JPH055981A - フイルム露光装置におけるマスクの精度の測定方法 - Google Patents

フイルム露光装置におけるマスクの精度の測定方法

Info

Publication number
JPH055981A
JPH055981A JP18161191A JP18161191A JPH055981A JP H055981 A JPH055981 A JP H055981A JP 18161191 A JP18161191 A JP 18161191A JP 18161191 A JP18161191 A JP 18161191A JP H055981 A JPH055981 A JP H055981A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
alignment
film
accuracy
alignment holes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP18161191A
Other languages
English (en)
Inventor
Yonehiro Tanaka
米太 田中
Manabu Goto
学 後藤
Shinetsu Miura
真悦 三浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ushio Denki KK
Ushio Inc
Original Assignee
Ushio Denki KK
Ushio Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ushio Denki KK, Ushio Inc filed Critical Ushio Denki KK
Priority to JP18161191A priority Critical patent/JPH055981A/ja
Publication of JPH055981A publication Critical patent/JPH055981A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【目的】マスクの精度の測定を簡単に行う。 【構成】マスクに設けられた回路パターンをフィルムに
露光する前に、露光位置に基準露光板を配置させる。そ
してマスクに設けられたアライントマークと、基準露光
板に設けられた対応するアライメントホールとの位置関
係を検出してマスクの精度を測定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品の実装に使用
されるフィルム回路基板を製作するための露光方法に関
するもので、その中でマスクの精度を測定する方法に関
するものである。
【0002】
【従来技術】物体の表面に微細加工を施す技術として、
フォトリソグラフィの技術が知られている。この技術は
半導体集積回路のほか、最近ではTAB(Tape Automat
ed Bonding)方式の電子部品の実装に使用されるフィル
ム回路基板の製作にも応用されている。
【0003】このフィルム回路基板の製作には、フィル
ムの1コマが順次に搬送されて露光していく露光装置を
必要とする。そしてマスクは中央部に回路パターンを形
成しており、一般にガラス乾板からなる。ところが、こ
のマスクは変形していることがある。その理由として製
作精度等が考えられるが、この場合回路パターンも設計
した値と異なってしまう。そしてこのようなマスクを使
って露光を行うと、投影された回路パターンもまた誤差
を含んだものになってしまう。
【0004】従来はこのような問題を解決するために次
のような方法を行っていた。すなわち、フィルムの1コ
マあるいは数コマだけに試験的な露光を行い、その後現
像処理を行い、さらにできあがったフィルムを用いて直
接回路パターンの大きさを測定する。そして、回路パタ
ーンの大きさが設計値と異なる場合は、その誤差を補正
するようにマスクあるいはレンズを光軸方向に調整して
投影倍率の設定を行う。しかるのち、再び1コマあるい
は数コマだけ試験的に露光を行って、同様の手順で誤差
がないことを確認するわけである。従来はこのような作
業の繰り返しによって、たとえマスクが変形していて
も、その影響を受けないような露光状態を設定してい
た。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の方
法では、変形したマスクに対して、その影響を受けない
露光をするためには、何回もの試験的な露光をしなけれ
ばならない。このため時間的に効率が悪いうえ、無駄な
フィルムを使うことになってしまうことになる。本発明
はこのような問題点を解決することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために本発明の方法は、フィルムに並ぶ複数のコマ
に、マスクに形成された回路パターンを順次に露光して
いくフィルム露光装置の、マスクの精度を測定する方法
であって、フィルムに回路パターンを露光する前に、露
光位置に、2つのアライメントホールを有する基準露光
板を配置させ、この2つのアライメントホール間の距離
は予め記憶されており、前記マスクには、回路パターン
とは別に、アライメントホールに対応するアライメント
マークが2つ形成され、前記マスクは、アライメントホ
ールの位置に、対応するアライメントマークの像が投影
される範囲内で、同一平面内で移動され、アライメント
ホールの各々において、対応するアライメントマークの
像が投影されている状態を検出して、この検出された2
つの投影像情報と、予め記憶されているアライメントホ
