CN101713926B - 周边曝光装置及周边曝光方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供简化对准工序、且能够正确地确保平行于基准边的周边曝光区域的周边曝光方法。该周边曝光方法是具有照射紫外光的曝光单元(31)、且利用紫外光对形成于回路图案区域的周围的周边区域(EA)进行曝光的周边曝光方法,该回路图案区域形成在矩形基板(SW)上。该方法包含:将矩形基板保持在曝光台上的保持工序(S11);利用设置在曝光单元(31)上的倾斜度算出元件(51)检测矩形基板(SW)的一边的边缘(SN1)而算出基板自第1方向的倾斜度的倾斜度算出工序(S13);基于倾斜度算出结果而旋转矩形基板(SW)或曝光单元(31)的旋转工序(S14);向第1方向相对地驱动曝光单元(31)和曝光台的驱动工序(S17);利用倾斜度算出元件部(51)检测边缘而特定周边区域(EA),同时从曝光单元(31)照射紫外光的照射工序(S18)。
Description
技术领域
本发明涉及在基板的图案区域的周边区域照射含有紫外线的光来进行周边曝光的周边曝光装置。
背景技术
利用曝光装置对大型基板的图案进行曝光处理之后,需要预先对存在于图案区域周边的周边区域上的不需要的光阻剂墨液(以下称光阻剂)进行曝光,使其不会成为其后工序的障碍。在专利文献1(日本特许第3211079号公报)中,使可调节照射光的开口部的光源装置在基板周围旋转来进行周边曝光。该周边曝光装置不旋转基板,而是通过光源装置在基板周围旋转并调节照射光的开口部来均匀地对周边进行曝光。
但是,现有的周边曝光装置存在如下所示的问题点。现有的周边曝光装置利用观察装置将形成在基板上的识别记号作为标记而进行识别,并根据该标记的信息而对准基板来进行周边曝光的准备。具体地,为了获取正确的基板位置信息,观察装置对整个基板进行扫描,并对整个基板的旋转方向、以及X、Y方向的位置进行修整。因此,随着基板的大型化,使得以下问题更加显著:观察装置对基板整体的扫描时间、承载着基板的台座的整合动作时间等的对准工序所需的时间变长,整个周边曝光工序的处理时间变长。
另外,图案区域和周边区域的界限是被严格规定的,且该界限为1mm以下。周边曝光装置需要确保该界限来防止图案区域的二次曝光。在以G8系列用的液晶基板为对象的曝光装置中,基板的典型尺寸为2160mm×2400mm,厚度为0.7mm,且正在向大尺寸发展。该基板将长边中的一边作为第1基准边,用作从玻璃制作到形成各图案后分离到各面板上为止的基准,且将正交于该基准边的边作为第2基准边。虽然可以确保该第1基准边及第2基准边的直线性,但是无法确保与这些基准边对向的边的直线性。从而,现有的周边曝光装置还存在进行对向边的周边曝光处理时不能确保界限的问题。即,现有的周边曝光装置还存在如下问题:由于基板的移动和曝光用光源的移动不是根据一个信息源,因此基板的基准边的周边曝光区域不平行于第2列以后的周边曝光区域,并且在极端的情况下周边曝光的光线会侵入图案区域。从而,需要确保基准边的周边曝光区域平行于第2列以后的周边曝光区域。
发明内容
本发明是鉴于上述问题点而进行,提供简化对准工序,且能够正确地确保平行于基准边的周边曝光区域的周边曝光装置及周边曝光方法。
作为解决课题的手段,第1观点的周边曝光装置是利用紫外光对形成于回路图案区域的周围的周边区域进行曝光的周边曝光装置,该回路图案区域形成在矩形基板上。该周边曝光装置包含:保持矩形基板的曝光台;设置在矩形基板面的上方,从照射口向周边区域照射紫外光的曝光单元;向第1方向驱动曝光台和曝光单元的驱动部;配置在曝光单元上检测矩形基板的一边的边缘而算出基板与第1方向的倾斜度的倾斜度算出元件;基于倾斜度算出元件的算出结果,将与矩形基板正交的垂线方向为基准旋转基板或曝光单元后,由倾斜度算出元件检测出边缘而特定周边区域,同时利用驱动部相对驱动曝光台和曝光单元,并且使紫外光与边缘平行地从曝光单元照射的控制部。
这样,可控制向第一方向移动的一边相对于基板成平行,从而由曝光单元照射的紫外光可以与边缘平行地照射适当的照射范围。
第2观点的周边曝光装置的曝光单元安装在托架上,该托架在曝光台的上方沿着与第1方向交叉的第2方向延伸,且曝光单元可以在托架上沿第2方向移动。
第3观点的周边曝光装置的倾斜度算出元件具有在第1方向互相隔开的第1位置检测器及第2位置检测器。
