JP3223581B2 - Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスク及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＶＬＳＩ、ＵＬＳＩ等
に代表される集積度の高い半導体集積回路の製造に使用
される、いわゆるＸ線露光用マスクの製造方法に関す
る。
に代表される集積度の高い半導体集積回路の製造に使用
される、いわゆるＸ線露光用マスクの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来技術】従来、Ｘ線リソグラフィ法に利用されるＸ
線の波長領域は、一般に数Å〜十数Åであり、Ｘ線露光
用マスク基板には、高いＸ線透過率を有する窒化シリコ
ンや窒化ボロン等からなる薄膜が使用されている。
線の波長領域は、一般に数Å〜十数Åであり、Ｘ線露光
用マスク基板には、高いＸ線透過率を有する窒化シリコ
ンや窒化ボロン等からなる薄膜が使用されている。
【０００３】（図４）は一般的なＸ線露光用マスクの製
造方法を示したものある。シリコンウェハー１の両面
に、化学的気相成長法により窒化シリコン、窒化ボロン
等からなるＸ線透過膜２を形成する（（図４（ａ）参
照）。次に前記Ｘ線透過膜２上にＸ線吸収性の優れた
金、タンタルあるいはタングステン等からなるＸ線吸収
膜３をスパッタリング法により形成する（（図４（ｂ）
参照）。その後、Ｘ線露光用開口部として薄膜化したい
基板領域の裏面側に成長されてあるＸ線透過膜２をドラ
イエッチングにより除去し、バックエッチング用マスク
４を形成する（（図４（ｃ）参照）。最後に、バックエ
ッチング用マスク４により露出しているシリコンウェハ
ー１を水酸化カリウム・エチレンジアミン−パイロカテ
コール・ヒドラジン等のアルカリ水溶液を加熱してエッ
チング液として用い、裏面側よりバックエッチングして
Ｘ線露光用開口部５を形成してＸ線露光用マスクが完成
する（（図４（ｄ）参照）。
造方法を示したものある。シリコンウェハー１の両面
に、化学的気相成長法により窒化シリコン、窒化ボロン
等からなるＸ線透過膜２を形成する（（図４（ａ）参
照）。次に前記Ｘ線透過膜２上にＸ線吸収性の優れた
金、タンタルあるいはタングステン等からなるＸ線吸収
膜３をスパッタリング法により形成する（（図４（ｂ）
参照）。その後、Ｘ線露光用開口部として薄膜化したい
基板領域の裏面側に成長されてあるＸ線透過膜２をドラ
イエッチングにより除去し、バックエッチング用マスク
４を形成する（（図４（ｃ）参照）。最後に、バックエ
ッチング用マスク４により露出しているシリコンウェハ
ー１を水酸化カリウム・エチレンジアミン−パイロカテ
コール・ヒドラジン等のアルカリ水溶液を加熱してエッ
チング液として用い、裏面側よりバックエッチングして
Ｘ線露光用開口部５を形成してＸ線露光用マスクが完成
する（（図４（ｄ）参照）。
【０００４】しかしながら、Ｘ線吸収体パターン及びそ
れを支持しているＸ線透過膜は残留応力を有している。
そしてＸ線吸収膜は、シリコン基材をバックエッチング
してＸ線透過用の開口部を設ける以前に形成していたこ
とから、Ｘ線透過用のＸ線露光用開口部を形成するた
め、シリコン基材を除去することにより、Ｘ線透過膜自
身の引張応力によって枠状に設けられているシリコン基
材に歪みが生じてしまう。このためにＸ線透過膜２上に
形成されているＸ線吸収体パターンの位置ずれが生じて
パターンの位置精度が保てなくなる。最終工程での前記
バックエッチングでは、通常は前記のようなエッチング
液によるウェットエッチングが利用されるが、これによ
るとシリコンの結晶構造に由来した特徴である異方性エ
ッチングが生じ、開口部分の投影面積がバックエッチン
グ用マスク４の開口部分よりも狭くなってしまう。この
為、開口の広いエッチング用マスクをあらかじめ形成し
なくてはならない。さらにＸ線露光時にテーパー形状で
薄い部分があるためＸ線を透過してしまうので、隣接す
るチップのレジストパターン形状に影響を及ぼすことか
ら高精度パターンの形成が困難であった。
れを支持しているＸ線透過膜は残留応力を有している。
そしてＸ線吸収膜は、シリコン基材をバックエッチング
してＸ線透過用の開口部を設ける以前に形成していたこ
とから、Ｘ線透過用のＸ線露光用開口部を形成するた
