KR20090056501A - 웨이퍼 에지 노광장치 및 노광방법 - Google Patents

웨이퍼 에지 노광장치 및 노광방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20090056501A
KR20090056501A KR1020070123682A KR20070123682A KR20090056501A KR 20090056501 A KR20090056501 A KR 20090056501A KR 1020070123682 A KR1020070123682 A KR 1020070123682A KR 20070123682 A KR20070123682 A KR 20070123682A KR 20090056501 A KR20090056501 A KR 20090056501A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
unit
edge
plane
light
Prior art date
Application number
KR1020070123682A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100914724B1 (ko
Inventor
김용수
이승
Original Assignee
주식회사 와코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 와코 filed Critical 주식회사 와코
Priority to KR1020070123682A priority Critical patent/KR100914724B1/ko
Publication of KR20090056501A publication Critical patent/KR20090056501A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100914724B1 publication Critical patent/KR100914724B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/2026—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction
    • G03F7/2028—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction of an edge bead on wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25B—TOOLS OR BENCH DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, FOR FASTENING, CONNECTING, DISENGAGING OR HOLDING
    • B25B11/00—Work holders not covered by any preceding group in the subclass, e.g. magnetic work holders, vacuum work holders
    • B25B11/005—Vacuum work holders
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼 에지 노광장치 및 노광방법에 관한 것으로서, 웨이퍼의 하면에 진공압착되어 고정되는 진공척; 상기 웨이퍼가 고정된 진공척의 하측에 결합되고, 상기 진공척을 회전시킴에 따라 상기 웨이퍼가 평면회전되게 하는 웨이퍼 회전유닛; 상기 웨이퍼 회전유닛의 하측에 결합되고, 상기 웨이퍼 회전유닛을 평면이송시킴에 따라 상기 웨이퍼가 평면이송되게 하는 웨이퍼 이송유닛; 상기 웨이퍼 회전유닛에 의해 상기 웨이퍼가 회전하는 동안에, 상기 웨이퍼의 에지를 검출하기 위해 상기 웨이퍼의 일측에 설치된 웨이퍼 에지 검출유닛; 상기 웨이퍼의 에지 부분을 노광처리하기 위해 광을 조사하는 광 조사유닛; 및 상기 웨이퍼 에지 검출유닛에서 검출된 에지 정보를 근거하여 상기 웨이퍼의 기하학적 중심점을 산출하고, 상기 기하학적 중심점을 중심으로 상기 웨이퍼가 평면회전되도록 상기 웨이퍼 회전유닛의 평면회전과 상기 웨이퍼 이송유닛의 평면이송을 제어하는 제어부;를 포함하여 구성된 웨이퍼 에지 노광장치 및 이를 이용한 노광방법을 개시하며, 상기와 같이 구성된 본 발명에 의하면, 웨이퍼의 정확한 중심점을 중심으로 회전하는 동안 웨이퍼 에지에 노광처리를 함에 따라 노광처리의 수율을 높일 수 있다.
웨이퍼, 에지, 노광