第4观点的周边曝光装置,在第3观点所记载的周边曝光装置中,曝光单元包含配置在第2方向的第1曝光单元和第2曝光单元。第1曝光单元上安装有第1位置检测器及第2位置检测器,第1曝光单元和第2曝光单元基于第1位置检测器的检测结果而照射紫外光。
第5观点的周边曝光方法是具有照射紫外光的曝光单元,且利用紫外光对形成于回路图案区域的周围的周边区域进行曝光的周边曝光方法,该回路图案区域形成在矩形基板上。该方法包含:将矩形基板保持在曝光台上的保持工序;利用设置在曝光单元上的位置检测器检测矩形基板的一边的边缘而算出基板自第1方向的倾斜度的倾斜度算出工序;基于倾斜度算出结果而旋转基板或曝光单元的旋转工序;向第1方向相对地驱动曝光单元和曝光台的驱动工序;利用倾斜度算出元件检测边缘而特定周边区域,同时与边缘平行地从曝光单元照射紫外光的照射工序。
第6观点的周边曝光方法,曝光单元包含第1曝光单元和第2曝光单元,且第1曝光单元及第2曝光单元安装在托架上,该托架在曝光台的上方沿着与第1方向交叉的第2方向延伸。在保持工序之后,第1曝光单元及第2曝光单元移动至矩形基板的周边曝光区域上。
第7观点的周边曝光方法,在第5观点及第6观点所记载的周边曝光方法中,位置检测器由在第1方向上互相隔开的第1位置检测器及第2位置检测器构成,且根据第1位置检测器及第2位置检测器检测矩形基板的一边的边缘。
第8观点的周边曝光方法,在第7观点所记载的周边曝光方法中,驱动工序由第1位置检测器或第2位置检测器确认矩形基板的边缘之后,相对驱动曝光单元和曝光台。
第9观点的周边曝光方法,在第5观点至第8观点所记载的周边曝光方法中,驱动工程向第1方向相对驱动曝光单元和曝光台之后,旋转矩形基板或曝光单元,再向第1方向驱动曝光单元和曝光台。
附图说明
图1A是周边曝光装置100的俯视图。
图1B是图1A的侧视图。
图2A是表示从-Y方向所观察的第1曝光单元31a的构成的侧视图。
图2B是表示从+X方向所观察的第1曝光单元31a的构成的正视图。
图2C是表示从照射口侧(-Z轴方向)所观察的第1曝光单元31a的构成的仰视图。
图3是表示位置检测器51的侧视图的图。
图4是主控制部90的基板位置控制系的控制方块图。
图5是表示演算部91处理的基板倾斜度Wθ的算出方法的图。
图6是主控制部90的流程图。
图7A是图示图6的流程图的步骤的图。
图7B是图示图6的流程图的步骤的图。
图8是表示利用遮光机构40调整了周边曝光光EL的状态的图。
图中:
11-框体,14-旋转台,15-曝光台,16-插入口,21-门型托架,22-托架移动机构,31-曝光单元(31a-第1曝光单元、31b-第2曝光单元、31c-第3曝光单元),32-滑动机构(32a-第1滑动机构、32b-第2滑动机构、32c-第3滑动机构),33-照射口,35-椭圆反射镜,36-水银灯,37-投影透镜,38-投影透镜,39-快门机构(39m-驱动元件、39p-感光板),40-遮光机构(40m-驱动电机、40p-遮光板),51-位置检测器(51a-第1位置检测器、51b-第2位置检测器),52-红外线光源,53-控制光学系,54-感器,90-主控制部,91-演算部,92-驱动控制部,93-单元控制部,100-周边曝光装置,EA-曝光区域,EL-周边曝光光,IL-红外线光线,KD-间隔,s-端面,u-上面,SD-规定距离,SN1-第1基准边,SN2-第2基准边,SW-基板。
具体实施方式
<周边曝光装置100的构成>
以下,参照附图对涉及本发明的周边曝光装置100的实施方式进行说明。图1A及图1B表示本发明的周边曝光装置100的整体形状。图1A是周边曝光装置100的俯视图;图1B是其侧视图。
周边曝光装置100主要由框体11及门型托架21构成。框体11的上面设置有旋转台14及曝光台15,在曝光台15上承载并吸附固定基板SW。门型托架21上设置有照射紫外光的曝光单元31,在本实施方式中设置有3个第1曝光单元31a、第2曝光单元31b及第3曝光单元31c。另外,在周边曝光装置100上设置用于控制装置的主控制部90,根据来自各部分的信息来控制各个装置,从而进行正确的周边曝光处理。以下,进行详细说明。
