JP2010079147A - 周辺露光装置及び周辺露光方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 紫外光を照射する紫外線照射ユニット(31)を有し、矩形基板(SW)に形成される回路パターン領域の周囲に形成される周辺領域(EA)を紫外光で露光する周辺露光方法である。この方法は、矩形基板をステージに保持する保持工程(S11)と、紫外線照射ユニットに設けられた検出部(51)で矩形基板(SW)の一辺のエッジ(SN1)を検出して第1方向からの基板の傾きを算出する傾き検出工程(S13)と、傾き検出結果に基づいて矩形基板又は紫外線照射ユニットを回転させる回転工程(S14)と、紫外線照射ユニットとステージとを相対的に第1方向に駆動する駆動工程(S17)と、傾き検出部(51)でエッジを検出して周辺領域(EA)を特定しながら、紫外線照射ユニットから紫外光を照射する照射工程(S18)と、を有する。
【選択図】 図6
Description
以下、本発明に係る周辺露光装置100の実施形態について図面を参照して説明する。
図1は、本発明の周辺露光装置100の全形を示している。図1(a)は、周辺露光装置100の上面図であり、図1(b)はその側面図である。
図4はメイン制御部90における基板位置制御系の制御ブロック図である。メイン制御部90には演算部91、駆動制御部92及びユニット制御部93からなる。
図6は周辺露光処理を行うためのメイン制御部90のフローチャートである。フローチャートは基板SWを投入してからのステップを示し、光源の点灯および消灯等は別途制御され、各テーブル、制御手段は原点で待機している状態から説明する。なお図7A、及び図7Bは図6のフローチャートのステップを図示しており、周辺露光装置100の動作の様子である。
14 … 回転テーブル
15 … 露光テーブル
16 … 投入口
21 … 門型ブラケット
22 … ブラケット移動機構
31 … 露光ユニット(31a … 第1露光ユニット、31b … 第2露光ユニット、31c … 第3露光ユニット)
32 … スライド機構(32a … 第1スライド機構、32b … 第2スライド機構、32c … 第3スライド機構)
33 … 照射口
35 … 楕円ミラー
36 … 水銀ランプ
37 … 投影レンズ
38 … 投影レンズ
39 … シャッタ機構(39m … 駆動手段、39p … プレート)
40 … ブラインド機構(40m … 駆動モータ、40p … ブラインドプレート)
51 … 位置検出器(51a … 第1位置検出器、51b … 第2位置検出器)
52 … 赤外線光源
53 … 制御光学系
54 … センサ
90 … メイン制御部
91 … 演算部
92 … 駆動制御部
93 … ユニット制御部
100 … 周辺露光装置
EA … 露光領域
EL … 周辺露光光
IL … 赤外線光線
KD … 間隔
s … 端面、u … 上面
SD … 所定距離
SN1 … 第1基準辺、SN2 … 第2基準辺
SW … 基板
Claims (9)
- 矩形基板に形成される回路パターン領域の周囲に形成される周辺領域に紫外光を露光する周辺露光装置において、
前記矩形基板を保持するステージと、
前記矩形基板の面の上方に設けられ、前記周辺領域に紫外光を照射口から照射する紫外線照射ユニットと、
前記ステージと前記紫外線照射ユニットとを相対的に第1方向に駆動する駆動部と、
前記紫外線照射ユニットに配置され前記矩形基板の一辺のエッジを検出して前記第1方向からの前記基板の傾きを算出する傾き検出部と、
前記傾き検出部による傾き検出結果に基づいて前記矩形基板に直交する垂線方向を基準に前記基板又は前記紫外線照射ユニットを回転させた後、前記傾き検出部で前記エッジを検出して前記周辺領域を特定しながら前記駆動部により前記ステージと前記紫外線照射ユニットと相対駆動させるとともに前記エッジと平行に前記紫外線照射ユニットから紫外光を照射させる制御手段と、
を備えることを特徴とする周辺露光装置。 - 前記紫外線照射ユニットは、前記ステージ上方で前記第1方向と交差する第2方向に伸びたフレームに取り付けられ、
前記紫外線照射ユニットは前記フレーム上で前記第2方向に移動可能であることを特徴とする請求項1に記載の周辺露光装置。 - 前記傾き検出部は、前記第1方向に互いに離間された第1検出部及び第2検出部を有することを特徴とする請求項1ないし請求項2のいずれか一項に記載の周辺露光装置。
- 前記紫外線照射ユニットは、前記第2方向に配置された第1照射部と第2照射部とを有し、前記第1照射部に前記第1検出部及び前記第2検出部が取り付けられ、前記第1照射部と前記第2照射部とは前記第1検出部の検出結果に基づいて紫外光を照射することを特徴とする請求項3に記載の周辺露光装置。
- 紫外光を照射する紫外線照射ユニットを有し、矩形基板に形成される回路パターン領域の周囲に形成される周辺領域を紫外光で露光する周辺露光方法において、
前記矩形基板をステージに保持する保持工程と、
前記紫外線照射ユニットに設けられた検出部で前記矩形基板の一辺のエッジを検出して第1方向からの前記基板の傾きを算出する傾き検出工程と、
前記傾き検出結果に基づいて前記矩形基板又は前記紫外線照射ユニットを回転させる回転工程と、
前記紫外線照射ユニットと前記ステージとを相対的に前記第1方向に駆動する駆動工程と、
前記傾き検出部でエッジを検出して前記周辺領域を特定しながら、前記エッジと平行に前記紫外線照射ユニットから紫外光を照射する照射工程と、
を有することを特徴とする周辺露光方法。 - 前記紫外線照射ユニットは第1照射部と第2照射部とを有し、前記第1照射部及び前記第2照射部は、前記ステージ上方で前記第1方向と交差する第2方向に伸びたフレームに取り付けられており、
前記保持工程後に、前記矩形基板の周辺露光領域に前記第1照射部及び前記第2照射部が移動することを特徴とする請求項5に記載の周辺露光方法。 - 前記傾き検出部は、第1方向に互いに離間された第1検出部及び第2検出部によって前記矩形基板の一辺のエッジを検出することを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の周辺露光方法。
- 前記駆動工程は前記第1検出部又は前記第2検出部で前記矩形基板のエッジを確認してから、前記紫外線照射ユニットと前記ステージとを相対的に駆動させることを特徴とする請求項7に記載の周辺露光方法。
- 前記駆動工程は、前記紫外線照射ユニットと前記ステージとを相対的に前記第1方向に駆動させた後、前記矩形基板又は前記紫外線照射ユニットを回転させ、さらに前記紫外線照射ユニットと前記ステージとを前記第1方向に駆動することを特徴とする請求項5ないし請求項8のいずれか一項に記載の周辺露光方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008249764A JP5281350B2 (ja) | 2008-09-29 | 2008-09-29 | 周辺露光装置及び周辺露光方法 |
TW097148162A TW201013323A (en) | 2008-09-29 | 2008-12-11 | Peripheral exposure device and peripheral exposure method |
CN2008101871358A CN101713926B (zh) | 2008-09-29 | 2008-12-17 | 周边曝光装置及周边曝光方法 |
KR1020090000625A KR20100036154A (ko) | 2008-09-29 | 2009-01-06 | 주변 노광 장치 및 주변 노광 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008249764A JP5281350B2 (ja) | 2008-09-29 | 2008-09-29 | 周辺露光装置及び周辺露光方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010079147A true JP2010079147A (ja) | 2010-04-08 |
JP5281350B2 JP5281350B2 (ja) | 2013-09-04 |
Family
ID=42209629
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008249764A Expired - Fee Related JP5281350B2 (ja) | 2008-09-29 | 2008-09-29 | 周辺露光装置及び周辺露光方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5281350B2 (ja) |
KR (1) | KR20100036154A (ja) |
CN (1) | CN101713926B (ja) |
TW (1) | TW201013323A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104678710A (zh) * | 2013-11-26 | 2015-06-03 | 上海微电子装备有限公司 | 边缘曝光装置 |
JP2017034118A (ja) * | 2015-08-03 | 2017-02-09 | 東京応化工業株式会社 | 紫外線照射装置及び紫外線照射方法 |
US11231651B2 (en) | 2017-04-13 | 2022-01-25 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Peripheral processing apparatus and peripheral processing method |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102768976B (zh) * | 2011-05-05 | 2015-11-25 | 上海微电子装备有限公司 | 一种基板预对准装置及方法 |
US8802359B2 (en) | 2011-11-29 | 2014-08-12 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | UV glass production method |
CN103293867B (zh) * | 2012-03-05 | 2015-07-22 | 上海微电子装备有限公司 | 一种方形基板预对准装置及方法 |
CN103365125B (zh) * | 2012-04-11 | 2015-08-26 | 上海微电子装备有限公司 | 一种工艺基底边缘场的调平方法 |
KR101681636B1 (ko) * | 2014-11-28 | 2016-12-02 | 세메스 주식회사 | 에지 노광 장치 및 방법, 기판 처리 장치 |
CN111580352B (zh) * | 2020-06-08 | 2021-06-29 | 吉林大学 | 一种用于数字光刻系统中旋转转台转心的测量和校正方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07283122A (ja) * | 1994-04-04 | 1995-10-27 | Nikon Corp | 周辺露光装置 |
JPH0961775A (ja) * | 1995-08-22 | 1997-03-07 | Nec Corp | 基板アライメント装置 |
JP2000306794A (ja) * | 1999-04-21 | 2000-11-02 | Ushio Inc | 角形基板の周辺露光方法 |
JP2007218778A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Yamatake Corp | 位置検出方法および位置合わせ方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100561354C (zh) * | 2005-11-04 | 2009-11-18 | 株式会社Orc制作所 | 激光束、紫外线照射周边曝光装置及其方法 |
-
2008
- 2008-09-29 JP JP2008249764A patent/JP5281350B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-11 TW TW097148162A patent/TW201013323A/zh unknown
- 2008-12-17 CN CN2008101871358A patent/CN101713926B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-01-06 KR KR1020090000625A patent/KR20100036154A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07283122A (ja) * | 1994-04-04 | 1995-10-27 | Nikon Corp | 周辺露光装置 |
JPH0961775A (ja) * | 1995-08-22 | 1997-03-07 | Nec Corp | 基板アライメント装置 |
JP2000306794A (ja) * | 1999-04-21 | 2000-11-02 | Ushio Inc | 角形基板の周辺露光方法 |
JP2007218778A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Yamatake Corp | 位置検出方法および位置合わせ方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104678710A (zh) * | 2013-11-26 | 2015-06-03 | 上海微电子装备有限公司 | 边缘曝光装置 |
JP2017034118A (ja) * | 2015-08-03 | 2017-02-09 | 東京応化工業株式会社 | 紫外線照射装置及び紫外線照射方法 |
US11231651B2 (en) | 2017-04-13 | 2022-01-25 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Peripheral processing apparatus and peripheral processing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201013323A (en) | 2010-04-01 |
CN101713926A (zh) | 2010-05-26 |
JP5281350B2 (ja) | 2013-09-04 |
KR20100036154A (ko) | 2010-04-07 |
CN101713926B (zh) | 2012-10-31 |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110616 |
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A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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