JP2004233861A - マスク、露光方法及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】露光装置の解像限界に影響されずに良好にハーフトーン露光できるマスク及び露光方法を提供する。
【解決手段】マスクＭ上に形成され、露光光を遮蔽する遮蔽部６と露光光を透過する透過部７とを有するパターン２を感光基板に露光する際、パターン２は、遮蔽部６に対する透過部７を所定のピッチＤで繰り返した繰り返し領域５を有し、繰り返した方向ＸにピッチＤ分だけマスクＭを感光基板に対してシフトし、マスクＭのパターン２を複数回に分けて露光する。
【選択図】 図３

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光処理に用いるマスク、露光方法及びデバイス製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のスイッチング素子を含む複数の機能層を基板上に形成することで製造されるが、薄膜トランジスタを製造する際のパターニング工程に従来よりフォトリソグラフィ工程が用いられている。フォトリソグラフィ工程は、基板上に感光性材料であるフォトレジストを塗布してフォトレジスト層（感光性材料層）を形成する塗布工程と、マスクを露光光で照明することによりマスクに形成されたパターンを前記フォトレジスト層が設けられた基板に露光する露光工程と、フォトレジスト層のうち露光光により感光した感光部あるいは非感光部のフォトレジストを除去する現像工程とを有している。
【０００３】
図２７は従来における薄膜トランジスタの製造工程の一例を示す図である。図２７（ａ）において、まず、絶縁性基板であるガラス基板３０１上にゲート電極形成用金属層３０２Ａが形成され、次いで第１のマスク３００Ａを用いたフォトリソグラフィ工程によりパターニングすることによりゲート電極３０２が形成される。そして、図２７（ｂ）に示すように、ゲート電極３０２が形成された基板３０１上に、ゲート絶縁層３０３、ドープしていないアモルファスシリコンからなる活性半導体層であるａ−Ｓｉ層３０４、リン等を高濃度でドープしたシリコンからなるｎ^＋ａ−Ｓｉ層３０５、ソース／ドレイン電極形成用金属層３０６、及びフォトレジスト層３０７が順次積層される。次いで、図２７（ｃ）に示すように、フォトレジスト層３０７が第２のマスク３００Ｂを用いたフォトリソグラフィ工程でパターニングされる。なお、ここでのフォトレジスト層３０７には、露光光を照射されない非照射部が現像処理後に除去されるネガ型レジストが用いられている。次いで、図２７（ｄ）に示すように、ａ−Ｓｉ層３０４、ｎ^＋ａ−Ｓｉ層３０５、及びソース／ドレイン電極形成用金属層３０６がエッチングされ、図２７（ｅ）に示すように、フォトレジスト層３０７がアッシングされる。次に、再びフォトレジスト層３０７が設けられ、図２７（ｆ）に示すように、このフォトレジスト層３０７が第３のマスク３００Ｃを用いたフォトリソグラフィ工程で図２７（ｃ）に示したパターンとは異なるパターンにパターニングされる。そして、図２７（ｇ）に示すように、薄膜トランジスタのチャネル部３０８に対応する部分のｎ^＋ａ−Ｓｉ層３０５、及びソース／ドレイン電極形成用金属層３０６がエッチングされ、フォトレジスト層３０７をアッシングすることで、図２７（ｈ）に示すように、チャネル部３０８、ソース電極３０９、及びドレイン電極３１０が形成される。そして、ドレイン電極３１０に接続する不図示の画素電極を形成することで薄膜トランジスタが形成される。
【０００４】
図２７を参照して説明したように、薄膜トランジスタを製造する際にはフォトリソグラフィ工程を複数回繰り返すことになるが、処理期間の短期化及びコスト低減のためにフォトリソグラフィ工程数の削減、すなわちフォトリソグラフィ工程で用いるマスクの枚数の削減が求められる。このマスクの枚数を削減するための一手法としてハーフトーン露光が提案されている。ハーフトーン露光は、１つのフォトレジスト層を少なくとも２つの異なる膜厚に現像し、このフォトレジストをアッシングしながら被エッチング層（ゲート電極形成用金属層、ｎ^＋ａ−Ｓｉ層、及びソース／ドレイン電極形成用金属層等）をエッチングすることで、１回のフォトリソグラフィ工程（塗布工程、露光工程、及び現像工程）で２層の被エッチング層をそれぞれ別のパターンにパターンニングする方法である。これによれば１回分のフォトリソグラフィ工程（すなわち１枚のマスクの枚数）を削減することができる。
【０００５】
図２８はハーフトーン露光を用いた薄膜トランジスタの製造工程の一例を示す図である。図２８（ａ）において、まず、ガラス基板３０１上にゲート電極形成用金属層３０２Ａが形成され、次いで第１のマスク３００Ａを用いたフォトリソグラフィ工程によりパターニングすることによりゲート電極３０２が形成される。次いで、図２８（ｂ）に示すように、ゲート電極３０２が形成された基板３０１上に、ゲート絶縁層３０３、ドープしていないアモルファスシリコンからなる活性半導体層であるａ−Ｓｉ層３０４、リン等を高濃度でドープしたシリコンからなるｎ^＋ａ−Ｓｉ層３０５、ソース／ドレイン電極形成用金属層３０６、及びフォトレジスト層３０７が順次積層される。
【０００６】
そして、図２８（ｃ）に示すように、フォトレジスト層３０７がハーフトーン露光用マスク３２０を用いたフォトリソグラフィ工程でパターニングされる。ここで、ハーフトーン露光用マスク３２０は、露光光を透過可能な透光性基板３２０Ａと、透光性基板３２０Ａに形成されたクロム等からなる遮光部３２０Ｂと、所定のピッチで形成された遮光部であるライン部３２０Ｃとを備えている。ライン部３２０Ｃは露光装置（投影光学系）の解像限界以下の線幅を有している。したがって、マスク３２０を露光光で照明した際、ライン部３２０Ｃは基板３０１上で解像せずにぼけるため、マスク３２０のうちライン部３２０Ｃが形成された領域を通過した露光光の基板３０１上における露光量（照度）がほぼ均一化される。すなわち、ハーフトーン露光用マスク３２０は、パターンが形成されていない領域である光透過領域３２１Ａと、遮光部３２０Ｂが形成されている光遮蔽領域３２１Ｂと、ライン部３２０Ｃが形成され光透過領域３２１Ａより低い光透過率を有する低透過領域３２１Ｃとを有する構成となっている。したがって、基板３０１上において、低透過領域３２１Ｃに対応するフォトレジスト層３０７の所定領域であるチャネル形成予定領域３０７Ｃに照射される露光量は、光透過領域３２１Ａに対応するフォトレジスト層３０７の電極形成予定領域３０７Ａに照射される露光量に対して低い値に設定される。このフォトレジスト層３０７の各領域３０７Ａ、３０７Ｃにおける露光量の違いにより、現像処理後においてフォトレジスト層３０７の膜厚を異ならせることができ、図２８（ｃ）に示すように、フォトレジスト層３０７のうち半透過領域３２１Ｃに対応するチャネル形成予定領域３０７Ｃの膜厚を、光透過領域３２１Ａに対応する電極形成予定領域３０７Ａに対して薄く設定でき、薄膜部（チャネル形成予定領域）３０７Ｃと厚膜部（電極形成予定領域）３０７Ａとを形成することができる。
【０００７】
そして、図２８（ｄ）に示すように、フォトレジスト層３０７以外の領域に対応するａ−Ｓｉ層３０４、ｎ^＋ａ−Ｓｉ層３０５、及びソース／ドレイン電極形成用金属層３０６がエッチングされる。ここで、ソース／ドレイン電極形成用金属層３０６やａ−Ｓｉ層３０４、ｎ^＋ａ−Ｓｉ層３０５がエッチングされている間、フォトレジスト層３０７もエッチング（アッシング）されている。そのため、フォトレジスト層３０７のうち薄膜部３０７Ｃが厚膜部３０７Ａより先に除かれ、これによりチャネル部３０８に対応するソース／ドレイン形成用金属層３０６が露出し、図２８（ｅ）に示すように、薄膜トランジスタのチャネル部３０８に対応する部分のソース／ドレイン電極形成用金属層３０６、及びｎ^＋ａ−Ｓｉ層３０５がエッチングされる。そして、残った厚膜部３０７Ａをアッシングすることで、図２８（ｆ）に示すように、チャネル部３０８、ソース電極３０９、及びドレイン電極３１０が形成される。そして、ドレイン電極３１０に接続する不図示の画素電極を形成することで薄膜トランジスタが形成される。
【０００８】
このように、図２８を参照して説明したハーフトーン露光に基づく製造工程によれば、図２７を参照して説明した製造工程に比べて使用するマスクの枚数、すなわちフォトリソグラフィ工程の工程数を削減することができる。下記特許文献１〜３にはハーフトーン露光に関する技術が開示されている。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００２−５５３６４号公報
【特許文献２】
特開２００２−１４１５１２号公報
【特許文献３】
特開２００２−１５１３８１号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来技術には以下に述べる問題が存在する。
図２８を参照して説明したように、ハーフトーン露光では、露光装置（投影光学系）の解像限界以下のライン部３２０Ｃを有する低透過領域３２１Ｃをマスク３２０上に形成することにより、チャネル形成予定領域３０７Ｃに対する露光量を、電極形成予定領域３０７Ａに対する露光量より低く設定して膜厚を相違させている。しかしながら、露光処理に用いる露光装置（投影光学系）が高い解像限界を有する場合、前記ライン部３２０Ｃがフォトレジスト層３０７のチャネル形成予定領域３０７Ｃで解像してしまう。すると、フォトレジスト層３０７（チャネル形成予定領域３０７Ｃ）は均一な露光量で露光光を照射されず、これによりエッチング（アッシング）時にチャネル形成予定領域３０７Ｃに凹凸が生じ、所望の平坦度（膜厚）を有するフォトレジスト層３０７が得られなくなる。すると、エッチング時にチャネル形成予定領域３０７Ｃにおけるソース／ドレイン電極形成用金属層３０６の一部が露出したにもかかわらず他の一部が露出せず、所望の形状にパターニングできないという問題が生じる。
【００１１】
高い解像限界を有する露光装置を用いた場合、ライン部３２０Ｃの線幅を更に細く形成して露光処理することも考えられるが、マスク３２０（光透過基板３２０Ａ）にパターンを描画する際の描画能力に限界があるため、描画誤差を生じることなく細い線幅のライン部３２０Ｃを描画することは困難である。
【００１２】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、露光装置の解像限界に影響されずに良好にハーフトーン露光できるマスク、露光方法及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す図１〜図２６に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明のマスク（Ｍ）は、放射線（ＥＬ）を遮蔽する遮蔽部（６、１５’）と放射線（ＥＬ）を透過する透過部（７、１５）とを有するパターン（２、１１、１２、１７）を含む露光処理に用いるマスク（Ｍ）において、遮蔽部（６、１５’）に対する透過部（７、１５）、又は透過部（７、１５）に対する遮蔽部（６、１５’）を所定のピッチ（Ｄ、Ｌ、Ｗ）で繰り返した繰り返し領域（５）を有し、露光処理の際に繰り返した方向（Ｘ）にピッチ（Ｄ、Ｌ、Ｗ）分だけパターン（２、１１、１２、１７）をシフトすることによりハーフトーンを形成することを特徴とする。