本实施方式中使用的基板SW的尺寸为例如2160mm×2400mm的矩形,厚度为0.7mm。将该基板SW的图1A左侧的Y轴方向(第1方向)的一边规定为第1基准边SN1,将图1A下侧的X轴方向(第2方向)垂直于第1基准边SN1的一边规定为第2基准边SN2。第1基准边SN1及第2基准边SN2在玻璃的制造过程中作为基准而制作,在进行液晶曝光时从形成各回路图案之后分离到多个液晶面板为止被用作基准,且精密地形成。
设置在框体11上面的旋转台14可以沿θ方向旋转基板SW,且可以进行基板SW朝向θ方向旋转的微调及基板SW的90度旋转。在此,本实施方式中由于基板SW是沿着规定的通道进入到周边曝光装置100内,因此没有搭载使曝光台15向Z方向移动的台座,但也可以在框体11或者旋转台14的上面设置修正基板SW的Z方向的位置的移动台座。
在旋转台14的上面设置有承载基板SW的曝光台15。在该曝光台15的上面竖立设置有多个支撑基板SW的圆柱(未图示)。基板SW承载在该多个圆柱的顶上,且利用吸附元件(未图示)吸附固定。由此,可以防止基板SW的涂布有感光材料的一面与感光材料之外的物质接触。另外,可以防止基板SW的搬运元件(未图示)的把手与曝光台座15的干扰。
搭载3个曝光单元31的门型托架21以跨立基板SW的形状被设置,且门型托架21可以在基板SW的上面沿Y轴方向(第一方向)移动。门型托架21和框体11由托架移动机构22被连接,门型托架21可以通过运行托架移动机构22的驱动装置而在基板SW上面沿第1方向移动。在此,驱动装置可使用由例如线性移动装置或滚珠螺杆、滑道、螺杆驱动用电机等构成的移动装置,只要是可以正确地控制位置及移动速度的装置即可。
另外,在门型托架21的中央前面的3处设置有在X轴方向(第2方向)并列的滑动机构32。在上述设置于3处的第1滑动机构32a、第2滑动机构32b及第3滑动机构32c上分别连接第1曝光单元31a、第2曝光单元31b及第3曝光单元31c。在滑动装置32上设置有未图示的驱动装置,通过运行驱动装置可以使各个曝光单元31移动至第2方向的规定位置上。在此,驱动装置与托架移动机构22相同,只要是可以正确地控制位置的装置,采取任何移动元件都可。
在本实施方式中,门型托架21上搭载了3个曝光单元31,这种配置在基板SW的一面形成2列图案的情况时有效。即,适合于存在3列周边曝光区域的制造线。因此,在基板SW的一面形成3列以上图案的情况存在以下方法:增加移动门型托架21的通过次数的方法,或者增加搭载在门型托架21上的曝光单元31的数量的方法。通过使用这些方法周边曝光装置100可以适合于各种图案尺寸的周边曝光。
虽然3个曝光单元31为相同的构成,但在第1曝光单元31a上设置有位置检测器51。由于其它的第2曝光单元31b及第3曝光单元31c上无需设置位置检测器51,以下作为代表对搭载了位置检测器51的第1曝光单元31a的构成进行说明。
图2A、图2B及图2C是表示第1曝光单元31a的构成的图;图2A是表示从-Y方向所观察的第1曝光单元31a的构成的侧视图。图2B是表示从+X方向所观察的第1曝光单元31a的构成的正视图。图2C是表示从照射口侧(-Z轴方向)所观察的第1曝光单元31a的构成的仰视图。
第1曝光单元31a由椭圆反射镜35、水银灯36、第1投影透镜37、第2投影透镜38、快门机构39、遮光机构40以及位置检测器51构成。作为第1曝光单元31a的光学系的椭圆反射镜35、水银灯36、第1投影透镜37以及第2投影透镜38收放在箱型的盒子中,在图2A及图2B中以虚线表示。
水银灯36的光线在椭圆反射镜35上反射,朝照射口侧(-Z轴方向)改变方向,通过第1投影透镜37而矫正为平行光,其次通过第2投影透镜38而限制成具体的周边曝光光EL的形状。在第1投影透镜37和第2投影透镜38之间安装有遮断光线的快门机构39。快门机构39由遮断光线的感光板39P以及开闭感光板39P的电机等的驱动元件39m构成。快门机构39通过在期望的时机开放快门来控制光线照射的时机。
通过第1曝光单元31a的第2投影透镜38的光线通过照射口33,向盒子外射出。通过照射口33的光线由遮光机构40根据需要进行调整。遮光机构40由遮光板40p和驱动电机40m构成,可以通过运行驱动电机40m来进行遮光板40p的插入及退避。
例如,遮光机构40可以根据需要遮蔽从照射口33射出的平行光线来对应于要求从基板的边缘到图案区域小于70mm的基板SW,这里平行光线由第2投影透镜38形成最大尺寸,具体为70mm×70mm。另外,同样还可以对应于不仅是从基板的边缘而是将图案和图案的距离设计成70mm以下的基板SW。
