JP2005148531A - 基板伸縮に対応したプリント配線基板用露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
フォトマスクフィルム1は、連続したフィルム状をなしており、フォトマスクローラ10、10に巻かれている。そして、ローラ11、11によりステージ4上の基板50上に位置するように構成されている。フォトマスクフィルム1には、設計値寸法で作成された露光パターンを有する標準的なフォトマスク15と該標準パターンに対し微小寸法異なる大きさのパターンを描いたフォトマスク15’とが複数描かれている。
制御装置3は、CCDカメラ2からの基板マーク51の画像信号に基づいて伸縮量を計算し、該計算結果からフォトマスクフィルム1の中で最適な寸法の露光パターンを有するフォトマスク15を基板50上に位置させるように、フォトマスクローラ10を駆動制御して回転、停止等の制御を行う。
【選択図】 図1
Description
<従来技術1>
プリント配線基板の伸縮量を別工程で測定しグループ別にしておく。事前に用意された寸法の違う複数種のフォトマスクの中から、グルーブ毎に最適なフォトマスクを露光装置にセットし、プリント配線基板をグループ別に露光装置に投入する方法。
<従来技術2>
露光装置に分割シャッター機能を設け、全面積一括に露光をするのではなく、複数エリアに分割して露光することによりパターン位置ずれ量を出来るだけ少なくする方法。
<従来技術3>
投影露光装置を使用する方法。レンズを上下に移動させることによりマスクの倍率補正が可能であるため、プリント配線基板の伸縮量に合わせてマスクの倍率補正を行い露光する方法。
従来技術1は、露光装置にプリント配線基板を投入する前に、事前に伸縮量を測定しグループ別にしておくという余分な手間が発生する。
従来技術2は、露光する際に全面積一括ではなく複数回に分割して露光するため、露光時聞が長くなり処理時間が長くなる欠点がある。
従来技術3では、装置単価も高価であり密着方式と同等の処理時間を得るためには複数台の露光装置が必要となり、装置導入費用が密着方式の10倍前後も必要となる。
本発明は上記従来技術の問題を解決することを目的とする。
上記構成においては、プリント配線基板の伸縮状態が露光前に検知され、該伸縮状態に適合するフォトマスクが選択され、露光部に設置されるから、効率的に且つ高精度、高密度の露光を行うことができる。
前記複数のフオトマスクを、連続したフィルム状のフォトマスクとし、該フィルム状のフォトマスクを移動させて、選択されたフォトマスクを露光部に設置するように構成することが可能であり、この構成により更に効率的な露光が行える。
図1において、このプリント配線基板用露光装置は、投入部Aと露光部Bを備えている。
前工程でフォトレジストを施された基板50は、投入部Aを経て露光部Bのステージ4上に載置され、ここで露光を受けるようになっている。
ステージ4はXYZ及びθ方向に移動可能になっており、載置した基板マーク51とフォトマスクフィルム1とを位置合わせできるようになっている。
CCDカメラ2からの基板マーク51の画像は制御装置3に送られ、ここで伸縮量を計算するように構成されている。
なお、基板マーク51としては、フォトマスクとの位置合わせ用のマークを用いることができる。
フォトマスクフィルム1には、複数のフォトマスク15が設けられている。即ち、設計値寸法で作成された露光パターンを有する標準的なフォトマスク15と該標準パターンに対し微小寸法異なる大きさのパターンを描いたフォトマスク15’とが複数描かれている。微小寸法は、例えば露光サイズ500mmに対してXY方向とも10ミクロン程度の一定の割合でパターンを縮小及び拡大したものを所定数用意しておくのが望ましい。
また基板材料の伸縮のくせや画かれたパターンによりXY方向の伸縮率が一定でないことが予め分かっている場合はXYのそれぞれの伸縮に合わせたサイズのフォトマスクを用意するのがさらに望ましい。
制御装置3は、前述したようにCCDカメラ2からの基板マーク51の画像信号に基づいて伸縮量を計算し、該計算結果からフォトマスクフィルム1の中で最適な寸法の露光パターンを有するフォトマスク15を基板50上に位置させるように構成されている。
同時に吸引孔42からバキュームすることによりフォトマスク15と基板50とを密着させ、CCDカメラ43が露光エリアから退避した後に光源5から紫外線を発光し露光を行う。
露光終了後は、基板50を排出する。通常は、反転機により基板を反転させ裏面の露光を行う。
なお、ガラス板40に代えて、アクリル等の紫外線を透過するプラスチック製品を用いることも可能である。
Claims (2)
- プリント配線基板の伸縮に対応して描かれた、異なる大きさの被露光パターンを有する複数のフォトマスクと、
露光前のプリント配線基板の伸縮状態を検知する手段と、
前記検知する手段による露光前のプリント配線基板の伸縮状態から、前記複数のフォトマスクの中から最適なフォトマスクを選択する手段と、
前記選択されたフォトマスクを露光部に設置する手段と、
該露光部に設置されたフォトマスクを使用して前記プリント配線基板に露光を行う露光手段と、
を備えたことを特徴とするプリント配線基板用露光装置。 - 前記複数のフオトマスクが、連続したフィルム状のフォトマスクであり、
前記設置する手段が、該フィルム状のフォトマスクを移動させて、選択されたフォトマスクを設置する、
請求項1に記載のプリント配線基板用露光装置。
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Cited By (4)
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---|---|---|---|---|
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JP2009047810A (ja) * | 2007-08-16 | 2009-03-05 | Ulvac Japan Ltd | 光照射装置 |
JP2009212312A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
CN105246258A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-01-13 | 珠海方正科技高密电子有限公司 | 一种电路板涨缩比例控制方法及系统 |
Families Citing this family (7)
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---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (3)
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005215686A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Lg Electron Inc | 露光装置 |
JP2009047810A (ja) * | 2007-08-16 | 2009-03-05 | Ulvac Japan Ltd | 光照射装置 |
JP2009212312A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US8248584B2 (en) | 2008-03-04 | 2012-08-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method |
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CN105246258B (zh) * | 2015-10-27 | 2018-08-07 | 珠海方正科技高密电子有限公司 | 一种电路板涨缩比例控制方法及系统 |
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