め、シリコン基材を除去することにより、Ｘ線透過膜自
身の引張応力によって枠状に設けられているシリコン基
材に歪みが生じてしまう。このためにＸ線透過膜２上に
形成されているＸ線吸収体パターンの位置ずれが生じて
パターンの位置精度が保てなくなる。最終工程での前記
バックエッチングでは、通常は前記のようなエッチング
液によるウェットエッチングが利用されるが、これによ
るとシリコンの結晶構造に由来した特徴である異方性エ
ッチングが生じ、開口部分の投影面積がバックエッチン
グ用マスク４の開口部分よりも狭くなってしまう。この
為、開口の広いエッチング用マスクをあらかじめ形成し
なくてはならない。さらにＸ線露光時にテーパー形状で
薄い部分があるためＸ線を透過してしまうので、隣接す
るチップのレジストパターン形状に影響を及ぼすことか
ら高精度パターンの形成が困難であった。
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】本発明は前記問題
点に鑑みなされたものであり、その目的とするところ
は、Ｘ線吸収体パターンの位置歪みの低減と半導体集積
回路の製造の際の多重露光防止とを達成するＸ線露光用
マスク及びその製造方法を提供することにある。
点に鑑みなされたものであり、その目的とするところ
は、Ｘ線吸収体パターンの位置歪みの低減と半導体集積
回路の製造の際の多重露光防止とを達成するＸ線露光用
マスク及びその製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明の第１の発明は、すなわち、シリコン基板から
なる枠体によって支持されたＸ線透過性薄膜からなるＸ
線露光用開口部上に所定のパターン形状を有するＸ線吸
収体が形成されてなるＸ線露光用マスクにおいて、シリ
コン基材の結晶面｛１００｝またはそれに近い面を基板
の平面であって、Ｘ線露光用開口部の輪郭を、結晶面
｛０１０｝、｛００１｝またはいずれかに近い面に対し
て平行な辺を有する矩形とし、さらにＸ線露光用開口部
を梁状構造のシリコン枠体により複数のテーパーのない
開口部に分割されていることを特徴とするＸ線露光用マ
スクである。
に本発明の第１の発明は、すなわち、シリコン基板から
なる枠体によって支持されたＸ線透過性薄膜からなるＸ
線露光用開口部上に所定のパターン形状を有するＸ線吸
収体が形成されてなるＸ線露光用マスクにおいて、シリ
コン基材の結晶面｛１００｝またはそれに近い面を基板
の平面であって、Ｘ線露光用開口部の輪郭を、結晶面
｛０１０｝、｛００１｝またはいずれかに近い面に対し
て平行な辺を有する矩形とし、さらにＸ線露光用開口部
を梁状構造のシリコン枠体により複数のテーパーのない
開口部に分割されていることを特徴とするＸ線露光用マ
スクである。
【０００７】また、本発明の第２の発明は、前記Ｘ線露
光用マスクにおいて、オリエンテーションフラットの結
晶面が｛０１０｝、｛００１｝またはそれに近い面を有
することを特徴とする請求項１記載のＸ線露光用マスク
である。
光用マスクにおいて、オリエンテーションフラットの結
晶面が｛０１０｝、｛００１｝またはそれに近い面を有
することを特徴とする請求項１記載のＸ線露光用マスク
である。
【０００８】また、本発明の第３の発明は、前記Ｘ線露
光用マスクにおいて、オリエンテーションフラットの結
晶面が｛０１１｝またはそれに近い面を有することを特
徴とする請求項１記載のＸ線露光用マスクである。
光用マスクにおいて、オリエンテーションフラットの結
晶面が｛０１１｝またはそれに近い面を有することを特
徴とする請求項１記載のＸ線露光用マスクである。
【０００９】また、本発明の第４の発明は、シリコン基
板からなる枠体によって支持されたＸ線透過性薄膜から
なるＸ線露光用開口部上に所定のパターン形状を有する
Ｘ線吸収体が形成されてなるＸ線露光用マスクの製造方
法において、シリコン基材の結晶面｛１００｝またはそ
れに近い面を基板の平面に用いてその表面にＸ線透過膜
とＸ線吸収体パターンを順次形成した後、Ｘ線露光用開
口部は、その輪郭を、結晶面｛０１０｝、｛００１｝ま
たはいずれかに近い面に対して平行な辺を有する矩形と
し、さらにＸ線露光用開口部を梁状構造のシリコン枠体
により複数のテーパーのない開口部に分割形成すること
を特徴とするＸ線露光用マスクの製造方法である。
板からなる枠体によって支持されたＸ線透過性薄膜から
なるＸ線露光用開口部上に所定のパターン形状を有する
Ｘ線吸収体が形成されてなるＸ線露光用マスクの製造方
法において、シリコン基材の結晶面｛１００｝またはそ
れに近い面を基板の平面に用いてその表面にＸ線透過膜
とＸ線吸収体パターンを順次形成した後、Ｘ線露光用開
口部は、その輪郭を、結晶面｛０１０｝、｛００１｝ま
たはいずれかに近い面に対して平行な辺を有する矩形と
し、さらにＸ線露光用開口部を梁状構造のシリコン枠体
により複数のテーパーのない開口部に分割形成すること
を特徴とするＸ線露光用マスクの製造方法である。
【００１０】また、本発明の第５の発明は、前記Ｘ線露
光用マスクの製造方法において、オリエンテーションフ
ラットの結晶面が｛０１０｝、｛００１｝またはそれに
近い面を有するものを使用することを特徴とする請求項
４記載のＸ線露光用マスクの製造方法である。
光用マスクの製造方法において、オリエンテーションフ
ラットの結晶面が｛０１０｝、｛００１｝またはそれに
近い面を有するものを使用することを特徴とする請求項
４記載のＸ線露光用マスクの製造方法である。
【００１１】また、本発明の第６の発明は、前記Ｘ線露
光用マスクの製造方法において、オリエンテーションフ
ラットの結晶面が｛０１１｝またはそれに近い面を有す
るものを使用することを特徴とする請求項４記載のＸ線
露光用マスクの製造方法である。
光用マスクの製造方法において、オリエンテーションフ
ラットの結晶面が｛０１１｝またはそれに近い面を有す
るものを使用することを特徴とする請求項４記載のＸ線
露光用マスクの製造方法である。
【００１２】以下に本発明をさらに詳しく説明する。
（図１（ａ））に示すシリコンウエハー１は１〜２ｍｍ
厚程度のもので、結晶面｛１００｝またはそれに近い面
を表面とし、かつオリエンテーションフラットを結晶面
｛０１０｝、｛００１｝、｛０１１｝またはそれに近い
面に設けている。（図１（ｂ））においては、Ｘ線透過
膜２を全面に１〜２μｍ厚に成膜した。更に（図１
（ｃ））に示すようにＸ線吸収膜３を表面に成膜し、オ
リエンテーションフラットが結晶面｛０１０｝あるいは
｛００１｝の場合には、裏面の開口部６をオリエンテー
ションフラットに平行な方向に向かい合う二辺がある
（平面図でみて）矩形に形成する。
（図１（ａ））に示すシリコンウエハー１は１〜２ｍｍ
厚程度のもので、結晶面｛１００｝またはそれに近い面
を表面とし、かつオリエンテーションフラットを結晶面
｛０１０｝、｛００１｝、｛０１１｝またはそれに近い
面に設けている。（図１（ｂ））においては、Ｘ線透過
膜２を全面に１〜２μｍ厚に成膜した。更に（図１
（ｃ））に示すようにＸ線吸収膜３を表面に成膜し、オ
リエンテーションフラットが結晶面｛０１０｝あるいは
｛００１｝の場合には、裏面の開口部６をオリエンテー
ションフラットに平行な方向に向かい合う二辺がある
（平面図でみて）矩形に形成する。
【００１３】オリエンテーションフラットが結晶面｛０
１１｝にある場合には、オリエンテーションフラットに
対して、ほぼ４５゜の方向に隣合う二辺がある矩形のＸ
線露光用開口部を形成する。次の（図１（ｄ））で開口
部６にあわせてパターニングし、エッチングしてＸ線吸
収体パターン５を形成する。（図１（ｅ））に示すよう
に、熱アルカリ液でエッチングを行ないＸ線露光用開口
部がＸ線吸収膜３のパターン部分に対応した部分を選択
的に除去して形成した。この結果、（図２）乃至（図
３）に示すように、Ｘ線露光用開口部の境界部分にシリ
コン枠体７が形成された。
１１｝にある場合には、オリエンテーションフラットに
対して、ほぼ４５゜の方向に隣合う二辺がある矩形のＸ
線露光用開口部を形成する。次の（図１（ｄ））で開口
部６にあわせてパターニングし、エッチングしてＸ線吸
収体パターン５を形成する。（図１（ｅ））に示すよう
に、熱アルカリ液でエッチングを行ないＸ線露光用開口
部がＸ線吸収膜３のパターン部分に対応した部分を選択
的に除去して形成した。この結果、（図２）乃至（図
３）に示すように、Ｘ線露光用開口部の境界部分にシリ
コン枠体７が形成された。
【００１４】本発明によると、バックエッチングはパタ
ーン形成領域及びそれに極めて近い周辺の領域のみにつ
いて行ないそこのシリコン基材を除去しているため支持
枠に相当する部分が多く、そのためＸ線透過膜やＸ線吸
収体パターンの残留応力によるＸ線吸収体パターンの位
置歪を低減することができる。また、矩形をなすＸ線露
光用開口部の各辺の断面には概ねテーパーが生じないの
で、Ｘ線透過のコントラストが高いものが得られる。さ
らに、そのこともふまえて、Ｘ線が実効的に透過する開
口部の領域は、従来のようなテーパーが生じてしまう開
口部へのエッチング処理により設けられた領域と比較し
て、不要なエッチング処理量を伴うことなく（エッチン
グ時間が短縮できる）、しかも設けられた狭い開口部の
領域を有効に利用することができる。このことから、本
発明にかかわるＸ線露光用マスクを半導体集積回路の製
造に使用した場合、ステップアンドリピートによる露光
工程で露光パターンの外周付近に生じ易い多重露光を防
止することができる。
ーン形成領域及びそれに極めて近い周辺の領域のみにつ
いて行ないそこのシリコン基材を除去しているため支持
枠に相当する部分が多く、そのためＸ線透過膜やＸ線吸
収体パターンの残留応力によるＸ線吸収体パターンの位
置歪を低減することができる。また、矩形をなすＸ線露
光用開口部の各辺の断面には概ねテーパーが生じないの
で、Ｘ線透過のコントラストが高いものが得られる。さ
らに、そのこともふまえて、Ｘ線が実効的に透過する開
口部の領域は、従来のようなテーパーが生じてしまう開
口部へのエッチング処理により設けられた領域と比較し
て、不要なエッチング処理量を伴うことなく（エッチン
グ時間が短縮できる）、しかも設けられた狭い開口部の
領域を有効に利用することができる。このことから、本
発明にかかわるＸ線露光用マスクを半導体集積回路の製
造に使用した場合、ステップアンドリピートによる露光
工程で露光パターンの外周付近に生じ易い多重露光を防
止することができる。
【００１５】
【実施例】＜実施例１＞ （図１）はＸ線露光用マスクの製造工程について示した
ものである。（図１（ａ））は約２ｍｍ厚程度のシリコ
ンウェハー１があり結晶面｛１００｝またはそれに近い
面を平面とし、かつ結晶面｛０１０｝またはそれに近い
面にオリエンテーションフラットを有していることを示
す。（図１（ｂ））においては、ＳｉＮx からなるＸ線
透過膜２を約２μｍ厚程度にシリコンウェハー１の全面
に減圧化学気相成長法（ＬＰ−ＣＶＤ）により成膜し、
タリウムからなるＸ線吸収膜３を電子サイクロトロン共
鳴化学気相成長法（ＥＣＲ−ＣＶＤ）により成膜した
後、タリウム膜を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）に
よりパターン化した。
ものである。（図１（ａ））は約２ｍｍ厚程度のシリコ
ンウェハー１があり結晶面｛１００｝またはそれに近い
面を平面とし、かつ結晶面｛０１０｝またはそれに近い
面にオリエンテーションフラットを有していることを示
す。（図１（ｂ））においては、ＳｉＮx からなるＸ線
透過膜２を約２μｍ厚程度にシリコンウェハー１の全面
に減圧化学気相成長法（ＬＰ−ＣＶＤ）により成膜し、
タリウムからなるＸ線吸収膜３を電子サイクロトロン共
鳴化学気相成長法（ＥＣＲ−ＣＶＤ）により成膜した
後、タリウム膜を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）に
よりパターン化した。
【００１６】（図１（ｃ））においては、裏面にオリエ
ンテーションフラットに平行な位置もしくはその結晶面
に辺がある矩形のＸ線露光用開口部を形成する。このバ
ックエッチングの際、異方性エッチングとシリコン基板
の厚さとにより、対向する二辺で合わせて約２ｍｍほど
開口部が広がるので、あらかじめ開口部を小さく形成し
ておけばよい。最終工程の（図１（ｄ））においてはバ
ックエッチングを行ない、パターン部分に対応して部分
を選択的に除去し、Ｘ線露光用開口部６を形成する事が
できた。（図１（ｅ））に完成図を示すように、Ｘ線吸
収体パターン５部分の境界部分にシリコン枠体７が形成
された。これにより本発明における概ねテーパーのない
開口部が形成でき、（図２）に示すようにシリコン枠体
７があるので位置歪の低減ができ、また概ねテーパーが
ないので開口部で開けたところだけが露光されるので、
多重露光の防止を行なうことができた。
ンテーションフラットに平行な位置もしくはその結晶面
に辺がある矩形のＸ線露光用開口部を形成する。このバ
ックエッチングの際、異方性エッチングとシリコン基板
の厚さとにより、対向する二辺で合わせて約２ｍｍほど
開口部が広がるので、あらかじめ開口部を小さく形成し
ておけばよい。最終工程の（図１（ｄ））においてはバ
ックエッチングを行ない、パターン部分に対応して部分
を選択的に除去し、Ｘ線露光用開口部６を形成する事が
できた。（図１（ｅ））に完成図を示すように、Ｘ線吸
収体パターン５部分の境界部分にシリコン枠体７が形成
された。これにより本発明における概ねテーパーのない
開口部が形成でき、（図２）に示すようにシリコン枠体
７があるので位置歪の低減ができ、また概ねテーパーが
ないので開口部で開けたところだけが露光されるので、
多重露光の防止を行なうことができた。
【００１７】＜実施例２＞ （図２）に示すように、結晶面｛１００｝またはそれに
近い面をシリコン基板の平面とし、かつ結晶面｛００
１｝またはそれに近い結晶面をオリエンテーションフラ
ットを有する場合に、さらに結晶面｛００１｝に平行な
辺をもつ開口部６を形成し、同様の効果を得ることが出
来た。
近い面をシリコン基板の平面とし、かつ結晶面｛００
１｝またはそれに近い結晶面をオリエンテーションフラ
ットを有する場合に、さらに結晶面｛００１｝に平行な
辺をもつ開口部６を形成し、同様の効果を得ることが出
来た。
【００１８】＜実施例３＞ （図３）に示すように、結晶面｛１００｝またはそれに
近い面を平面とし、かつ結晶面｛０１１｝またはそれに
近い面にオリエンテーションフラットを有する場合に
は、オリエンテーションフラットに対してほぼ４５゜の
方向に隣合う二辺をもつ矩形の開口部６を形成し、同様
の効果を得ることが出来た。
近い面を平面とし、かつ結晶面｛０１１｝またはそれに
近い面にオリエンテーションフラットを有する場合に
は、オリエンテーションフラットに対してほぼ４５゜の
方向に隣合う二辺をもつ矩形の開口部６を形成し、同様
の効果を得ることが出来た。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、バックエッチングによ
るＸ線透過用の開口部を形成する領域が少なく、またシ
リコン基材が支持枠の延長として、Ｘ線透過膜を支える
梁状構造のシリコン枠体がオリエンテーションフラット
に対して縦横あるいは斜め方向に残されていることか
ら、Ｘ線吸収体パターンの位置歪を低減することができ
る。その結果、より高精度なパターンを形成することが
できる。また、Ｘ線吸収体パターンの領域およびそのご
く近辺の領域のみに、選択的にＸ線透過用の開口部が形
成されているので、半導体集積回路の製造に使用される
際に、露光されるＸ線の照射領域を必要な分だけより精
度良く制限することができる。これによりステップアン
ドリピートによるＸ線露光中に、隣接する露光領域への
不要なＸ線照射を容易に防止することができ、すなわ
ち、多重露光の防止をはかれる。
るＸ線透過用の開口部を形成する領域が少なく、またシ
リコン基材が支持枠の延長として、Ｘ線透過膜を支える
梁状構造のシリコン枠体がオリエンテーションフラット
に対して縦横あるいは斜め方向に残されていることか
ら、Ｘ線吸収体パターンの位置歪を低減することができ
る。その結果、より高精度なパターンを形成することが
できる。また、Ｘ線吸収体パターンの領域およびそのご
く近辺の領域のみに、選択的にＸ線透過用の開口部が形
成されているので、半導体集積回路の製造に使用される
際に、露光されるＸ線の照射領域を必要な分だけより精
度良く制限することができる。これによりステップアン
ドリピートによるＸ線露光中に、隣接する露光領域への
不要なＸ線照射を容易に防止することができ、すなわ
ち、多重露光の防止をはかれる。
【００２０】
【図１】本発明に係わるＸ線露光用マスク製造方法の一
実施例を、Ｘ線露光用マスクの断面図を用いて工程順に
示す説明図である。（（ａ）〜（ｅ））
実施例を、Ｘ線露光用マスクの断面図を用いて工程順に
示す説明図である。（（ａ）〜（ｅ））
【図２】本発明に係わるＸ線露光用マスク製造方法の一
実施例により製造されたＸ線露光用マスクを、平面図を
用いて示す説明図である。
実施例により製造されたＸ線露光用マスクを、平面図を
用いて示す説明図である。
【図３】本発明に係わるＸ線露光用マスク製造方法の別