在第1曝光单元31a的下方的照射口33的近旁设置有一对第1位置检测器51a及第2位置检测器51b。由于第1位置检测器51a及第2位置检测器51b为相同的结构,没有特别指定的情况以位置检测器51进行说明。
第1位置检测器51a和第2位置检测器51b将照射口33夹在中间,且在Y轴方向相隔规定的间隔KD而设置。例如,本实施方式的周边曝光装置100的照射区域的宽度为70mm,第1位置检测器51a和第2位置检测器51b分别设置在距该照射区域140mm的规定间隔的位置上。
图3是表示位置检测器51的侧视图的图,图示了其内部构成。位置检测器51由红外线光源52、控制光学系53及传感器54构成,在U字型的框架的前端上对面地设置红外线光源52和传感器54。位置检测器51可以利用控制光学系53使从红外线光源52射出的红外线成为平行的红外线光线IL,并通过基板SW的边缘遮蔽红外线光线IL来利用传感器54测量基板SW的边缘位置。在此,传感器54只要能够将其被遮蔽的测定值快速且准确地传达到主控制部90即可,例如,可以使用线性传感器及CCD传感器等。
周边曝光装置100的主控制部90通过第1位置检测器51a和第2位置检测器51b检测出基板SW的边缘位置来测量基板SW的倾斜度,从而旋转台座14向补正倾斜度的方向旋转。以下,对主控制部90的基板位置控制系的控制方法进行说明。
<基板位置控制系的控制方法>
图4是主控制部90的基板位置控制系的控制方块图。主控制部90由演算部91、驱动控制部92及单元控制部93构成。
演算部91根据第1位置检测器51a和第2位置检测器51b输出的位置信息而演算基板的倾斜度Wθ。其演算结果传至驱动控制部92。驱动控制部92驱动旋转台14,使基板SW的倾斜度Wθ成为“0”。
图5是表示演算部91处理的基板倾斜度Wθ的算出方法的图。基板SW沿+Y方向移动的情况,首先检测到基板SW的第1基准边SN1的第1位置检测器51a获得距基准线(Y轴)的间隔距离a。其次,第2位置检测器51b获得第1基准边SN1和基准线(Y轴)的间隔距离b。第1位置检测器51a和第2位置检测器51b的间隔设计成间隔距离c。演算部91可以由以上的值利用数学式1来算出基板SW的倾斜度Wθ。由此,驱动控制部92通过使旋转台14向基板SW的倾斜度Wθ的反方向旋转,使第1基准边SN1与基准线(Y轴)平行,可以不与图案重叠地安全地进行基板SW的周边曝光。在这里为了易于说明,沿+Y方向移动了基板SW,但也可以沿-Y方向移动门型托架21。
在此,也可以仅由第1位置检测器51a或第2位置检测器51b算出倾斜度Wθ。具体地,第1位置检测器51a获得距基准线(Y轴)的间隔距离a。其次,通过使门型托架21仅移动间隔距离c而使第1位置检测器51a也仅移动间隔距离c。因此,第1位置检测器51a获得距基准线(Y轴)的间隔距离b。由此,可以利用数学式1来算出基板SW的倾斜度Wθ。
再次回到图4,在第1基准边SN1与基准线(Y轴)平行后,单元控制部93根据距基准线的间隔距离移动第1曝光单元31a、第2曝光单元31b及第3曝光单元31c。此时,可以相对于最初检测第1基准边SN1(图5)的位置检测器51而调整曝光单元31的配置,从而进行与基准线平行的周边曝光。即,门型托架21沿-Y方向(在图5中是基板SW沿+Y方向)移动的情况,单元控制部93根据第1位置检测器51a的检测结果调整曝光单元31的配置,而门型托架21沿+Y方向(在图5中是基板SW沿-Y方向)移动的情况,单元控制部93根据第2位置检测器51b的检测结果调整曝光单元31的配置。这样,单元控制部93切换位置检测器51而调整3处的曝光单元31的配置,使曝光单元31成为最优的配置。
<主控制部90的流程图>
图6是用于进行周边曝光处理的主控制部90的流程图。流程图表示插入基板SW后的步骤,从各台座、控制元件在原点待机的状态开始进行说明。光源的点亮及熄灭的控制不在此流程图表示。图7A及图7B图示图6的流程图的步骤,表示周边曝光装置100的运行状况。
在步骤S11中,基板SW被搬运进来,且由主控制部90控制使基板SW被吸附固定在曝光台15上。通常,基板SW的搬运由机器人或传送带等从插入口16(参照图1A)插入,承载在竖立有圆柱的曝光台15上。已搬运进来的基板SW在圆柱的顶端被真空吸附或静电吸附而被吸附固定。基板SW的第1基准边SN1位于第1曝光单元31a侧,第2基准边SN2位于插入口16的相反面。参照图7A(a)。