【００１４】
本発明の露光方法は、マスク（Ｍ）上に形成され、放射線（ＥＬ）を遮蔽する遮蔽部（６、１５’）と放射線（ＥＬ）を透過する透過部（７、１５）とを有するパターン（２、１１、１２、１７）を感光基板（Ｐ）に露光する露光方法において、パターン（２、１１、１２、１７）は、遮蔽部（６、１５’）に対する透過部（７、１５９、又は透過部（７、１５）に対する遮蔽部（６、１５’）を所定のピッチ（Ｄ、Ｌ、Ｗ）で繰り返した繰り返し領域を有し、繰り返した方向（Ｘ）にピッチ（Ｄ、Ｌ、Ｗ）分だけマスク（Ｍ）を感光基板（Ｐ）に対してシフトし、マスク（Ｍ）のパターン（２、１１、１２、１７）を複数回に分けて露光することを特徴とする。
【００１５】
本発明のデバイス製造方法は、マスク（Ｍ）のパターン（２、１１、１２、１７）を感光基板（Ｐ）に露光することにより感光基板（Ｐ）に回路パターン（１０９、１１０）を形成しデバイス（ＴＦＴ）を製造するデバイス製造方法において、マスク（Ｍ）として上記記載のマスクを用いることを特徴とする。
また、本発明のデバイス製造方法は、マスク（Ｍ）のパターン（２、１１、１２、１７）を感光基板（Ｐ）に露光することにより感光基板（Ｐ）に回路パターン（１０９、１１０）を形成しデバイスを製造するデバイス製造方法において、マスク（Ｍ）のパターン（２、１１、１２、１７）を感光基板（Ｐ）に露光する露光方法として上記記載の露光方法を用いて回路パターン（１０９、１１０）を形成することを特徴とする。
【００１６】
本発明によれば、露光装置（投影光学系）が高い解像限界を有する場合であっても、遮蔽部と透過部とを所定のピッチで繰り返した繰り返し領域をマスク上に設け、露光処理の際に繰り返し方向に前記ピッチ分だけパターンをシフトして複数回露光するようにしたので、ハーフトーン露光領域（例えばチャネル形成予定領域）を均一な露光量で露光することができる。したがって、現像処理後においてハーフトーン露光されたフォトレジスト層の表面を平坦に形成でき、所望のパターン形状を得ることができ、これにより所望の性能を有するデバイスを製造できる。また、本発明によれば、マスク上には放射線（露光光）を略１００％透過する透過部と略０％透過する遮蔽部との２値化されたパターンを形成すればよく、その両者の中間の透過率を有する半透過部を別に形成する必要が無いので、マスクを製造する上においても有利である。
【００１７】
ここで、ハーフトーン露光とは、基板上の複数の領域に対してそれぞれ異なる露光量で露光処理を行うことにより、最終的に得られるフォトレジスト層（感光性材料層）の膜厚を部分的に相違させる露光処理をいう。
また、以下の説明において、基板上のフォトレジスト層において予め設定された設定露光量（１００％露光量）に対して少ない露光量（ハーフトーン露光量、ハーフドーズ量）で露光され、前記設定露光量で露光される領域に対して前記ハーフトーン露光量で露光される領域を適宜「ハーフトーン露光領域」と称する。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のマスク及び露光方法について説明する。まず、図１を参照しながら本発明の露光方法に用いる露光装置について説明する。図１は露光装置の一実施形態を示す概略斜視図である。
図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを支持するマスクステージＭＳＴと、感光基板Ｐを支持する基板ステージＰＳＴと、光源を有し、マスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭを基板ステージＰＳＴに支持されている感光基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を統括制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えている。感光基板Ｐはガラス基板等の絶縁性基板上にフォトレジスト（感光性材料）を設けてフォトレジスト層（感光性材料層）を形成したものである。ここで、以下の説明において、水平面内における第１の方向をＸ軸方向、水平面内において第１の方向と直交する第２の方向をＹ軸方向、Ｘ軸及びＹ軸方向に直交する方向、すなわち鉛直方向をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわり方向をそれぞれθＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１９】
マスクステージＭＳＴはマスクステージ駆動装置ＭＳＴＤにより２次元方向（ＸＹ方向）に移動し、基板ステージＰＳＴは基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤにより２次元方向（ＸＹ方向）に移動する。更に、基板ステージＰＳＴはＺ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向にも移動可能である。マスクＭを支持するマスクステージＭＳＴのＸＹ方向の位置はレーザ干渉計５１、５２により検出される。レーザ干渉計５１、５２はマスクステージＭＳＴ上の移動鏡５３、５４に対してレーザ光を照射し、マスクステージＭＳＴひいてはマスクＭの位置検出を行う。同様に、感光基板Ｐを支持する基板ステージＰＳＴのＸＹ方向の位置はレーザ干渉計５５、５６により検出される。レーザ干渉計５５、５６は基板ステージＰＳＴ上の移動鏡５７、５８に対してレーザ光を照射し、基板ステージＰＳＴひいては感光基板Ｐの位置検出を行う。また、感光基板ＰのＺ軸方向における位置は不図示のフォーカス検出装置により検出される。
【００２０】
＜第１実施形態＞
次に、本発明のマスク及び露光方法の第１実施形態について説明する。
まず、図２を参照しながら本実施形態に係るマスクについて説明する。図２は本発明のマスクの第１実施形態に係る模式図であって、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は側面図である。
図２において、マスクＭは、露光光（放射線）ＥＬを透過可能な透光性基板１上にクロム等の遮光性材料でパターン２を形成したものである。本実施形態では、パターン２は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）のソース／ドレイン電極パターニング用のパターンであって、ソース用パターン部３と、ドレイン用パターン部４とを有している。そして、パターン部３、４の間には、薄膜トランジスタのチャネル部に対応するギャップ部（繰り返し領域）５が設定されており、ギャップ部５には所定の線幅Ｄを有するライン部（遮蔽部）６が設けられている。ライン部６は前記遮光性材料により形成されており露光光ＥＬを遮蔽する。本実施形態において、ライン部６はギャップ部５の図中Ｘ軸方向の略中央部に１つ設けられている。また、ライン部６とパターン部３との間、及びライン部６とパターン部４との間のそれぞれには遮光性材料が設けられておらず、露光光ＥＬを透過するスペース部（透過部）７となっている。スペース部７の幅もライン部６の線幅と同じＤに設定されている。そして、ギャップ部５はライン部６とスペース部７とが所定のピッチＤで繰り返された繰り返し領域となっている。本実施形態において、ライン部６とスペース部７とは図２中、Ｘ軸方向に繰り返されている。すなわち、Ｘ軸方向が繰り返し方向となっている。
【００２１】
次に、上述したマスクＭを用いてマスクＭのパターンを感光基板Ｐに露光する露光方法を図３及び図４を参照しながら説明する。図３は第１実施形態に係る露光方法を説明する説明図、図４は露光方法を示すフローチャート図である。なお、本実施形態におけるフォトレジスト層には、露光光を照射された照射部が現像処理で除去されるポジ型レジストが用いられている。
まず、図３（ａ）に示すように、制御装置ＣＯＮＴはマスクステージＭＳＴを介してマスクＭを第１の位置に位置決めする（ステップＳＡ１）。マスクＭの位置はレーザ干渉計により検出される。また、制御装置ＣＯＮＴは基板ステージＰＳＴを介して感光基板Ｐを所定の位置に位置決めする。感光基板Ｐの位置もレーザ干渉計により検出される。次いで、制御装置ＣＯＮＴは第１の位置に位置決めしたマスクＭを照明光学系ＩＬにより露光光ＥＬで照明し、マスクＭのパターン２を感光基板Ｐに露光（第１の露光）する（ステップＳＡ２）。
【００２２】
第１の露光をするに際し、制御装置ＣＯＮＴはマスクＭに対する露光光ＥＬの照射量を予め設定されている設定照射量に対して少ない値に設定し、照射する。これにより感光基板Ｐ上のフォトレジスト層は予め設定された設定露光量（１００％露光量）に対して少ない露光量（ハーフトーン露光量）で露光される。本実施形態において、第１の露光では感光基板Ｐ（フォトレジスト層）は設定露光量に対して５０％の露光量で露光される。そして、感光基板Ｐのフォトレジスト層のギャップ部５に対応する領域のうち、スペース部７に対応する領域が露光光を選択的に照射される。
【００２３】
第１の露光が終了したら、制御装置ＣＯＮＴはマスクＭを感光基板Ｐに対してＸ軸方向、すなわちライン部６とスペース部７との繰り返し方向に距離（ピッチ）Ｄだけシフトする。これにより、図３（ｂ）に示すように、マスクＭは第１の位置より距離ＤだけＸ軸方向にシフトした第２の位置に位置決めされる（ステップＳＡ３）。マスクＭの位置はレーザ干渉計により検出される。このとき、感光基板Ｐは前記所定の位置に位置決めされている。
【００２４】
そして、制御装置ＣＯＮＴは第２の位置に位置決めしたマスクＭを照明光学系ＩＬにより露光光ＥＬで照明し、マスクＭのパターン２を感光基板Ｐに露光（第２の露光）する（ステップＳＡ４）。これにより、感光基板ＰはマスクＭのパターンを複数回（ここでは２回）に分けて露光されたことになる。
【００２５】
第２の露光においても、制御装置ＣＯＮＴはマスクＭに対する露光光ＥＬの照射量を予め設定されている設定照射量に対して少ない値に設定し、照射する。これにより感光基板Ｐ上のフォトレジスト層は予め設定された設定露光量（１００％露光量）に対して少ない露光量（ハーフトーン露光量）で露光される。本実施形態において、第２の露光でも感光基板Ｐのフォトレジスト層は設定露光量に対して５０％の露光量で露光される。すなわち、制御装置ＣＯＮＴは第１及び第２の露光における露光量のそれぞれをほぼ同一の露光量に設定して露光処理する。
【００２６】