の一実施例により製造されたＸ線露光用マスクを、平面
図を用いて示す説明図である。
の一実施例により製造されたＸ線露光用マスクを、平面
図を用いて示す説明図である。
【図４】従来のＸ線露光用マスクの製造方法の一実施例
を、Ｘ線露光用マスクの断面図を用いて工程順に示す説
明図である。（（ａ）〜（ｄ））
を、Ｘ線露光用マスクの断面図を用いて工程順に示す説
明図である。（（ａ）〜（ｄ））
１・・・シリコンウェハー ２・・・Ｘ線透過膜 ３・・・Ｘ線吸収膜 ５・・・Ｘ線吸収体パターン ６・・・開口部 ７・・・シリコン枠体 ８・・・オリエンテーションフラット（結晶面｛０１
０｝または｛００１｝） ９・・・オリエンテーションフラット（結晶面｛０１
１｝）
０｝または｛００１｝） ９・・・オリエンテーションフラット（結晶面｛０１
１｝）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−37619（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−34479（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−17076（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−155518（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−132343（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−59321（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/16
Claims (6)
- 【請求項１】シリコン基板からなる枠体によって支持さ
れたＸ線透過性薄膜からなるＸ線露光用開口部上に所定
のパターン形状を有するＸ線吸収体が形成されてなるＸ
線露光用マスクにおいて、シリコン基材の結晶面｛１０
０｝またはそれに近い面を基板の平面であって、Ｘ線露
光用開口部の輪郭を、結晶面｛０１０｝、｛００１｝ま
たはいずれかに近い面に対して平行な辺を有する矩形と
し、さらにＸ線露光用開口部を梁状構造のシリコン枠体
により複数のテーパーのない開口部に分割されているこ
とを特徴とするＸ線露光用マスク。 - 【請求項２】前記Ｘ線露光用マスクにおいて、オリエン
テーションフラットの結晶面が｛０１０｝、｛００１｝
またはそれに近い面を有することを特徴とする請求項１
記載のＸ線露光用マスク。 - 【請求項３】前記Ｘ線露光用マスクにおいて、オリエン
テーションフラットの結晶面が｛０１１｝またはそれに
近い面を有することを特徴とする請求項１記載のＸ線露
光用マスク。 - 【請求項４】シリコン基板からなる枠体によって支持さ
れたＸ線透過性薄膜からなるＸ線露光用開口部上に所定
のパターン形状を有するＸ線吸収体が形成されてなるＸ
線露光用マスクの製造方法において、シリコン基材の結
晶面｛１００｝またはそれに近い面を基板の平面に用い
てその表面にＸ線透過膜とＸ線吸収体パターンを順次形
成した後、Ｘ線露光用開口部は、その輪郭を、結晶面
｛０１０｝、｛００１｝またはいずれかに近い面に対し
て平行な辺を有する矩形とし、さらにＸ線露光用開口部
を梁状構造のシリコン枠体により複数のテーパーのない
開口部に分割形成することを特徴とするＸ線露光用マス
クの製造方法。 - 【請求項５】前記Ｘ線露光用マスクの製造方法におい
て、オリエンテーションフラットの結晶面が｛０１
０｝、｛００１｝またはそれに近い面を有するものを使
用することを特徴とする請求項４記載のＸ線露光用マス
クの製造方法。 - 【請求項６】前記Ｘ線露光用マスクの製造方法におい
て、オリエンテーションフラットの結晶面が｛０１１｝
またはそれに近い面を有するものを使用することを特徴
とする請求項４記載のＸ線露光用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16729392A JP3223581B2 (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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