在步骤S12中,主控制部90开始将门型托架21向-Y方向移动,直至第1位置检测器51a和第2位置检测器51b检测完基板SW的第1基准边SN1为止。参照图7A(b)。
在步骤S13中,主控制部90的演算部91由第1位置检测器51a和第2位置检测器51b的传感器54的值算出基板SW的倾斜度Wθ。
在步骤S14中,主控制部90的驱动控制部92根据基板SW的倾斜度Wθ的算出结果,通过使旋转台14沿着倾斜度Wθ的反方向旋转来修正旋转方向的偏差。主控制部90在修正旋转方向的偏差的同时进行控制,使得如图7A(c)的箭头所示地再次使门型托架21向插入口16(参照图1A)侧移动。在此,在该时刻基板SW的第1基准边SN1与基准线平行,第2基准边SN2垂直于基准线。在此,即使在该门型托架21向插入口16移动期间,也可以由第1位置检测器51a和第2位置检测器51b获取倾斜度Wθ信息而进行反馈处理。参照图7A(c)。
在步骤S15中,主控制部90使第1位置检测器51a获取基板SW的端面的位置信息,另外使门型托架21移动至当第1位置检测器51a距基板SW的端面相隔规定距离SD后停止。在本实施方式中规定距离SD为140mm,这是门型托架21加速而达到一定速度所必要的距离。参照图7A(d)。
在步骤S16中,主控制部90准备第1基准边SN1的周边曝光。由第1基准边SN1的位置信息将设置于3处的曝光单元31移动至规定的位置以及对照射区域进行调整。在此,也可以采取曝光单元31的位置及照射区域的调整在步骤S15阶段进行,在步骤S16中进行微调或反馈处理的方法。参照图7A(e)。
在步骤S17中,主控制部90开始将门型托架21向-Y方向移动,当由第1位置检测器51a检测出基板SW的端面,则开始对第1基准边SN1进行周边曝光。预先将规定距离SD设定为140mm,因此在第1位置检测器51a到达基板SW的端面的阶段,门型托架21已到达曝光所必要的规定速度。主控制部90起动配置在3处的曝光单元31的快门机构39的驱动元件39m,并开放感光板39p而开始进行将第1基准边SN1作为基准的周边曝光。在曝光处理中,主控制部90可以通过每隔规定间隔或一直由第1位置检测器51a对第1基准边SN1进行检测,且对曝光单元31位置和照射区域进行调整而形成平行于第1基准边SN1的3个曝光区域EA。参照图7A(f)。
另外,主控制部90根据第1基准边SN1的位置信息,调整遮光机构40照射周边曝光光EL,使第1曝光单元31a的曝光区域从第1基准边SN1的位置向外偏离约0.5mm(没有基板的空间)。图8是表示利用遮光机构40调整了周边曝光光EL的状态的图。主控制部90利用遮光机构40的遮光板40p对从照射口33射出的控制成平行光的周边曝光光EL进行控制,使周边曝光光EL到达从第1基准边SN1的位置信息向外0.5mm的位置。即,由于周边曝光光EL照射基板SW的第1基准边SN1的上面u及端面s,使得附着在端面s上的不需要的光阻剂曝光。在此,由于遮光机构40能够精密地控制作为平行光的周边曝光光EL的照射范围,因此可以将图案界限控制在1mm以下而进行曝光。
再次回到图6,在步骤S18中,主控制部90在第2位置检测器51b确认第2基准边SN2的时刻停止周边曝光。主控制部90起动配置在3处的曝光单元31的快门机构39的驱动元件39m,且锁闭感光板39p而停止基板SW的曝光。另外,主控制部90从第2位置检测器51b检测的第2基准边SN2的终端开始逐渐使门型托架21的移动速度变慢。然后,门型托架21停止在距第2基准边SN2规定距离SD的位置上。参照图7B(g)。
在步骤S19中,主控制部90使基板SW沿顺时针方向旋转90度,根据第2基准边SN2的位置信息向规定的位置移动配置在3处的曝光单元31并调整照射区域。由于第2基准边SN2的位置信息是在步骤S18中获得的,因此可以得知从旋转台14的旋转中心沿顺时针方向旋转90度的位置。参照图7B(h)。
在步骤S20中主控制部90开始第2基准边SN2的周边曝光。由于第2位置检测器51b到达第1基准边SN1的阶段,门型托架21已达到曝光所需的规定速度,因此主控制部90起动快门机构39的驱动元件39m,开放感光板39p开始进行将第2基准边SN2作为基准的曝光(成为第2基准边SN2的周边曝光的起始点)。在曝光处理中,主控制部90每隔规定间隔或一直由第2位置检测器51b对第2基准边SN2进行检测。然后,主控制部90通过调整曝光单元31的位置和照射区域,能够对基板SW进行平行于第2基准边SN2的周边曝光。参照图7B(i)。
在此,在步骤S20中与步骤S17相同地,主控制部90根据第2基准边SN2的位置信息,调整遮光机构40照射周边曝光光EL,使第1曝光单元31a的曝光区域从第2基准边SN2的位置向外偏离约0.5mm在步骤S21中,主控制部90在第1位置检测器51a确认第1基准边SN1的时刻停止周边曝光。主控制部90起动快门机构39的驱动元件39m,且锁闭感光板39p而停止基板SW的曝光。另外,主控制部90从第1位置检测器51a检测的第2基准边SN2的终端开始逐渐使门型托架21的移动速度变慢而停止在规定位置上。参照图7B(j)。
以上,利用周边曝光装置100的周边曝光处理已结束,基板SW由机器人或传送带取出并搬运到下一工序。此时,也可以旋转旋转台14,使基板SW回到与插入时相同的方向,另外,也可以不旋转旋转台14而解除基板SW的固定,以与插入时正交的方向取出基板SW。此时,由于门型托架21可能会成为取出基板SW时的障碍,因此在旋转基板SW后或者取出之前使门型托架21从基板SW的取出通道退避。
在此,已由周边曝光装置100进行周边曝光处理的基板SW可以在其后的显像工序中,除去成为基板搬运工序的障碍的光阻剂等的异物。
根据以上所述,由于周边曝光装置100将第1基准边SN1及第2基准边SN2作为基准位置而对曝光单元31的位置进行控制,因此可以与第1基准边SN1及第2基准边SN2平行地进行曝光处理。另外,由于周边曝光装置100利用位置检测器51对第1基准边SN1仅测量一次即可进行基板的对准,因此对准所需的时间短,可以缩短周边曝光工序的时间。
在此,本实施方式所示的周边曝光装置100使承载基板SW的曝光台沿θ方向移动,使承载照射紫外线的曝光单元31的门型托架21向Y方向(第1方向)移动,由此进行周边曝光处理。但是,由于这些移动只要是相对运行即可,因此也可以使曝光台一并具有Y轴方向及θ方向的移动功能。另外,同样地也可以使门型托架21一并具有Y轴方向及θ方向的移动功能。
Claims (11)
1.一种周边曝光装置,利用紫外光对形成于回路图案区域的周围的周边区域进行曝光,该回路图案区域形成在矩形基板上,其特征在于,包含:
保持上述矩形基板的曝光台;
设置在上述矩形基板的面上方,从照射口向上述周边区域照射紫外光的曝光单元;
向第1方向相对驱动上述曝光台和上述曝光单元的驱动部;
配置在上述曝光单元上检测上述矩形基板的一边的边缘而算出上述矩形基板自上述第1方向的倾斜度的倾斜度算出元件;
基于上述倾斜度算出元件的倾斜度算出结果,将与上述矩形基板正交的垂线方向为基准旋转上述矩形基板或上述曝光单元后,由上述倾斜度算出元件检测出上述边缘而确定上述周边区域的同时利用上述驱动部相对驱动上述曝光台和上述曝光单元,并且使紫外光与上述边缘平行地从上述曝光单元照射的控制部。
2.根据权利要求1所述的周边曝光装置,其特征在于,
上述曝光单元安装在托架上,该托架在上述曝光台的上方沿着与上述第1方向交叉的第2方向延伸,
上述曝光单元可以在上述托架上沿上述第2方向移动。
3.根据权利要求1所述的周边曝光装置,其特征在于,
上述倾斜度算出元件具有在上述第1方向互相隔开的第1位置检测器及第2位置检测器。
4.根据权利要求2所述的周边曝光装置,其特征在于,
上述倾斜度算出元件具有在上述第1方向互相隔开的第1位置检测器及第2位置检测器。
5.根据权利要求4所述的周边曝光装置,其特征在于,
上述曝光单元包含配置在上述第2方向的第1曝光单元和第2曝光单元,且上述第1曝光单元上安装有上述第1位置检测器及上述第2位置检测器,上述第1曝光单元和上述第2曝光单元基于上述第1位置检测器的检测结果而照射紫外光。
6.一种周边曝光方法,具有照射紫外光的曝光单元,且利用紫外光对形成于回路图案区域的周围的周边区域进行曝光,该回路图案区域形成在矩形基板上,其特征在于,具有:
将上述矩形基板保持在曝光台上的保持工序;
利用设置在上述曝光单元上的位置检测器检测上述矩形基板的一边的边缘而算出上述矩形基板与第1方向的倾斜度的倾斜度算出工序;