そして、フォトレジスト層のギャップ部５に対応する領域において、第１の露光でライン部７を透過した露光光により選択的に露光された間の部分は、第２の露光でライン部７を透過した露光光により補間される。これにより、第１の露光及び第２の露光による感光基板Ｐ上での合成露光量は図３（ｃ）のようになる。すなわち、感光基板Ｐ上において、ソース用パターン部３及びドレイン用パターン部４のそれぞれに対応する領域（電極形成予定領域）には露光光が照射されず、合成露光量はほぼゼロである。一方、ギャップ部５に対応する領域（チャネル形成予定領域、ハーフトーン露光領域）での合成露光量は設定露光量のほぼ５０％であり、露光量分布は第１及び第２の露光によりほぼ均一となる。したがって、この露光光を照射されたフォトレジスト層の現像処理後の形状は図３（ｄ）に示すような形状となる。すなわち、マスクＭのギャップ部５に対応するフォトレジスト層１０の所定領域であるチャネル形成予定領域（ハーフトーン露光領域）１０Ａは薄膜化された薄膜部となり、一方、パターン部３、４に対応する領域である電極形成予定領域１０Ｂは薄膜部（チャネル形成予定領域）１０Ａより厚い厚膜部１０Ｂとなる。そして、薄膜部１０Ａの表面形状はほぼ平坦となる。一方、フォトレジスト層１０のうちパターン２に対応する以外の領域１０Ｃは設定露光量（１００％露光量）で露光されるため、ポジ型レジストであるフォトレジスト層は現像処理後において除去される。
【００２７】
以上のようにして、感光基板Ｐ上において、ギャップ部（繰り返し領域）５に対応するフォトレジスト層１０上のチャネル形成予定領域１０Ａに照射される露光量は、マスクＭのパターン部２以外の領域である光透過領域に対応するフォトレジスト層１０上の領域１０Ｃに照射される露光量に対して低い値に設定される。このフォトレジスト層１０の各領域１０Ａ、１０Ｂ、及び１０Ｃにおける露光量の違いにより、現像処理後においてフォトレジスト層１０の膜厚を異ならせることができ、図３（ｄ）に示すように、フォトレジスト層１０のうちギャップ部５に対応するチャネル形成予定領域１０Ａの膜厚を、パターン部３、４に対応する電極形成予定領域１０Ｂに対して薄く設定でき、薄膜部（１０Ａ）と厚膜部（１０Ｂ）とを形成することができる。
【００２８】
以上説明したように、遮蔽部であるライン部６と透過部であるスペース部７とが所定のピッチＤで繰り返された繰り返し領域であるギャップ部５をマスクＭ上に設け、第１の露光した後に第２の露光する際、繰り返し方向であるＸ軸方向にピッチＤ分だけパターンをシフトして露光するようにしたので、露光装置ＥＸの投影光学系ＰＬが高い解像限界を有していても、ハーフトーン露光領域であるチャネル形成予定領域１０Ａを均一な露光量で露光することができる。したがって、現像処理後においてチャネル形成予定領域（薄膜部）１０Ａは平坦化され、所望のパターン形状を得ることができる。
【００２９】
本実施形態では、ライン部６の線幅はＤであり、一方、スペース部７の幅もライン部６と同じＤである。すなわち、ライン部６とスペース部７との線幅の比率は１：１である。したがって、第１の露光と第２の露光とでマスクＭを距離Ｄだけシフトして２回露光する際、第１の露光における露光量と第２の露光における露光量とを同じ露光量（５０％露光量）に設定することで、チャネル形成予定領域１０Ａにおける露光量分布を均一にすることができる。すなわち、ライン部６とスペース部７との比率に基づいてギャップ部５での露光量を決定することにより、ハーフトーン露光領域１０Ａでの露光量分布を均一にすることができる。
【００３０】
そして、複数回（２回）に分けて露光する際の露光量のそれぞれを同じ値に設定したことにより、露光量調整動作が不要となり、露光処理における作業性を向上することができる。
【００３１】
なお、露光量は照度（単位面積当たりの露光光照射量）と露光時間との積であるので、第１の露光における露光量と第２の露光における露光量とを同じ値に設定するために、照度（あるいは露光時間）を第１の露光と第２の露光とで変更した際には、この変更に応じて露光時間（あるいは照度）も変更すればよい。
【００３２】
また、フォトレジスト層１０に対する露光量と現像処理後のフォトレジスト層の膜厚とは比例関係でなく、レジスト特性（レジスト感度）に応じて変化する場合がある。したがって、照射される露光量と現像処理後のフォトレジスト層の膜厚との関係をレジスト特性に基づいて予め求めておき、この求めた結果に基づいて、フォトレジスト層の目標膜厚に対応する露光量を決定すればよい。
【００３３】
ところで、第１の露光と第２の露光とでマスクＭをシフトすることにより、例えばマスクＭ上におけるソース用パターン部３のパターン形状、具体的にはパターン線幅Ｄａ（図３（ａ）参照）に対して、フォトレジスト層１０のソース用パターン部３に対応する領域の線幅Ｄａ’（図３（ｄ）参照）は太くなり、これに伴って実際に基板Ｐ上に形成されるソース電極（ソース線）の線幅もマスクＭ上の線幅Ｄａに対して太くなる。同様に、マスクＭ上のギャップ部５の幅に対して、基板上に形成されるソース／ドレイン間のチャネル部の幅の太くなる。したがって、このマスク上でのパターン形状（パターン幅）と基板上でのパターン形状（パターン幅）との差異、すなわち、ピッチＤだけパターンをシフトして露光した際のズレ領域Ｄｚ（＝Ｄａ’−Ｄａ）の露光量を補正するように、ライン部６とスペース部７との繰り返し領域を除くパターンであるマスクＭ上におけるソース用パターン部３やドレイン用パターン部４のパターン形状（パターン幅）を、基板上において所望のパターン形状（パターン幅）となるように予め設定しておけばよい。換言すれば、シフトして露光することにより基板上でのパターン幅が太くなる量（Ｄｚ）を予め考慮してマスクＭに形成するパターン形状（パターン幅Ｄａ）を設計しておけばよい。
【００３４】
本実施形態では、高い解像限界を有する露光装置を用いた際にライン部６が感光基板Ｐ上で解像しても平坦な薄膜部１０Ａを形成することを目的の１つとしており、ライン部６は感光基板Ｐ上で解像してもよく、解像されずにぼけた状態で感光基板Ｐ上に投影されてもよい。解像しない状態でマスクＭを感光基板Ｐに対して相対的にシフトしながら露光することにより、より一層薄膜部１０Ａを平坦化できる。
【００３５】
なお、本実施形態では、感光基板Ｐを所定の位置に固定した状態でマスクＭをシフト（移動）するように説明したが、マスクＭの位置を固定した状態で感光基板Ｐをシフトするようにしてもよい。あるいは、マスクＭと感光基板Ｐとを同時に移動するようにしてもよい。
【００３６】
なお、本実施形態では、フォトレジスト層１０を、露光光を照射された照射部が現像処理において除去されるポジ型レジストとして説明したが、露光光を照射されない非照射部が現像処理において除去されるネガ型レジストを用いた場合にも本発明を適用することはもちろん可能である。フォトレジスト層１０としてネガ型レジストを用いた場合、例えば図２に示す例においては、パターン２を光透過領域とし、パターン２以外の部分に遮光性材料を設けて光遮蔽領域とする。また、ポジ型レジストでは、本実施形態においてギャップ部５はライン部（遮蔽部）６に対してスペース部（透過部）７が所定のピッチＤで繰り返された構成であるが、ネガ型レジストである場合には、ギャップ部５がスペース部（透過部）７に対してライン部（遮蔽部）６が所定のピッチＤで繰り返される構成となる。
【００３７】
＜第２実施形態＞
次に、本発明のマスク及び露光方法の第２実施形態について図５及び図６を参照しながら説明する。ここで、以下の説明において上述した第１実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。
【００３８】
図５はギャップ部５の変形例である。図５に示すマスクＭにおいて、ライン部６の線幅Ｄ’に対して、スペース部７の線幅は２Ｄ’に設定されている。すなわち、ライン部６とスペース部７との線幅の比率は１：２であって、ライン部６に対してスペース部７がピッチＤ’で繰り返されている。
【００３９】
図６は図５を参照して説明したマスクＭを用いた露光方法の一例を説明するための図である。まず、図６（ａ）に示すように、制御装置ＣＯＮＴはマスクＭを第１の位置に位置決めするとともに、感光基板Ｐを所定の位置に位置決めする。次いで、制御装置ＣＯＮＴは第１の位置に位置決めしたマスクＭを露光光ＥＬで照明し、マスクＭのパターン２を感光基板Ｐに露光（第１の露光）する。
【００４０】
第１の露光をするに際し、制御装置ＣＯＮＴはマスクＭに対する露光光ＥＬの照射量を予め設定されている設定照射量に対して少ない値に設定し、照射する。本実施形態において、第１の露光では感光基板Ｐのフォトレジスト層１０は設定露光量に対して１／３の露光量で露光される。そして、フォトレジスト層１０のうちスペース部７に対応する領域に露光光が選択的に照射される。
【００４１】
第１の露光が終了したら、図６（ｂ）に示すように、制御装置ＣＯＮＴはマスクＭを感光基板Ｐに対してＸ軸方向に距離（ピッチ）Ｄ’だけシフトする。これにより、マスクＭは第１の位置より距離Ｄ’だけＸ軸方向にシフトした第２の位置に位置決めされる。このとき、感光基板Ｐは前記所定の位置に位置決めされている。そして、制御装置ＣＯＮＴは第２の位置に位置決めしたマスクＭを露光光ＥＬで照明し、マスクＭのパターン２を感光基板Ｐに露光（第２の露光）する。
【００４２】
第２の露光が終了したら、図６（ｃ）に示すように、制御装置ＣＯＮＴはマスクＭを感光基板Ｐに対してＸ軸方向に距離（ピッチ）Ｄ’だけシフトする。これにより、マスクＭは第２の位置より距離Ｄ’だけ（第１の位置より距離２Ｄ’だけ）Ｘ軸方向にシフトした第３の位置に位置決めされる。このとき、感光基板Ｐは前記所定の位置に位置決めされている。そして、制御装置ＣＯＮＴは第３の位置に位置決めしたマスクＭを露光光ＥＬで照明し、マスクＭのパターン２を感光基板Ｐに露光（第３の露光）する。このように、感光基板ＰはマスクＭのパターンを複数回（ここでは３回）に分けて露光される。
【００４３】
第２及び第３の露光においても、制御装置ＣＯＮＴはマスクＭに対する露光光ＥＬの照射量を予め設定されている設定照射量に対して少ない値に設定し、照射する。本実施形態において、第２及び第３の露光でも感光基板Ｐ（フォトレジスト層）は設定露光量に対して１／３の露光量で露光される。すなわち、制御装置ＣＯＮＴは、第１、第２、及び第３の露光における露光量のそれぞれをほぼ同一の露光量に設定して露光処理する。
【００４４】
そして、フォトレジスト層１０のチャネル形成予定領域１０Ａにおいて、第１の露光でライン部７を透過した露光光により選択的に露光された間の部分は、第２及び第３の露光でライン部７を透過した露光光により補間される。これにより、第１、第２、及び第３の露光による電極形成予定領域１０Ｂにおける合成露光量はほぼゼロとなり、チャネル形成予定領域１０Ａにおける合成露光量は設定露光量のほぼ２／３となる。そして、チャネル形成予定領域１０Ａでの露光量分布は第１、第２、及び第３の露光によりほぼ均一となる。したがって、この露光光を照射されたフォトレジスト層の現像処理後の形状は図６（ｄ）に示すような形状となる。すなわち、フォトレジスト層１０のチャネル形成予定領域１０Ａは薄膜化された薄膜部となり、一方、電極形成予定領域１０Ｂは厚膜部となる。そして、薄膜部１０Ａの表面形状はほぼ平坦となる。一方、パターン２に対応する以外の領域１０Ｃは設定露光量（１００％露光量）で露光されるため、ポジ型レジストであるフォトレジスト層は現像処理後において除去される。
【００４５】