Description

웨이퍼 에지 노광장치 및 노광방법{Apparatus for exposing the edge of wafer and method therefor}
본 발명은 웨이퍼 에지 노광장치 및 노광방법에 관한 것으로서, 특히 유효칩이 형성될 수 없는 웨이퍼의 에지 부분에 대한 노광처리를 하기 위한 웨이퍼 에지 노광장치 및 노광방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자 제조시 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 사진공정은 반도체 웨이퍼 상에 포토레지스트막을 코팅하여 형성하는 코팅공정, 이 포토레지스트막이 형성된 웨이퍼 상에 레티클(마스크)을 이용하여 선택적으로 패턴을 노광하는 노광공정, 이 노광된 포토레지스트막을 현상하여 미세회로패턴을 형성하는 현상공정으로 이루어진다.
여기서, 상술한 노광공정에서는 코팅공정 시 후속공정에서 발생되는 파티클을 방지하고, 웨이퍼 상의 유효영역과의 밀도차로 인한 제품의 특성저하를 방지하기 위하여 웨이퍼의 에지 부분에 코팅된 포토레지스트막을 제거하는 공정도 포함되어 있다.
이때, 포토레지스트막의 제거되는 부분의 폭을 원하는 크기로 제어하기 위한 웨이퍼 에지 노광장치를 이용하여 웨이퍼의 에지 부분만을 제거한다.
종래의 웨이퍼 에지 노광 장치는 웨이퍼 로딩부를 구성하는 진공척에 웨이퍼를 이동시킨 후, 웨이퍼 노치를 검출한 후 노광하는 방식이다.
이에 따라, 웨이퍼 에지 노광 장치는 웨이퍼 중심이 틀어져 있을 경우 웨이퍼 노치 검출이 되지 않으면 그대로 에지 노광 과정이 진행된다.
이렇게 되면, 웨이퍼 에지가 아닌 일부 칩(chip) 부분을 노광하여 웨이퍼가 못쓰게 되는 문제가 발생한다.
더욱이, 웨이퍼 중심이 틀어져서 에지 노광 공정이 진행되면 위치 이상으로 인하여 웨이퍼가 깨지는 문제도 발생한다.
예컨대, 도 1a에 도시된 바와 같이, 종래의 장치는 하나의 이동축(m)을 가지고 있고, 웨이퍼의 에지 중 노광을 하고자 하는 부분에 광 조사유닛의 광원이 경통(10)을 통해 비춰지며, 경통(10)을 통해 비춰지는 광의 형태는 대략 직사각형이 된다. 이때, 상기 이동축(m)을 따라서 웨이퍼를 이동시켜 웨이퍼의 에지 중 노광을 하는 부분이 경통(10)을 통해 비춰지는 대략 직사각형의 광에 위치되게 한다.
그러나, 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼의 기하학적 중심점(CP)이 웨이퍼가 이동될 수 있는 이동축(m) 상에 있지 않은 경우("c"만큼의 차이가 있는 경우)에는, 대략 직사각형의 형태로 비춰지는 광원의 양측에서 웨이퍼 상에 비춰지는 광의 간격이 서로 다르게 된다.
즉, 도 1의 "a" 와 "b"와 같이 광원의 양측에서의 간격이 서로 다르게 되며, 그 결과, 도 1b에 도시된 바와 같이, 레지스트 슬롭이 넓게 나타나는 문제점이 발 생한다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 웨이퍼의 정확한 중심점을 중심으로 회전시키고, 이처럼 정확한 중심점을 중심으로 회전하는 동안 웨이퍼 에지에 노광처리를 함에 따라 노광처리의 수율을 높일 수 있는 웨이퍼 에지 노광장치 및 노광방법을 제공한다.
이러한 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 웨이퍼 에지 노광장치는, 웨이퍼의 하면에 진공압착되어 고정되는 진공척; 상기 웨이퍼가 고정된 진공척의 하측에 결합되고, 상기 진공척을 회전시킴에 따라 상기 웨이퍼가 평면회전되게 하는 웨이퍼 회전유닛; 상기 웨이퍼 회전유닛의 하측에 결합되고, 상기 웨이퍼 회전유닛을 평면이송시킴에 따라 상기 웨이퍼가 평면이송되게 하는 웨이퍼 이송유닛; 상기 웨이퍼 회전유닛에 의해 상기 웨이퍼가 회전하는 동안에, 상기 웨이퍼의 에지를 검출하기 위해 상기 웨이퍼의 일측에 설치된 웨이퍼 에지 검출유닛; 상기 웨이퍼의 에지 부분을 노광처리하기 위해 광을 조사하는 광 조사유닛; 및 상기 웨이퍼 에지 검출유닛에서 검출된 에지 정보를 근거하여 상기 웨이퍼의 기하학적 중심점을 산출하고, 상기 기하학적 중심점을 중심으로 상기 웨이퍼가 평면회전되도록 상기 웨이퍼 회전유닛의 평면회전과 상기 웨이퍼 이송유닛의 평면이송을 제어하는 제어부;를 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 웨이퍼 이송유닛은, 상기 웨이퍼 회전유닛을 평면상의 X축 방 향으로 왕복이송시키는 X축 이송유닛과, 상기 웨이퍼 회전유닛을 평면상의 Y축 방향으로 왕복이송시키는 Y축 이송유닛을 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 에지 검출유닛은, 발광부와 수광부를 구비한 광센서로 구성된다.