基于上述倾斜度算出结果而旋转上述矩形基板或上述曝光单元的旋转工序;
向上述第1方向相对地驱动上述曝光单元和上述曝光台的驱动工序;
由上述倾斜度算出工序检测边缘而确定上述周边区域的同时,与上述边缘平行地从上述曝光单元照射紫外光的照射工序。
7.根据权利要求6所述的周边曝光方法,其特征在于,
上述曝光单元包含第1曝光单元和第2曝光单元,且上述第1曝光单元及上述第2曝光单元安装在托架上,该托架在上述曝光台的上方沿着与上述第1方向交叉的第2方向延伸,
在上述保持工序之后,上述第1曝光单元及第2曝光单元移动至上述矩形基板的周边曝光区域上。
8.根据权利要求6或7所述的周边曝光方法,其特征在于,
上述位置检测器由在第1方向上互相隔开的第1位置检测器及第2位置检测器构成,且根据上述第1位置检测器及第2位置检测器检测上述矩形基板的一边的边缘。
9.根据权利要求8所述的周边曝光方法,其特征在于,
上述驱动工序由上述第1位置检测器或上述第2位置检测器确认上述矩形基板的边缘之后,相对驱动上述曝光单元和上述曝光台。
10.根据权利要求6,7,9的任意一项所述的周边曝光方法,其特征在于,
上述驱动工序向第1方向相对驱动上述曝光单元和上述曝光台之后,旋转上述矩形基板或上述曝光单元,再向上述第1方向驱动上述曝光单元和上述曝光台。
11.根据权利要求8所述的周边曝光方法,其特征在于,
上述驱动工序向第1方向相对驱动上述曝光单元和上述曝光台之后,旋转上述矩形基板或上述曝光单元,再向上述第1方向驱动上述曝光单元和上述曝光台。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008249764A JP5281350B2 (ja) | 2008-09-29 | 2008-09-29 | 周辺露光装置及び周辺露光方法 |
JP2008-249764 | 2008-09-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101713926A CN101713926A (zh) | 2010-05-26 |
CN101713926B true CN101713926B (zh) | 2012-10-31 |
Family
ID=42209629
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2008101871358A Expired - Fee Related CN101713926B (zh) | 2008-09-29 | 2008-12-17 | 周边曝光装置及周边曝光方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5281350B2 (zh) |
KR (1) | KR20100036154A (zh) |
CN (1) | CN101713926B (zh) |
TW (1) | TW201013323A (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102768976B (zh) * | 2011-05-05 | 2015-11-25 | 上海微电子装备有限公司 | 一种基板预对准装置及方法 |
US8802359B2 (en) | 2011-11-29 | 2014-08-12 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | UV glass production method |
CN103293867B (zh) * | 2012-03-05 | 2015-07-22 | 上海微电子装备有限公司 | 一种方形基板预对准装置及方法 |
CN103365125B (zh) * | 2012-04-11 | 2015-08-26 | 上海微电子装备有限公司 | 一种工艺基底边缘场的调平方法 |
CN104678710B (zh) * | 2013-11-26 | 2017-02-15 | 上海微电子装备有限公司 | 边缘曝光装置 |
KR101681636B1 (ko) * | 2014-11-28 | 2016-12-02 | 세메스 주식회사 | 에지 노광 장치 및 방법, 기판 처리 장치 |
