JP3430290B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体装置の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、柱状の突起電極を備えたＬＳＩ
チップなどの半導体装置を製造する場合、一例として、
まず図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ウエハ１の上面
に接続パッド２が形成され、その上面の接続パッド２の
中央部を除く部分に絶縁膜３が形成され、接続パッド２
の中央部が絶縁膜３に形成された開口部４を介して露出
され、その上面全体に下地金属層５が形成され、下地金
属層５の上面においてその外周部５ａを除く部分にポジ
型レジストからなるメッキレジストパターン６が形成さ
れたものを用意する。この場合、下地金属層５の外周部
５ａをメッキレジストパターン６で覆わずに露出させる
のは、この外周部５ａを一方のメッキ電極として用いる
ためである。なお、図４（Ａ）において一点鎖線はダイ
シングストリートを示す。そして、メッキレジストパタ
ーン６には一点鎖線で示すダイシングストリートによっ
て囲まれた各チップ形成領域ごとに同じパターンの開口
部７が形成されている。
【０００３】そして、メッキレジストパターン６をマス
クとして且つ下地金属層５を一方のメッキ電流路として
銅などの電解メッキを行うと、メッキレジストパターン
６の開口部７内における下地金属層５上に突起電極（図
示せず）が形成される。次に、メッキレジストパターン
６を剥離し、次いで突起電極をマスクとして下地金属層
５の不要な部分をエッチングして除去し、次いで図４
（Ａ）において一点鎖線で示すダイシングストリートに
沿ってウエハ１をダイシングすると、チップ状の半導体
装置が複数個得られる。
【０００４】ところで、ポジ型レジストからなるメッキ
レジストパターン６を形成する場合、ウエハ１の大口径
化に伴い、ステッパー露光法を採用することがある。こ
の場合、まず、図５に示すように、下地金属層５の上面
全体にポジ型レジスト層６Ａを設ける。次に、例えば図
５において一点鎖線で示すように、ポジ型レジスト層６
Ａを上下左右の１／４ずつ同じ露光マスクを用いてステ
ップ露光し、また下地金属層５の外周部５ａ上のポジ型
レジスト層６Ａをそれに対応した別の露光マスクを用い
て露光する。次に、現像すると、図４（Ａ）、（Ｂ）に
示すメッキレジストパターン６が形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、レジストに
は、ポジ型レジストのほかに、ネガ型レジストがある。
ネガ型レジストは、解像度の点から、ポジ型レジストよ
りも好ましい。しかしながら、ネガ型レジストの場合、
非露光部が可溶状態となるので、下地金属層５の外周部
５ａ上のネガ型レジスト層をそれに対応した露光マスク
を用いて露光すると、下地金属層５の外周部５ａ上のネ
ガ型レジスト層を非露光部とすることができるが、それ
以外の領域のネガ型レジスト層が露光されてしまうの
で、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すようなメッキレジストパ
ターン６を形成することができなくなってしまうという
問題があった。この発明の課題は、ネガ型レジストを用
いてメッキレジストパターンを容易に形成することがで
きるようにすることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、ウエハ上に
形成された金属層上にネガ型レジスト層および透過層を
設け、該透過層上の少なくとも一部に遮光層を設け、こ
の遮光層上にステップ露光用の露光マスクを配してステ
ップ露光し、次いで前記透過層を前記遮光層と共に剥離
し、次いで現像をすることにより、突起電極形成用のメ
ッキレジストパターンを形成するようにしたものであ
る。この発明によれば、ネガ型レジスト層上に設けた透
過層上の外周部の少なくとも一部に遮光層を設け、この
遮光層上にステップ露光用の露光マスクを配してステッ
プ露光しているので、露光マスクの透過部を透過した光
をこの遮光層で遮断することが可能となり、金属層上の
外周部の少なくとも一部のネガ型レジスト層が露光され
ないようにすることができ、したがって、ネガ型レジス
トを用いてメッキレジストパターンを容易に形成するこ
とができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１〜図３はこの発明の一実施形
態における半導体装置の各製造工程を示したものであ
る。そこで、これらの図を順に参照して、この実施形態
における半導体装置の製造方法について説明する。ま
ず、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ウエハ１１の上
面に接続パッド１２が形成され、その上面の接続パッド
１２の中央部を除く部分に絶縁膜１３が形成され、接続
パッド１２の中央部が絶縁膜１３に形成された開口部１
４を介して露出され、その上面全体に下地金属層１５が
形成されたものを用意する。
【０００８】次に、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、
下地金属層１５の上面全体にネガ型レジスト層１６Ａを
設ける。この場合、ネガ型レジスト層１６Ａは液状レジ
スト、ドライフィルムレジストのいずれであってもよ
い。次に、ネガ型レジスト層１６Ａの上面全体にＰＥＴ
（ポリエチレンテレフタレート）フィルムなどからなる
透過層１７を設ける。ネガ型レジスト層１６Ａがドライ
フィルムレジストからなる場合には、ドライフィルムレ
ジストに通常剥離層を介在してラミネートされているＰ
ＥＴフィルムからなる保護フィルムを透過層１７として
用いるようにしてもよく、この場合には、ネガ型レジス
ト層１６Ａと透過層１７がラミネートされた状態で、下
地金属層１５上に配置すると効率的である。次に、下地
金属層１５の外周部１５ａ上における透過層１７の上面
外周部に遮光性塗料の印刷などにより遮光層１８を設け
る。
【０００９】次に、例えば図２（Ａ）において一点鎖線
で示すように、ネガ型レジスト層１６Ａを上下左右の１
／４ずつ同じ露光マスクを用いてステップ露光する。す
ると、遮光層１８下のネガ型レジスト層１６Ａは露光さ
れないが、それ以外の領域の透過層１７下のネガ型レジ
スト層１６Ａは露光マスクパターンに応じて露光され
る。次に、透過層１７を遮光層１８と共に剥離する。次
に、現像すると、図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、下
地金属層１５の上面においてその外周部５ａを除く部分
にネガ型レジストからなるメッキレジストパターン１６
が形成される。なお、図３（Ａ）において一点鎖線はダ
イシングストリートを示す。そして、メッキレジストパ
ターン１６には一点鎖線で示すダイシングストリートに
よって囲まれた各チップ形成領域ごとに同じパターンの
開口部１９が形成されている。
【００１０】そして、メッキレジストパターン１６をマ
スクとして且つ下地金属層１５を一方のメッキ電流路と
して銅などの電解メッキを行うと、メッキレジストパタ
ーン１６の開口部１９内における下地金属層１５上に柱
状の突起電極（図示せず）が形成される。次に、メッキ
レジストパターン１６を剥離し、次いで突起電極をマス
クとして下地金属層５の不要な部分をエッチングして除
去し、次いで図３（Ａ）において一点鎖線で示すダイシ
ングストリートに沿ってウエハ１をダイシングすると、
チップ状の半導体装置が複数個得られる。
【００１１】このように、この半導体装置の製造方法で
は、ネガ型レジスト層１６Ａ上に設けた透過層１７上の
外周部（の少なくとも一部）に遮光層１８を設け、この
状態で露光しているので、下地金属層１５の外周部１５
ａ上の（少なくとも一部の）ネガ型レジスト層１６Ａが
遮光層１８によって露光されないようにすることがで
き、したがってネガ型レジストを用いてメッキレジスト
パターン１６を容易に形成することができる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、ネガ型レジスト層上に設けた透過層上の外周部の少
なくとも一部に遮光層を設け、この遮光層上にステップ
露光用の露光マスクを配してステップ露光しているの
で、露光マスクの透過部を透過した光をこの遮光層で遮
断することが可能となり、金属層上の外周部の少なくと
も一部のネガ型レジスト層が露光されないようにするこ
とができ、したがって、ネガ型レジストを用いてメッキ
レジストパターンを容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）はこの発明の一実施形態における半導体
装置の製造に際し、当初用意したものの平面図、（Ｂ）
はそのＢ−Ｂ線に沿う一部の拡大断面図。
【図２】（Ａ）は図１に続く製造工程の平面図、（Ｂ）
はそのＢ−Ｂ線に沿う一部の拡大断面図。
【図３】（Ａ）は図２に続く製造工程の平面図、（Ｂ）
はそのＢ−Ｂ線に沿う一部の拡大断面図。
【図４】（Ａ）は従来の半導体装置の製造方法の一例を
説明するために示す平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿
う一部の拡大断面図。
【図５】図４に示すメッキレジストパターンをステッパ
ー露光法により形成する場合の一例を説明するために示
す平面図。
【符号の説明】
１１ ウエハ １５ 下地金属層 １６Ａ ネガ型レジスト層 １６ メッキレジストパターン １７ 透過層 １８ 遮光層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−240472（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−67620（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−102160（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−107037（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 G03F 7/11 501 G03F 7/36 H01L 21/027

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウエハ上に形成された金属層上にネガ型
    レジスト層および透過層を設け、該透過層上の少なくと
    も一部に遮光層を設け、この遮光層上にステップ露光用
    の露光マスクを配してステップ露光し、次いで前記透過
    層を前記遮光層と共に剥離し、次いで現像をすることに
    より、突起電極形成用のメッキレジストパターンを形成
    することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の発明において、前記ネガ
    型レジスト層および前記透過層はラミネートして前記金
    属層上に設けることを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の発明において、前記ネガ
    型レジスト層を前記金属層上に設け、該ネガ型レジスト
    層上に前記透過層を設けることを特徴とする半導体装置
    の製造方法。
  4. 【請求項４】 請求項１記載の発明において、前記ネガ
    型レジスト層は液状レジストからなることを特徴とする
    半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 請求項１〜３のいずれかに記載の発明に
    おいて、前記ネガ型レジスト層はドライフィルムレジス
    トからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載の発明に
    おいて、前記露光はステッパー露光法によって行うこと
    を特徴とする半導体装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかに記載の発明に
    おいて、前記透過層はポリエチレンテレフタレートフィ
    ルムであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 請求項１記載の発明において、前記遮光
    層は遮光性塗料からなることを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
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