한편, 본 발명의 웨이퍼 에지 노광방법은, a) 웨이퍼를 진공척에 장착하는 단계; b) 상기 웨이퍼를 평면상에서 1회전시켜 에지를 검출하는 단계; c) 상기 검출된 웨이퍼의 에지 정보에 근거하여 상기 웨이퍼의 기하학적 중심점을 산출하는 단계; 및 d) 상기 산출된 웨이퍼의 기하학적 중심점을 중심으로 상기 웨이퍼를 평면회전시키고, 상기 웨이퍼가 평면회전하는 동안에 상기 웨이퍼의 에지 부분에 광을 조사하여 노광처리하는 단계;를 포함하는 이루어진다.
여기서, 상기 d) 단계 이전에, 상기 웨이퍼에 조사되는 광의 중심점과 상기 웨이퍼의 기하학적 중심선을 이은 연결선을 기준으로 상기 광이 선대칭되도록 조절하는 단계;를 포함하여 이루어진다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 웨이퍼의 정확한 중심점을 중심으로 회전하는 동안 웨이퍼 에지에 노광처리를 함에 따라 노광처리의 수율을 높일 수 있다.
본 실시예의 웨이퍼 에지 노광장치는 크게, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 진공척(100), 웨이퍼 회전유닛(200), 웨이퍼 이송유닛(300), 웨이퍼 에지 검출유닛(400), 광 조사유닛(500), 제어부(600)를 포함하여 구성된다.
상기 진공척(100)은 웨이퍼(W)의 하면에 진공압착되어 웨이퍼(W)를 고정하기 위한 구성요소이고, 상기 웨이퍼 회전유닛(200)은 상기 진공척(100)의 하측에 결합되어 상기 진공척(100)을 평면회전시키는 구성요소이며, 상기 웨이퍼 이송유닛(300)은 상기 웨이퍼 회전유닛(200)의 하측에 결합되어 상기 웨이퍼 회전유닛(200)을 평면이송시키는 구성요소이고, 상기 웨이퍼 에지 검출유닛(400)은 상기 진공척(100)에 고정된 웨이퍼(W)의 에지를 검출하기 위한 구성요소이며, 상기 광 조사유닛(500)은 상기 진공척(100)에 고정된 웨이퍼(W)의 에지 부분을 노광 처리하기 위한 구성요소이고, 상기 제어부(600)는 상기 웨이퍼 회전유닛(200)과 상기 웨이퍼 이송유닛(300)의 동작을 제어하기 위한 구성요소이다.
먼저, 진공척(100)에 대하여 설명하도록 한다.
진공척(100, vacuum chuck)은 웨이퍼(W)의 하면에 진공압착되어 고정되는 부분으로서, 진공의 흡입력을 이용하여 어떠한 물체를 흡착하여 잡아주는 역할을 하게 된다. 따라서, PDP 또는 LCD의 제조에 사용되는 평판 유리나 반도체 웨이퍼 등을 진공 흡입력을 통해 흡착 고정하거나 이동 시에 흡착된 물품이 요동되지 않도록 하게 된다.
이러한 진공척(100)은 웨이퍼(W)가 상면에 안착되는 진공척몸체와, 이 진공척몸체에 형성된 다수의 진공흡착구와, 이 진공흡착구와 연통되어 진공척몸체의 외부에 구비된 진공펌프와 연결되도록 진공척몸체에 형성된 진공흡착로를 포함하여 이루어진다. 또한, 진공흡착로 상에는 진공척몸체의 진공력을 조절하기 위한 솔레 노이드 밸브가 구비되며, 진공력을 감지하기 위한 압력밸브도 구비된다.
상술한 바와 같은 구성의 진공척(100)에 의해서, 웨이퍼(W)가 진공척(100)의 상면에 안착되어 진공압착됨에 따라 웨이퍼(W)가 흔들리지 않도록 견고하게 고정할 수 있다.
다음으로, 상기 웨이퍼 회전유닛(200)에 대하여 설명하도록 한다.
웨이퍼 회전유닛(200)은 웨이퍼(W)가 고정된 진공척(100)의 하측에 결합되어 있으며, 진공척(100)을 평면회전시킴에 따라 진공척(100)에 고정된 웨이퍼(W)가 평면회전되도록 하기 위한 부분으로서, 회전축이 구비된 회전모터로 구성될 수 있다.
이러한 웨이퍼 회전유닛(200)은 후술하게 될 제어부(600)에 의해 회전구동될 수 있으며, 회전속도나 회전방향도 제어부(600)에 의해 제어된다.
상술한 바와 같은 웨이퍼 회전유닛(200)에 의해서, 진공척(100)에 진공압착된 웨이퍼(W)가 평면상에서 회전될 수 있다.
다음으로, 상기 웨이퍼 이송유닛(300)에 대하여 설명하도록 한다.
웨이퍼 이송유닛(300)은 상술한 웨이퍼 회전유닛(200)의 하측에 결합되어 있으며, 웨이퍼 회전유닛(200)을 평면이송시킴에 따라 웨이퍼 이송유닛(300)이 평면이송되도록 하기 위한 부분으로서, 웨이퍼 이송유닛(300)이 웨이퍼 회전유닛(200)을 평면이송시킴에 따라 웨이퍼 회전유닛(200)의 상측에 결합된 진공척(100)에 진공압착된 웨이퍼(W)가 평면이송하게 된다.
한편, 웨이퍼 이송유닛(300)은, 웨이퍼 회전유닛(200)을 평면상의 X축 방향으로 왕복이송시키는 X축 이송유닛(310)과, 웨이퍼 회전유닛(200)을 평면상의 Y축 방향으로 왕복이송시키는 Y축 이송유닛(320)으로 구성된다.
예컨대, X축 이송유닛(310) 상에서 웨이퍼 회전유닛(200)이 X축 방향으로 왕복 슬라이딩 구동될 수 있도록 구비되고, Y축 이송유닛(320) 상에서 X축 이송유닛(310)이 Y축 방향으로 왕복 슬라이딩 구동될 수 있도록 구비된다.
이때, 웨이퍼 회전유닛(200)이 X축 방향으로 왕복 슬라이딩 구동되는 것은 X축 구동모터(310M)에 의해 이루어질 수 있고, X축 이송유닛(310)이 Y축 방향으로 왕복 슬라이딩 구동되는 것은 Y축 구동모터(320M)에 의해 이루어질 수 있다. X축 구동모터(310M)와 Y축 구동모터(320M)는 각각 후술하게 될 제어부(600)와 연결되어 있으며, 제어부(600)의 제어신호에 의해 구동된다.
상술한 바와 같은 구성의 웨이퍼 이송유닛(300)에 의해서, 웨이퍼 회전유닛(200)의 상측에 결합된 진공척(100)에 진공압착된 웨이퍼(W)가 평면상에서 전후좌우로 자유롭게 이송될 수 있다.
다음으로, 웨이퍼 에지 검출유닛(400)에 대하여 설명하도록 한다.
웨이퍼 에지 검출유닛(400)은 웨이퍼 회전유닛(200)에 의해 웨이퍼(W)가 1회전하는 동안에 웨이퍼(W)의 에지를 검출하기 위해 상기 웨이퍼(W)의 일측 부분에 설치된 구성요소로서, 발광부(410)와 수광부(420)를 구비한 광센서로 구성된다.
웨이퍼(W)의 에지 검출은 발광부(410)에서 조사된 광이 수광부(420)에 수광 됨에 따라 검출될 수 있으며, 발광부(410)에서 지속적으로 광을 조사하는 동안에 웨이퍼(W)를 1회전시켜서 웨이퍼(W)의 에지를 검출하게 된다.
이때, 웨이퍼(W)를 1회전시키는 동안에 웨이퍼 에지 검출유닛(400)에서 검출되는 웨이퍼(W) 에지의 변화량을 근거로 하여 웨이퍼(W)의 기하학적 중심점(CP)을 검출하게 되는데, 웨이퍼(W)의 에지가 웨이퍼 회전유닛(200)의 중심으로부터 멀어지거나 가까워지는 정도에 근거하여 웨이퍼(W)의 기하학적 중심점(CP)을 검출하게 된다.
예컨대, 일정 기준값을 기준으로 하여 웨이퍼(W) 에지의 변화량이 +3, +4, +5, +6, +5, +4, +3, +2, +1, 0, -1, -2, -1, 0, +1, +2, +3의 순서로 변화하였다면, +6이 검출된 지점이 웨이퍼 회전유닛(200)의 중심으로부터 가장 먼 지점이 되고, -2가 검출된 지점이 웨이퍼 회전유닛(200)의 중심으로부터 가장 가까운 지점이 되며, 이에 따라 +6이 검출된 지점과 -2가 검출된 지점을 연결하는 연결선(S)의 중심이 웨이퍼(W)의 기하학적 중심점(CP)이 되는 것이다.
상술한 바와 같은 구성의 웨이퍼 에지 검출유닛(400)에 의해서, 웨이퍼(W) 에지의 변화량을 측정함에 따라 웨이퍼(W)의 기하학적 중심점(CP)을 산출하기 위한 데이터를 제공할 수 있게 된다.
다음으로, 상기 광 조사유닛(500)에 대하여 설명하도록 한다.
광 조사유닛(500)은 웨이퍼(W)의 에지 부분을 노광처리하기 위해 광을 조사하는 부분으로서, 광 조사유닛(500)의 광은 수은 램프로부터 발생된다.
상기 수은 램프의 주변에는 수은 램프에서 발생된 광을 집광시키는 타원형 집광거울이 구비될 수 있으며, 타원형 집광 거울에 의해 집광된 광은 웨이퍼(W)의 에지 부분으로 유도될 수 있도록 경통으로 조사된다.
경통으로 조사된 광은 경통의 노즐을 통해 원하는 크기로 조절되어 웨이퍼(W) 상부의 에지 부분에 도포된 포토레지스트막에 조사됨에 따라 웨이퍼(W)의 에지 부분에 도포된 포토레지스트를 제거하게 된다.
상술한 바와 같은 광 조사유닛(500)에 의해서, 웨이퍼(W)에 도포된 포토레지스트막 중 원하지 않은 부분의 포토레지스트를 제거할 수 있다.
다음으로, 상기 제어부(600)에 대하여 설명하도록 한다.
제어부(600)는 상술한 웨이퍼 회전유닛(200)과 웨이퍼 이송유닛(300)을 제어하기 위한 부분으로서, 웨이퍼 에지 검출유닛(400)에서 검출된 에지 정보를 근거하여 웨이퍼(W)의 기하학적 중심점(CP)을 산출하고, 산출된 기하학적 중심점(CP)을 중심으로 웨이퍼(W)가 평면회전되도록 웨이퍼 회전유닛(200)과 웨이퍼 이송유닛(300)을 제어하게 된다.
상세하게는, 전술한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 1회전시키는 동안에, 웨이퍼 에지 검출유닛(400)에서 검출되는 웨이퍼(W) 에지의 변화량이 +3, +4, +5, +6, +5, +4, +3, +2, +1, 0, -1, -2, -1, 0, +1, +2, +3의 순서로 변화하면, +6이 검출된 지점과 -2가 검출된 지점을 연결하는 연결선(S)의 중심이 웨이퍼(W)의 기하학적 중심점(CP)이 된다고 판단하고, 웨이퍼(W)가 기하학적 중심점(CP)을 중심으로 회전하 도록 웨이퍼 회전유닛(200)과 웨이퍼 이송유닛(300)의 동작을 제어하는 것이다.
이때, 웨이퍼(W)가 기하학적 중심점(CP)을 중심으로 회전하는 것은 웨이퍼 이송유닛(300)의 X축 이송유닛(310)과 Y축 이송유닛(320)의 이송량을 조절함에 따라 이루어질 수 있으며, 웨이퍼(W)를 회전시키는 웨이퍼 회전유닛(200)의 회전속도는 웨이퍼(W)의 상면에 도포된 포토레지스트의 반응 시간에 따라 적절한 회전속도로 조절한다.
즉, 웨이퍼(W)가 기하학적 중심점(CP)을 중심으로 회전하는 회전운동에 X축 이송유닛(310)과 Y축 이송유닛(320)을 동기시켜 작동하면, 웨이퍼(W)는 기하학적 중심점(CP)을 중심으로 회전할 수 있게 되며, 웨이퍼(W)가 기하학적 중심점(CP)을 중심으로 회전하는 회전속도에 맞도록 웨이퍼 회전유닛(200) 회전량과 웨이퍼 이송유닛(300)의 X축 이송유닛(310)과 Y축 이송유닛(320)의 이송량을 조절하는 것이다.
한편, X축 이송유닛(310)과 Y축 이송유닛(320)의 이송량은 제어부(600)와 연결된 X축 구동모터(310M), Y축 구동모터(320M)의 회전속도를 제어함에 따라 이루어지고, 웨이퍼 회전유닛(200)의 회전속도는 제어부(600)와 연결된 웨이퍼 회전유닛(200)의 회전축을 제어함에 따라 이루어진다.
상술한 바와 같은 제어부(600)에 의해서, 웨이퍼(W)의 기하학적 중심점(CP)을 산출하고, 산출된 웨이퍼(W)가 기하학적 중심점(CP)을 중심으로 회전하는 회전운동에 동기되도록 웨이퍼 회전유닛(200), 웨이퍼 이송유닛(300)을 제어하며, 웨이퍼(W)의 상면에 도포된 포토레지스트의 반응 시간에 맞는 회전속도와 이송속도를 유지할 수 있다.
마지막으로, 상술한 바와 같이 구성된 본 실시예의 웨이퍼(W) 에지 노광장치를 이용한 노광방법에 대하여 설명하도록 한다.
본 실시예의 웨이퍼(W) 에지 노광장치를 이용한 노광방법은 크게, a) 웨이퍼(W)를 진공척(100)에 장착하는 단계; b) 상기 웨이퍼(W)를 평면상에서 1회전시켜 에지를 검출하는 단계; c) 상기 검출된 웨이퍼(W)의 에지 정보에 근거하여 상기 웨이퍼(W)의 기하학적 중심점(CP)을 산출하는 단계; 및 d) 상기 산출된 웨이퍼(W)의 기하학적 중심점(CP)을 중심으로 상기 웨이퍼(W)를 평면회전시키고, 상기 웨이퍼(W)가 평면회전하는 동안에 상기 웨이퍼(W)의 에지 부분에 광을 조사하여 노광처리하는 단계;를 포함한다.
한편, d) 단계 이전에, 상기 웨이퍼(W)에 조사되는 광의 중심점과 상기 웨이퍼(W)의 기하학적 중심선을 이은 연결선(S)을 기준으로 상기 광이 선대칭되도록 조절하는 단계;를 더 포함한다.
a) 웨이퍼(W)를 진공척(100)에 장착하는 단계
웨이퍼(W) 이송 로봇에 의해 본 실시예의 웨이퍼(W) 노광장치로 웨이퍼(W)가 공급되면, 웨이퍼(W)의 하면에 진공척(100)을 위치시키고, 웨이퍼(W)의 하면 중심 부분을 진공압착하여 웨이퍼(W)를 고정시킨다. 이때, 웨이퍼(W)의 하면 중심을 정확하게 맞추지 않아도 되므로, 공정시간이 단축되는 이점이 있다.
b) 상기 웨이퍼(W)를 평면상에서 1회전시켜 에지를 검출하는 단계
웨이퍼 회전유닛(200)을 1회전시켜서 진공척(100)에 진공압착되어 고정된 웨 이퍼(W)가 1회전되도록 하며, 이와 동시에 웨이퍼 에지 검출유닛(400)은 웨이퍼(W)의 1회전 동안 웨이퍼(W)의 에지를 검출한다. 이때, 웨이퍼(W)가 1회전하는 동안에 웨이퍼(W) 에지의 변화량을 근거로 하여, 즉, 웨이퍼(W)의 에지가 웨이퍼 회전유닛(200)의 중심으로부터 멀어지거나 가까워지는 정도에 근거하여 웨이퍼(W)의 에지를 검출한다.
c) 상기 검출된 웨이퍼(W)의 에지 정보에 근거하여 상기 웨이퍼(W)의 기하학적 중심점( CP )을 산출하는 단계
웨이퍼 에지 검출유닛(400)에서 검출된 웨이퍼(W) 에지의 변화량을 근거로 하여, 즉, 웨이퍼(W) 에지의 변화량이 +3, +4, +5, +6, +5, +4, +3, +2, +1, 0, -1, -2, -1, 0, +1, +2, +3의 순서로 변화하면, +6이 검출된 지점과 -2가 검출된 지점을 연결하는 연결선(S)의 중심을 웨이퍼(W)의 기하학적 중심점(CP)으로 산출한다.
이렇게 산출된 웨이퍼(W)의 기하학적 중심점(CP)과 웨이퍼(W)의 상면에 조사되는 광의 중심점을 이은 연결선(S)을 기준으로 상기 웨이퍼(W)의 상면에 조사되는 광이 선대칭되도록 웨이퍼(W)의 위치를 조절한다.
웨이퍼(W)의 상면에 조사되는 광은 경통의 노즐을 통해 원하는 크기로 조절되는데, 웨이퍼(W)의 상면에 조사되는 광의 조사면적의 중심점과 웨이퍼(W)의 기하학적 중심점(CP)을 이은 연결선(S)을 기준으로 상기 광의 조사면적의 양측이 선대칭되도록 함에 따라서 웨이퍼(W)의 상면에 조사되는 광이 한쪽 방향으로 편심되지 않아 양호한 노광처리 결과를 얻을 수 있는 것이다.
d) 상기 산출된 웨이퍼(W)의 기하학적 중심점( CP )을 중심으로 상기 웨이퍼(W)를 평면회전시키고, 상기 웨이퍼(W)가 평면회전하는 동안에 상기 웨이퍼(W)의 에지 부분에 광을 조사하여 노광처리하는 단계
도 4a에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 회전유닛(200)의 상측에 결합된 진공척(100)이 웨이퍼(W)의 "C" 부분에 가깝게 고정되어 있는 경우에, 도 4b 내지 도 4d에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)가 기하학적 중심점(CP)을 중심으로 회전할 수 있도록 진공척(100)의 위치가 "P1→P2→P3→P4→P1"의 순서로 이동하여 웨이퍼(W)의 기하학적 중심점(CP)을 중심으로 원을 그리며 이송되는 것이다.
즉, 웨이퍼(W)가 기하학적 중심점(CP)을 중심으로 회전하는 회전운동에 X축 이송유닛(310)과 Y축 이송유닛(320)을 동기시켜 작동시킴에 따라 웨이퍼(W)가 기하학적 중심점(CP)을 중심으로 회전하고, 결과적으로, 진공척(100)의 위치가 "P1→P2→P3→P4→P1"의 순서로 이동하는 것이다.
이처럼 진공척(100)의 위치가 웨이퍼(W)의 기하학적 중심점(CP)을 중심으로 원을 그리며 이송하는 것은 웨이퍼 이송유닛(300)과 이를 제어하는 제어부(600)에 의해 이루어진다.
상술한 바와 같이 웨이퍼(W)가 기하학적 중심점(CP)을 중심으로 회전하는 동안에 웨이퍼(W)의 에지 부분에 광 조사유닛(500)을 통해 광을 조사하여 노광처리를 한다.
이와 같이, 웨이퍼(W)가 기하학적 중심점(CP)을 중심으로 회전하는 동안에 노광처리를 하게 되므로, 웨이퍼(W) 에지의 처리 부분이 동일한 폭으로 처리될 수 있다는 이점이 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
도 1a 내지 도 1b는 종래의 노광장치의 노광 공정을 설명하기 위한 도면.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 에지 노광장치의 정면도.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 에지 노광장치의 개략적인 구성을 나타내는 개략도.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 에지 노광장치의 노광 공정을 설명하기 위한 단계별 평면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100:진공척 200:웨이퍼 회전유닛
300:웨이퍼 이송유닛 310:X축 이송유닛
320:Y축 이송유닛 400:웨이퍼 에지 검출유닛
410:발광부 420:수광부
500:광 조사유닛 600:제어부
CP:기하학적 중심점