JP6596257B2 (ja) * | 2015-08-03 | 2019-10-23 | 東京応化工業株式会社 | 紫外線照射装置及び紫外線照射方法 |
JP6923344B2 (ja) * | 2017-04-13 | 2021-08-18 | 株式会社Screenホールディングス | 周縁処理装置および周縁処理方法 |
CN111580352B (zh) * | 2020-06-08 | 2021-06-29 | 吉林大学 | 一种用于数字光刻系统中旋转转台转心的测量和校正方法 |
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CN1959534A (zh) * | 2005-11-04 | 2007-05-09 | 株式会社Orc制作所 | 周边曝光装置及其方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3413947B2 (ja) * | 1994-04-04 | 2003-06-09 | 株式会社ニコン | 周辺露光装置 |
JP2728042B2 (ja) * | 1995-08-22 | 1998-03-18 | 日本電気株式会社 | 基板アライメント装置 |
JP2000306794A (ja) * | 1999-04-21 | 2000-11-02 | Ushio Inc | 角形基板の周辺露光方法 |
JP4702888B2 (ja) * | 2006-02-17 | 2011-06-15 | 株式会社山武 | 位置検出方法および位置合わせ方法 |
-
2008
- 2008-09-29 JP JP2008249764A patent/JP5281350B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-11 TW TW097148162A patent/TW201013323A/zh unknown
- 2008-12-17 CN CN2008101871358A patent/CN101713926B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-01-06 KR KR1020090000625A patent/KR20100036154A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1959534A (zh) * | 2005-11-04 | 2007-05-09 | 株式会社Orc制作所 | 周边曝光装置及其方法 |
CN1959535A (zh) * | 2005-11-04 | 2007-05-09 | 株式会社Orc制作所 | 激光束、紫外线照射周边曝光装置及其方法 |
CN1959538A (zh) * | 2005-11-04 | 2007-05-09 | 株式会社Orc制作所 | 周边曝光装置及其方法 |
CN1959537A (zh) * | 2005-11-04 | 2007-05-09 | 株式会社Orc制作所 | 激光束、紫外线照射周边曝光装置及其方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JP特开2001-52984A 2001.02.23 |
JP特开2008-64860A 2008.03.21 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010079147A (ja) | 2010-04-08 |
CN101713926A (zh) | 2010-05-26 |
TW201013323A (en) | 2010-04-01 |
JP5281350B2 (ja) | 2013-09-04 |
KR20100036154A (ko) | 2010-04-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20121031 Termination date: 20161217 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |