JP5745964B2 - 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5745964B2 JP5745964B2 JP2011161299A JP2011161299A JP5745964B2 JP 5745964 B2 JP5745964 B2 JP 5745964B2 JP 2011161299 A JP2011161299 A JP 2011161299A JP 2011161299 A JP2011161299 A JP 2011161299A JP 5745964 B2 JP5745964 B2 JP 5745964B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- shielding member
- light shielding
- negative resist
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/74—Applying photosensitive compositions to the base; Drying processes therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Description
また、めっき用電極を形成する場合に限らず、ウエハの外縁上に位置するネガ型レジストに対して露光現像処理により所定のパターンを形成する場合に、ウエハの外縁上に位置するネガ型レジストに対する露光光の供給を防止する遮光部を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法においては、このウエハの側面からの露光光の回り込みは深刻な問題となっていた。
2 導電層
3 ネガ型レジスト
4 保護膜
5 ウエハ
10 制御部
20 ウエハ載置台
21 支柱
22 載置面
23 重心
24 点線矢印
30 遮光部材供給部
31 遮光部材供給口
32 遮光部材
40 レチクルパターン
50 送風機構
51 送風口
Claims (18)
- ウエハの表面上に導電層及びネガ型レジストが順次形成された第1のウエハを準備する工程と、
前記第1のウエハの外縁のめっき用電極に対応する領域の前記ネガ型レジストの表面上と側面とに跨って遮光部材を塗布する工程と、
前記ネガ型レジストの前記めっき用電極に対応する領域に対して露光を行う工程と、
前記遮光部材を除去する工程と、
前記ネガ型レジストの現像を行い、前記めっき用電極に対応する領域の前記ネガ型レジストを除去して前記導電層を露出させ、前記めっき用電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記遮光部材は、露光光を吸収するバンドギャップを備えていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記遮光部材は、365nm〜436nmの波長領域に対して光を吸収するバンドギャップを備えていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ネガ型レジストへの露光は、所定のパターンが形成された矩形のレチクルパターンを介して複数回に亘って前記ネガ型レジストに前記所定のパターンを投影し、
前記ネガ型レジストの現像は、前記所定のパターンに応じた導電層を露出させる、
ことを更に含む、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記所定のパターンに応じて導電層を露出させた箇所に電極を形成するめっき工程を更に含むことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1のウエハの前記ネガ型レジスト上には、露光光を透過可能な保護膜が形成されており、
前記保護膜を、前記ネガ型レジストへの露光後であって前記ネガ型レジストの現像前に除去する工程を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記遮光部材の塗布は、前記第1のウエハの外縁の前記めっき用電極に対応する領域の前記ネガ型レジストの表面上の前記保護膜の表面と前記第1のウエハの側面とに跨って行うことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1のウエハを載置する載置面を備え、前記載置面の表面の重心をとおり且つ前記載置面の両端部を結ぶ直線のうち最も長い第1の直線が、前記載置面に載置するウエハの直径の長さよりも短いウエハ載置台を有する半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記遮光部材を塗布する工程の前に、前記第1のウエハの外縁が前記載置面の端部から突出するように前記第1のウエハを前記載置面上に配置する工程を有することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載された半導体装置の製造方法。 - 前記半導体製造装置は、前記遮光部材を供給可能かつ駆動可能な遮光部材供給部を備え、前記遮光部材を塗布する工程の前に、前記遮光部材供給部の配置を、前記第1のウエハの外縁の前記めっき用電極に対応する領域に前記ネガ型レジストの表面上と側面とに跨って遮光部材を塗布可能な位置に調整することを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記遮光部材供給部の配置は、前記載置面に配置された前記第1のウエハの位置情報に応じて行うことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記載置面の中心側から端部側向かって流れるエアーを供給可能な送風機構を備え、
前記遮光部材を塗布する工程においては、ウエハの下方から、前記遮光部材が塗布される前記ウエハの外縁に対して、前記載置面の中心側から端部側向かって流れるエアーを供給することを特徴とする請求項8乃至10に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記送風機構は、前記ウエハの前記載置面上の位置情報と前記遮光部材供給部の位置情報に応じて移動可能であることを特徴とする請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
- 外気を吸引可能な吸引機構を備え、
前記遮光部材を塗布する工程においては、吸引孔が前記載置面と同一平面であって前記載置面と離間した位置から、前記遮光部材を塗布する前記ウエハの外縁の周辺の外気を前記吸引機構にて吸引することを特徴とする請求項8乃至12に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記吸引機構は、前記ウエハの前記載置面上の位置情報と前記遮光部材供給部の位置情報に応じて移動可能であることを特徴とする請求項13に記載の半導体装置の製造方法。
- 表面上に導電層及びネガ型レジストが順次形成されたウエハにめっき用電極を形成するための遮光部を形成する半導体製造装置であって、
前記ウエハが載置され、直径が前記ウエハの直径未満である載置面と、
前記載置面に搭載される前記ウエハの、ウエハの外縁のめっき用電極に対応する領域の前記ネガ型レジストの表面上及び側面に跨るように、遮光部材を塗布して前記遮光部を形成する遮光部材供給機構と、
を備えることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記遮光部材供給機構は、前記載置面と同一平面よりも上方に配置され、前記ウエハの外縁のめっき用電極に対応する領域に移動可能な遮光部材を供給する供給口を備えていることを特徴とする請求項15に記載の半導体製造装置。
- 前記載置面の中心側から端部側向かうエアーを供給可能な送風機構を備えていることを特徴とする請求項15又は請求項16に記載の半導体製造装置。
- 外気を吸引可能であり、且つ吸引孔が前記載置面と同一平面にて載置面側を向いて配置可能である吸引機構を備えていることを特徴とする請求項15乃至17のいずれか1項に記載の半導体製造装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011161299A JP5745964B2 (ja) | 2011-07-22 | 2011-07-22 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
CN201210252453.4A CN102891095B (zh) | 2011-07-22 | 2012-07-20 | 半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 |
US13/555,969 US8883635B2 (en) | 2011-07-22 | 2012-07-23 | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus |
US14/506,958 US20150022794A1 (en) | 2011-07-22 | 2014-10-06 | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011161299A JP5745964B2 (ja) | 2011-07-22 | 2011-07-22 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015094906A Division JP5925940B2 (ja) | 2015-05-07 | 2015-05-07 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013026520A JP2013026520A (ja) | 2013-02-04 |
JP5745964B2 true JP5745964B2 (ja) | 2015-07-08 |
Family
ID=47534559
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011161299A Active JP5745964B2 (ja) | 2011-07-22 | 2011-07-22 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8883635B2 (ja) |
JP (1) | JP5745964B2 (ja) |
CN (1) | CN102891095B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170120251A (ko) | 2016-04-20 | 2017-10-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 형성 방법 |
CN108615694B (zh) * | 2018-01-12 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 湿刻设备的控制方法及湿刻设备 |
JP6597872B2 (ja) * | 2018-11-13 | 2019-10-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
CN111443579A (zh) * | 2020-04-29 | 2020-07-24 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种曝光机、其制备方法以及其使用方法 |
TW202241228A (zh) * | 2021-01-12 | 2022-10-16 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 塗佈處理裝置、塗佈處理方法及電腦記憶媒體 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS614229A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-10 | Toshiba Corp | レジスト塗布装置 |
JPH09283396A (ja) * | 1996-04-08 | 1997-10-31 | Sony Corp | 周辺露光装置および周辺露光方法 |
JP3300624B2 (ja) * | 1997-01-24 | 2002-07-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板端面の洗浄方法 |
WO1998057757A1 (en) * | 1997-06-16 | 1998-12-23 | Massachusetts Institute Of Technology | High efficiency photoresist coating |
JP3430290B2 (ja) * | 1999-11-26 | 2003-07-28 | カシオ計算機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR100481590B1 (ko) * | 2000-04-21 | 2005-04-08 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 전기 광학 장치, 투사형 표시 장치 및 전기 광학 장치의제조 방법 |
US8192555B2 (en) * | 2002-12-31 | 2012-06-05 | Micron Technology, Inc. | Non-chemical, non-optical edge bead removal process |
JP2005005462A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Shinko Electric Ind Co Ltd | めっき用電極形成方法 |
JP2007048814A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | 基板保持装置、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
JP5156192B2 (ja) * | 2006-01-24 | 2013-03-06 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
JP5347214B2 (ja) * | 2006-06-12 | 2013-11-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造及び熱処理装置 |
JP4813333B2 (ja) * | 2006-11-21 | 2011-11-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 膜形成方法、膜形成装置、パターン形成方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
US20090186190A1 (en) * | 2008-01-17 | 2009-07-23 | Shan Guan | Silicon filter |
EP2246876A4 (en) * | 2008-02-22 | 2012-07-04 | Asahi Glass Co Ltd | WATER REPELLENT COMPOSITION FOR ONE TOO EXPONIERENDES SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING A RESIST STRUCTURE, ON THE BASIS OF THE PRODUCTION PROCESS PRODUCED ELECTRONIC DEVICE, METHOD FOR AWARDING OF WATER REPELLENT EFFECT FOR ONE TOO EXPONIERENDES SUBSTRATE, HYDROPHOBIC SET FOR TOO EXPONIERENDES SUBSTRATE AND METHOD FOR AWARDING OF WATER REPELLENT EFFECT THAT FOR A SUBSTRATE TO BE EXPOSED |
JP2009266899A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Toshiba Corp | 表面処理方法および表面処理装置 |
KR101499239B1 (ko) * | 2008-08-26 | 2015-03-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
JPWO2011078181A1 (ja) * | 2009-12-22 | 2013-05-09 | 株式会社Gsユアサ | 誘電体バリア放電ランプ及びこれを用いた紫外線照射装置 |
-
2011
- 2011-07-22 JP JP2011161299A patent/JP5745964B2/ja active Active
-
2012
- 2012-07-20 CN CN201210252453.4A patent/CN102891095B/zh active Active
- 2012-07-23 US US13/555,969 patent/US8883635B2/en active Active
-
2014
- 2014-10-06 US US14/506,958 patent/US20150022794A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102891095A (zh) | 2013-01-23 |
US20150022794A1 (en) | 2015-01-22 |
US20130023117A1 (en) | 2013-01-24 |
JP2013026520A (ja) | 2013-02-04 |
US8883635B2 (en) | 2014-11-11 |
CN102891095B (zh) | 2016-12-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5745964B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 | |
US10101663B2 (en) | Imprint apparatus and method of manufacturing article | |
KR101359080B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법 | |
US8946093B2 (en) | Imprint method, imprint apparatus, and method of manufacturing semiconductor device | |
TWI375266B (ja) | ||
WO2006009046A1 (ja) | 現像処理装置及び現像処理方法 | |
JP2009277900A (ja) | 露光装置及びフォトマスク | |
CN105390405A (zh) | 保护膜覆盖方法和保护膜覆盖装置 | |
US7651285B2 (en) | Edge exposure apparatus, coating and developing apparatus, edge exposure method and coating and developing method, and storage medium | |
TWI711109B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
TWI665103B (zh) | 壓印用的模板製造裝置 | |
JP5925940B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 | |
JP6986317B2 (ja) | マスクユニット及び露光装置 | |
TW578034B (en) | Method of manufacturing a mask blank and a mask, the mask blank and the mask, and useless film removing method and apparatus | |
JP2010271603A (ja) | 面位置検出装置、パターン形成装置、面位置検出方法、パターン形成方法及びデバイス製造方法 | |
JP4413901B2 (ja) | 不要膜除去装置および不要膜除去方法、並びにマスクブランクス製造方法 | |
TWI250557B (en) | Method of producing a photo mask blank | |
KR20090056501A (ko) | 웨이퍼 에지 노광장치 및 노광방법 | |
JP2008046650A (ja) | 不要膜除去装置、および不要膜除去方法、並びにマスクブランクスの製造方法 | |
JP2006139271A (ja) | 不要膜除去装置および不要膜除去方法、並びにフォトマスクブランク製造方法 | |
JP2011025587A (ja) | パターン形成装置 | |
JP2011047972A (ja) | 露光装置、及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
JP5352433B2 (ja) | 露光装置 | |
US10168627B2 (en) | Exposure apparatus and method for cleaning the same | |
JP2004029547A (ja) | 投影露光装置およびその露光方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20130708 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140326 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150106 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150306 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150407 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150507 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5745964 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |