JPS62281325A - Ｘ線マスク - Google Patents
Ｘ線マスクInfo
- Publication number
- JPS62281325A JPS62281325A JP61123929A JP12392986A JPS62281325A JP S62281325 A JPS62281325 A JP S62281325A JP 61123929 A JP61123929 A JP 61123929A JP 12392986 A JP12392986 A JP 12392986A JP S62281325 A JPS62281325 A JP S62281325A
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- ray
- semiconductor substrate
- mask
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置製造のだめのパターン転写工程に用
いるＸ線マスクに関するものである。
いるＸ線マスクに関するものである。
従来の技術
従来のＸ線マスクは第３図に示すように、半導体基板１
上に窒化硅素膜などのＸ線透過膜２を形成し、次に金あ
るいはタンタルなどのＸ線吸収体膜３を形成し、所定の
パターンを形成した後、前記パターン部の半導体基板１
を食刻除去して作成した。したがって半導体基板の支持
枠１と、前記支持枠の一方の面にのみＸ線透過膜２を形
成した構成となっていた。
上に窒化硅素膜などのＸ線透過膜２を形成し、次に金あ
るいはタンタルなどのＸ線吸収体膜３を形成し、所定の
パターンを形成した後、前記パターン部の半導体基板１
を食刻除去して作成した。したがって半導体基板の支持
枠１と、前記支持枠の一方の面にのみＸ線透過膜２を形
成した構成となっていた。
発明が解決しようとする問題点
上記従来構成のＸ線マスクでは支持枠の片面にのみＸ線
透過膜を形成しであるため、前記透過膜の張力のためＸ
線マスクがわん曲し、歪が入りやすいという問題があっ
た。
透過膜を形成しであるため、前記透過膜の張力のためＸ
線マスクがわん曲し、歪が入りやすいという問題があっ
た。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するため、半導体支持枠の両
面にＸ線透過膜を形成する。すなわち、半導体基板の一
生面にＸ線透過膜およびＸ線吸収体膜パターンからなる
第１の膜を形成し、前記半導体基板の他主面にＸ線透過
膜からなる第２の膜を形成する。次に第２の膜に選択的
に開孔部を形成し、前記開孔部より前記吸収体膜パター
ン領域の前記半導体基板を食刻除去し、半導体基板から
なる支持枠、前記支持枠の一主面側に形成した第１の膜
および他主面側に形成した第２の膜からなるＸ線マスク
を提供する。
面にＸ線透過膜を形成する。すなわち、半導体基板の一
生面にＸ線透過膜およびＸ線吸収体膜パターンからなる
第１の膜を形成し、前記半導体基板の他主面にＸ線透過
膜からなる第２の膜を形成する。次に第２の膜に選択的
に開孔部を形成し、前記開孔部より前記吸収体膜パター
ン領域の前記半導体基板を食刻除去し、半導体基板から
なる支持枠、前記支持枠の一主面側に形成した第１の膜
および他主面側に形成した第２の膜からなるＸ線マスク
を提供する。
作用
本発明では支持枠の両面に第１および第２のＸ線透過膜
を形成するため、両者の膜の張力を制御することにより
わん曲しない平坦なＸ線マスクを得ることができる。
を形成するため、両者の膜の張力を制御することにより
わん曲しない平坦なＸ線マスクを得ることができる。
実施例
本発明の一実施例を第１図にもとすいて説明する。半導
体基板１１の一主面上に窒化硅素膜などのＸ線透過膜１
２を形成する。次に金あるいはタンタルなどのＸ線吸収
体膜１３を形成した後電子ビーム転写技術等により所定
のパターンを形成し第１の膜とする。また前記半導体基
板１１の他主面には前記と同様の窒化硅素膜１４を形成
し、通常のパターン転写技術により、格子状あるいはス
トライプ状のパターンを形成し第２の膜とし、前記半導
体基板１１を選択的に露出する。次に前記半導体基板の
露出領域１５から、前記半導体基板１１を食刻し、前記
第１の膜と第２の膜の支持枠１１以外の前記半導体基板
を食刻除去し、半導体支持枠両面に第１および第２の膜
を構成したＸ線マスクを形成する。
体基板１１の一主面上に窒化硅素膜などのＸ線透過膜１
２を形成する。次に金あるいはタンタルなどのＸ線吸収
体膜１３を形成した後電子ビーム転写技術等により所定
のパターンを形成し第１の膜とする。また前記半導体基
板１１の他主面には前記と同様の窒化硅素膜１４を形成
し、通常のパターン転写技術により、格子状あるいはス
トライプ状のパターンを形成し第２の膜とし、前記半導
体基板１１を選択的に露出する。次に前記半導体基板の
露出領域１５から、前記半導体基板１１を食刻し、前記
第１の膜と第２の膜の支持枠１１以外の前記半導体基板
を食刻除去し、半導体支持枠両面に第１および第２の膜
を構成したＸ線マスクを形成する。
なお前記Ｘ線吸収体膜パターン１３は半導体基板食刻後
形成してもよい。
形成してもよい。
前記窒化硅素膜１２および１４などのＸ線透過膜は第１
および第２の膜とも引張り応力となるように形成する。
および第２の膜とも引張り応力となるように形成する。
なお本発明によるＸ線マスクを用いたパターン転写方法
の概略を第２図に示す。Ｘ線源２１から発生したＸ線２
２を第２図に示した第２の膜１４および第１の膜１２を
通して選択的に被転写基板２３（たとえば感光性樹脂の
塗布された半導体基板）に照射する。
の概略を第２図に示す。Ｘ線源２１から発生したＸ線２
２を第２図に示した第２の膜１４および第１の膜１２を
通して選択的に被転写基板２３（たとえば感光性樹脂の
塗布された半導体基板）に照射する。
第２の膜のＸ線透過膜の厚さおよびパターン巾は、第１
の膜のＸ線吸収体膜パターンが前記被照射基板２３上へ
照度ムラなく精度良く転写できる程度に薄く、かつ細く
する。
の膜のＸ線吸収体膜パターンが前記被照射基板２３上へ
照度ムラなく精度良く転写できる程度に薄く、かつ細く
する。
また第１の膜と第２の膜の間隔は数百εクロン以上とし
、また前記吸収体膜パターンのパターン巾を数十ミクロ
ン以下とすることによりほとんど第２の膜による照度ム
ラを防ぐことができる。またより均一な強度を得るだめ
に第２の膜のパターンを第１の膜を構成するＸ線吸収体
膜の延長線上に、かつ前記吸収体膜パターン巾より細く
形成する。たとえば複数個の半導体チップパターンを第
１のマスクに形成した場合、半導体チップ分割線上に第
２の膜パターンを形成することにより同一チノブ内では
均一な強度のＸ線を被転写基板上に照射することができ
る。
、また前記吸収体膜パターンのパターン巾を数十ミクロ
ン以下とすることによりほとんど第２の膜による照度ム
ラを防ぐことができる。またより均一な強度を得るだめ
に第２の膜のパターンを第１の膜を構成するＸ線吸収体
膜の延長線上に、かつ前記吸収体膜パターン巾より細く
形成する。たとえば複数個の半導体チップパターンを第
１のマスクに形成した場合、半導体チップ分割線上に第
２の膜パターンを形成することにより同一チノブ内では
均一な強度のＸ線を被転写基板上に照射することができ
る。
発明の効果
本発明によるＸ線マスクは、支持枠の両面にＸ線透過膜
等を形成するため、前記膜の張力を制御することにわん
曲および歪のないＸ線マスクを得ることができる。前記
マスクを用いてパターン転写を行なった場合、パターン
精度および均一性の良いパターン転写を行なうことがで
きる。
等を形成するため、前記膜の張力を制御することにわん
曲および歪のないＸ線マスクを得ることができる。前記
マスクを用いてパターン転写を行なった場合、パターン
精度および均一性の良いパターン転写を行なうことがで
きる。
第１図（Ａ） 、 ｆ：Ｂ）は本発明の一実施例を説明
するためのＸ線マスク断面図、第２図は本発明によるＸ
スフの断面図である。 １１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・Ｘ線透過
膜、１３・・・・・・Ｘ線吸収体膜、１４・・・・・・
窒化膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１１
−一一半導碑１０反 ／２’−Ｘ旅帳量膜 １３−Ｘ博犯し又体膜 １４−デ化績 第１図 １ダ 第 ２ 図 第３図
するためのＸ線マスク断面図、第２図は本発明によるＸ
スフの断面図である。 １１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・Ｘ線透過
膜、１３・・・・・・Ｘ線吸収体膜、１４・・・・・・
窒化膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１１
−一一半導碑１０反 ／２’−Ｘ旅帳量膜 １３−Ｘ博犯し又体膜 １４−デ化績 第１図 １ダ 第 ２ 図 第３図
Claims (3)
- （１）Ｘ線透過膜上に選択的に形成したＸ線吸収体膜パ
ターンを有する第１の膜と、前記第１の膜と所定の間隔
を有し対向して形成され、かつ選択的に開孔部を有する
Ｘ線透過膜からなる第２の膜を有することを特徴とする
Ｘ線マスク。 - （２）第１の膜と第２の膜の間隔に半導体を形成したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のＸ線マス
ク。 - （３）第１の膜を形成するＸ線透過膜と第２の膜のＸ線
透過膜を同一の材質で形成したことを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載のＸ線マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61123929A JPS62281325A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | Ｘ線マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61123929A JPS62281325A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | Ｘ線マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62281325A true JPS62281325A (ja) | 1987-12-07 |
Family
ID=14872838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61123929A Pending JPS62281325A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | Ｘ線マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62281325A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6020514A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-02-01 | Matsushita Electronics Corp | Ｘ線露光用マスク |
-
1986
- 1986-05-29 JP JP61123929A patent/JPS62281325A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6020514A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-02-01 | Matsushita Electronics Corp | Ｘ線露光用マスク |
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