ール間の距離情報から、マスク上に形成されたアライメ
ントマーク間の距離の誤差を知ることを特徴とする。
【0007】
【作用】このような方法により、フィルムに露光をする
前に基準露光板を露光位置に配置させて、その後マスク
を同一平面内で移動させるだけで、マスクの精度を測定
することができる。
【0008】
【実施例】図1は本発明の実施例に用いるフィルム露光
装置の説明図である。この装置は、帯状のフィルムFの
長さ方向に沿ってマスクMの回路パターンを順次に露光
していくものである。
【0009】10は照射部であり、超高圧水銀灯のよう
にレジストが感度を有する光を効率的に放射するランプ
11を内蔵している。Mはマスクであり、照射部10か
らの光が照射される位置に配置されている。このマスク
Mには、図2に示すように、フィルムFに投影して転写
するべき回路パターンMPとともに、後述する基準露光
板上に設けられたアライメントホールに対応するアライ
メントマークMMが形成されている。このアライメント
マークMMは方形状の不透光部分の中に、それより小さ
い方形状の透光部分設けて構成している。
【0010】M10はマスクMの位置調節機構であり、
マスクホルダーM11とサーボマータM12を備えてい
る。システムコントローラ50からの信号によってサー
ボモータM12が駆動されるとマスクホルダM11が移
動してマスクMが追従制御される。このマスクホルダM
11の移動は、光軸に直角な方向に行うことができる。
【0011】20は投影レンズであり、照射されたマス
クMの像を投影するものである。この投影レンズ20
は、テレセントリックなズームレンズによって構成され
ており、倍率調整機構21によって、ズームレンズ内の
レンズを微妙に調整することができる。30はステージ
であり、図3にも示すように、フィルムFの上面FKが
基準面である。このステージ30には、回路パターンの
露光時は、図3に示すようにフィルムFが載置されてい
るが、露光作業前は後述する基準露光板が載置される。
40は検出部であり、この検出部40は対物レンズ41
と集光レンズ42と、検出器43とを含むユニットタイ
プのものである。この検出部40はステージ30に2つ
埋め込まれている。そして対物レンズ41は、後述する
基準露光板に設けられたアライメントホールを臨む位置
に配置されている。検出器43は例えばフォトダイオー
ドからなる。
【0012】60はフィルム搬送機構であり、投影レン
ズ20による像の投影位置にフィルムFの1コマをステ
ップ送りするものである。送りローラ61はモータ62
によって駆動されるスプロケットローラである。63、
65は押えローラ、64はスプロケットローラ、66、
67は補助ローラ、68は巻き出しリール、69は巻き
取りリールである。
【0013】図4において、Eは基準露光板であり、例
えばステンレスからなる。基準露光板Eには、2つのア
ライメントホールE1、E2が設けられている。この両
方のアライメントホールE1、E2間の距離は、マスク
Mの寸法が狂うことなく完全に出来上がっているとき
の、アライメントマークMM’の像の間の距離に等しく
なっている。以後アライメントホールE1とE2を総称
して説明するときは、単にアライメントホールE10と
称する。このアライメントホールE10は、例えば2mm
角である。そしてこのアライメントホールE10はステ
ージ30に載置したときには、検出部40内の対物レン
ズ41に臨むようになっている。ステージ30に設けら
れた穴は、例えば5.5Φである。
【0014】次に、この基準露光板Eを使って、マスク
の精度を測定する方法を説明する。まず、ステージ30
に基準露光板Eを配置する。この配置はステージ30の
2つの穴に、アライメントホールE1、E2の各々が完
全に重なるように行うもので、その方法は特に限定され
るものではない。次に、照射部10から光を放射させ
る。この放射によって、基準露光板Eには図5(a)に
示すように、アライメントマークの像MM’が投影され
る。そして、位置調節機構M10によってマスクMを光
軸と直角な方向(この場合X)に移動させる。この移動
によって、基準露光板E上に投影されたアライメントマ
ークの像MM’は図5(b)に示すように、アライメン
トホールE1、E2と重なって、さらに移動させると図
5(c)に示すようにアライメントホールE1、E2か
らはずれる。一方、この移動によって2つのアライメン
トホールE1、E2では、各々検出部43において、図
6に示すような台形状の電気信号が発生する。図6は、
縦軸に検出器43が検出した信号量を示し、横軸に時間
を示す。詳しく説明すると、アライメントマークの像M
M’がアライメントホールE10に重なり始める立ち上
がり部分と、両者が完全に重なった平坦部分と、アライ
メントマークの像MM’がアライメントホールE10か
らはずれ始める立ち下がり部分とからなる台形状の波形
をなる。
【0015】いま仮に、マスクMの寸法が設計した値に
ほぼ近く精度の高いものであれば、図6に示すように、
2つの電気信号のパルスの立ち上がりの時間及び立ち下
がりの時間は、ほぼ一致している。図6において(a)
はアライメントホールE1を介して検出器が受信した信
号量を示し、同図(b)はアライメントホールE2を介
して検出器が受信した信号量を示す。次に、マスクMの
寸法が設計した値と異なる場合の電気信号の変化を図7
に示す。前述と同様にマスクMを光軸と平行な方向に移
動させると、アライメントマークの像MM’が、アライ
メントホールに2つとも重なっていない状態(a)か
ら、一方のアライメントマークの像MM’が、一方のア
ライメントホールE1に重なった状態(b)に変化す
る。さらにマスクMの移動を続けると、もう一方のアラ
イメントマークの像MM’がもう一方のアライメントホ
ールE2に重なって、さらには先に重なったアライメン
トマークの像MM’は、アライメントホールE1からは
ずれている状態(c)になる。そしてさらにマスクMを
移動させることにより、2つのアライメントマークの像
MM’が各々のアライメントホールE10からはずれた
状態(d)を示す。
【0016】この場合の電気信号を図8に示す。2つの
検出器43が受ける台形状の電気信号は立ち上がり時
間、平坦時間、及び立ち下がり時間とも、当然ずれて受
信される。図8は、(a)にアライメントホールE1を
介して検出器を受信した信号量を示し、同図(b)はア
ライメントホールE2を介して検出器が受信した信号量
を示す。そこで、マスクMの精度を測定する方法として
は、例えば電気信号の立ち下がりの時間(t81、t8
2)を基準として、この時間の差の量を持って測定する
ことができる。この場合はt80が時間量の差を示す。
すなわちこの量が限り無く小さいと、マスクの精度は高
いことを示す、逆にこの量が大きいほどマスクは設計値
と異なっていることを示す。システムコントローラ50
に、この情報は入力される。
【0017】システムコントローラ50が受けた、マス
クMの精度の情報は、倍率調整機構21に送られる。そ
して前述のごとくズームレンズ20内のレンズを微妙に
調整して、投影像の倍率を変化させる。この変化はマス
クMの精度の誤差を補正するように設定することができ
る。このようにして、良好な露光が行えるよう状態が設
定されると、露光位置から基準露光板を取り外し、そし
てフィルムFをフィルム搬送機構60によって搬送させ
て、順次に露光していくことができる。
【0018】一般にマスクはX方向に伸縮して誤差をも
つと、Y方向にも同一の割合で誤差をもつ。このため2
つ設けたアライメントマークの投影像間の距離のみを測
定することによって、回路パターンの精度も測定するこ
とができる。
【0019】このような方法によって、マスクの寸法の
誤差を測定すると、従来のように、一度フィルムに露光
処理を行い、さらに現像するという工程は必要なくな
る。露光作業前に、一度マスクMを光軸と直角な方向で
移動させるというだけの簡単な作業で行える。さらに
は、検出した誤差の情報から、投影倍率を自動的に調整
することによって、その影響を受けることのない露光を
行うことができる。
【0020】以上のように実施例を用いて説明したが、
次のようなことも可能である。基準露光板への照射光の
波長は、フィルムに露光を行う照射光と同一の波長に限
るものではなく、基準露光板への照射光の波長は、アラ
イメント波長として、別のものを用いることができる。
この場合光路中にフィルタ等を用いて切り換えることが
できる。また投影レンズ20はテレセントリックなズー
ムレンズに限られるものではなく、その他のレンズでも
可能である。またその場合には、投影倍率の調整を行う
ために、投影レンズ20のみでなくマスクMの光軸方向
に移動させて調整することができる。また投影倍率の調
整は、倍率調整機構によって自動的に行う方式だけに限
られるものではなく、手動で調整できる方式でも可能で
ある。
【0021】
【発明の効果】以上、説明したように本発明のフィルム
露光装置におけるマスクの精度の測定方法によれば、簡
単な工程で測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に使用するフィルム露光装置の
説明図である。
【図2】マスクの説明用の図。
【図3】図1に示した装置の要部を拡大した説明図。
【図4】基準露光板の説明用の図。
【図5】基準露光板に対して、マスクを投影させた時の
説明用の図。
【図6】図5における検出信号の波形図。
【図7】基準露光板に対して、マスクを投影させた時の
別の説明用の図。
【図8】図7における検出信号の波形図。
【符号の簡単な説明】
M マスク E 基準露光板 E1 アライメントホール E2 アライメントホール 20 投影レンズ 30 ステージ 40 検出部 50 システムコントローラ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】フィルムに並ぶ複数のコマに、マスクに形
    成された回路パターンを順次に露光していくフィルム露
    光装置の、マスクの精度を測定する方法であって、フィ
    ルムに回路パターンを露光する前に、露光位置に、2つ
    のアライメントホールを有する基準露光板を配置させ、
    この2つのアライメントホール間の距離は予め記憶され
    ており、前記マスクには、回路パターンとは別に、アラ
    イメントホールに対応するアライメントマークが2つ形
    成され、前記マスクは、アライメントホールの位置に、
    対応するアライメントマークの像が投影される範囲内
    で、同一平面内で移動され、アライメントホールの各々
    において、対応するアライメントマークの像が投影され
    ている状態を検出して、この検出された2つの投影像情
    報と、予め記憶されているアライメントホール間の距離
    情報から、マスク上に形成されたアライメントマーク間
    の距離の誤差を知ることを特徴とするフィルム露光装置
    におけるマスクの精度の測定方法。
JP18161191A 1991-06-27 1991-06-27 フイルム露光装置におけるマスクの精度の測定方法 Pending JPH055981A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18161191A JPH055981A (ja) 1991-06-27 1991-06-27 フイルム露光装置におけるマスクの精度の測定方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18161191A JPH055981A (ja) 1991-06-27 1991-06-27 フイルム露光装置におけるマスクの精度の測定方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH055981A true JPH055981A (ja) 1993-01-14

Family

ID=16103833

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18161191A Pending JPH055981A (ja) 1991-06-27 1991-06-27 フイルム露光装置におけるマスクの精度の測定方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH055981A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07261371A (ja) * 1994-03-16 1995-10-13 Nec Corp 半導体素子製造用レチクルおよび露光装置におけるレチクル製造誤差の補正方法
JP2007272046A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 露光方法及び装置
CN112222079A (zh) * 2020-09-24 2021-01-15 合肥维信诺科技有限公司 一种清洗干燥系统及清洗干燥方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5251874A (en) * 1975-10-22 1977-04-26 Jeol Ltd Electron beam exposure device
JPS6021523A (ja) * 1983-07-15 1985-02-02 Toshiba Corp マスク欠陥検査方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5251874A (en) * 1975-10-22 1977-04-26 Jeol Ltd Electron beam exposure device
JPS6021523A (ja) * 1983-07-15 1985-02-02 Toshiba Corp マスク欠陥検査方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07261371A (ja) * 1994-03-16 1995-10-13 Nec Corp 半導体素子製造用レチクルおよび露光装置におけるレチクル製造誤差の補正方法
JP2007272046A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 露光方法及び装置
CN112222079A (zh) * 2020-09-24 2021-01-15 合肥维信诺科技有限公司 一种清洗干燥系统及清洗干燥方法
CN112222079B (zh) * 2020-09-24 2022-04-12 合肥维信诺科技有限公司 一种清洗干燥系统及清洗干燥方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2007049640A1 (ja) 露光方法及び露光装置
KR102549991B1 (ko) 리소그래피 장치, 패턴 형성 방법, 및 물품 제조 방법
US6657725B1 (en) Scanning type projection exposure apparatus and device production method using the same
JP2892079B2 (ja) フィルム露光装置
JP3466893B2 (ja) 位置合わせ装置及びそれを用いた投影露光装置
US5161176A (en) Exposure apparatus
JP2005148531A (ja) 基板伸縮に対応したプリント配線基板用露光装置
JP2815724B2 (ja) フィルム露光装置におけるフィルムとレチクルの位置合わせ方法
JP3244783B2 (ja) 位置合わせ装置及び方法、並びにこれを用いた露光装置と半導体デバイス製造方法
JPH055981A (ja) フイルム露光装置におけるマスクの精度の測定方法
JP3651630B2 (ja) 投影露光方法及び投影露光装置
JPH09162120A (ja) 半導体ウエハ上の不要レジストを除去するためのウエハ周辺露光方法および装置
JP6828107B2 (ja) リソグラフィ装置、パターン形成方法及び物品の製造方法
JP2798158B2 (ja) フィルム露光装置
JP2880317B2 (ja) フィルム露光方法
JP2786946B2 (ja) フィルム露光装置及びフィルム露光方法
JP2926581B1 (ja) 縮小投影露光装置
JPH03289662A (ja) フィルム露光装置およびフィルム露光方法
JPS60177625A (ja) 投影露光装置
JP2759898B2 (ja) フィルム露光装置における焦点検出方法
JPH01228130A (ja) 投影露光方法およびその装置
JP4487700B2 (ja) 近接露光装置
JP2797980B2 (ja) 露光装置
JPS60123028A (ja) 露光装置
JPS62144325A (ja) 目合せ位置決め方法