JPS62147730A - Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPS62147730A JPS62147730A JP60289031A JP28903185A JPS62147730A JP S62147730 A JPS62147730 A JP S62147730A JP 60289031 A JP60289031 A JP 60289031A JP 28903185 A JP28903185 A JP 28903185A JP S62147730 A JPS62147730 A JP S62147730A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- mask
- pattern
- tungsten
- film
- Prior art date
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- Granted
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造において写真製版に使用され
るＸ線露光用マスク及びその製造方法に関するものであ
る。
るＸ線露光用マスク及びその製造方法に関するものであ
る。
第２図は従来のＸ線マスクの製造方法を工程別に示す。
図において、１はＳｔ等の基板、１ａは支持台、４はＡ
ｕ（金）又はＷ（タングステン）などの金属膜、４ａは
Ｘ線吸収体パターン、５はマスク基板となるＢＮ（ポロ
ンナイトライド゛）又は５ｉ３Ｎ４（窒化シリコン）な
どの薄膜、６は吸収体パターン４ａの上面に照射される
Ｘ線、７はＨ膜５上に直接照射されるＸ線、８は吸収体
パターン４ａのテーパ部分に照射されるＸ線である。
ｕ（金）又はＷ（タングステン）などの金属膜、４ａは
Ｘ線吸収体パターン、５はマスク基板となるＢＮ（ポロ
ンナイトライド゛）又は５ｉ３Ｎ４（窒化シリコン）な
どの薄膜、６は吸収体パターン４ａの上面に照射される
Ｘ線、７はＨ膜５上に直接照射されるＸ線、８は吸収体
パターン４ａのテーパ部分に照射されるＸ線である。
次に製造方法について説明する。まず第２図（・１）に
示す基板１上に、第２図ｉｂ）に示すように、薄膜５を
形成し、その上に金属膜４を形成する。次に第２図（Ｃ
）に示すように、通常の写Ｒ製版法によりレジスｉ・の
パターニングを行ない、そのレジストをマスクにしてア
ルゴン（Ａ「）等のガスによりスパンタエソチを行ない
、上記金属膜４をエッチングしてＸ線吸収体パターン４
ａを形成する。この時、図に示すように上記Ｘ線吸収体
パターン４ａはエツチング時の横方向エツチングにより
テーパ状に形成される。次に第２図（ｄ）に示すように
、上記基板ｌを周辺部のみを残し、裏面からエツチング
して支持台１ａを形成する。このようにしてＸ）ｍＷ光
用マスクが形成される。
示す基板１上に、第２図ｉｂ）に示すように、薄膜５を
形成し、その上に金属膜４を形成する。次に第２図（Ｃ
）に示すように、通常の写Ｒ製版法によりレジスｉ・の
パターニングを行ない、そのレジストをマスクにしてア
ルゴン（Ａ「）等のガスによりスパンタエソチを行ない
、上記金属膜４をエッチングしてＸ線吸収体パターン４
ａを形成する。この時、図に示すように上記Ｘ線吸収体
パターン４ａはエツチング時の横方向エツチングにより
テーパ状に形成される。次に第２図（ｄ）に示すように
、上記基板ｌを周辺部のみを残し、裏面からエツチング
して支持台１ａを形成する。このようにしてＸ）ｍＷ光
用マスクが形成される。
すなわち金属膜はＸ線の遮断膜として機能し、その他の
部分はＸ線が透過するので、ウェハ上へマスクを介して
Ｘ線照射を行なうことにより、マスクパターンが転写さ
れることとなる。
部分はＸ線が透過するので、ウェハ上へマスクを介して
Ｘ線照射を行なうことにより、マスクパターンが転写さ
れることとなる。
〔発明が解決しようとする問題点３
以上のようなＸ線露光用マスクには次のような問題点が
ある。金Ｎ膜がテーパ状に形成されるためＸ線を照射し
たとき、第２図（ｄｉに示すＸ線６の照射される領域で
は完全にＸ線が遮断されるが、金属膜のテーパ部分に照
射されるＸ線８はその部分で金属膜が薄くなっているた
め、透過することとなる。しかも金属膜のテーパ部分で
は連続的に膜厚が変化しているため、Ｘ線透過量もこの
部分で連続的に変化することとなり、このことがウェハ
上へのパターン転写時のボケの原因となるという問題点
があった。このことを抑制するために金属膜のテーパ部
分を垂直にするよう（ｅ々の検πＦが行なわれているが
、未だ十分な技術を確立するうこ至っていないのが現状
である。
ある。金Ｎ膜がテーパ状に形成されるためＸ線を照射し
たとき、第２図（ｄｉに示すＸ線６の照射される領域で
は完全にＸ線が遮断されるが、金属膜のテーパ部分に照
射されるＸ線８はその部分で金属膜が薄くなっているた
め、透過することとなる。しかも金属膜のテーパ部分で
は連続的に膜厚が変化しているため、Ｘ線透過量もこの
部分で連続的に変化することとなり、このことがウェハ
上へのパターン転写時のボケの原因となるという問題点
があった。このことを抑制するために金属膜のテーパ部
分を垂直にするよう（ｅ々の検πＦが行なわれているが
、未だ十分な技術を確立するうこ至っていないのが現状
である。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、パターン転写時のボケを防ぐことのできるＸ
Ｍｔｆ８光用マスクおよびその’Ａ’ｆｆｉ方法を提供
することを目的とする。
たもので、パターン転写時のボケを防ぐことのできるＸ
Ｍｔｆ８光用マスクおよびその’Ａ’ｆｆｉ方法を提供
することを目的とする。
本発明に係るＸ線露光用マスクは、Ｘ線吸収体パターン
の側面がマスク基板に対し垂直となるようにしたもので
ある。
の側面がマスク基板に対し垂直となるようにしたもので
ある。
本発明の別の発明に係るＸ線露光用マスクの製造方法は
、Ｘ線吸収体パターン及びマスク基板にタングステンを
用い、該吸収体パターンを選択ＣＶＤ法によりマスク基
板上の絶縁膜の開孔部に自己整合的に形成することとし
たものである。
、Ｘ線吸収体パターン及びマスク基板にタングステンを
用い、該吸収体パターンを選択ＣＶＤ法によりマスク基
板上の絶縁膜の開孔部に自己整合的に形成することとし
たものである。
本発明のＸ線露光用マスクにおいては、Ｘ線吸収体パタ
ーンの側面がマスク基板に対し垂直であるので、Ｘ線の
吸収部と透過部の境界が明確となり、露光されたパター
ンにボケがなくなる。
ーンの側面がマスク基板に対し垂直であるので、Ｘ線の
吸収部と透過部の境界が明確となり、露光されたパター
ンにボケがなくなる。
本発明の別の発明のＸ線露光用マスクの製造方法におい
ては、タングステンからなるＸ線吸収体パターンをマス
ク基板上の絶縁膜の開孔部に選択ＣＶＤ法により自己整
合的に形成するから、上記吸収体パターンの側面はマス
ク基板に対し垂直となる。
ては、タングステンからなるＸ線吸収体パターンをマス
ク基板上の絶縁膜の開孔部に選択ＣＶＤ法により自己整
合的に形成するから、上記吸収体パターンの側面はマス
ク基板に対し垂直となる。
以下、この発明の実施例について説明する。
第１図は本発明の別の発明の一実施例によるＸ線露光用
マスクの製造方法を工程順に示し、第１図＋Ｑｌに示す
最終生成物が本発明の一実施例によるＸ線露光用マスク
である。図において、１はＳｉ等の基板、１ａは支持台
、２はマスク基板となるタングステン薄膜、２ａはタン
グステンからなるＸ線吸収体パターン、３は５ｉ０２等
の絶縁膜、３ａは絶縁膜開孔部である。
マスクの製造方法を工程順に示し、第１図＋Ｑｌに示す
最終生成物が本発明の一実施例によるＸ線露光用マスク
である。図において、１はＳｉ等の基板、１ａは支持台
、２はマスク基板となるタングステン薄膜、２ａはタン
グステンからなるＸ線吸収体パターン、３は５ｉ０２等
の絶縁膜、３ａは絶縁膜開孔部である。
次に本実施例の製造方法について説明する。まず第１図
（ａ）に示すように、基板１上にタングステン薄膜２を
形成する。次に第１図ｆｂｌに示すように、上記タング
ステンＨ膜２上に絶縁膜３を形成する。
（ａ）に示すように、基板１上にタングステン薄膜２を
形成する。次に第１図ｆｂｌに示すように、上記タング
ステンＨ膜２上に絶縁膜３を形成する。
次に第１図（Ｃ）に示すように、通常の写真製版および
エツチングにより上記絶縁膜３を選択的に除去し、開孔
部３ａを形成する。その後第１図（ｄｌに示すように、
選択ＣＶＤ法により上記絶縁ＩＩＩ開孔部３ａに自己整
合的かつ選択的にタングステンを成長させる。そして最
後に第１図（ｅｌに示すように、上記絶縁膜３を除去し
、また上記基板１の裏面をエツチング除去してＸ線露光
用マスクを形成する。
エツチングにより上記絶縁膜３を選択的に除去し、開孔
部３ａを形成する。その後第１図（ｄｌに示すように、
選択ＣＶＤ法により上記絶縁ＩＩＩ開孔部３ａに自己整
合的かつ選択的にタングステンを成長させる。そして最
後に第１図（ｅｌに示すように、上記絶縁膜３を除去し
、また上記基板１の裏面をエツチング除去してＸ線露光
用マスクを形成する。
このような本実施例の製造方法では、Ｘ線吸収体パター
ンとなるタングステンを１ｊＨＲＣＶ Ｄ法により自己
整合的に形成するようにしたので、Ｘ線吸収体パターン
の側面は従来のようにテーパ形状となることなく、垂直
に仕上がることとなる。また、このＸ線露光用マスクで
は、上述のようにパターン側面がマスク基板に対して垂
直となるので、パターン転写時にボケが発生するごとも
ない。
ンとなるタングステンを１ｊＨＲＣＶ Ｄ法により自己
整合的に形成するようにしたので、Ｘ線吸収体パターン
の側面は従来のようにテーパ形状となることなく、垂直
に仕上がることとなる。また、このＸ線露光用マスクで
は、上述のようにパターン側面がマスク基板に対して垂
直となるので、パターン転写時にボケが発生するごとも
ない。
（発明の効果〕
以上のように、本発明のＸ線露光用マスクによれば、Ｘ
線吸収体パターンがマスク基板に対して垂直な側面を有
するので、パターン転写時のボケを防ぐことができる効
果がある。
線吸収体パターンがマスク基板に対して垂直な側面を有
するので、パターン転写時のボケを防ぐことができる効
果がある。
また本発明の別の発明のＸ線露光用マスクの製造方法に
よれば、マスク基板上の絶縁膜開花部に、タングステン
を選択ＣＶＤ法により自己整合的に成長させてＸ線吸収
体パターンを形成するようにしたので、該パターンの側
面がマスク基板に対し垂直であるＸＩＪＩ？１を光用マ
スクを得ることができる効果がある。
よれば、マスク基板上の絶縁膜開花部に、タングステン
を選択ＣＶＤ法により自己整合的に成長させてＸ線吸収
体パターンを形成するようにしたので、該パターンの側
面がマスク基板に対し垂直であるＸＩＪＩ？１を光用マ
スクを得ることができる効果がある。
第１図は本発明の別の発明の一実施例によるＸ線露光用
マスクの製造方法を示す工程別断面図、第２図は従来の
Ｘ線露光用マスクの製造方法を示す工程別断面図である
。 図において、１・・・基板、２・・・タングステン薄膜
（マスク基板）、２ａ・・・Ｘ線吸収体パターン、３・
・・絶縁膜である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
マスクの製造方法を示す工程別断面図、第２図は従来の
Ｘ線露光用マスクの製造方法を示す工程別断面図である
。 図において、１・・・基板、２・・・タングステン薄膜
（マスク基板）、２ａ・・・Ｘ線吸収体パターン、３・
・・絶縁膜である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）マスク基板と該基板上に形成されたＸ線吸収体パ
ターンがともにタングステンからなり、上記Ｘ線吸収体
パターンが上記基板に対し垂直な側面を有することを特
徴とするＸ線露光用マスク。 - （２）基板上にマスク基板となるタングステン薄膜を形
成する工程と、 上記タングステン薄膜上に絶縁膜を形成する工程と、 上記絶縁膜を写真製版及びエッチングにより選択的にエ
ッチング除去し開孔部を形成する工程と上記絶縁膜の開
孔部にタングステンを選択ＣＶＤ法により成長させる工
程と、 上記絶縁膜を除去する工程とを含むことを特徴とするＸ
線露光用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60289031A JPS62147730A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60289031A JPS62147730A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62147730A true JPS62147730A (ja) | 1987-07-01 |
| JPH0328046B2 JPH0328046B2 (ja) | 1991-04-17 |
Family
ID=17737929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60289031A Granted JPS62147730A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62147730A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0466189A2 (en) * | 1990-07-12 | 1992-01-15 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask structure, preparation thereof and X-ray exposure method |
| US5607733A (en) * | 1990-07-12 | 1997-03-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for preparing an X-ray mask structure |
-
1985
- 1985-12-20 JP JP60289031A patent/JPS62147730A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0466189A2 (en) * | 1990-07-12 | 1992-01-15 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask structure, preparation thereof and X-ray exposure method |
| US5607733A (en) * | 1990-07-12 | 1997-03-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for preparing an X-ray mask structure |
| US5751780A (en) * | 1990-07-12 | 1998-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask structure, preparation thereof and X-ray exposure method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0328046B2 (ja) | 1991-04-17 |
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