JP2010085793A - 露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
ハーフショットでの重ね合わせ精度を改善する。
【解決手段】
照明手段を制御して原版の第1領域を有効領域として基板の第1ショット領域を露光させ、前記第1領域における前記第1ショット領域との重畳領域が前記第1領域の半分となるように前記基板ステージを移動させ、前記照明手段を制御してアライメントマークを含む前記重畳領域内の一部の領域を有効領域として前記第1ショット領域を露光させ、前記照明手段を制御して前記第1領域のうち前記重畳領域以外の領域を有効領域として前記基板の第2ショット領域を露光させる制御手段、を有することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
で遮光する露光装置が、遮光帯を有する原板を用いて露光する際の運用上のミスを防止するために提案されている。
そこで、本発明は、ハーフショットでの重ね合わせ精度を改善することを目的とする。
図20の全体構成図を参照して、液晶用のガラス基板等の大型の基板にマスクのパターンを転写する走査型露光装置について説明する。投影光学系15を挟んで垂直方向の上側にマスクステージ20が配置され、下側にプレートステージ(被露光基板ステージ)30が配置されている。これらマスクステージ20とプレートステージ30はそれぞれ個別に移動可能であり、これらの移動位置はともにレーザ干渉測長器50により計測制御可能である。
以上のように、本実施例の露光装置は、照明手段である照明光学系41により照明されたマスク23の有効領域を介してプレートステージ30に保持された基板36を露光する装置である。
原版であるマスク23においては、転写されるアライメントマーク2が配置され、露光光を遮光するパターンであるマスキングパターン3は、マスク23を半分に分割するようにマスク23の中央に配置される。
ハーフショット2shot、5shotである場合は、ハーフショット2shot、5shotにより第1レイヤが露光される(ステップ102)。
通常ショット1shot、3shot、4shot、6shotである場合は、通常ショット1shot、3shot、4shot、6shotにより第1レイヤが露光される(ステップ103)。さらに、最終露光ショットが完了する(ステップ104)。
すなわち、図15に示されるようにXマスキングブレード4およびYマスキングブレード5の通常露光の位置計算を行い、プレートステージ30の通常露光の位置計算を行う(ステップ105)。
次に、露光の準備をするために移動し、Xマスキングブレード4およびYマスキングブレード5を、図3に示される通常露光の位置へ移動し、プレートステージ30を露光準備位置へ移動し(ステップ106)、露光動作を行う(ステップ107)。
次に、図16に示されるようにXマスキングブレード4およびYマスキングブレード5のハーフ露光の位置計算を行う(ステップ111)。
次に、露光の準備をするために移動し、Xマスキングブレード4およびYマスキングブレード5を、図5に示されるハーフ露光の位置へ移動し、プレートステージ30を露光準備位置へ移動し(ステップ112)、露光動作を行う(ステップ113)。
ハーフショット2shot、5shotである場合は、ハーフショット2shot、5shotにより第2レイヤが露光される(ステップ115)。
通常ショット1shot、3shot、4shot、6shotである場合は、通常ショット1shot、3shot、4shot、6shotにより第2レイヤが露光される(ステップ116)。さらに、最終露光ショットが完了する(ステップ117)。
次に、第1レイヤで露光されたアライメントマークに対してアライメントを行う(ステップ119)。
次に、露光準備移動として、プレートステージ30を露光準備位置へ移動し(ステップ120)、露光動作を行う(ステップ121)。
次に、第1レイヤで露光されたアライメントマークに対してアライメントを行う(ステップ123)。
次に、Xマスキングブレード4およびYマスキングブレード5のハーフ露光位置の計算を行う(ステップ124)。
次に、露光準備移動として、Xマスキングブレード4およびYマスキングブレード5を図3に示される露光準備位置へ移動し、プレートステージ30を露光準備位置へ移動し(ステップ125)、露光動作を行う(ステップ126)。
図6を参照して、本発明の実施例2における通常ショット1shotの露光時の基板36に露光された転写パターンを説明する。 図3に示されるようにXマスキングブレード4およびYマスキングブレード5を配置し、転写動作を行なうことで、図6に示される露光対象ショット6において、通常ショット1shotの露光結果の転写パターンが形成される。
未露光領域7は、通常ショット1shotにより露光されない領域で、図1のマスク23に配置されたマスキングパターン3により生成される。
図7に示されるようにハーフショット用アライメントマーク8aの重畳露光領域8を有する。ハーフショット2shotの露光は、二段階の転写を行なう。初めに図4に示されるようにXマスキングブレード4およびYマスキングブレード5を配置し、転写を行なう。この転写により、図7に示したアライメントマーク8aを含んだ転写パターンが通常ショット1shotの転写で形成された未露光領域に重畳して形成される。
次に,図5に示されるようにXマスキングブレード4およびYマスキングブレード5を配置し、転写を行なうことで、図8に示した転写パターンが形成される。
露光対象ショット6は、通常ショット3shotの露光結果による転写パターンを有する。未露光領域7は、図1に示されるマスク23に配置されたマスキングパターン3により生成された露光されない領域である。図3に示したようにXマスキングブレード4およびYマスキングブレード5を配置し、転写動作を行なう。この転写により、図6に示される通常ショット1shotの転写と同様に図9に示される転写パターンが形成される。他の通常ショットも同様に露光する。
図10に示されるようにアライメントマーク9は、本発明の実施例3のアライメントマークを転写するレイヤ以降における通常ショット1shotの転写パターンの重ね合わせにおいて用いられる。図11に示されるようにハーフショットを重ね合わせるためのアライメントマーク10は、本発明の実施例3のアライメントマークを転写するレイヤ以降におけるハーフショット2shotの転写パターンの重ね合わせにおいて用いられる。図12に示されるようにショットを重ね合わせるためのアライメントマーク9は、本発明の実施例3のアライメントマークを転写するレイヤ以降における通常ショット3shotの転写パターンの重ね合わせにおいて用いられる。
デバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)は、前述のいずれかの実施例の露光装置を使用して、感光剤を塗布した基板(ウェハ、ガラスプレート等)を露光する工程と、その基板を現像する工程と、他の周知の工程と、を経ることにより形成、製造される。他の周知の工程には、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等を含む。
2shot、5shot:ハーフショット
23:マスク
2:アライメントマーク
3:マスキングパターン
4:Xマスキングブレード
5:Yマスキングブレード
7:マスキングパターンで遮光された領域
8:ハーフショット用アライメントマークの重畳露光領域
9:ショットを重ね合わせるためのアライメントマーク
10:ハーフショットを重ね合わせるためのアライメントマーク
11:アライメント時間短縮のために使用するアライメントマーク
36:基板
Claims (4)
- 原版の有効領域を設定する遮光手段を含んで前記原版を照明する照明手段と、
基板を保持して移動される基板ステージと、を有し、
前記照明手段により照明された原版の前記有効領域を介して前記基板ステージに保持された基板を露光する露光装置であって、
前記照明手段を制御して原版の第1領域を有効領域として基板の第1ショット領域を露光させ、
前記第1領域における前記第1ショット領域との重畳領域が前記第1領域の半分となるように前記基板ステージを移動させ、
前記照明手段を制御してアライメントマークを含む前記重畳領域内の一部の領域を有効領域として前記第1ショット領域を露光させ、
前記照明手段を制御して前記第1領域のうち前記重畳領域以外の領域を有効領域として前記基板の第2ショット領域を露光させる制御手段、
を有することを特徴とする露光装置。 - 前記第2ショット領域は、前記第1ショット領域および前記第2ショット領域を含むショット領域の列における両端のショット領域以外のショット領域である、ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記第1領域は、前記第1ショット領域および前記第2ショット領域を含むショット領域の列の方向に間隔を有する2つの領域を含む、ことを特徴とする請求項1または2に記載の露光装置。
- 請求項1乃至3のいずれかに記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102944984A (zh) * | 2012-11-29 | 2013-02-27 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种监测和补偿大尺寸芯片产品光刻拼接精度的方法 |
CN103092005A (zh) * | 2013-01-21 | 2013-05-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 玻璃基板的曝光对位方法 |
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04133308A (ja) * | 1990-09-26 | 1992-05-07 | Canon Inc | 露光装置 |
JPH10312949A (ja) * | 1997-05-13 | 1998-11-24 | Seiko Epson Corp | 露光方法及びそれに用いるレチクル |
JPH11202472A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | レチクルおよびそれを用いた露光装置ならびに露光方法 |
JP2000260700A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-09-22 | Canon Inc | 露光方法及びそれを用いた露光装置 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04133308A (ja) * | 1990-09-26 | 1992-05-07 | Canon Inc | 露光装置 |
JPH10312949A (ja) * | 1997-05-13 | 1998-11-24 | Seiko Epson Corp | 露光方法及びそれに用いるレチクル |
JPH11202472A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | レチクルおよびそれを用いた露光装置ならびに露光方法 |
JP2000260700A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-09-22 | Canon Inc | 露光方法及びそれを用いた露光装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102944984A (zh) * | 2012-11-29 | 2013-02-27 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种监测和补偿大尺寸芯片产品光刻拼接精度的方法 |
CN102944984B (zh) * | 2012-11-29 | 2016-08-24 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种监测和补偿大尺寸芯片产品光刻拼接精度的方法 |
CN103092005A (zh) * | 2013-01-21 | 2013-05-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 玻璃基板的曝光对位方法 |
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