以上説明したように、ライン部６とスペース部７とは互いに異なる線幅であってもよい。そして、ピッチＤ’分だけシフトしながら複数回露光することで、第１実施形態同様、ハーフトーン露光できる。ここで、本実施形態では、ライン部６とスペース部７との線幅の比率は１：２である。したがって、第１、第２、及び第３の露光でマスクＭを距離Ｄ’だけシフトして３回露光する際、第１、第２、及び第３の露光における露光量のそれぞれを同じ値（１／３露光量）に設定することで、薄膜部１０Ａにおける露光量分布を均一にすることができる。このように、ライン部６とスペース部７との比率に基づいてギャップ部５での露光量を決定することにより、ギャップ部５に対応するフォトレジスト層１０（チャネル形成予定領域１０Ａ）での露光量分布を均一にすることができる。
【００４６】
なお、図６（ｄ）では、フォトレジスト層１０のチャネル形成予定領域１０Ａに段差が形成されるように示されているが、フォトレジスト層１０に対して現像処理を施した際、実際には鋭角状の段差は形成されにくく、薄膜部と厚膜部との境界は滑らかな形状となるため、フォトレジスト層１０のチャネル形成予定領域１０Ａの表面はほぼ平坦化された形状となる。
【００４７】
図７はパターン２の変形例を示す図である。図７においてライン部６はギャップ部５において２本設けられている。また、ライン部６の線幅はＤであり、スペース部７の幅もＤである。すなわち、ライン部６はギャップ部５において等間隔に設けられている。このように、ライン部６の数は２本以上の任意の複数本であってもよい。また、図７に示す例において、ライン部６及びスペース部７の幅はそれぞれ同じ値に設定されているが、もちろん異なる値（例えば、スペース部７の幅が２Ｄあるいは３Ｄ等）に設定されててもよい。
【００４８】
ここで、上記各実施形態において、フォトレジスト層がポジ型レジストである場合、ライン部６の線幅に対してスペース部７の線幅は整数倍（ｎ倍）であることが望ましい。これにより、前記ｎ回だけシフト及び露光処理を繰り返すことにより、フォトレジスト層１０のうちチャネル形成予定領域（ハーフトーン露光領域）１０Ａでの露光量分布を略均一化することができる。一方、フォトレジスト層がネガ型レジストである場合にはスペース部７の線幅に対してライン部６の線幅が整数倍に設定されていることが望ましい。また、ギャップ部５において、ライン部６及びスペース部７は繰り返し方向（Ｘ軸方向）に関して対称に形成されていることが望ましい。
【００４９】
なお、ライン部６の線幅はスペース部７より細いことが望ましいが太くてもよい。この場合、シフトしながら露光することでフォトレジスト層に凹凸が形成される場合があるが、現像処理後のフォトレジスト層の形状（凹凸具合）を例えば予め実験的に求めておき、前記凹凸形状が許容範囲内となるライン部６の線幅を設定すればよい。同様に、ネガ型レジストを用いる場合にはライン部６の線幅はスペース部７に対して太いことが望ましいが細くてもよい。
【００５０】
ライン部６（スペース部７）を複数設ける場合、複数のライン部６（スペース部７）の線幅のそれぞれは等しいことが望ましいが異なっていてもよい。例えば、フォトレジスト層がポジ型レジストである場合において、現像処理後のフォトレジスト層１０のハーフトーン露光領域１０Ａを薄く形成したい場合には、複数あるライン部６のうち任意のライン部６を細く設定することで、フォトレジスト層１０のうちハーフトーン露光領域１０Ａに対する露光量を多くすることができる。この場合、マスクＭをシフトしながら露光することでフォトレジスト層１０に段差が形成されることが考えられるが、上述したように、実際の現像処理後においてはフォトレジスト層に鋭角状の段差は形成されにくく滑らかな形状となり、フォトレジスト層１０のハーフトーン露光領域１０Ａの表面を略平坦に形成することができる。そして、ライン部６の線幅と露光及び現像処理後のフォトレジスト層の形状との関係を予め実験的に求めておき、フォトレジスト層のパターン形状誤差（凹凸具合）が許容範囲内となるライン部６の線幅を予め設定しておけば、複数のライン部のそれぞれは互いに異なる線幅であってもよい。このように、ギャップ部（繰り返し領域）５におけるライン部６及びスペース部７の線幅によって露光及び現像処理後のフォトレジスト層の形状（膜厚）を制御できる。
【００５１】
図８及び図９はパターン２の変形例である。図８に示すように、ライン部６及びスペース部７はＹ軸方向に所定ピッチＤで繰り返されていてもよい。図８に示す繰り返し領域５を有するマスクＭを用いて露光処理する際には、マスクＭをＹ軸方向（すなわちライン部６とスペース部７との繰り返し方向）にシフトしつつ露光処理する。また、遮蔽部６及び透過部７はライン状でなくてもよく、図９に示すようにドットパターン状でもよい。図９に示す例では、略正方形状の遮蔽部６と透過部７とが市松模様状に配置されている。すなわち、遮蔽部６と透過部７とがＸ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに関して繰り返されている。図９に示す繰り返し領域５を有するマスクＭを用いて露光処理する際には、マスクＭをＸ軸方向及びＹ軸方向のいずれか一方にシフトしつつ露光処理することが可能である。
【００５２】
＜第３実施形態＞
次に本発明の第３実施形態として、本発明の露光方法を走査型露光装置に適用した例について図１０を参照しながら説明する。走査型露光装置はマスクＭと感光基板Ｐとを所定方向（Ｘ軸方向）に同期移動しながらマスクＭのパターンを投影光学系ＰＬを介して感光基板Ｐ上に連続的に露光する露光装置である。また、本実施形態におけるマスクＭは、図２を参照して説明したライン部６及びスペース部７のそれぞれが同じ線幅Ｄに設定されたパターンを有しているものとする。
まず、図１０（ａ）に示すように、制御装置ＣＯＮＴはマスクＭを第１の位置に位置決めするとともに感光基板Ｐを所定の位置に位置決めする。次いで、図１０（ｂ）に示すように、制御装置ＣＯＮＴは、マスクＭと感光基板ＰとをＸ軸方向に同期移動しつつマスクＭを露光光ＥＬで照明し、マスクＭのパターン２を感光基板Ｐに連続的に露光（第１の露光）する。ここで、投影光学系ＰＬが等倍系である場合マスクＭと感光基板Ｐとは同じ速度でＸ軸方向に移動する。
【００５３】
第１の露光をするに際し、制御装置ＣＯＮＴはマスクＭに対する露光光ＥＬの照射量を予め設定されている設定照射量に対して少ない値に設定し、照射する。本実施形態において、第１の露光では感光基板Ｐのフォトレジスト層１０は設定露光量に対して５０％の露光量で露光される。そして、フォトレジスト層１０のチャネル形成予定領域１０Ａのうちスペース部７に対応する領域に露光光が選択的に照射される。
【００５４】
第１の露光が終了したら、図１０（ｃ）に示すように、制御装置ＣＯＮＴはマスクＭを第２の位置に位置決めするとともに感光基板Ｐを所定の位置に位置決めする。ここで、図１０（ｃ）に示す第２の位置とは、図１０（ａ）に示した第１の位置に対してＸ軸方向に距離Ｄだけシフトした位置である。一方、感光基板Ｐの位置は第１の露光開始時（すなわち図１０（ａ）の状態）と、第２の露光開始時（すなわち図１０（ｃ）の状態）とで同じである。すなわち、第２の露光を行うに際し、感光基板Ｐははじめの位置に戻される。
【００５５】
そして、図１０（ｄ）に示すように、制御装置ＣＯＮＴは、マスクＭと感光基板ＰとをＸ軸方向に同期移動しつつマスクＭを露光光ＥＬで照明し、マスクＭのパターン２を感光基板Ｐに連続的に露光（第２の露光）する。第２の露光においても、制御装置ＣＯＮＴはフォトレジスト層１０を設定露光量に対して５０％の露光量で露光する。これにより、第１の露光時に感光基板Ｐ上に露光されたパターンに対して、第２の露光時に露光されるパターンがＸ軸方向にピッチＤ分だけシフトすることになり、第１実施形態同様、ハーフトーン露光が実行される。
【００５６】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態について図１１〜図１７を参照しながら説明する。図１１（ａ）において、マスクＭは、第１のパターン１１が形成された第１パターン形成領域Ａと、第１のパターン１１は別の第２のパターン１７が形成された第２パターン形成領域Ｂとを有している。第１パターン形成領域Ａと第２パターン形成領域Ｂとはほぼ同じ大きさの矩形状に設定されており、マスクＭ上において隣り合わせて設けられている。そして、第１のパターン１１と第２のパターン１７とは独立したパターンとなっている。
【００５７】
第１のパターン１１は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）のソース／ドレイン電極パターニング用のパターンである。ここで、本実施形態のパターン１１と図２に示したパターン２との異なる点は、パターン１１ではソース用パターン部１３とドレイン用パターン部１４とが連続している点である。すなわち、本実施形態に係るパターン１１には第１実施形態のパターン２のギャップ部５に相当する部分が無く、この部分は遮蔽部１５’となっている。
【００５８】
第２のパターン１７は、第２パターン形成領域Ｂのほぼ全域に設けられた遮蔽部１６と、第２パターン形成領域Ｂの所定の位置に設けられた透過部１５とを有している。透過部１５は略矩形状であって、第１パターン形成領域Ａに対して第２パターン形成領域Ｂを重ね合わせた際、第１のパターン１１のソース用パターン部１３とドレイン用パターン部１４との連続部（遮蔽部）１５’に重なる位置に設けられている。すなわち、第２のパターン１７の透過部１５は、露光処理した際、フォトレジスト層１０のチャネル形成予定領域１０Ａ、すなわちハーフトーン露光領域に対応する位置に形成されている。そして、図１１（ａ）に示すマスクＭでは、遮蔽部１５’と透過部１５とがピッチＬで繰り返された構成となっており、符号５で示す領域が繰り返し領域となっている。なお、図１１（ａ）では、マスクＭは第１のパターン１１と第２のパターン１７とをそれぞれ１つずつ有する構成であるが、第１のパターン１１が形成された第１パターン形成領域Ａと、第２のパターン１７が形成された第２パターン形成領域Ｂとを、Ｘ軸方向に複数並べて設けてもよい。これにより、透過部１５と、第１、第２パターン形成領域Ａ、Ｂを重ねたときに透過部１５に対応するパターン１１上での領域である遮蔽部１５’とがＸ軸方向に所定のピッチＬで繰り返された構成となる。
【００５９】
図１１（ｂ）は図１１（ａ）のマスクＭを用いて露光処理される感光基板Ｐを示す模式図である。図１１（ｂ）に示すように、感光基板Ｐには露光処理される第１、第２、及び第３露光領域Ｅ、Ｆ、及びＧが設定されている。この露光領域Ｅ、Ｆ、及びＧのそれぞれの大きさは、マスクＭの第１、第２パターン形成領域Ａ、Ｂと同じに設定されている。露光領域Ｅ、Ｆ、及びＧは等間隔に設定されており、露光領域Ｅ、Ｆ、及びＧそれぞれの間隔と、マスクＭの第１、第２パターン形成領域Ａ、Ｂの間の間隔とは同じ値に設定されている。すなわち、第１、第２パターン形成領域Ａ、Ｂのピッチと、露光領域Ｅ、Ｆ、及びＧのピッチとはそれぞれ同じ値Ｌに設定されている。
【００６０】
図１２は、第１のパターン１１と第２のパターン１７とを感光基板Ｐ上で重ね合わせるようにして露光した際の露光量分布及び現像後のフォトレジスト層１０の形状を示す模式図である。ここでは、感光基板Ｐの第１露光領域Ｅで第１のパターン１１と第２のパターン１７とを重ね合わせる場合について説明する。
まず、制御装置ＣＯＮＴは、第１のパターン１１を有する第１パターン形成領域Ａと第１露光領域Ｅとを位置合わせする。次いで、制御装置ＣＯＮＴはマスクＭの第１パターン形成領域Ａを露光光ＥＬで照明し、マスクＭのパターン１１を感光基板Ｐに露光（第１の露光）する。
【００６１】
第１の露光をするに際し、制御装置ＣＯＮＴはマスクＭに対する露光光ＥＬの照射量を予め設定されている設定照射量（１００％露光量）に設定して露光する。これにより、図１２（ａ）に示す模式図のように、感光基板Ｐのフォトレジスト層１０のうちパターン１１に対応する領域は遮光され（０％露光量）、パターン１１以外に対応する領域は１００％露光量で露光される。
【００６２】
第１の露光が終了したら、制御装置ＣＯＮＴはマスクＭを感光基板Ｐに対してＸ軸方向にピッチＬ分だけシフトし、第２パターン１７を有する第２パターン形成領域Ｂと、第１露光領域Ｅとを位置合わせする。そして、制御装置ＣＯＮＴはマスクＭの第２パターン形成領域Ｂを露光光ＥＬで照明し、マスクＭのパターン１７を感光基板Ｐに露光（第２の露光）する。
【００６３】
第２の露光において、制御装置ＣＯＮＴはマスクＭに対する露光光ＥＬの照射量を予め設定されている設定照射量に対して少ない値に設定し、照射する。第２の露光では、制御装置ＣＯＮＴは、設定露光量（１００％露光量）に対して任意の比率の露光量を照射可能である。例えば、制御装置ＣＯＮＴは設定露光量に対して３０％露光量で露光することが可能である。これにより感光基板Ｐのフォトレジスト層１０のうち透過部１５に対応する領域は、図１２（ｂ）に示す模式図のように３０％露光量で露光される。また、７０％露光量で露光すればフォトレジスト層１０のうち透過部１５に対応する領域は７０％露光量で露光される。
【００６４】
第１、第２の露光により、図１２（ｃ）に示すように、フォトレジスト層１０のうち第１のパターン１１以外に対応する領域での合成露光量は１００％露光量となり、一方、透過部１５に対応する領域であるチャネル形成予定領域（ハーフトーン露光領域）１０Ａでの合成露光量は３０％露光量となる。そして、このフォトレジスト層１０に対して現像処理を施すことにより、フォトレジスト層１０は図１２（ｄ）に示すような形状となる。
【００６５】
以上説明したように、本実施形態では、チャネル形成予定領域（ハーフトーン露光領域）１０Ａに対する露光量（ハーフトーン露光量）を任意の値に容易に設定することができるため、チャネル形成予定領域１０Ａの膜厚調整を精度良く行うことができる。そして、露光量とフォトレジスト層１０の膜厚との関係をフォトレジスト層１０の材料特性に基づいて予め求めておき、第２の露光時においては、前記求めた関係に基づいて露光量を設定することにより、所望の膜厚を有するフォトレジスト層を得ることができる。
【００６６】
なお、ここでは、透過部１５を透過率１００％の透過部として説明したが、例えば透過率５０％といったような半透過部であってもよい。また、図１１（ａ）において、マスクＭは第１のパターン１１と第２のパターン１７とをそれぞれ１つずつ有する構成であるが、上述したように、第１のパターン１１が形成された第１パターン形成領域Ａと、第２のパターン１７が形成された第２パターン形成領域Ｂとを、Ｘ軸方向に複数並べて設けてもよい。これにより、透過部１５と遮蔽部１５’とがＸ軸方向に所定のピッチＬで繰り返された構成となり、露光処理の際には前記繰り返した方向（すなわちＸ軸方向）にピッチＬ分だけマスクをシフトすることでハーフトーン露光する構成となる。
【００６７】
また、第１パターン形成領域Ａのパターンを第１実施形態で説明した例えば図２に示したパターン２とし、この第１のパターンをＸ軸方向にピッチＤだけシフトして複数回にわけて露光し、次いで第２パターン形成領域Ｂに形成されたパターン１７を基板上で重ね合わせるようにしてもよい。すなわち、第１実施形態と第４実施形態とのそれぞれの露光方法を組み合わせて露光処理してもよい。
【００６８】
図１３はマスクＭに形成されているパターンの変形例である。図１３において、マスクＭは、第１のパターン１１が形成された第１パターン形成領域Ａと、第１のパターン１１は別の第２のパターン１２が形成された第２パターン形成領域Ｂとを有している。第１パターン形成領域Ａと第２パターン形成領域Ｂとはほぼ同じ大きさに設定されており、マスクＭ上において隣り合わせて設けられている。そして、第１のパターン１１と第２のパターン１２とは独立したパターンとなっている。
【００６９】
第１のパターン１１は、図１１（ａ）に示した薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）のソース／ドレイン電極パターニング用のパターンと同等のパターンである。一方、第２のパターン１２は、ソース用パターン部１３とドレイン用パターン部１４とが連続しておらず、透過部１５が形成されている。透過部１５は、第１パターン形成領域Ａに対して第２パターン形成領域Ｂを重ね合わせた際、第１のパターン１１のソース用パターン部１３とドレイン用パターン部１４との連続部（遮蔽部）１５’に重なる位置に設けられている。すなわち、第２のパターン１２の透過部１５は、露光処理した際、フォトレジスト層１０のチャネル形成予定領域１０Ａ、すなわちハーフトーン露光領域に対応する位置に形成されている。
【００７０】
図１４は、第１のパターン１１と第２のパターン１２とを感光基板Ｐ上で重ね合わせるようにして露光した際の露光量分布及び現像後のフォトレジスト層１０の形状を示す模式図である。ここでは、感光基板Ｐの第１露光領域Ｅで第１のパターン１１と第２のパターン１２とを重ね合わせる場合について説明する。
まず、制御装置ＣＯＮＴは、第１のパターン１１を有する第１パターン形成領域Ａと第１露光領域Ｅとを位置合わせする。次いで、制御装置ＣＯＮＴはマスクＭの第１パターン形成領域Ａを露光光ＥＬで照明し、マスクＭのパターン１１を感光基板Ｐに露光（第１の露光）する。
【００７１】
第１の露光をするに際し、制御装置ＣＯＮＴはマスクＭに対する露光光ＥＬの照射量を予め設定されている設定照射量（１００％露光量）に対して少ない値に設定し、照射する。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは第１の露光での露光量を１００％露光量に対して任意の比率に設定する。ここでは７０％露光量を照射する。これにより感光基板Ｐのフォトレジスト層１０のうちパターン１１以外に対応する領域は、図１４（ａ）に示す模式図のように７０％露光量で露光される。
【００７２】
第１の露光が終了したら、制御装置ＣＯＮＴはマスクＭを感光基板Ｐに対してＸ軸方向にピッチＬ分だけシフトし、第２パターン１２を有する第２パターン形成領域Ｂと、第１露光領域Ｅとを位置合わせする。そして、制御装置ＣＯＮＴはマスクＭの第２パターン形成領域Ｂを露光光ＥＬで照明し、マスクＭのパターン１２を感光基板Ｐに露光（第２の露光）する。
【００７３】
第２の露光において、制御装置ＣＯＮＴは、第１の露光での露光量と第２の露光での露光量との総和が設定露光量（１００％）になるように第２の露光での露光量を設定する。ここでは、制御装置ＣＯＮＴは３０％露光量で露光する。これにより感光基板Ｐのフォトレジスト層１０のうち透過部１５に対応する領域は、図１４（ｂ）に示す模式図のように３０％露光量で露光される。
【００７４】
そして、図１４（ｃ）に示すように、第１及び第２の露光によりフォトレジスト層１０のうちパターン以外の領域は１００％露光量で露光されたことになる。一方、透過部１５に対応する領域であるチャネル形成予定領域１０Ａでの合成露光量は３０％露光量となる。そして、このフォトレジスト層１０に対して現像処理を施すことにより、フォトレジスト層１０は図１４（ｄ）に示すような形状となる。
【００７５】
以上説明したように、図１３及び図１４を参照して説明した例では、チャネル形成予定領域１０Ａに対する露光量（ハーフトーン露光量）を任意の値に容易に設定することができるため、チャネル形成予定領域１０Ａの膜厚調整を精度良く行うことができる。ここでは、第１の露光で７０％露光量、第２の露光で３０％露光量としたが、例えば第１の露光で５０％露光量、第２の露光で５０％露光量とすれば、パターン以外の領域を１００％露光量で露光でき、ハーフトーン露光領域を５０％露光量で露光できる。そして、露光量とフォトレジスト層の膜厚との関係をフォトレジスト層の材料特性に基づいて予め求めておき、第２の露光時においては、前記求めた関係に基づいて露光量を設定することにより、所望の膜厚を有するフォトレジスト層を得ることができる。
【００７６】
なお、ここでは第１の露光で第１パターン１１を露光し、第２の露光で第２パターン１２を露光する構成であるが、第１の露光で第１パターンを露光し、第２、第３の露光で第２パターン１２を露光するようにしてもよい。この場合、フォトレジスト層のうちパターン以外に対応する領域での第１、第２、第３の露光の合成露光量が１００％露光量となり、第２、第３の露光での透過部１５に対応する領域での合成露光量が設定露光量に対して任意の比率の露光量に設定される。
【００７７】
次に、図１１（ａ）に示したマスクＭのパターンを図１１（ｂ）に示した感光基板Ｐに露光する露光方法について図１５を参照しながら説明する。
まず、図１５（ａ）に示すように、制御装置ＣＯＮＴは、マスクＭの第１パターン形成領域Ａと感光基板Ｐの第１露光領域Ｅとを位置合わせするとともに、第２パターン形成領域Ｂと第２露光領域Ｆとを位置合わせする。そして、第１のパターン１１を第１露光領域Ｅに露光するとともに、第２のパターン１７を第２露光領域Ｆに露光する。
【００７８】
次いで、図１５（ｂ）に示すように、制御装置ＣＯＮＴは、マスクＭを感光基板Ｐに対してピッチＬ分だけ＋Ｘ方向にシフトし、第１パターン形成領域Ａと第２露光領域Ｆとを位置合わせするとともに、第２パターン形成領域Ｂと第３露光領域Ｇとを位置合わせする。そして、制御装置ＣＯＮＴは、第１のパターン１１を第２露光領域Ｆに露光するとともに、第２のパターン１７を第３露光領域Ｇに露光する。このとき、感光基板Ｐの第２露光領域Ｆでは、第１のパターン１１が第２のパターン１７と重ね合わされるように露光される。すなわち、感光基板Ｐ上の第２のパターン１７のうち繰り返し領域を構成する透過部１５に対して、マスクＭの第１のパターン１１のうち繰り返し領域を構成する遮光部１５’が重ね合わせられるようにして露光される（繰り返し領域露光ステップ）。そして、これと別に、感光基板Ｐ上の第２のパターン１７のソース及びドレイン用パターン部１３、１４に対して、マスクＭの第１のパターン１１のソース及びドレイン用パターン部１３、１４が重ね合わせられるようにして露光される（パターン露光ステップ）。
【００７９】
次いで、図１５（ｃ）に示すように、制御装置ＣＯＮＴは、マスクＭを感光基板Ｐに対してピッチ２Ｌ分だけ−Ｘ方向にシフトし、第２パターン形成領域Ｂと第１露光領域Ｆとを位置合わせする。そして、制御装置ＣＯＮＴは、第２のパターン１７を第１露光領域Ｅに露光する。感光基板Ｐの第１露光領域Ｅでは、第２のパターン１７が第１のパターン１１と重ね合わされるように露光される。
【００８０】
次いで、図１５（ｄ）に示すように、制御装置ＣＯＮＴは、マスクＭを感光基板Ｐに対してピッチ３Ｌ分だけ＋Ｘ方向にシフトし、第１パターン形成領域Ａと第３露光領域Ｇとを位置合わせする。そして、制御装置ＣＯＮＴは、第１のパターン１１を第３露光領域Ｇに露光する。感光基板Ｐの第３露光領域Ｇでは、第１のパターン１１が第２のパターン１７と重ね合わされるように露光される。
【００８１】
以上のようにして、第１、第２、及び第３露光領域Ｅ、Ｆ、及びＧのそれぞれに第１のパターン１１及び第２のパターン１７が互いに重ね合わせられるようにして露光される。以上説明した露光方法によれば、１回の露光動作でマスクＭ上の複数（２つ）のパターン１１、１７を感光基板Ｐに同時に露光することができ、処理時間を短縮することができる。
【００８２】
なお、図１５を参照して説明した例では図１１に示したマスクＭを用いているが、もちろん図１３に示したマスクＭを用いることもできる。また、ここでは、感光基板Ｐ上には３つの露光領域Ｅ、Ｆ、及びＧを設定した場合について説明したが、図１６（ａ）、（ｂ）に示すように、６つや９つといった複数の露光領域を設定した場合についても本実施形態のマスク及び露光方法を適用可能である。
【００８３】
ところで、図１５を参照して説明した露光方法の場合、マスクＭのパターン描画誤差等に起因して、第１のパターン１１と第２のパターン１２（１７）とが感光基板Ｐ上で精度良く重ならない場合が考えられる。その場合、図１７に示すように、まず、制御装置ＣＯＮＴは、第１のパターン１１と第２のパターン１２とを感光基板Ｐ上で重ね合わせるテスト露光を行う（ステップＳＢ１）。ここで、テスト露光工程は現像工程も含む。
【００８４】
次いで、テスト露光及び現像処理後の感光基板Ｐ上に形成されている第１のパターン１１と第２のパターン１２との位置誤差（重ね合わせ誤差）がパターン形状計測装置で計測される（ステップＳＢ２）。
【００８５】
パターン形状計測装置の計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴはパターン形状計測装置の計測結果に基づいて、位置誤差を補正する補正量を求める（ステップＳＢ３）。
【００８６】
そして、制御装置ＣＯＮＴは、デバイス製造のための露光をするに際し、前記補正量に基づいて補正しつつ露光する（ステップＳＢ４）。例えば、第１のパターン１１と第２のパターン１２とがＸ軸方向にずれて感光基板Ｐ上で重ならない場合、制御装置ＣＯＮＴはマスクＭをシフトするシフト量の補正量（オフセット量）を求め、このオフセット量に基づいて補正してから露光する。
【００８７】
以上説明したように、第１のパターン１１と第２のパターン１２との重ね合わせ誤差を予め計測し、この計測した誤差量に対する補正量を求めることにより、求めた補正量に基づいて重ね合わせ誤差を補正しつつ露光処理でき、精度良い露光処理を実現することができる。
【００８８】
＜第５実施形態＞
次に、本発明の第５実施形態について図１８〜図２２を参照しながら説明する。図１８に示すマスクＭは、図１３を参照して説明した第１のパターン１１と第２のパターン１２とが間隔（ピッチ）ＷでＸ軸方向に交互に繰り返されている。そして、隣り合う第１、第２のパターン１１、１２どうしでパターンに関する１つのグループが設定されている。
【００８９】
上述したように、第１、第２のパターン１１、１２は薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極パターニング用のパターンであって、ソース用パターン部１３とドレイン用パターン部１４とを有している。すなわち、図１８に示すマスクＭは薄膜トランジスタのソースドレイン層形成用マスクである。ここで、薄膜トランジスタは液晶表示装置等の表示デバイスにおいてマトリクス状に配列された各画素に対応して配置される。したがって、第１、第２のパターン１１、１２のＸ軸方向におけるピッチＷは液晶表示装置の画素ピッチに一致している。換言すれば、第１、第２のパターン１１、１２は画素に対応して繰り返された繰り返しパターンである。
【００９０】
したがって、液晶表示装置のＸ軸方向に複数並ぶ画素（画素列）において第１の画素（画素列）に対応した第１のパターン１１のうちチャネル形成予定領域に対応する領域に設けられた遮蔽部（所定領域）１５’に対して、前記第１の画素（画素列）に隣り合う第２の画素（画素列）に対応した第２のパターン１２のうち前記遮蔽部１５’に対応する領域（すなわち第２のパターン１２のうちチャネル形成予定領域に対応する領域）が透過部１５となっている。
【００９１】
図１９は図１８に示したマスクＭを用いて露光する手順の一例を示す模式図である。図１９（ａ）に示すように、制御装置ＣＯＮＴは、マスクＭを第１の位置に位置合わせし、マスクＭの第１、第２パターン１１、１２を感光基板Ｐに露光（第１の露光）する。これにより、感光基板Ｐのフォトレジスト層には、第１、第２のパターン１１、１２の像が転写される。ここで、第１の露光においては、制御装置ＣＯＮＴは設定露光量（１００％露光量）に対して５０％露光量で露光する。
【００９２】
次いで、図１９（ｂ）に示すように、制御装置ＣＯＮＴは、マスクＭを感光基板Ｐに対してピッチＷ分だけ−Ｘ方向にシフトし、感光基板Ｐ上の第１のパターン１１に対してマスクＭ上の第２のパターン１２を位置合わせするとともに、感光基板Ｐ上の第２のパターン１２に対してマスクＭ上の第１のパターン１１を位置合わせし、マスクＭの第１、第２のパターン１１、１２を感光基板Ｐに露光（第２の露光）する。これにより、感光基板Ｐ上の第１のパターン１１に対してマスクＭの第２のパターン１２の像が重ね合わせられるとともに、感光基板Ｐ上の第２のパターン１２に対してマスクＭの第１のパターン１１の像が重ね合わせられる。ここで、第２の露光においては、制御装置ＣＯＮＴは設定露光量に対して５０％露光量で露光する。すなわち、第１及び第２の露光における各露光量のそれぞれは略同一の露光量（５０％露光量）に設定される。
【００９３】
以上の第１及び第２の露光により、感光基板Ｐのフォトレジスト層のチャネル形成予定領域（ハーフトーン露光領域）１０Ａは５０％露光量で露光され、パターン以外の領域１０Ｃは１００％露光量で露光され、フォトレジスト層１ソース用パターン部１３及びドレイン用パターン部１４に対応する電極形成予定領域１０Ｂは０％露光量となる。これにより、上述した各実施形態同様、フォトレジスト層１０のうちチャネル形成予定領域１０Ａと電極形成予定領域１０Ｂとの膜厚を異ならせることができる。
【００９４】
以上説明したように、画素に対応して所定間隔ＷでＸ軸方向（あるいはＹ軸方向）に繰り返される繰り返しパターンであるソース及びドレイン形成用パターン１１、１２を露光する際に、ハーフトーン露光領域に対応する第１のパターン１１の所定領域（１５’）を遮蔽部（あるいは透過部）とするとともに、第２のパターン１２の所定領域（１５）を透過部（あるいは遮蔽部）とすることにより、第１、第２のパターン１１、１２のピッチＷ分だけマスクＭをＸ軸方向にシフトして複数回露光するだけで、容易にハーフトーン露光することができる。
【００９５】
なお、図１９（ｂ）に示す感光基板Ｐ上のパターンのうち、例えば−Ｘ側に設けられたパターンＪは第１のパターン１１のみが転写されたものであるため回路パターンとして使用しなければよい。
【００９６】
なお、図１８及び図１９を参照して説明した例では、第１、第２のパターン１１、１２を１つずつ交互に繰り返すことにより、ハーフトーン露光領域の露光量は設定露光量に対して５０％となるが、ハーフトーン露光領域の露光量を変化したい場合には、マスクＭ上における第１のパターン１１と第２のパターン１２との比率を変えればよい。例えば、図２０に示すマスクＭは、第１のパターン１１が１つ設けられ、第２のパターン１２が２つ並んで設けられている。そして、１つの第１のパターン１１と２つの第２のパターン１２、１２とで１つのグループが設定されている。ここで、１つのグループは３つ並んだパターンから構成されており、各パターンは液晶表示装置の赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、及び青（Ｂ）の画素のそれぞれに対応している。
【００９７】
図２１は図２０に示したマスクＭを用いて露光する手順の一例を示す模式図である。図２１（ａ）に示すように、制御装置ＣＯＮＴは、マスクＭを第１の位置に位置合わせし、マスクＭの第１、第２パターン１１、１２を感光基板Ｐに露光（第１の露光）する。これにより、感光基板Ｐのフォトレジスト層には、第１、第２パターン１１、１２の像が転写される。ここで、第１の露光においては、制御装置ＣＯＮＴは設定露光量（１００％露光量）に対して１／３露光量で露光する。
【００９８】
次いで、図２１（ｂ）に示すように、制御装置ＣＯＮＴは、マスクＭを感光基板Ｐに対してピッチＷ分だけ−Ｘ方向にシフトし、感光基板Ｐ上の第１、第２のパターン１１、１２に対してマスクＭ上の第１、第２のパターン１１、１２を位置合わせし、マスクＭの第１、第２のパターン１１、１２を感光基板Ｐに露光（第２の露光）する。これにより、感光基板Ｐ上の第１、第２のパターン１１、１２に対してマスクＭの第１、第２のパターン１１、１２の像が重ね合わせられる。ここで、第２の露光においては、制御装置ＣＯＮＴは設定露光量に対して１／３露光量で露光する。
【００９９】
更に、図２１（ｃ）に示すように、制御装置ＣＯＮＴは、マスクＭを感光基板Ｐに対してピッチＷ分だけ−Ｘ方向にシフトし、感光基板Ｐ上の第１、第２のパターン１１、１２に対してマスクＭ上の第１、第２のパターン１１、１２を位置合わせし、マスクＭの第１、第２のパターン１１、１２を感光基板Ｐに露光（第３の露光）する。これにより、感光基板Ｐ上の第１、第２のパターン１１、１２に対してマスクＭの第１、第２のパターン１１、１２の像が重ね合わせられる。ここで、第３の露光においては、制御装置ＣＯＮＴは設定露光量に対して１／３露光量で露光する。すなわち、第１、第２、及び第３の露光における各露光量のそれぞれは略同一の露光量（１／３露光量）に設定される。
【０１００】
以上の第１、第２及び第３の露光により、図２（ｃ）の感光基板ＰのパターンＫのフォトレジスト層のチャネル形成予定領域（ハーフトーン露光領域）１０Ａは２／３露光量で露光され、パターン以外の領域１０Ｃは１００％露光量で露光され、フォトレジスト層のうちソース用パターン部１３及びドレイン用パターン部１４に対応する電極形成予定領域１０Ｂは０％露光量となる（図２２（ｃ）参照）。これにより、上述した各実施形態同様、フォトレジスト層１０のうちチャネル形成予定領域１０Ａと電極形成予定領域１０Ｂとの膜厚を異ならせることができる。なお、感光基板Ｐのうちパターンの重ね合わせが３回行われていないパターンＪ１、Ｊ２（図２２（ａ）、（ｂ）参照）は、回路パターンとして用いなければよい。
【０１０１】
第５実施形態に関して一般に、グループ内のパターン１１、１２の数をそれぞれＮａ、Ｎｂとすると、グループどうしのピッチは（Ｎａ＋Ｎｂ）×Ｗ、露光回数はＮａ＋Ｎｂ、ハーフトーン領域の露光量は設定露光量（１００％露光量）のＮｂ／（Ｎａ＋Ｎｂ）倍となる。したがって、遮蔽部１５’を有するＮａ個の第１のパターン１１と、透過部１５を有するＮｂ個の第２のパターン１２とを等間隔Ｗで、且つ、これら（Ｎａ＋Ｎｂ）個のパターンを１つのグループとし、このグループを間隔（Ｎａ＋Ｎｂ）×ＷのピッチでマスクＭ上に配置する。そして、１回の露光量を設定露光量の１／（Ｎａ＋Ｎｂ）倍とし、各露光毎にピッチＷだけシフトしながら、（Ｎａ＋Ｎｂ）回の露光を行うことで、ハーフトーン露光領域の露光量を設定露光量（１００％露光量）のＮｂ／（Ｎａ＋Ｎｂ）倍に設定することができる。
【０１０２】
＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態として、本発明の露光方法を用いてデバイスである薄膜トランジスタを製造する手順の一例を図２３を参照しながら説明する。なお、以下で説明する薄膜トランジスタは液晶表示装置に設けられるものであって、表示領域にマトリクス状に配置された画素とこの画素に対応して形成される薄膜トランジスタとを有する。
図２３（ａ）において、まず、ガラス基板１０１上にゲート電極形成用金属層が形成され、次いで第１のマスクを用いたフォトリソグラフィ工程によりパターニングすることによりゲート電極１０２が形成される。ここで、ゲート電極１０２と同時に、前記表示領域の外側に周辺回路パターン１００が形成される。周辺回路パターン１００は例えば薄膜トランジスタ用ドライバ部と薄膜トランジスタとの接続線や端子部を含む。この周辺回路パターン１００は、薄膜トランジスタを構成するソース／ドレイン電極と異なり非繰り返しパターンである。つまり、ソース／ドレイン電極はマトリクス状に形成されるため、Ｘ軸及びＹ軸方向に所定のピッチ（画素ピッチ）で繰り返される繰り返しパターンであるが、周辺回路パターン１００は非繰り返しパターンである。そして、この非繰り返しパターンである周辺回路パターン１００がゲート電極１０２と同じレイヤ（ゲート電極層）に形成される（非繰り返しパターン露光ステップ）。
【０１０３】
次いで、図２３（ｂ）に示すように、ゲート電極１０２が形成された基板１０１上に、ゲート絶縁層１０３、ドープしていないアモルファスシリコンからなる活性半導体層であるａ−Ｓｉ層１０４、リン等を高濃度でドープしたシリコンからなるｎ^＋ａ−Ｓｉ層１０５、ソース／ドレイン電極形成用金属層１０６、及びフォトレジスト層１０７が順次積層される。
【０１０４】
そして、図２３（ｃ）に示すように、フォトレジスト層１０７が本発明に係るハーフトーン露光によりパターニングされる。フォトレジスト層１０７には、薄膜部であるチャネル形成予定領域１０７Ａと厚膜部である電極形成予定領域１０７Ｂとが形成される。すなわち、繰り返しパターンであるソース／ドレイン電極形成予定領域１０７Ｂ及びチャネル形成予定用域１０７Ａが露光される（繰り返しパターン露光ステップ）。
【０１０５】
そして、図２３（ｄ）に示すように、フォトレジスト層１０７以外の領域に対応するａ−Ｓｉ層１０４、ｎ^＋ａ−Ｓｉ層１０５、及びソース／ドレイン電極形成用金属層１０６が順次エッチングされる。ここで、ソース／ドレイン電極形成用金属層１０６やａ−Ｓｉ層１０４、ｎ^＋ａ−Ｓｉ層１０５がエッチングされている間、フォトレジスト層１０７もエッチング（アッシング）されている。そのため、フォトレジスト層１０７のうち薄膜部１０７Ａが厚膜部１０７Ｂより先に除かれ、これによりチャネル部１０８に対応するソース／ドレイン形成用金属層１０６が露出し、図２３（ｅ）に示すように、薄膜トランジスタのチャネル部１０８に対応する部分のソース／ドレイン電極形成用金属層１０６、及びｎ^＋ａ−Ｓｉ層１０５がエッチングされる。そして、残った厚膜部１０７Ｂをアッシングすることで、図２３（ｆ）に示すように、チャネル部１０８、ソース電極（回路パターン）１０９、及びドレイン電極（回路パターン）１１０が形成される。そして、ドレイン電極１１０に接続する不図示の画素電極を形成することで薄膜トランジスタが形成される。
【０１０６】
以上説明したように、本発明のハーフトーン露光は繰り返しパターンであるソース／ドレイン電極を形成するために用いることができる。そして、ゲート電極層に形成された非繰り返しパターンである周辺回路パターン１００に対して、繰り返しパターンであるソース／ドレイン電極１０９、１１０はゲート電極層とは別のレイヤであるソース／ドレイン電極層に形成された構成である。これによれば、繰り返しパターンにおいて図２２のパターンＪ１、Ｊ２のような回路パターンとして所望の性能を有しない不良パターンが形成される場合でも、繰り返しパターンと非繰り返しパターンとを別のレイヤに形成することにより、ゲート電極層で非繰り返しパターンを形成し、一方、ソース／ドレイン電極層で前記不良パターンを含む繰り返しパターンを形成した後、この不良パターンを除去する等といった所定の処理を行えばよい。
【０１０７】
＜第７実施形態＞
図２４に示す露光装置ＥＸは、複数（５つ）並んだ投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｅを有し、この投影光学系ＰＬ（ＰＬａ〜ＰＬｅ）に対してマスクＭと感光基板Ｐとを所定方向に同期移動しつつマスクＭのパターンを感光基板Ｐに露光する、いわゆるマルチレンズスキャン型露光装置である。複数の投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｅにおいて、投影光学系ＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬｅと投影光学系ＰＬｂ、ＰＬｄとは２列に千鳥状に配列されている。すなわち、千鳥状に配置されている各投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｅは、隣合う投影光学系どうし（例えば投影光学系ＰＬａとＰＬｂ、ＰＬｂとＰＬｃ）をＹ軸方向に所定量変位させて配置されている。これら投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｅのそれぞれは照明光学系ＩＬから射出されマスクＭを透過した複数の露光光ＥＬを透過させ、基板ステージＰＳＴに支持されている感光基板ＰにマスクＭのパターン像を投影する。
【０１０８】
図２５は投影光学系ＰＬｄの概略構成図である。なお、他の投影光学系ＰＬａ、ＰＬｂ、ＰＬｃ、及びＰＬｅも投影光学系ＰＬｄと同等の構成を有している。
図２５に示すように、投影光学系ＰＬｄ（ＰＬａ、ＰＬｂ、ＰＬｃ、ＰＬｅ）は、シフト調整機構６３と、二組の反射屈折型光学系６４、６５と、視野絞り６６と、スケーリング調整機構６７とを備えている。マスクＭを透過した光束はシフト調整機構６３に入射する。シフト調整機構６３は、θＹ方向に回転可能に設けられた平行平面ガラス板６３ＡとθＸ方向に回転可能に設けられた平行平面ガラス板６３Ｂと有している。平行平面ガラス板６３Ａ、６３Ｂは駆動装置により回転する。平行平面ガラス板６３Ａが回転することにより感光基板Ｐ上におけるマスクＭのパターンの像はＸ軸方向にシフトし、平行平面ガラス板６３Ｂが回転することにより感光基板Ｐ上におけるマスクＭのパターンの像はＹ軸方向にシフトする。シフト調整機構６３を透過した光束は１組目の反射屈折型光学系６４に入射する。反射屈折型光学系６４は、マスクＭのパターンの中間像を形成するものであって、直角プリズム６８と、レンズ６９と、凹面鏡７０とを備えている。直角プリズム６８はθＺ方向に回転可能に設けられており駆動装置により回転する。直角プリズム６８が回転することにより感光基板Ｐ上におけるマスクＭのパターンの像はθＺ方向に回転する。すなわち、直角プリズム６８はローテーション調整機構としての機能を有している。反射屈折型光学系６４により形成されるパターンの中間像位置には視野絞り６６が配置されている。視野絞り６６は感光基板Ｐ上における投影領域を設定するものであって本実施形態では台形状（スリット状）に設定する。視野絞り６６を透過した光束は２組目の反射屈折型光学系６５に入射する。反射屈折型光学系６５は、反射屈折型光学系６４と同様に、ローテーション調整機構としての直角プリズム７１と、レンズ７２と、凹面鏡７３とを備えている。直角プリズム７１もθＺ方向に回転するようになっており、回転することで感光基板Ｐ上におけるマスクＭのパターンの像をθＺ方向に回転する。反射屈折型光学系６５から射出した光束はスケーリング調整機構６７を通り、感光基板Ｐ上にマスクＭのパターンの像を正立等倍で結像する。スケーリング調整機構６７は、例えば、平凹レンズ、両凸レンズ、平凹レンズの３枚のレンズから構成され、平凹レンズと平凹レンズとの間に位置する両凸レンズをＺ軸方向に移動させることによりマスクＭのパターンの像の倍率（スケーリング）調整を行うようになっている。そして、投影光学系ＰＬｄの結像特性を調整する結像特性調整装置が、シフト調整機構６３、ローテーション調整機構６８、７１、及びスケーリング調整機構６７を含んで構成されている。なお、３枚のレンズ構成として平凸レンズ、両凹レンズ、平凸レンズとしてもよい。
【０１０９】
このように、投影光学系ＰＬ（ＰＬａ〜ＰＬｅ）に結像特性調整装置を設けることにより、図１７を参照して説明した第４実施形態において、第１のパターンと第２のパターンとで非線形な重ね合わせ誤差がある場合でも、この重ね合わせ誤差に対する補正量を求め、求めた補正量に基づいて結像特性調整装置を駆動することにより、第１のパターンと第２のパターンとを精度良く重ね合わせることができる。
【０１１０】
また、図１０を参照して説明した第３実施形態では、ハーフトーン露光するために第１の走査露光に対してマスクＭを距離Ｄだけシフトし第２の走査露光を行う構成であって、走査露光を２回行う必要があった。しかしながら、投影光学系ＰＬがシフト調整機構を含む結像特性調整装置を有していることにより、例えば、１回の走査露光中において、投影光学系ＰＬのスリット状（台形状）の投影領域の位置とマスクＭのパターン２（ギャップ部５）の位置とが一致したときにシフト調整機構を駆動してパターン２の感光基板Ｐ上での像をシフトすることで、１回の走査露光でハーフトーン露光を行うことも可能となる。あるいは、１回の走査露光中に、マスクステージＭＳＴ（あるいは基板ステージＰＳＴ）を一定速度で走査せずに、投影領域とパターン２（ギャップ部５）との位置が一致した時点でステージ速度を変化させることで、感光基板Ｐ上においてパターン２がシフトするため、ハーフトーン露光を行うことができる。
【０１１１】
なお、上記各実施形態では、本発明のマスク及び露光方法を、液晶表示装置の一部を構成する薄膜トランジスタを製造する際に適用するように説明したが、プラズマ表示装置や有機エレクトロルミネッセンス表示装置の一部を構成する薄膜トランジスタを製造する際にも本発明を適用することができる。すなわち、フォトリソグラフィ工程を用いて形成されるスイッチング素子（ＴＦＴ、ＭＩＭ）を製造する場合や、１回のフォトリソグラフィ工程でフォトレジスト層に膜厚の違い（段部）を形成する場合において本発明を適用可能である。
【０１１２】
なお、上記各実施形態における露光装置ＥＸの用途としては角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露光装置に限定されることなく、例えば、半導体製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッドを製造するための露光装置にも広く適当できる。
【０１１３】
本実施形態の露光装置ＥＸの光源は、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）のみならず、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ_２レーザ（１５７ｎｍ）を用いることができる。
【０１１４】
投影光学系ＰＬの倍率は等倍系のみならず、縮小系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬとしては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用い、Ｆ_２レーザを用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系にする。
【０１１５】
基板ステージＰＳＴやマスクステージＭＳＴにリニアモータを用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもいい。また、ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもいいし、ガイドを設けないガイドレスタイプでもよい。
【０１１６】
ステージの駆動装置として平面モ−タを用いる場合、磁石ユニットと電機子ユニットのいずれか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットの他方をステージの移動面側（ベース）に設ければよい。
【０１１７】
基板ステージＰＳＴの移動により発生する反力は、特開平８−１６６４７５号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた露光装置においても適用可能である。
【０１１８】
マスクステージＭＳＴの移動により発生する反力は、特開平８−３３０２２４号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた露光装置においても適用可能である。
【０１１９】
以上のように、本願実施形態の露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１２０】
半導体デバイスは、図２６に示すように、デバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板（ウエハ、ガラスプレート）を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置によりレチクルのパターンを基板に露光し、この露光した基板を現像する基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【０１２１】
【発明の効果】
本発明によれば、露光装置が高い解像限界を有する場合であっても、ハーフトーン露光領域に対して均一な露光量分布で円滑にハーフトーン露光できる。これにより所望のパターン形状が得られるので、処理期間を短縮しつつ所望の性能を有するデバイスを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のマスクを用いた露光方法に用いる露光装置の一実施形態を示す概略斜視図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るマスクを示す図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る露光方法を説明するための図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る露光方法を説明するためのフローチャート図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係るマスクを示す図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る露光方法を説明するための図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係るマスクの変形例を示す図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係るマスクの変形例を示す図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係るマスクの変形例を示す図である。
【図１０】本発明の第３実施形態に係る露光方法を説明するための図である。
【図１１】本発明の第４実施形態に係るマスクと感光基板とを示す図である。
【図１２】本発明の第４実施形態に係る露光方法を説明するための図である。
【図１３】本発明の第４実施形態に係るマスクを示す図である。
【図１４】本発明の第４実施形態に係る露光方法を説明するための図である。
【図１５】本発明の第４実施形態に係る露光方法を説明するための図である。
【図１６】本発明の第４実施形態に係る露光方法を説明するための図である。
【図１７】本発明の第４実施形態に係る露光方法を説明するための図である。
【図１８】本発明の第５実施形態に係るマスクを示す図である。
【図１９】本発明の第５実施形態に係る露光方法を説明するための図である。
【図２０】本発明の第５実施形態に係るマスクを示す図である。
【図２１】本発明の第５実施形態に係る露光方法を説明するための図である。
【図２２】本発明の第５実施形態に係る露光方法を説明するための図である。
【図２３】本発明の第６実施形態に係る露光方法を説明するための図である。
【図２４】本発明の第７実施形態に係る露光装置の概略斜視図である。
【図２５】図２４の投影光学系の概略構成図である。
【図２６】半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【図２７】従来の露光方法を説明するための図である。
【図２８】従来のハーフトーン露光方法を説明するための図である。
【符号の説明】
２…パターン、５…ギャップ部、繰り返し領域、６…ライン部、遮蔽部、
７…スペース部、透過部、１１…第１のパターン、１２…第２のパターン、
１５…透過部、１５’…遮蔽部、１７…第２のパターン、
１００…周辺回路パターン（非繰り返しパターン）、
１０８…チャネル部（繰り返しパターン）、
１０９…ソース電極（回路パターン、繰り返しパターン）、
１１０…ドレイン電極（回路パターン、繰り返しパターン）、
Ａ…第１パターン形成領域、Ｄ…ピッチ、ＥＬ…露光光（放射線）、
Ｌ…ピッチ、Ｍ…マスク、Ｐ…感光基板、Ｗ…ピッチ

Claims (14)

1. 放射線を遮蔽する遮蔽部と前記放射線を透過する透過部とを有するパターンを含む露光処理に用いるマスクにおいて、
   前記遮蔽部に対する前記透過部、又は前記透過部に対する前記遮蔽部を所定のピッチで繰り返した繰り返し領域を有し、
   前記露光処理の際に前記繰り返した方向に前記ピッチ分だけパターンをシフトすることによりハーフトーンを形成することを特徴とするマスク。
2. 前記ピッチ分だけパターンをシフトして露光する露光量を補正するように、前記繰り返し領域を除くパターンのパターン形状が予め設定されていることを特徴とする請求項１記載のマスク。
3. 前記パターンは画素に対応して繰り返された繰り返しパターンを含み、
   第１の画素に対応した第１のパターンのうち所定領域に設けられた遮蔽部又は透過部の一方に対して、前記第１の画素に隣り合う第２の画素に対応した第２のパターンのうち前記所定領域に対応する領域が前記遮蔽部又は透過部の他方となっていることを特徴とする請求項１又は２記載のマスク。
4. マスク上に形成され、放射線を遮蔽する遮蔽部と前記放射線を透過する透過部とを有するパターンを感光基板に露光する露光方法において、
   前記パターンは、前記遮蔽部に対する前記透過部、又は前記透過部に対する前記遮蔽部を所定のピッチで繰り返した繰り返し領域を有し、
   前記繰り返した方向に前記ピッチ分だけ前記マスクを前記感光基板に対してシフトし、前記マスクのパターンを複数回に分けて露光することを特徴とする露光方法。
5. 前記遮蔽部と前記透過部との比率により前記繰り返し領域の露光量を決定することを特徴とする請求項４記載の露光方法。
6. 前記複数回に分けて露光する際の露光量のそれぞれを略同一の露光量に設定したことを特徴とする請求項４又は５記載の露光方法。
7. 前記繰り返し領域を露光する繰り返し領域露光ステップとは別に、前記感光基板にパターンを露光するパターン露光ステップを含むことを特徴とする請求項４〜６のいずれか一項記載の露光方法。
8. 第１のパターンが形成された第１パターン形成領域と、第２のパターンが形成された第２パターン形成領域とを前記マスク上に隣り合わせて設けておき、
   前記第１のパターンを前記感光基板に露光した後、前記第１のパターンと前記第２のパターンとのピッチ分だけシフトし、前記第２のパターンを前記第１のパターンと前記感光基板上で重ね合わせるように露光することを特徴とする請求項４〜７のいずれか一項記載の露光方法。
9. 前記第１のパターンと前記第２のパターンとはそれぞれ独立したパターンであることを特徴とする請求項８記載の露光方法。
10. 前記パターンは画素に対応して繰り返された繰り返しパターンを含み、
    第１の画素に対応した第１のパターンのうち所定領域に設けられた遮蔽部又は透過部の一方に対して、前記第１の画素に隣り合う第２の画素に対応した第２のパターンのうち前記所定領域に対応する領域が前記遮蔽部又は透過部の他方となっており、前記第１のパターンと前記第２のパターンとを前記感光基板上で重ね合わせることを特徴とする請求項８記載の露光方法。
11. 前記繰り返しパターンを露光する繰り返しパターン露光ステップと、
    非繰り返しパターンを露光する非繰り返しパターン露光ステップとを有することを特徴とする請求項１０記載の露光方法。
12. 前記非繰り返しパターンを前記繰り返しパターンと別のレイヤに形成することを特徴とする請求項１１記載の露光方法。
13. マスクのパターンを感光基板に露光することにより前記感光基板に回路パターンを形成しデバイスを製造するデバイス製造方法において、前記マスクとして請求項１〜請求項３のいずれか一項記載のマスクを用いることを特徴とするデバイス製造方法。
14. マスクのパターンを感光基板に露光することにより前記感光基板に回路パターンを形成しデバイスを製造するデバイス製造方法において、
    前記マスクのパターンを前記感光基板に露光する露光方法として請求項４〜請求項１２のいずれか一項記載の露光方法を用いて前記回路パターンを形成することを特徴とするデバイス製造方法。

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