Claims (5)

  1. 웨이퍼의 하면에 진공압착되어 고정되는 진공척;
    상기 웨이퍼가 고정된 진공척의 하측에 결합되고, 상기 진공척을 회전시킴에 따라 상기 웨이퍼가 평면회전되게 하는 웨이퍼 회전유닛;
    상기 웨이퍼 회전유닛의 하측에 결합되고, 상기 웨이퍼 회전유닛을 평면이송시킴에 따라 상기 웨이퍼가 평면이송되게 하는 웨이퍼 이송유닛;
    상기 웨이퍼 회전유닛에 의해 상기 웨이퍼가 회전하는 동안에, 상기 웨이퍼의 에지를 검출하기 위해 상기 웨이퍼의 일측에 설치된 웨이퍼 에지 검출유닛;
    상기 웨이퍼의 에지 부분을 노광처리하기 위해 광을 조사하는 광 조사유닛; 및
    상기 웨이퍼 에지 검출유닛에서 검출된 에지 정보를 근거하여 상기 웨이퍼의 기하학적 중심점을 산출하고, 상기 기하학적 중심점을 중심으로 상기 웨이퍼가 평면회전되도록 상기 웨이퍼 회전유닛의 평면회전과 상기 웨이퍼 이송유닛의 평면이송을 제어하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 노광장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 웨이퍼 이송유닛은,
    상기 웨이퍼 회전유닛을 평면상의 X축 방향으로 왕복이송시키는 X축 이송유닛과, 상기 웨이퍼 회전유닛을 평면상의 Y축 방향으로 왕복이송시키는 Y축 이송유 닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 노광장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 에지 검출유닛은,
    발광부와 수광부를 구비한 광센서로 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 노광장치.
  4. a) 웨이퍼를 진공척에 장착하는 단계;
    b) 상기 웨이퍼를 평면상에서 1회전시켜 에지를 검출하는 단계;
    c) 상기 검출된 웨이퍼의 에지 정보에 근거하여 상기 웨이퍼의 기하학적 중심점을 산출하는 단계; 및
    d) 상기 산출된 웨이퍼의 기하학적 중심점을 중심으로 상기 웨이퍼를 평면회전시키고, 상기 웨이퍼가 평면회전하는 동안에 상기 웨이퍼의 에지 부분에 광을 조사하여 노광처리하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 노광방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 d) 단계 이전에,
    상기 웨이퍼에 조사되는 광의 중심점과 상기 웨이퍼의 기하학적 중심선을 이은 연결선을 기준으로 상기 광이 선대칭되도록 조절하는 단계;를 포함하는 것을 특 징으로 하는 웨이퍼 에지 노광방법.
KR1020070123682A 2007-11-30 2007-11-30 웨이퍼 에지 노광장치 및 노광방법 KR100914724B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070123682A KR100914724B1 (ko) 2007-11-30 2007-11-30 웨이퍼 에지 노광장치 및 노광방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070123682A KR100914724B1 (ko) 2007-11-30 2007-11-30 웨이퍼 에지 노광장치 및 노광방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090056501A true KR20090056501A (ko) 2009-06-03
KR100914724B1 KR100914724B1 (ko) 2009-08-31

Family

ID=40987897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070123682A KR100914724B1 (ko) 2007-11-30 2007-11-30 웨이퍼 에지 노광장치 및 노광방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100914724B1 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104516207A (zh) * 2013-09-27 2015-04-15 北大方正集团有限公司 一种侦测感应系统及控制曝光机工作的方法
WO2019198869A1 (ko) * 2018-04-13 2019-10-17 (주)넥서스원 웨이퍼의 에지 영역 검사장치 및 검사방법
CN112490168A (zh) * 2020-12-16 2021-03-12 福州大学 一种自动定位并校准晶圆中心的装置及方法
CN115732380A (zh) * 2022-10-08 2023-03-03 吉姆西半导体科技（无锡）有限公司 一种晶圆偏心调节方法、装置及存储介质

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030040866A (ko) * 2001-11-16 2003-05-23 (주)에이피엘 에지 검출유닛과 자동변위 제어유닛을 갖는 웨이퍼 에지노광장치
KR20070024214A (ko) * 2005-08-26 2007-03-02 삼성전자주식회사 예비정렬도가 개선된 노광장치의 프리얼라이너

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104516207A (zh) * 2013-09-27 2015-04-15 北大方正集团有限公司 一种侦测感应系统及控制曝光机工作的方法
WO2019198869A1 (ko) * 2018-04-13 2019-10-17 (주)넥서스원 웨이퍼의 에지 영역 검사장치 및 검사방법
CN111971782A (zh) * 2018-04-13 2020-11-20 耐瑟思远株式会社 晶片的边缘区域检查装置及检查方法
CN112490168A (zh) * 2020-12-16 2021-03-12 福州大学 一种自动定位并校准晶圆中心的装置及方法
CN115732380A (zh) * 2022-10-08 2023-03-03 吉姆西半导体科技（无锡）有限公司 一种晶圆偏心调节方法、装置及存储介质
CN115732380B (zh) * 2022-10-08 2023-11-24 吉姆西半导体科技（无锡）有限公司 一种晶圆偏心调节方法、装置及存储介质

Also Published As

Publication number Publication date
KR100914724B1 (ko) 2009-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0325930B1 (en) Method of exposing a peripheral part of wafer
JP6880364B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US5982474A (en) Periphery exposing apparatus and method
US5880816A (en) Process for exposing the peripheral area of a semiconductor wafer for removing unnecessary resist on the semiconductor wafer and a device for executing the process
US9829794B2 (en) Exposure apparatus, and method of manufacturing device
JPH09275073A (ja) ウエハ周辺露光方法および装置
JP2019036634A (ja) 基板処理装置
KR100914724B1 (ko) 웨이퍼 에지 노광장치 및 노광방법
JP4923936B2 (ja) 塗布、現像装置及び塗布、現像方法
JP2010079147A (ja) 周辺露光装置及び周辺露光方法
US20030081188A1 (en) Exposure process and exposure device
WO2018055817A1 (ja) 周縁部処理装置、基板処理装置および周縁部処理方法
US20070267582A1 (en) Substrate edge exposure apparatus
JPH01132124A (ja) 露光方法及びその装置
CN111244000B (zh) 基板处理装置
JP2006269952A (ja) 近接露光装置
TW201000889A (en) Particle inspection apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JPH08335545A (ja) 露光方法および装置
JP2021103246A (ja) エッジ露光装置およびエッジ露光方法
JPH09293675A (ja) 周辺露光装置
JP2810680B2 (ja) 露光装置及び露光方法
JP2610481B2 (ja) 露光装置及び処理装置及び処理方法
JP2845629B2 (ja) 露光方法
JPH07161628A (ja) 周辺露光装置
WO2022054528A1 (ja) 周縁処理装置、周縁処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120824

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130821

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140822

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150813

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160823

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170824

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190826

Year of fee payment: 11