μｍの厚さに成長させる。次に、薄膜２の表面
に、１μｍの厚さにＰＭＭＡレジストを塗布し、１７０
℃４０分のプリベークを行い、電子ビーム露光、現像に
より形成用Ａｕパターンの逆のレジストパターンを形成
する。厚さ０．７μｍのＡｕを蒸着し、トリクロルエチ
レン中でボイルして前記レジストパターンをリフトオフ
することによりｍ３図すのようなＡｕパターン３を形成
する。次に、薄膜４を、第３図Ｃに示すように、格子状
にｊｔｕ工した後、その格子６間の開口４す目を通して
、ＨＦ／ＨＮＯ３−１／３の溶液で支ｊ１１゛板１をエ
ツチングすることによって、そのＩＩ−ＩＩＩ析而が面
２図のよりなＸ線露光用マスクができる。同形状で、／
ととえば１００μｍｑの正方形ぬきパターンのＩｊｉＪ
Ｄ ’！す目と１００μｍ幅の残しパターン状の格子５
とを形成すれば、前記開口まず目を通してのサイドエツ
チングにより、容易に残しパターンの下部に位置するＳ
ｉ基板が除去される。
このようにして製作したＸ線露光用マスクは、Ｓｉ基板
のたとえばドーナツ形の枠状支持体１の表裏にＳｉ３Ｎ
４膜２および４が形成されているので、応力が片面に働
いてマスクがそることはなく、平面度のすぐれたマスク
かえられる。
のたとえばドーナツ形の枠状支持体１の表裏にＳｉ３Ｎ
４膜２および４が形成されているので、応力が片面に働
いてマスクがそることはなく、平面度のすぐれたマスク
かえられる。
発明の効果
以上に詳述したように、本発明は、ドーナツ状支持体の
両面に薄膜が形成され、一方の薄膜上に金属パターンを
有することを特徴とするＸ線露光用マスクであって、本
発明により、反ｐのない、平面度のすぐれたマスクを製
作することが可能となる。
両面に薄膜が形成され、一方の薄膜上に金属パターンを
有することを特徴とするＸ線露光用マスクであって、本
発明により、反ｐのない、平面度のすぐれたマスクを製
作することが可能となる。
第１図はＸ線露光用マスクの従来例を示す断面図、第２
図は本発明によるＸ線露光用マスクの実施例を示す断面
図、第３図ａ、ｂ、ｃは、本発明によるＸ線露光用マス
クの製作法を示す工程図である。 １・・・・・・支持板、２，４・・・・・・ｂ １ ａ
Ｎ ４からなる薄膜、３・・・・・・Ａｕパターン、
６・・・、・・格子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
図は本発明によるＸ線露光用マスクの実施例を示す断面
図、第３図ａ、ｂ、ｃは、本発明によるＸ線露光用マス
クの製作法を示す工程図である。 １・・・・・・支持板、２，４・・・・・・ｂ １ ａ
Ｎ ４からなる薄膜、３・・・・・・Ａｕパターン、
６・・・、・・格子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （リ 枠状支持体の両面に薄膜が形成され、一方の前記
薄膜上に金属パターンを有することを特徴とするＸ線露
光用マスク。 （２）金属パターンを有さない側の薄膜が格子状に形成
されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のＸ線露光用マスク０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58128366A JPS6020514A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | Ｘ線露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58128366A JPS6020514A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | Ｘ線露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6020514A true JPS6020514A (ja) | 1985-02-01 |
Family
ID=14983041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58128366A Pending JPS6020514A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | Ｘ線露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6020514A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62281325A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｘ線マスク |
| JPH01152458A (ja) * | 1987-12-08 | 1989-06-14 | Fujitsu Ltd | フォトマスクの製造方法 |
| JPH01162332A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Sharp Corp | Ｘ線リソグラフィ用マスクメンブレン |
-
1983
- 1983-07-13 JP JP58128366A patent/JPS6020514A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62281325A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｘ線マスク |
| JPH01152458A (ja) * | 1987-12-08 | 1989-06-14 | Fujitsu Ltd | フォトマスクの製造方法 |
| JPH01162332A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Sharp Corp | Ｘ線リソグラフィ用マスクメンブレン |
| JPH0583171B2 (ja) * | 1987-12-18 | 1993-11-25 | Sharp Kk |
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