CN110476121A - 图案计算装置、图案计算方法、掩模、曝光装置、元件制造方法、计算机程序和记录媒体 - Google Patents

图案计算装置、图案计算方法、掩模、曝光装置、元件制造方法、计算机程序和记录媒体 Download PDF

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Abstract

图案计算装置(2)计算形成于掩模(131)上的掩模图案(1311d)，所述掩模(131)用于利用曝光用光(EL)在基板(151)上形成将单位元件图案部(1511u)排列多个而成的元件图案。图案计算装置计算用以形成一个单位元件图案部的单位掩模图案部(1311u)，且通过将所计算出的单位掩模图案部排列多个而计算掩模图案，在计算单位掩模图案部时，假定相当于单位掩模图案部的至少一部分的特定掩模图案部(1311n)邻接于单位掩模图案部，在此基础上计算单位掩模图案部。

Description

图案计算装置、图案计算方法、掩模、曝光装置、元件制造方 法、计算机程序和记录媒体
技术领域
本发明例如涉及计算形成于曝光装置中所用的掩模上的掩模图案的图案计算装置及图案计算方法的技术领域，进而，本发明涉及掩模、曝光装置及曝光方法、元件制造方法、计算机程序和记录媒体的技术领域。
背景技术
业界正使用利用形成于掩模上的掩模图案的像而对基板(例如涂布有抗蚀剂的玻璃基板等)进行曝光的曝光装置。曝光装置例如是用于制造液晶显示器或有机电致发光(Electro Luminescence，EL)显示器等平板显示器(flat panel display)。此种曝光装置中，为了制造掩模，要求适当计算(即决定)掩模图案。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利申请公开第2010/0266961号说明书
发明内容
根据第一方案，提供一种图案计算装置，计算形成于掩模上的掩模图案，所述掩模用于利用曝光用光在基板上形成将单位元件图案部排列多个而成的元件图案，并且所述图案计算装置计算所述掩模图案中用以将一个所述单位元件图案部形成于所述基板上的单位掩模图案部，且通过将计算出的所述单位掩模图案部排列多个而计算所述掩模图案，在计算所述单位掩模图案部时，假定相当于所述单位掩模图案部的至少一部分的特定掩模图案部邻接于所述单位掩模图案部，在此基础上计算所述单位掩模图案部。
根据第二方案，提供一种图案计算装置，计算形成于掩模上的掩模图案，所述掩模用于利用曝光用光在基板上形成元件图案，且所述掩模包含：第一掩模区域，为了形成所述元件图案的至少一部分而经所述曝光用光照射至少两次；以及第二掩模区域，为了形成所述元件图案的至少另一部分而经所述曝光用光照射一次；根据所述第一掩模区域及所述第二掩模区域与所述掩模图案的对应关系，而对根据所述元件图案所计算出的所述掩模图案的至少一部分进行修正。
根据第三方案，提供一种图案计算装置，计算形成于掩模上的掩模图案，所述掩模用于利用曝光用光在基板上形成元件图案，且所述掩模包含第一掩模区域，所述第一掩模区域为了形成所述元件图案的至少一部分而经所述曝光用光照射至少两次，根据经由所述第一掩模区域的所述曝光用光的曝光特性在所述基板上的不均一，而对根据所述元件图案所计算出的所述掩模图案的至少一部分进行修正。
根据第四方案，提供一种图案计算装置，计算形成于掩模上的掩模图案，所述掩模用于利用曝光用光在基板形成元件图案，且所述掩模包含：第三掩模区域，经用以经由第一投影光学系统对所述基板进行曝光的所述曝光用光进行照射；以及第四掩模区域，经用以经由第二投影光学系统对所述基板进行曝光的所述曝光用光进行照射；根据所述第三掩模区域及第四掩模区域与所述掩模图案的对应关系，而对根据所述元件图案所计算出的所述掩模图案的至少一部分进行修正。
根据第五方案，提供一种图案计算装置，计算形成于掩模上的掩模图案，所述掩模用于利用曝光用光在基板上形成元件图案，且所述掩模包含第五掩模区域，所述第五掩模区域经用以经由所需的投影光学系统对所述基板进行曝光的所述曝光用光进行照射，根据经由所述第五掩模区域的所述曝光用光的曝光特性在所述基板上的不均一，而对根据所述元件图案所计算出的所述掩模图案的至少一部分进行修正。
根据第六方案，提供一种图案计算方法，计算形成于掩模上的掩模图案，所述掩模用于利用曝光用光在基板上形成将单位元件图案部排列多个而成的元件图案，并且所述图案计算方法计算所述掩模图案中用以将一个所述单位元件图案部形成于所述基板上的单位掩模图案部，且通过将计算出的所述单位掩模图案部排列多个而计算所述掩模图案，在计算所述单位掩模图案部时，假定相当于所述单位掩模图案部的至少一部分的特定掩模图案部邻接于所述单位掩模图案部，在此基础上计算所述单位掩模图案部。
根据第七方案，提供一种图案计算方法，计算形成于掩模上的掩模图案，所述掩模用于利用曝光用光在基板上形成元件图案，且所述掩模包含：第一掩模区域，为了形成所述元件图案的至少一部分而经所述曝光用光照射至少两次；以及第二掩模区域，为了形成所述元件图案的至少另一部分而经所述曝光用光照射一次；根据所述第一掩模区域及所述第二掩模区域与所述掩模图案的对应关系，而对根据所述元件图案所计算出的所述掩模图案的至少一部分进行修正。
根据第八方案，提供一种图案计算方法，计算形成于掩模上的掩模图案，所述掩模用于利用曝光用光在基板上形成元件图案，且所述掩模包含第一掩模区域，所述第一掩模区域为了形成所述元件图案的至少一部分而经所述曝光用光照射至少两次，根据经由所述第一掩模区域的所述曝光用光的曝光特性在所述基板上的不均一，而对根据所述元件图案所计算出的所述掩模图案的至少一部分进行修正。
根据第九方案，提供一种图案计算方法，计算形成于掩模上的掩模图案，所述掩模用于利用曝光用光在基板上形成元件图案，且所述掩模包含：第三掩模区域，经用以经由第一投影光学系统对所述基板进行曝光的所述曝光用光进行照射；以及第四掩模区域，经用以经由第二投影光学系统对所述基板进行曝光的所述曝光用光进行照射；根据所述第三掩模区域及所述第四掩模区域与所述掩模图案的对应关系，而对根据所述元件图案所计算出的所述掩模图案的至少一部分进行修正。
根据第十方案，提供一种图案计算方法，计算形成于掩模上的掩模图案，所述掩模用于利用曝光用光在基板上形成元件图案，且所述掩模包含第五掩模区域，所述第五掩模区域经用以经由所需的投影光学系统对所述基板进行曝光的所述曝光用光进行照射，根据经由所述第五掩模区域的所述曝光用光的曝光特性在所述基板上的不均一，而对根据所述元件图案所计算出的所述掩模图案的至少一部分进行修正。
根据第十一方案，提供一种掩模，其是使用所述第六方案至第十方案中任一方案的图案计算方法而制造。
根据第十二方案，提供一种掩模，形成有利用所述第六方案至第十方案中任一方案的图案计算方法所计算出的掩模图案。
根据第十三方案，提供一种曝光装置，介隔所述第十一方案或第十二方案的掩模将所述曝光用光照射于所述基板，由此在所述基板上形成所述元件图案。
根据第十四方案，提供一种元件制造方法，使用所述第十三方案的曝光装置对涂布有感光剂的所述基板进行曝光，在所述基板上形成所述元件图案，对经曝光的所述感光剂进行显影，形成与所述元件图案对应的曝光图案层，介隔所述曝光图案层对所述基板进行加工。
根据第十五方案，提供一种计算机程序，使计算机执行所述第六方案至第十方案中任一方案的图案计算方法。
根据第十六方案，提供一种记录媒体，记录有所述第十五方案的计算机程序。
根据第十七方案，提供一种掩模，通过照射区域而经照射，所述照射区域含有来自照明系统的照射量根据第一方向的位置而沿着与所述第一方向交叉的所述第二方向变化的第一区域及与所述第一区域不同的第二区域，并且所述掩模包括：第一电路图案，设于与所述照射区域中所述第一区域对应的区域中；以及第二电路图案，设于与所述第二区域对应的区域中，且根据所述第一电路图案而形成。
根据第十八方案，提供一种掩模，具有通过光学特性不同的多个投影光学系统在物体上进行曝光的既定图案，并且所述掩模包括：第一电路图案，根据所述多个投影光学系统中的第一光学系统的光学特性而形成；以及第二电路图案，根据与所述第一光学系统不同的第二光学系统的光学特性而形成。
本发明的作用及其他优点将根据以下说明的实施形态而明确。
附图说明
[图1]图1为表示本实施形态的曝光装置的总体构造的一例的立体图。
[图2]图2(a)为表示设定于基板上的投影区域的平面图，图2(b)为表示设定于掩模上的照明区域的平面图，图2(c)为表示重复形成于掩模上的多个单位掩模图案部的平面图。
[图3]图3(a)为表示用于制造显示面板的掩模的一具体例的平面图，图3(b)为表示图3(a)所示的掩模的一部分的平面图。
[图4]图4为表示掩模图案计算装置的构造的区块图。
[图5]图5为表示掩模图案计算装置进行的掩模图案的计算运行的流程的流程图。
[图6]图6为表示在图5的步骤S3中，利用掩模中包含多个单位掩模图案部这一情况而计算掩模图案的处理的流程的流程图。
[图7]图7为表示某一个单位掩模图案部的图案布局的一具体例的平面图。
[图8]图8(a)至图8(d)分别为表示相邻的两个单位掩模图案部的位置关系的平面图。
[图9]图9为表示假定单位掩模图案部的一部分邻接于所述单位掩模图案部的状况的平面图。
[图10]图10为表示假定单位掩模图案部的一部分邻接于所述单位掩模图案部的状况的平面图。
[图11]图11为表示通过将单位掩模图案部排列多个而获得的掩模图案的平面图。
[图12]图12为表示通过将掩模图案排列多个而获得的掩模图案群的平面图。
[图13]图13为表示可根据邻接区域的图案布局的差异而区分的多种单位掩模图案群的平面图。
[图14]图14为表示包含单位掩模图案部及邻接于所述单位掩模图案部的周边掩模图案部的至少一部分的复合掩模图案部的平面图。
[图15]图15为表示第二变形例中计算掩模图案的处理的流程的流程图。
[图16]图16为表示假定掩模图案的一部分邻接于所述掩模图案的状况的平面图。
[图17]图17为表示通过将掩模图案排列多个而获得的掩模图案群的平面图。
[图18]图18为表示第三变形例中计算掩模图案的处理的流程的流程图。
[图19]图19(a)为表示形成于基板上的元件图案的一例的平面图，图19(b)至图19(d)分别为表示用以形成图19(a)所示的元件图案的掩模图案的一例的平面图。
[图20]图20为表示第四变形例中计算掩模图案的处理的流程的流程图。
[图21]图21为表示接连曝光区域与将所述接连曝光区域双重曝光的两个投影区域的位置关系的平面图。
[图22]图22为表示用以形成图19(a)所示的元件图案的掩模图案的一例的平面图。
[图23]图23为表示第五变形例中计算掩模图案的处理的流程的流程图。
[图24]图24(a)至图24(c)为表示投影光学系统的像面及投影区域与失真像差的关系的平面图。
[图25]图25(a)为表示存在产生了失真像差的投影光学系统及未产生失真像差的投影光学系统的情形时设定于基板上的投影区域的平面图，图25(b)为表示产生了图25(a)所示的失真像差的情形时的掩模图案的修正内容的一例的平面图。
[图26]图26(a)为表示未产生像场弯曲的投影光学系统的投影区域与曝光量的关系的平面图，图26(b)为表示产生了像场弯曲的投影光学系统的投影区域与曝光量的关系的平面图。
[图27]图27(a)为表示存在产生了像场弯曲的投影光学系统及未产生像场弯曲的投影光学系统的情形时设定于基板上的投影区域的平面图，图27(b)为表示产生了图27(a)所示的像场弯曲的情形时的掩模图案的修正内容的一例的平面图。
[图28]图28为表示使用曝光装置来制造显示面板的元件制造方法的流程的流程图。
具体实施方式
以下，一方面参照图式一方面对图案计算装置、图案计算方法、掩模、曝光装置、元件制造方法、计算机程序和记录媒体进行说明。但是，本发明不限定于以下说明的实施形态。
在以下的说明中，使用由彼此正交的X轴、Y轴及Z轴所定义的XYZ正交座标系而对构成掩模及曝光装置的构成要素的位置关系进行说明。另外，在以下的说明中，为了便于说明，将X轴方向及Y轴方向分别设为水平方向(即水平面内的既定方向)，将Z轴方向设为铅垂方向(即与水平面正交的方向，实质上为上下方向)。另外，将+Z轴方向侧设为上方(上侧)，将-Z轴方向侧设为下方(下侧)。另外，将绕X轴、Y轴及Z轴的旋转方向(换言之倾斜方向)分别称为θX方向、θY方向及θZ方向。
(1)本实施形态的曝光装置1
一方面参照图1及图2(a)～图2(c)，一方面对本实施形态的曝光装置1进行说明。本实施形态的曝光装置1利用形成于掩模131上的掩模图案的像而对涂布有光阻剂(即感光剂)的平板玻璃即基板151进行曝光。通过曝光装置1进行曝光的基板151例如是用于制造显示装置(例如液晶显示器或有机EL显示器等)的显示面板。
(1-1)本实施形态的曝光装置1的构造
首先，一方面参照图1，一方面对本实施形态的曝光装置1的构造加以说明。图1为表示本实施形态的曝光装置1的总体构造的一例的立体图。
如图1所示，曝光装置1具备光源单元11、多个照明光学系统12、掩模台13、多个投影光学系统14、基板台15及控制装置16。
光源单元11射出曝光用光EL。曝光用光EL例如为g射线、h射线及i射线中的至少一个波长带的光。尤其光源单元11将曝光用光EL分支成多束曝光用光EL，所述多束曝光用光EL可对设定于掩模131的有效区域131p(参照下述图2(a)～图2(c))上的多个照明区域IR分别照明。在图1所示的例子中，光源单元11将曝光用光EL分支成可对7个照明区域IR(即照明区域IRa、照明区域IRb、照明区域IRc、照明区域IRd、照明区域IRe、照明区域IRf及照明区域IRg)分别照明的7束曝光用光EL。多束曝光用光EL分别入射至多个照明光学系统12。
多个照明光学系统12构成多透镜(multi lens)型的照明光学系统。在图1所示的例子中，曝光装置1具备7个照明光学系统12(即照明光学系统12a、照明光学系统12b、照明光学系统12c、照明光学系统12d、照明光学系统12e、照明光学系统12f及照明光学系统12g)。照明光学系统12a、照明光学系统12c、照明光学系统12e及照明光学系统12g是以沿着Y轴方向等间隔地排列的方式配置。照明光学系统12b、照明光学系统12d及照明光学系统12f是以沿着Y轴方向等间隔地排列的方式配置。照明光学系统12a、照明光学系统12c、照明光学系统12e及照明光学系统12g是配置于相对于照明光学系统12b、照明光学系统12d及照明光学系统12f沿着X轴方向远离既定量的位置。照明光学系统12a、照明光学系统12c、照明光学系统12e及照明光学系统12g与照明光学系统12b、照明光学系统12d及照明光学系统12f排列成锯齿状。
各照明光学系统12是配置于光源单元11的下方。各照明光学系统12对与各照明光学系统12对应的照明区域IR照射曝光用光EL。具体而言，照明光学系统12a～照明光学系统12g对照明区域IRa～照明区域IRg分别照射曝光用光EL。因此，设定于掩模131上的照明区域IR的个数与曝光装置1所具备的照明光学系统12的个数相同。
掩模台13是配置于多个照明光学系统12的下方。掩模台13可保持掩模131。掩模台13可释放(release)所保持的掩模131。掩模131例如是由一边或对角为500mm以上的矩形的玻璃板所构成。在掩模131上形成有与应转印于基板151上的元件图案对应的掩模图案。更具体而言，在掩模11上形成有如下掩模图案，所述掩模图案可形成用以对基板151进行曝光的像(例如空间像或曝光图案)以将元件图案形成于基板151上。
掩模台13可在保持有掩模131的状态下沿着包含多个照明区域IR的平面(例如XY平面)而移动。掩模台13可沿着X轴方向而移动。例如，掩模台13可通过包含任意马达的掩模台驱动系统的运行而沿着X轴方向移动。掩模台13也可除了可沿着X轴方向移动以外，还可沿着Y轴方向、Z轴方向、θX方向、θY方向及θZ方向中的至少一个而移动。
多个投影光学系统14构成多透镜型的投影光学系统。在图1所示的例子中，曝光装置1具备7个投影光学系统14(即投影光学系统14a、投影光学系统14b、投影光学系统14c、投影光学系统14d、投影光学系统14e、投影光学系统14f及投影光学系统14g)。曝光装置1所具备的投影光学系统14的个数与曝光装置1所具备的照明光学系统12的个数相同。投影光学系统14a、投影光学系统14c、投影光学系统14e及投影光学系统14g是以沿着Y轴方向而大致等间隔地排列的方式配置。投影光学系统14b、投影光学系统14d及投影光学系统14f是以沿着Y轴方向而大致等间隔地排列的方式配置。投影光学系统14a、投影光学系统14c、投影光学系统14e及投影光学系统14g是配置于相对于投影光学系统14b、投影光学系统14d及投影光学系统14f沿着X轴方向远离既定量的位置。投影光学系统14a、投影光学系统14c、投影光学系统14e及投影光学系统14g与投影光学系统14b、投影光学系统14d及投影光学系统14f排列成锯齿状。
各投影光学系统14是配置于掩模台13的下方。各投影光学系统14将照射至与各投影光学系统14对应的照明区域IR中的曝光用光EL(即，形成于设定有照明区域IR的掩模131的有效区域131p中的掩模图案的像)，投影至与各投影光学系统14对应地设定于基板151上的投影区域PR中。具体而言，投影光学系统14a将照射至照明区域IRa中的曝光用光EL(即，形成于设定有照明区域IRa的掩模131的有效区域131p中的掩模图案的像)，投影至设定于基板151上的投影区域PRa中。对于投影光学系统14b～投影光学系统14g而言也相同。
各投影光学系统14具备视场光阑144。视场光阑144在基板151上设定投影区域PR。在视场光阑144中形成有具有与Y轴方向平行的上边及底边的梯形状的开口。结果，在基板151上设定具有与Y轴方向平行的上边及底边的梯形状的投影区域PR。
基板台15是配置于多个投影光学系统14的下方。基板台15可保持基板151。基板台15能以基板151的上表面与XY平面平行的方式保持基板151。基板台15可释放所保持的基板151。基板151例如为几米(m)见方的玻璃基板。
基板台15可在保持有基板151的状态下沿着包含投影区域PR的平面(例如XY平面)而移动。基板台15可沿着X轴方向而移动。例如，基板台15也可通过包含任意马达的基板台驱动系统的运行而沿着X轴方向移动。基板台15也可除了可沿着X轴方向移动以外，还可沿着Y轴方向、Z轴方向、θX方向、θY方向及θZ方向中的至少一个而移动。
控制装置16可控制曝光装置1的运行。控制装置16例如具备中央处理器(CentralProcessing Unit，CPU)、只读存储器(Read Only Memory，ROM)或随机存取存储器(RondomAccess Memory，RAM)等。
控制装置16控制掩模台驱动系统，以使掩模台13以所需的第一移动方案移动(结果，掩模131以所需的第一移动方案移动)。控制装置16控制基板台驱动系统，以使基板台15以所需的第二移动方案移动(结果，基板151以所需的第二移动方案移动)。例如，控制装置16控制掩模台驱动系统及基板台驱动系统，以进行步进扫描(step-and-scan)方式的曝光。即，控制装置16控制掩模台驱动系统及基板台驱动系统，以在对掩模131上的照明区域IR照射有曝光用光EL的状态下，使保持掩模131的掩模台13与保持基板151的基板台15同步地沿着既定的扫描方向移动。结果，将形成于掩模131上的掩模图案转印至基板151上。在以下的说明中，掩模台13及基板台15同步地移动的扫描方向为X轴方向，将与X轴方向正交的Y轴方向适当称为“非扫描方向”。
另外，使用图1及图2(a)～图2(c)所说明的曝光装置1的构造为一例。因此，也可将曝光装置1的构造的至少一部分适当改变。例如，曝光装置1也可具备6个以下或8个以上的照明光学系统12。例如，曝光装置1也可具备6个以下或8个以上的投影光学系统14。
或者，曝光装置1也可具备单一的照明光学系统12。曝光装置1也可具备单一的投影光学系统14。然而，在曝光装置1具备单一的投影光学系统14的情形时，在掩模131上也可不设定下述接连图案区域131a及非接连图案区域131b，在基板151上也可不设定下述接连曝光区域151a及非接连曝光区域151b。
(1-2)照明区域IR及投影区域PR的配置
继而，一方面参照图2(a)～图2(c)，一方面对设定于掩模131上的照明区域IR及设定于基板151上的投影区域RP进行说明。图2(a)为表示设定于基板151上的投影区域PR的平面图。图2(b)为表示设定于掩模131上的照明区域IR的平面图。图2(c)为表示重复形成于掩模131上的单位掩模图案部MPp的平面图。
如图2(a)所示，在基板151上设定有个数与曝光装置1所具备的投影光学系统14的个数相同的投影区域PR。在本实施形态中，曝光装置1具备7个投影光学系统14，因此在基板151上设定有7个投影区域PR(即投影区域PRa、投影区域PRb、投影区域PRc、投影区域PRd、投影区域PRe、投影区域PRf及投影区域PRg)。投影光学系统14a设定通过投影光学系统14a将照射至照明区域IRa中的曝光用光EL进行投影的投影区域PRa。投影光学系统14b设定通过投影光学系统14b将照射至照明区域IRb中的曝光用光EL进行投影的投影区域PRb。投影光学系统14c设定通过投影光学系统14c将照射至照明区域IRc中的曝光用光EL进行投影的投影区域PRc。投影光学系统14d设定通过投影光学系统14d将照射至照明区域IRd中的曝光用光EL进行投影的投影区域PRd。投影光学系统14e设定通过投影光学系统14e将照射至照明区域IRe的曝光用光EL进行投影的投影区域PRe。投影光学系统14f设定通过投影光学系统14f将照射至照明区域IRf中的曝光用光EL进行投影的投影区域PRf。投影光学系统14g设定通过投影光学系统14g将照射至照明区域IRg中的曝光用光EL进行投影的投影区域PRg。
投影区域PRa、投影区域PRc、投影区域PRe及投影区域PRg为+X侧的边成为底边的梯形状的区域。投影区域PRb、投影区域PRd及投影区域PRf为-X侧的边成为底边的梯形状的区域。投影区域PRa、投影区域PRc、投影区域PRe及投影区域PRg是设定于相对于投影区域PRb、投影区域PRd及投影区域PRf沿着X轴方向远离第一既定量的位置。投影区域PRa、投影区域PRc、投影区域PRe及投影区域PRg与投影区域PRb、投影区域PRd及投影区域PRf设定为锯齿状。
各投影区域PR包含由相对于X轴方向而倾斜的边所规定的两个端部(以下，适当称为“倾斜部”)。然而，对于投影区域PRa的-Y侧的边及投影区域PRg的+Y侧的边而言，因曝光用光EL被包围掩模131的有效区域131p的遮光带131s(参照图2(b))所遮蔽，故并未相对于X轴方向而倾斜。因此，投影区域PRa及投影区域PRg各自包含单一的倾斜部。
投影区域PRa的+Y侧的倾斜部沿着X轴方向而与投影区域PRb的-Y侧的倾斜部重叠(换言之为邻接，以下相同)。投影区域PRb的+Y侧的倾斜部沿着X轴方向而与投影区域PRc的-Y侧的倾斜部重叠。投影区域PRc的+Y侧的倾斜部沿着X轴方向而与投影区域PRd的-Y侧的倾斜部重叠。投影区域PRd的+Y侧的倾斜部沿着X轴方向而与投影区域PRe的-Y侧的倾斜部重叠。投影区域PRe的+Y侧的倾斜部沿着X轴方向而与投影区域PRf的-Y侧的倾斜部重叠。投影区域PRf的+Y侧的倾斜部沿着X轴方向而与投影区域PRg的-Y侧的倾斜部重叠。
沿着X轴方向而重叠的两个倾斜部在基板151上规定接连曝光区域151a，所述接连曝光区域151a在一次扫描曝光运行中通过所述两个倾斜部而经曝光用光EL投影两次。即，沿着X轴方向而重叠的两个倾斜部在基板151上规定在一次扫描曝光运行中通过所述两个倾斜部而经双重曝光的接连曝光区域151a。另一方面，基板151的表面中接连曝光区域151a以外的非接连曝光区域151b成为在一次扫描曝光运行中经曝光用光EL投影一次的区域。各投影区域PR的倾斜部是以沿着X轴方向重叠的两个倾斜部的沿着X轴方向的宽度的总和与各投影区域PR的沿着X轴方向的宽度(即，倾斜部以外的区域部分的沿着X轴方向的宽度)相同的方式设定。结果，经双重曝光的接连曝光区域151a的曝光量与未经双重曝光的非接连曝光区域151b的曝光量实质上相同。因此，将对多个投影区域PR投影的掩模图案的像相对高精度地相连。
接连曝光区域151a为矩形的区域。接连曝光区域151a为X轴方向(即扫描方向)成为长边方向且Y轴方向(即非扫描方向)成为短边方向的区域。接连曝光区域151a为沿着X轴方向而延伸的区域。在基板151上设定有沿着Y轴方向而等间隔地排列的多个接连曝光区域151a(图2(a)所示的例子中为6个接连曝光区域151a)。
非接连曝光区域151b为矩形的区域。非接连曝光区域151b为X轴方向成为长边方向且Y轴方向成为短边方向的区域。非接连曝光区域151b为沿着X轴方向而延伸的区域。在基板151上设定有沿着Y轴方向而等间隔地排列的多个非接连曝光区域151b(图2(a)所示的例子中为7个非接连曝光区域151b)。
另一方面，如图2(b)所示，在掩模131上设定有个数与曝光装置1所具备的照明光学系统12的个数相同的照明区域IR。本实施形态中，曝光装置1具备7个照明光学系统14，因此在掩模131上设定有7个照明区域IR(即照明区域IRa、照明区域IRb、照明区域IRc、照明区域IRd、照明区域IRe、照明区域IRf及照明区域IRg)。照明光学系统12a对照明区域IRa照射曝光用光EL。照明光学系统12b对照明区域IRb照射曝光用光EL。照明光学系统12c对照明区域IRc照射曝光用光EL。照明光学系统12d对照明区域IRd照射曝光用光EL。照明光学系统12e对照明区域IRe照射曝光用光EL。照明光学系统12f对照明区域IRf照射曝光用光EL。照明光学系统12g对照明区域IRg照射曝光用光EL。
各投影光学系统14的物体面侧的视场是通过各投影光学系统14所具备的视场光阑144而规定。因此，各照明区域IR是指与视场光阑144光学共轭的区域。
本实施形态中，各投影光学系统14将掩模图案的等倍的直立正像投影至基板151上。因此，照明区域IRa～照明区域IRg的形状及排列与投影区域PRa～投影区域PRg的形状及排列分别相同。因此，各照明区域IR包含由相对于X轴方向而倾斜的边所规定的两个端部(以下适当称为“倾斜部”)。沿着X轴方向而重叠的两个倾斜部在掩模131上规定接连图案区域131a，所述接连图案区域131a在一次扫描曝光运行中通过所述两个倾斜部而经曝光用光EL照射两次。即，沿着X轴方向而重叠的两个照明区域IR的两个倾斜部在掩模131上规定在一次扫描曝光运行中通过所述两个倾斜部而经双重照明的接连图案区域131a。另一方面，有效区域131p中接连图案区域131a以外的非接连图案区域131b成为在一次扫描曝光运行中经曝光用光EL照明一次的区域。
接连图案区域131a为与接连曝光区域151a对应的区域。即，照明接连图案区域131a的曝光用光EL通过接连图案区域131a而照射于接连曝光区域151a。另一方面，非接连图案区域131b为与非接连曝光区域151b对应的区域。即，照明非接连图案区域131b的曝光用光EL通过非接连图案区域131b而照射于非接连曝光区域151b。
接连图案区域131a为矩形的区域。接连图案区域131a为X轴方向(即扫描方向)成为长边方向且Y轴方向(即非扫描方向)成为短边方向的区域。接连图案区域131a为沿着X轴方向而延伸的区域。在掩模131上设定有沿着Y轴方向而等间隔地排列的多个接连图案区域131a(图3(b)所示的例子中为6个接连图案区域131a)。
非接连图案区域131b为矩形的区域。非接连图案区域131b为X轴方向成为长边方向且Y轴方向成为短边方向的区域。非接连图案区域131b为沿着X轴方向而延伸的区域。在掩模131上设定有沿着Y轴方向而等间隔地排列的多个非接连图案区域131b(图3(b)所示的例子中为7个非接连图案区域131b)。
例如，形成于掩模131上的掩模图案如图2(c)所示，包含沿着Y轴方向重复规则地形成且分别为相同掩模图案的多个单位掩模图案部1311u。多个单位掩模图案部1311u形成于有效区域131p的至少一部分。即，有效区域131p的至少一部分包含沿着X轴方向及Y轴方向的至少其中之一而重复规则地形成有多个单位掩模图案部1311u的重复区域。另外，图2(c)所示的例子中，多个单位掩模图案部1311u是沿着X轴方向及Y轴方向两者而重复规则地形成。
在所述情形时，沿着Y轴方向相邻的两个接连图案区域131a的间隔D1较沿着Y轴方向相邻的两个单位掩模图案部1311u的间隔D2更长。接连图案区域131a沿着Y轴方向出现的频率低于单位掩模图案部1311u沿着Y轴方向出现的频率。沿着Y轴方向的接连图案区域131a的排列周期较沿着Y轴方向的单位掩模图案部1311u的排列周期更长。
通过经由单位掩模图案部1311u的曝光用光EL，而在基板151上形成与单位掩模图案部1311u对应的单位元件图案部1511u。因此，通过经由包含重复规则地形成(即排列)的多个单位掩模图案部1311u的掩模131的曝光用光EL，而在基板151上形成包含重复规则地排列的多个单位元件图案部1511u的元件图案。
如上所述那样通过曝光装置1进行曝光的基板151例如是用于制造显示面板。在所述情形时，单位掩模图案部1311u为用以在基板151上形成构成显示面板的各像素(即各显示像素)的掩模图案。即，单位掩模图案部1311u为用以在基板151上形成各像素内所形成的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)器件等电路器件、彩色滤光片、黑色矩阵、触摸屏电路器件等的掩模图案。进而，单位元件图案部1511u为各像素的元件图案。
一方面参照图3(a)及图3(b)，一方面对用于制造此种显示面板的掩模131的一具体例加以说明。图3(a)为表示用于制造显示面板的掩模131的一具体例的平面图。图3(b)为表示图3(a)所示的掩模131的一部分的平面图。
如图3(a)所示，掩模131中(特别是由遮光区域131s所包围的有效区域131p中)，形成有包含多个相同掩模图案1311d的掩模图案群1311g。各掩模图案1311d为用以制造一台显示面板的掩模图案。即，各掩模图案1311d为与一台显示面板的元件图案对应的掩模图案。因此，图3(a)所示的掩模131是用于由一片基板151制造多个相同的显示面板。在图3(a)所示的例子中，在掩模131中形成有8个掩模图案1311d。因此，图3(a)所示的掩模131是用于由一片基板151制造8个相同的显示面板。
各掩模图案1311d如图3(b)所示，包含用以在基板151上分别形成一台显示面板的多个像素的多个单位掩模图案部1311u。以下，将多个单位掩模图案部1311u的集合适当称为“像素掩模图案部1311p”。各掩模图案1311d进而包含用以在基板151上形成周边电路等的周边掩模图案部1311s，所述周边电路等是配置于配置有多个像素的像素区域的周边。图3(b)表示周边掩模图案部1311s包含用以形成自多个像素伸出的配线(例如将多个像素与驱动电路连接的配线)的掩模图案的例子。另外，在图3(b)所示的例子中，将周边掩模图案部1311s配置于像素掩模图案部1311p的-X侧。然而，也可根据周边电路等的配置位置，将周边掩模图案部1311s配置于像素掩模图案部1311p的+X侧、-Y侧及+Y侧的至少一侧。
此种掩模131是如以下那样制造。首先，通过下述掩模图案计算装置2来计算与元件图案对应的掩模图案(在图3(a)～图3(b)所示的例子中为包含多个掩模图案1311d的掩模图案群1311g)。另外，所谓此处所提及的“掩模图案的计算”，是指决定掩模图案的内容(即图案布局)，实质上与表示掩模图案的内容的掩模图案数据的生成等价。然后，将所计算出的掩模图案实际形成于未形成有掩模图案的空白掩模(mask blanks)。具体而言，例如电子束曝光装置等根据所计算出的掩模图案而对涂布有感光材料的空白掩模进行曝光。然后，对经曝光的空白掩模进行显影，由此在空白掩模上形成与掩模图案对应的感光材料的图案层。然后，介隔感光材料的图案层对空白掩模(特别是空白掩模所具备的遮光膜)进行加工。结果，制造形成有与元件图案对应的掩模图案的掩模131。
(2)本实施形态的掩模图案计算装置2
继而，一方面参照图4～图12，一方面对计算形成于掩模131上的掩模图案的掩模图案计算装置2进行说明。
(2-1)掩模图案计算装置2的构造
首先，一方面参照图4，一方面对掩模图案计算装置2的构造进行说明。图4为表示掩模图案计算装置2的构造的区块图。
如图4所示，掩模图案计算装置2具备中央处理器(Central Processing Unit，CPU)21、存储器22、输入部23、操作设备24及显示设备25。
CPU 21控制掩模图案计算装置2的运行。CPU 21计算掩模图案而生成掩模图案数据。即，CPU 21设计掩模布局。具体而言，CPU 21根据表示元件图案的内容(即图案布局)的元件图案数据，计算满足所需计算条件的掩模图案。具体而言，CPU 21对用以计算满足所需计算条件的掩模图案的最佳化问题或数理规划问题求解，由此计算掩模图案。所需计算条件的一具体例可列举：使曝光量(DOSE量)及焦点深度(Depth Of Focus，DOF)最佳化(所谓使工艺窗口(process window)最佳化)的条件。另外，使曝光量及焦点深度最佳化的条件是指将曝光量设定为第一所需量且将焦点深度设定为第二所需量的条件。
CPU 21也可实质上作为电子设计自动化(Electronic Design Automation，EDA)工具而发挥功能。例如，CPU 21也可通过执行用以使CPU 21进行所述掩模图案的计算运行的计算机程序，而作为EDA工具发挥功能。
存储器22存储用以使CPU 21进行掩模图案的计算运行的计算机程序。然而，用以使CPU 21进行掩模图案的计算运行的计算机程序也可记录于外部的记忆装置(例如硬盘或光盘)等中。存储器22进而暂时存储CPU 21进行掩模图案的计算运行的期间中生成的中间数据。
输入部23接受用于使CPU 21进行掩模图案的计算运行的各种数据的输入。此种数据的一例可列举：表示对基板151应形成的元件图案的元件图案数据等。然而，掩模图案计算装置2也可不具备输入部23。
操作设备24接受用户对掩模图案计算装置2的操作。操作设备24例如包含键盘、鼠标及触摸屏的至少一个。CPU 21也可根据操作设备24所接受的用户的操作，进行掩模图案的计算运行。然而，掩模图案计算装置2也可不具备操作设备24。
显示设备25可显示所需的信息。例如，显示设备25也可直接或间接地显示表示掩模图案计算装置2的状态的信息。例如，显示设备25也可直接或间接地显示掩模图案计算装置2正计算的掩模图案。例如，显示设备25也可直接或间接地显示与掩模图案的计算运行有关的任意信息。然而，掩模图案计算装置2也可不具备显示设备25。
(2-2)掩模图案的计算运行
继而，一方面参照图5，一方面对掩模图案计算装置2进行的掩模图案的计算运行进行说明。图5为表示掩模图案计算装置2进行的掩模图案的计算运行的流程的流程图。
如图5所示，掩模图案计算装置2所具备的CPU 21取得表示元件图案的元件图案数据(步骤S1)。元件图案数据为表示以满足既定的设计规则(design rule)的方式经调整的元件图案的内容(即图案布局)的数据，是作为所谓元件设计(换言之为电路设计)的结果而取得。既定的设计规则例如可列举线或孔的最小宽度、或者两条线或两个孔之间的最小空间作为一例。
与步骤1的处理同时，CPU 21设定状态变量，所述状态变量表示利用经由掩模131的曝光用光EL在基板151上形成元件图案时的曝光装置1的状态(步骤S2)。
例如，CPU 21也可设定与照明光学系统12有关的状态变量。与照明光学系统12有关的状态变量为规定光源单元11的状态(例如照明光学系统12的光瞳面上的光强度分布、照明光学系统12的光瞳面上的光的偏光状态的分布等)的可调整或经固定的参数。此种与照明光学系统12有关的状态变量的一具体例可列举：与照明光学系统12的照明图案的形状(即曝光用光EL的射出图案的形状)有关的状态变量、与σ值有关的状态变量及与曝光用光EL1的光强度有关的状态变量中的至少一个。
例如，CPU 21也可设定与投影光学系统14有关的状态变量。与投影光学系统14有关的状态变量为规定投影光学系统14的状态(例如像差或延迟(retardation)等光学特性)的可调整或经固定的参数。此种与投影光学系统14有关的状态变量的一具体例可列举：与投影光学系统14所投影的曝光用光EL的波面形状有关的状态变量、与投影光学系统14所投影的曝光用光EL的强度分布有关的状态变量及与投影光学系统14所投影的曝光用光EL的相移量(或相位)有关的状态变量中的至少一个。
然后，CPU 21计算掩模图案，所述掩模图案可形成将步骤S1中所取得的元件图案数据所表示的元件图案形成于基板151上的像(步骤S3)。此时，CPU 21计算如下掩模图案，所述掩模图案可在处于步骤S2中设定的状态变量所表示的状态的曝光装置1照射曝光用光EL的状况下满足所述计算条件。因此，CPU 21每当计算掩模图案时，判定所述所计算出的掩模图案是否满足计算条件。在所计算出的掩模图案不满足计算条件的情形时，CPU 21重复进行变更掩模图案(换言之调整所计算出的掩模图案)的运行直至满足计算条件为止。然而，CPU 21也可除了变更掩模图案以外或取而代之而变更状态变量。在所述情形时，CPU 21计算如下掩模图案，所述掩模图案可在处于变更后的状态变量所表示的状态的曝光装置1照射曝光用光EL的状况下满足所述计算条件。
本实施形态中，尤其CPU 21在图5的步骤S3中计算掩模图案时，利用掩模131中包含(即形成有)多个单位掩模图案部1311u这一情况，相对有效率地计算掩模图案。以下，一方面参照图6，一方面对在图5的步骤S3中利用掩模131中包含多个单位掩模图案部1311u这一情况来计算掩模图案的处理进行进一步说明。图6为表示在图5的步骤S3中，利用掩模131中包含多个单位掩模图案部1311u这一情况来计算掩模图案的处理的流程的流程图。另外，为了便于说明，在使用图6的说明中，使用计算图3(a)及图3(b)所示的掩模图案的运行来进行说明，但图6所示的处理可在计算任意掩模图案时应用。
如图6所示，CPU 21根据元件图案数据而取得单位元件图案部1511u的图案布局(步骤S311)。另外，虽然元件图案中包含多个单位元件图案部1511u，但多个单位元件图案部1511u的图案布局相同，故CPU 21只要取得一个单位元件图案部1511u的图案布局即可。
然后，CPU 21根据步骤S311中取得的一个单位元件图案部1511u的图案布局，计算一个单位掩模图案部1311u的图案布局(步骤S312)。即，CPU 21首先计算一个单位掩模图案部1311u的图案布局，而代替汇总计算包含多个单位掩模图案部1311u的像素掩模图案部1311p。
本实施形态中，CPU 21在步骤S312中计算一个单位掩模图案部1311u的图案布局时，利用掩模131中包含多个单位掩模图案部1311u这一情况。具体而言，如上文所述，CPU21应计算的掩模图案中包含重复规则地排列的多个单位掩模图案部1311u。多个单位掩模图案部1311u的图案布局相同。于是，在掩模131上，某个单位掩模图案部1311u自身的一部分理应邻接于所述某个单位掩模图案部1311u。
例如，图7表示某一个单位掩模图案部1311u的图案布局，所述某一个单位掩模图案部1311u用于形成与显示面板的一个像素对应的某一个单位元件图案部1511u。包含用以形成某一个像素所含的TFT器件的掩模图案及用以形成某一个像素所包含且与所述TFT器件相连的信号线(例如栅极线或数据线等)的掩模图案。然而，用以形成TFT器件的扫描曝光运行与用以形成信号线的扫描曝光运行通常是使用不同的掩模131分别进行。因此，图案计算装置2实际上分别计算包含用以形成TFT器件的单位掩模图案部1311u的掩模图案、与包含用以形成信号线的单位掩模图案部1311u的掩模图案。然而，本实施形态中，为了便于说明，在图7(进而以下的图8(a)～图10)中，为了容易地理解多个单位掩模图案部1311u的重复排列而进行图示，使用包含用以形成TFT器件的掩模图案及用以形成信号线的掩模图案的单位掩模图案部1311u来进行说明。
在图7所示的例子中，单位掩模图案部1311u在XY平面上的形状成为矩形(例如长方形或正方形)。即，单位掩模图案部1311u在掩模131上所占的区域在XY平面上的形状成为矩形。在掩模131上，将此种单位掩模图案部1311u沿着X轴方向及Y轴方向两者重复规则地排列有多个。即，在掩模131上，将多个此种单位掩模图案部1311u排列成矩阵状。
在所述情形时，如图8(a)所示，单位掩模图案部1311u-2邻接于单位掩模图案部1311u-1的+X侧。单位掩模图案部1311u-2的图案布局与单位掩模图案部1311u-1的图案布局相同。因此实质上，在单位掩模图案部1311u-1的+X侧外缘(或边，以下相同)，邻接有作为包含所述单位掩模图案部1311u-1的-X侧外缘的单位掩模图案部1311u-1的一部分的邻接掩模图案部1311n。
同样地，如图8(b)所示，单位掩模图案部1311u-3邻接于单位掩模图案部1311u-1的-X侧。单位掩模图案部1311u-3的图案布局与单位掩模图案部1311u-1的图案布局相同。因此实质上，在单位掩模图案部1311u-1的-X侧外缘，作为包含所述单位掩模图案部1311u-1的+X侧外缘的单位掩模图案部1311u-1的一部分的邻接掩模图案部1311n邻接。
同样地，如图8(c)所示，单位掩模图案部1311u-4邻接于单位掩模图案部1311u-1的-Y侧。单位掩模图案部1311u-4的图案布局与单位掩模图案部1311u-1的图案布局相同。因此实质上，在单位掩模图案部1311u-1的-Y侧外缘，作为包含所述单位掩模图案部1311u-1的+Y侧外缘的单位掩模图案部1311u-1的一部分的邻接掩模图案部1311n邻接。
同样地，如图8(d)所示，单位掩模图案部1311u-5邻接于单位掩模图案部1311u-1的+Y侧。单位掩模图案部1311u-5的图案布局与单位掩模图案部1311u-1的图案布局相同。因此实质上，在单位掩模图案部1311u-1的+Y侧外缘，作为包含所述单位掩模图案部1311u-1的-Y侧外缘的单位掩模图案部1311u-1的一部分的邻接掩模图案部1311n邻接。
考虑到此种单位掩模图案部1311u的一部分可成为邻接于所述单位掩模图案部1311u的邻接掩模图案部1311n，CPU 21假定(换言之视为)欲计算的一个单位掩模图案部1311u的一部分作为邻接掩模图案部1311n而邻接于所述一个单位掩模图案部1311u。例如也可如图9所示，CPU 21假定邻接掩模图案部1311n沿着单位掩模图案部1311的各边延伸的方向(即，X轴方向及Y轴方向的至少其中之一)而邻接于单位掩模图案部1311u。具体而言，CPU 21也可假定：(i)在单位掩模图案部1311u的+X侧外缘，包含所述单位掩模图案部1311u的-X侧外缘的邻接掩模图案部1311n-1邻接；(ii)在单位掩模图案部1311u的-X侧外缘，包含所述单位掩模图案部1311u的+X侧外缘的邻接掩模图案部1311n-2邻接；(iii)在单位掩模图案部1311u的+Y侧外缘，包含所述单位掩模图案部1311u的-Y侧外缘的邻接掩模图案部1311n-3邻接；(iv)在单位掩模图案部1311u的-Y侧外缘，包含所述单位掩模图案部1311u的+Y侧外缘的邻接掩模图案部1311n-4邻接。或者也可如图10所示，CPU 21假定：邻接掩模图案部1311n除了沿着图9所示的单位掩模图案部1311的各边延伸的方向以外(或者取而代之)，还沿着单位掩模图案部1311u的对角方向(即，在XY平面上与X轴方向及Y轴方向两者交叉的方向)而邻接于单位掩模图案部1311u。具体而言，CPU21也可假定：(i)沿着单位掩模图案部1311u的对角方向，在单位掩模图案部1311u的+X侧且+Y侧的外缘(例如顶点，以下在本文中相同)，包含所述单位掩模图案部1311u的-X侧且-Y侧的外缘的邻接掩模图案部1311n-5邻接；(ii)在单位掩模图案部1311u的-X侧且+Y侧的外缘，包含所述单位掩模图案部1311u的+X侧且-Y侧的外缘的邻接掩模图案部1311n-6邻接；(iii)在单位掩模图案部1311u的+X侧且-Y侧的外缘，包含所述单位掩模图案部1311u的-X侧且+Y侧的外缘的邻接掩模图案部1311n-7邻接；(iv)在单位掩模图案部1311u的-X侧且-Y侧的外缘，包含所述单位掩模图案部1311u的+X侧且+Y侧的外缘的邻接掩模图案部1311n-8邻接。
在此种假定的状况下，CPU 21考虑邻接掩模图案部1311n的影响而计算一个单位掩模图案部1311u的图案布局。作为一例，CPU 21根据单位元件图案部1511u，首先以满足所述计算条件的方式而计算与所述单位元件图案部1511u对应的单位掩模图案部1311u。即，CPU 21首先不考虑多个单位掩模图案部1311u的重复排列，而计算单位掩模图案部1311u。在所述时刻，掩模图案部1311u是不考虑邻接掩模图案部1311n的存在(即，在假定邻接掩模图案部1311n不邻接于单位掩模图案部1311u的基础上)而进行计算。然而，实际上邻接掩模图案部1311n(即，其他单位掩模图案部1311u的一部分)邻接于单位掩模图案部1311u。因此，经由单位掩模图案部1311u的曝光用光EL有可能不仅受到曝光用光EL自身所通过的单位掩模图案部1311u的影响，而且还受到邻接掩模图案部1311n的影响。故而，经由不考虑邻接掩模图案部1311n的存在而计算出的单位掩模图案部1311u的曝光用光EL有可能因邻接掩模图案部1311n的影响，而无法在基板151上形成可形成单位元件图案部1511u的像。因此，CPU 21假定所计算出的单位掩模图案部1311u的一部分作为邻接掩模图案部1311n而邻接于所计算出的单位掩模图案部1311u。然后，CPU 21推定邻接掩模图案部1311n的存在对利用经由单位掩模图案部1311u的曝光用光EL进行的单位元件图案部1511u的形成所造成的影响，以抵消所述影响且也满足所述计算条件的方式，对单位掩模图案部1311u的至少一部分进行修正。即，CPU 21以即便在存在邻接掩模图案部1311n的情形时，也可与不存在邻接掩模图案部1311n的情形同样地形成可形成适当的单位元件图案部1511u的像的方式，对单位掩模图案部1311u的至少一部分进行修正。另外，单位掩模图案部1311u的至少一部分的修正包括单位掩模图案部1311u的至少一部分的线宽的调整、单位掩模图案部1311u的至少一部分的延伸方向的调整、单位掩模图案部1311u的至少一部分的去除及对单位掩模图案部1311u的至少一部分的新掩模图案的追加。
再次在图6中，在计算单位掩模图案部1311u之后(或之前或同时)，CPU 21根据元件图案数据而取得相当于周边电路的元件图案的周边元件图案部1511s的图案布局(步骤S313)。然后，CPU 21根据步骤S313中取得的周边元件图案部1511s，计算周边掩模图案部1311s的图案布局(步骤S314)。
此后，CPU 21将步骤S312中计算出的单位掩模图案部1311u重复规则地排列多个(步骤S315)。具体而言，CPU 21根据图5的步骤S1中取得的元件图案数据，确定元件图案所含的多个单位元件图案部1511u的排列方案。然后，CPU 21按照所确定的多个单位元件图案部1511u的排列方案，排列多个单位掩模图案部1311u。结果，计算出包含多个单位掩模图案部1311u的像素掩模图案部1311p(参照图3(b))的图案布局。其后，CPU 21针对所计算出的像素掩模图案部1311p，配置步骤S314中计算出的周边掩模图案部1311s(步骤S315)。结果如图11所示，计算出包含多个单位掩模图案部1311u的掩模图案1311d的图案布局(步骤S315)。
然后，CPU 21将步骤S315中计算出的掩模图案1311d排列多个(步骤S316)。结果，如图12所示，计算出包含多个掩模图案1311d的掩模图案群1311g(即，掩模131上的掩模图案)。
如以上所说明，在本实施形态中，CPU 21可利用掩模131中包含多个单位掩模图案部1311u这一情况而计算掩模图案。因此，CPU 21可有效率地计算掩模图案。
另外，所述图6的步骤S316的处理为计算含有多个掩模图案1311d的掩模131的掩模图案时进行的处理，所述掩模图案1311d包含多个单位掩模图案部1311u。然而，图案计算装置2也可计算仅含有一个掩模图案1311d的掩模131的掩模图案，所述掩模图案1311d包含多个单位掩模图案部1311u。在所述情形时，也可不进行所述图6的步骤S316的处理。
(3)变形例
继而，对所述掩模图案的计算运行的变形例进行说明。
(3-1)第一变形例
在所述说明中，CPU 21计算一个单位掩模图案部1311u，并通过将所述所计算出的单位掩模图案部1311u排列多个而计算掩模图案1311d。另一方面，在第一变形例中，CPU 21计算互不相同的多种单位掩模图案部1311u。
具体而言，如图13所示，掩模图案1311d所含的多个单位掩模图案部1311u各自可分类至多种单位掩模图案群1311ud，所述多种单位掩模图案群1311ud可根据与其他单位掩模图案部1311u的邻接位置的差异而区分。在图13所示的例子中，例如多个单位掩模图案部1311u各自可分类至9种单位掩模图案群1311ud-1～单位掩模图案群1311ud-9的任一个。其他单位掩模图案部1311u在+X侧、-X侧、+Y侧及-Y侧分别邻接的单位掩模图案部1311u属于单位掩模图案群1311ud-1。其他单位掩模图案部1311u在+X侧、-X侧及+Y侧分别邻接，一方面其他单位掩模图案部1311u在-Y侧不邻接的单位掩模图案部1311u属于单位掩模图案群1311ud-2。其他单位掩模图案部1311u在+X侧、-X侧及-Y侧分别邻接，一方面其他单位掩模图案部1311u在+Y侧不邻接的单位掩模图案部1311u属于单位掩模图案群1311ud-3。其他单位掩模图案部1311u在-X侧、+Y侧及-Y侧分别邻接，一方面其他单位掩模图案部1311u在+X侧不邻接的单位掩模图案部1311u属于单位掩模图案群1311ud-4。其他单位掩模图案部1311u在+X侧、+Y侧及-Y侧分别邻接，一方面其他单位掩模图案部1311u在-X侧不邻接的单位掩模图案部1311u属于单位掩模图案群1311ud-5。其他单位掩模图案部1311u在+X侧及+Y侧分别邻接，一方面其他单位掩模图案部1311u在-X侧及-Y侧分别不邻接的单位掩模图案部1311u属于单位掩模图案群1311ud-6。其他单位掩模图案部1311u在+X侧及-Y侧分别邻接，一方面其他单位掩模图案部1311u在-X侧及+Y侧分别不邻接的单位掩模图案部1311u属于单位掩模图案群1311ud-7。其他单位掩模图案部1311u在-X侧及+Y侧分别邻接，一方面其他单位掩模图案部1311u在+X侧及-Y侧分别不邻接的单位掩模图案部1311u属于单位掩模图案群1311ud-8。其他单位掩模图案部1311u在-X侧及-Y侧分别邻接，一方面其他单位掩模图案部1311u在+X侧及+Y侧分别不邻接的单位掩模图案部1311u属于单位掩模图案群1311ud-9。
CPU 21计算属于不同的多种单位掩模图案群1311ud的多种单位掩模图案部1311u。在图13所示的例中，CPU 21计算属于单位掩模图案群1311ud-1的一个单位掩模图案部1311u-11、属于单位掩模图案群1311ud-2的一个单位掩模图案部1311u-12、属于单位掩模图案群1311ud-3的一个单位掩模图案部1311u-13、属于单位掩模图案群1311ud-4的一个单位掩模图案部1311u-14、属于单位掩模图案群1311ud-5的一个单位掩模图案部1311u-15、属于单位掩模图案群1311ud-6的一个单位掩模图案部1311u-16、属于单位掩模图案群1311ud-7的一个单位掩模图案部1311u-17、属于单位掩模图案群1311ud-8的一个单位掩模图案部1311u-18及属于单位掩模图案群1311ud-9的一个单位掩模图案部1311u-19。
计算多种单位掩模图案部1311u各自的处理本身与上文所述的计算单位掩模图案部1311u的处理相同。因此，CPU 21假定在各种单位掩模图案部1311u的X侧、-X侧、+Y侧及-Y侧的各外缘中其他单位掩模图案部1311u邻接的外缘，各种单位掩模图案部1311u的至少一部分邻接，在此基础上计算各种单位掩模图案部1311u。例如，CPU 21假定单位掩模图案部1311u-11的至少一部分邻接于单位掩模图案部1311u-11的+X侧、-X侧、+Y侧及-Y侧的各外缘，在此基础上计算单位掩模图案部1311u-11。例如，CPU 21假定单位掩模图案部1311u-12的至少一部分邻接于单位掩模图案部1311u-12的+X侧、-X侧及+Y侧的各外缘，在此基础上计算单位掩模图案部1311u-12。例如，CPU 21假定单位掩模图案部1311u-13的至少一部分邻接于单位掩模图案部1311u-13的+X侧、-X侧及-Y侧的各外缘，在此基础上计算单位掩模图案部1311u-13。例如，CPU 21假定单位掩模图案部1311u-14的至少一部分邻接于单位掩模图案部1311u-14的-X侧、+Y侧及-Y侧的各外缘，在此基础上计算单位掩模图案部1311u-14。例如，CPU 21假定单位掩模图案部1311u-15的至少一部分邻接于单位掩模图案部1311u-15的+X侧、+Y侧及-Y侧的各外缘，在此基础上计算单位掩模图案部1311u-15。例如，CPU 21假定单位掩模图案部1311u-16的至少一部分邻接于单位掩模图案部1311u-16的+X侧及+Y侧的各外缘，在此基础上计算单位掩模图案部1311u-16。例如，CPU 21假定单位掩模图案部1311u-17的至少一部分邻接于单位掩模图案部1311u-17的+X侧及-Y侧的各外缘，在此基础上计算单位掩模图案部1311u-17。例如，CPU 21假定单位掩模图案部1311u-18的至少一部分邻接于单位掩模图案部1311u-18的-X侧及+Y侧的各外缘，在此基础上计算单位掩模图案部1311u-18。例如，CPU 21假定单位掩模图案部1311u-19的至少一部分邻接于单位掩模图案部1311u-19的-X侧及-Y侧的各外缘，在此基础上计算单位掩模图案部1311u-19。
然后，CPU 21将所计算出的多种单位掩模图案部1311u及周边掩模图案部1311s排列，由此计算掩模图案。
根据此种第一变形例，CPU 21可也考虑到每个单位掩模图案部1311u受邻接掩模图案部1311n的影响不同，而计算单位掩模图案部1311u。因此，CPU 21可相对有效率地计算可相对高精度地形成所需的元件图案的掩模图案。进而，使用形成有通过此种第一变形例所计算出的掩模图案的掩模131对基板151进行曝光的曝光装置1能以相对高精度地形成所需的元件图案的方式对基板151进行曝光。
另外，在计算邻接于周边掩模图案部1311s的单位掩模图案部1311u时，CPU 21也可假定周边掩模图案部1311s的至少一部分作为邻接掩模图案部1311n而邻接于单位掩模图案部1311u，在此基础上计算单位掩模图案部1311u。例如，在图13所示的例中，CPU 21也可假定周边掩模图案部1311s的至少一部分邻接于单位掩模图案部1311u-15的-X侧外缘，在此基础上计算单位掩模图案部1311u-15。对于单位掩模图案部1311u-16及单位掩模图案部1311ud-17而言也相同。在所述情形时，CPU 21也可在计算单位掩模图案部1311u之前，预先计算周边掩模图案部1311s。结果，CPU 21可也考虑到经由单位掩模图案部1311u的曝光用光EL受周边掩模图案部1311s的影响，而计算单位掩模图案部1311u。因此，CPU 21可相对有效率地计算可相对高精度地形成所需的元件图案的掩模图案。
根据相同的理由，在计算邻接于单位掩模图案部1311u的周边掩模图案部1311s时，CPU 21也可假定单位掩模图案部1311u的至少一部分作为邻接掩模图案部1311n而邻接于周边掩模图案部1311s，在此基础上计算周边掩模图案部1311s。
或者，在计算邻接于周边掩模图案部1311s的单位掩模图案部1311u时，CPU 21也可如图14所示，计算包含单位掩模图案部1311u及邻接于所述单位掩模图案部1311u的周边掩模图案部1311s的至少一部分的复合掩模图案部1311c。在计算此种复合掩模图案部1311c的情形时，也与在假定周边掩模图案部1311s的至少一部分邻接于单位掩模图案部1311u的基础上计算单位掩模图案部1311u的情形同样地，CPU 21可相对有效率地计算可相对高精度地形成所需的元件图案的掩模图案。
(3-2)第二变形例
在所述说明中，CPU 21通过排列多个掩模图案1311d而计算掩模图案群1311g。另一方面，在第二变形例中，CPU 21在排列多个掩模图案1311d之后，进而根据多个掩模图案1311d的排列方案对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正，由此计算掩模图案群1311g。以下，一方面参照图15，一方面对第二变形例的掩模图案的计算运行进行说明。另外，对于与所述实施形态中进行的处理相同的处理，标注相同步骤编号而省略其详细说明。
如图15所示，在第二变形例中，也与所述实施形态同样地进行步骤S311～步骤S316的处理。在第二变形例中，在步骤S316中排列多个掩模图案1311d之后，CPU 21利用掩模131中包含多个掩模图案1311d(即排列有多个掩模图案1311d)这一情况，对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正(步骤S321)。另外，多个掩模图案1311d的至少一部分的修正包括多个掩模图案1311d的至少一部分的线宽的调整、多个掩模图案1311d的至少一部分的延伸方向的调整、多个掩模图案1311d的至少一部分的去除及对多个掩模图案1311d的至少一部分的新掩模图案的追加。
具体而言，如上文所述，掩模图案群1311g所含的多个掩模图案1311d的图案布局相同。于是，在掩模131上，某个掩模图案1311d自身的一部分理应邻接于所述某个掩模图案1311d。因此，CPU 21利用与在假定单位掩模图案部1311u的一部分邻接于所述单位掩模图案部1311u的基础上计算单位掩模图案部1311u的运行相同的方法，假定各掩模图案1311d自身的一部分邻接于所述各掩模图案1311d，在此基础上对各掩模图案1311d的至少一部分进行修正。
例如，如图16所示，CPU 21假定在掩模图案1311d-1的-X侧外缘，包含所述掩模图案1311d-1的+X侧外缘的掩模图案1311d-1的至少一部分邻接，且在掩模图案1311d-1的+Y侧外缘，包含所述掩模图案1311d-1的-Y侧外缘的掩模图案1311d-1的至少一部分邻接。而且，CPU 21推定假定邻接的掩模图案的存在对利用经由各掩模图案1311d-1的曝光用光EL进行的元件图案形成所造成的影响，以抵消所述影响并且满足所述计算条件的方式，对掩模图案1311d-1的至少一部分进行修正。
另外，虽然为了避免图式的烦杂化而未图示，但CPU 21假定在掩模图案1311d-2的-X侧外缘，包含所述掩模图案1311d-2的+X侧外缘的掩模图案1311d-2的至少一部分邻接，且在掩模图案1311d-2的-Y侧外缘，包含所述掩模图案1311d-2的+Y侧外缘的掩模图案1311d-2的至少一部分邻接，在此基础上修正掩模图案1311d-2。CPU 21假定在掩模图案1311d-3的+X侧外缘，包含所述掩模图案1311d-3的-X侧外缘的掩模图案1311d-3的至少一部分邻接，且在掩模图案1311d-3的-X侧外缘，包含所述掩模图案1311d-3的+X侧外缘的掩模图案1311d-3的至少一部分邻接，并且在掩模图案1311d-3的+Y侧外缘，包含所述掩模图案1311d-3的-Y侧外缘的掩模图案1311d-3的至少一部分邻接，在此基础上修正掩模图案1311d-3。关于掩模图案1311d-5，与掩模图案1311d-3相同。因此，CPU 21只要以与掩模图案1311d-3相同的修正方案而修正掩模图案1311d-5即可。CPU 21假定在掩模图案1311d-4的+X侧外缘，包含所述掩模图案1311d-4的-X侧外缘的掩模图案1311d-4的至少一部分邻接，且在掩模图案1311d-4的-X侧外缘，包含所述掩模图案1311d-4的+X侧外缘的掩模图案1311d-4的至少一部分邻接，并且在掩模图案1311d-4的-Y侧外缘，包含所述掩模图案1311d-4的+Y侧外缘的掩模图案1311d-4的至少一部分邻接，在此基础上修正掩模图案1311d-4。关于掩模图案1311d-6，与掩模图案1311d-4相同。因此，CPU 21只要以与掩模图案1311d-4相同的修正方案而修正掩模图案1311d-6即可。CPU 21假定在掩模图案1311d-7的+X侧外缘，包含所述掩模图案1311d-7的-X侧外缘的掩模图案1311d-7的至少一部分邻接，且在掩模图案1311d-7的+Y侧外缘，包含所述掩模图案1311d-7的-Y侧外缘的掩模图案1311d-7的至少一部分邻接，在此基础上修正掩模图案1311d-7。CPU 21假定在掩模图案1311d-8的+X侧外缘，包含所述掩模图案1311d-8的-X侧外缘的掩模图案1311d-8的至少一部分邻接，且在掩模图案1311d-8的-Y侧外缘，包含所述掩模图案1311d-8的+Y侧外缘的掩模图案1311d-8的至少一部分邻接，在此基础上修正掩模图案1311d-8。
根据此种第二变形例，CPU 21可也考虑每个掩模图案1311d受邻接的其他掩模图案的影响不同，而对掩模图案1311d进行修正。因此，CPU 21可相对有效率地计算可相对高精度地形成所需的元件图案的掩模图案。进而，使用形成有通过此种第二变形例所计算出的掩模图案的掩模131对基板151进行曝光的曝光装置1能以相对高精度地形成所需的元件图案的方式对基板151进行曝光。
另外，CPU 21也可如图17所示，以邻接的两个掩模图案1311d介隔周边掩模图案部1311s而邻接的方式排列多个掩模图案1311d。在所述情形时，CPU 21可在排列多个掩模图案1311d之前，识别出周边掩模图案部1311s彼此邻接。因此，在所述情形时，CPU 21可利用与在假定单位掩模图案部1311u的一部分邻接于所述单位掩模图案部1311u的基础上计算单位掩模图案部1311u的运行相同的方法，假定周边掩模图案部1311s的一部分邻接于所述周边掩模图案部1311s，在此基础上计算周边掩模图案部1311s。
(3-3)第三变形例
在第三变形例中，CPU 21排列多个掩模图案1311d之后，根据所述接连图案区域131a及非接连图案区域131b与多个掩模图案1311d之间的对应关系，而对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正，由此计算掩模图案群1311g。接连图案区域131a及非接连图案区域131b分别与基板151上的接连曝光区域151a及非接连曝光区域151b对应。因此，也可谓CPU 21根据接连曝光区域151a及非接连曝光区域151b与多个掩模图案1311d之间的对应关系，而对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。以下，一方面参照图18，一方面对第三变形例的掩模图案的计算运行进行说明。另外，对于与所述实施形态中进行的处理相同的处理，标注相同的步骤编号而省略其详细说明。
如图18所示，在第三变形例中，也与所述实施形态同样地进行步骤S311～步骤S316的处理。在第三变形例中，在步骤S316中排列多个掩模图案1311d之后，CPU 21根据经由接连图案区域131a的曝光用光EL在接连曝光区域151a中的曝光量及经由非接连图案区域131b的曝光用光EL在非接连曝光区域151b中的曝光量，对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正(步骤S331)。
具体而言，如上文所述，规定接连曝光区域151a的各投影区域PR的倾斜部是以沿着X轴方向重叠的两个倾斜部的沿着X轴方向的宽度的总和与各投影区域PR的沿着X轴方向的宽度(即，倾斜部以外的区域部分的沿着X轴方向的宽度)相同的方式设定。因此，理论上经双重曝光的接连曝光区域151a的曝光量与未经双重曝光的非接连曝光区域151b的曝光量实质上成为相同。然而，因存在接连曝光区域151a经双重曝光且另一方面非接连区域151b未经双重曝光的差异，故可能有因某些原因而接连曝光区域151a的曝光量与非接连曝光区域151b的曝光量变得不同。
因此，在第三变形例中，CPU 21以与修正多个掩模图案1311d的至少一部分之前相比较，接连曝光区域151a的曝光量与非接连曝光区域151b的曝光量的偏差(即差量)变小或成为零的方式，对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。例如，在接连曝光区域151a的曝光量大于非接连曝光区域151b的曝光量的情形时，CPU 21也能以接连曝光区域151a的曝光量变小和/或非接连曝光区域151b的曝光量变大的方式，对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。例如，在接连曝光区域151a的曝光量小于非接连曝光区域151b的曝光量的情形时，CPU 21也能以接连曝光区域151a的曝光量变大和/或非接连曝光区域151b的曝光量变小的方式，对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。
CPU 21也可对多个掩模图案1311d中形成于接连图案区域131a的接连掩模图案部1311a(例如，接连图案区域131a所含的单位掩模图案部1311u或周边掩模图案部1311s)的至少一部分进行修正。即，CPU 21也可对多个掩模图案1311d中经用以对接连曝光区域151a进行曝光的曝光用光EL进行照射的接连掩模图案部1311a的至少一部分进行修正。例如，CPU 21也可对多个掩模图案1311d中非接连图案区域131b所含的非接连掩模图案部1311b(例如，非接连图案区域131b所含的单位掩模图案部1311u或周边掩模图案部1311s)的至少一部分进行修正。即，CPU 21也可对多个掩模图案1311d中经用以对非接连曝光区域151b进行曝光的曝光用光EL照射的非接连掩模图案部1311b的至少一部分进行修正。
在CPU 21对接连掩模图案部1311a及非接连掩模图案部1311b两者进行修正的情形时，接连掩模图案部1311a的修正内容与非接连掩模图案部1311b的修正内容不同。然而，接连掩模图案部1311a的修正内容也可与非接连掩模图案部1311b的修正内容相同。
此处，一方面参照图19(a)～图19(d)，一方面对以接连曝光区域151a的曝光量与非接连曝光区域151b的曝光量的偏差变小的方式对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正的处理的一具体例进行说明。
如图19(a)所示，以应形成于基板151上的元件图案为在接连曝光区域151a及非接连曝光区域151b之间线宽(更具体而言，成为基准的线宽)相同的元件图案的情形为例进行说明。
在所述情形时，若不考虑接连曝光区域151a中的曝光量与非接连曝光区域151b中的曝光量的差量，则CPU 21如图19(b)所示，以接连图案区域131a所含的接连掩模图案部1311a的线宽与非接连图案区域131b所含的非接连掩模图案部1311b的线宽相同的方式计算掩模图案。在所述情形时，若在接连掩模图案部1311a的线宽与非接连掩模图案部1311b的线宽相同的状况下接连曝光区域151a的曝光量与非接连曝光区域151b的曝光量相同，则CPU 21也可不对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。
然而，视情形不同，有可能在接连掩模图案部1311a的线宽与非接连掩模图案部1311b的线宽相同的状况下，接连曝光区域151a的曝光量与非接连曝光区域151b的曝光量不同。在所述情形时，CPU 21以使接连曝光区域151a的曝光量与非接连曝光区域151b的曝光量的偏差变小的方式，CPU 21对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。具体而言，CPU 21以调整接连掩模图案部1311a及非接连图案1311b的至少其中之一的线宽的方式，对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。即，CPU 21也能以接连掩模图案部1311a的线宽与非接连图案1311b的线宽不同的方式，对接连掩模图案部1311a及非接连掩模图案部1311b的至少一部分进行修正。更具体而言，例如在基板151上涂布有负型抗蚀剂的情形时，CPU 21也可对接连掩模图案部1311a中使曝光用光EL通过的透光图案1311a-1及非接连掩模图案部1311b中使曝光用光EL通过的透光图案1311b-1的至少一部分的线宽进行调整。例如，在基板151上涂布有正型抗蚀剂的情形时，CU 21也可对接连掩模图案部1311a中将曝光用光EL遮蔽的遮光图案1311a-2及非接连掩模图案部1311b中将曝光用光EL遮蔽的遮光图案1311b-2的至少一部分的线宽进行调整。以下，为了便于说明，使用在基板151上涂布有负型抗蚀剂的例子进行说明。即，在以下的说明中，使用掩模图案1311a及掩模图案1311b的至少一部分的调整相当于透光图案1311a-1及透光图案1311b-1的至少一部分的线宽的调整的例子进行说明。
例如，有可能接连曝光区域151a的曝光量大于非接连曝光区域151b的曝光量。在所述情形时，有可能形成于接连曝光区域151a中的元件图案相较于形成于非接连曝光区域151b中的元件图案而变粗。此处，CPU 21如上文所述，以接连曝光区域151a的曝光量变小和/或非接连曝光区域151b的曝光量变大的方式，调整透光图案1311a-1及透光图案1311b-1的至少一部分的线宽。具体而言，如图19(c)所示，CPU 21例如以透光图案1311a-1的线宽相较于透光图案1311b-1的线宽而变细的方式，调整透光图案1311a-1及透光图案1311b-1的至少一部分的线宽。
或者，例如有可能在接连掩模图案部1311a的线宽与非接连掩模图案部1311b的线宽相同的状况下，接连曝光区域151a的曝光量小于非接连曝光区域151b的曝光量。在所述情形时，有可能形成于接连曝光区域151a中的元件图案相较于形成于非接连曝光区域151b中的元件图案而变细。因此，CPU 21如上文所述，以接连曝光区域151a的曝光量变大和/或非接连曝光区域151b的曝光量变小的方式，调整透光图案1311a-1及透光图案1311b-1的至少一部分的线宽。具体而言，如图19(d)所示，CPU 21例如以透光图案1311a-1的线宽相较于透光图案1311b-1的线宽而变粗的方式，调整透光图案1311a-1及透光图案1311b-1的至少一部分的线宽。
此种透光图案1311a-1及透光图案1311b-1的至少一部分的线宽调整的结果为，接连曝光区域151a的曝光量与非接连曝光区域151b的曝光量的偏差变小或成为零。因此，形成于接连曝光区域151a中的元件图案的线宽与形成于非接连曝光区域151b中的元件图案的线宽的偏差也变小或成为零。即，根据此种第三变形例，CPU 21可相对有效率地计算可相对高精度地形成所需的元件图案的掩模图案。进而，使用形成有通过此种第三变形例所计算出的掩模图案的掩模131对基板151进行曝光的曝光装置1能以相对高精度地形成所需的元件图案的方式对基板151进行曝光。
另外，接连曝光区域151a的曝光量与非接连曝光区域151b的曝光量的偏差依存于曝光装置1的特性、或涂布于基板151上的抗蚀剂的特性等而变动。因此，图案计算装置2也可在存储器22内预先存储第一相关信息，所述第一相关信息表示接连曝光区域151a的曝光量与非接连曝光区域151b的曝光量的偏差、与曝光装置1的特性及涂布于基板151上的抗蚀剂的特性等之间的相关关系。此种第一相关信息可根据曝光装置1实际曝光的基板151的测量结果而生成，或也可根据曝光装置1的运行模拟的结果而生成。在存储器22中预先存储有第一相关信息的情形时，CPU 21也可根据所述第一相关信息，确定实际使用形成有图案计算装置2所计算出的掩模图案的掩模131的曝光装置1中的接连曝光区域151a与非接连曝光区域151b之间的曝光量偏差。然后，CPU 21也能以所确定的偏差变小或成为零的方式，对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。
另外，接连曝光区域151a与非接连曝光区域151b之间的曝光量偏差的修正量依存于多个掩模图案1311d的至少一部分的修正内容(例如线宽的调整量)。因此，图案计算装置2也可在存储器22内预先存储第二相关信息，所述第二相关信息表示接连曝光区域151a与非接连曝光区域151b之间的曝光量偏差的修正量、与多个掩模图案1311d的至少一部分的修正内容之间的相关关系。此种第二相关信息可根据曝光装置1实际曝光的基板151的测量结果而生成，或也可根据曝光装置1的运行模拟的结果而生成。在存储器22中预先存储有第二相关信息的情形时，CPU 21也可确定使接连曝光区域151a与非接连曝光区域151b之间的曝光量偏差变小或成为零所需要的修正量，并且根据第二相关信息，确定仅以所确定的修正量修正曝光量偏差所需要的多个掩模图案1311d的至少一部分的修正内容。
另外，CPU 21也可除了根据接连曝光区域151a的曝光量及非接连曝光区域151b的曝光量或取而代之，而根据接连曝光区域151a的任意曝光特性及非接连曝光区域151b的任意曝光特性，而对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。例如，CPU 21也能以接连曝光区域151a的任意曝光特性与非接连曝光区域151b的任意曝光特性的偏差(即差量)变小或成为零的方式，对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。
另外，所述说明中，接连曝光区域151a是通过多个投影光学系统14各自设定的多个投影区域PR而规定。然而，在曝光装置1具备单一的投影光学系统14(即，设定单一的投影区域PR)的情形时，也可在基板151上规定接连曝光区域151a。例如，在通过用以形成某个元件图案的至少一部分的第N1(其中，N1为1以上的整数)次扫描曝光运行而投影曝光用光EL的区域的至少一部分、与通过用以形成相同元件图案的至少一部分的第N2(其中，N2为与N1不同的1以上的整数)次扫描曝光运行而投影曝光用光EL的区域的至少一部分重复的情形时，在基板151上存在为了形成相同元件图案(例如同一层的元件图案)而经曝光用光EL曝光两次以上的区域。所述经曝光用光EL曝光两次以上的区域相当于所述接连曝光区域151a。另一方面，例如在通过第N1次扫描曝光运行而投影曝光用光EL的区域的至少一部分与通过第N2(其中，N2为与N1不同的1以上的整数)次扫描曝光运行而投影曝光用光EL的区域不重复的情形时，在基板151上存在为了形成相同元件图案而经曝光用光EL仅曝光一次的区域。所述经曝光用光EL仅曝光一次的区域相当于所述非接连曝光区域151b。因此，图案计算装置2可使用第三变形例的计算方法，也计算具备单一的投影光学系统14(即，设定单一的投影区域PR)的曝光装置1所使用的掩模131的掩模图案。
另外，在第三变形例中，CPU 21也可通过在计算出单位掩模图案部1311u后将所述计算出的单位掩模图案部1311u排列多个而不计算掩模图案。在所述情形时，CPU 21也可利用任意方法计算出与元件图案对应的掩模图案，其后根据接连图案区域131a及非接连图案区域131b与多个掩模图案1311d之间的对应关系，对所述计算出的掩模图案进行修正。在所述情形时，CPU 21也仍然可计算可相对高精度地形成所需的元件图案的掩模图案。
(3-4)第四变形例
所述第三变形例中，CPU 21以接连曝光区域151a的曝光量与非接连曝光区域151b的曝光量的偏差变小或成为零的方式对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正，由此计算掩模图案群1311g。另一方面，在第四变形例中，CPU 21在排列多个掩模图案1311d之后，以接连曝光区域151a的曝光量的不均一变小或成为零的方式对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正，由此计算掩模图案群1311g。以下，一方面参照图20，一方面对第四变形例的掩模图案的计算运行进行说明。另外，对于与所述实施形态中进行的处理相同的处理，标注相同的步骤编号而省略其详细说明。另外，关于以下的说明中未特别说明的处理内容，也可与第三变形例中的处理内容相同。
如图20所示，在第四变形例中，也与所述实施形态同样地进行步骤S311～步骤S316的处理。在第四变形例中，在步骤S316中排列多个掩模图案1311d之后，CPU 21根据经由接连图案区域131a的曝光用光EL在接连曝光区域151a中的曝光量，对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正(步骤S341)。
具体而言，如上文所述，以规定接连曝光区域151a的方式沿着X轴方向重叠的两个投影区域PR的倾斜部的沿着X轴方向的宽度的总和是以成为一定值(具体而言为倾斜部以外的区域部分的沿着X轴方向的宽度)的方式设定。因此，理论上在通过两个投影区域PR而经双重曝光的接连曝光区域151a内，曝光量不会产生不均一。然而，在某个接连曝光区域151a内，由两个投影区域PR中的一个所得的曝光量与由两个投影区域PR中的另一个所得的曝光量的比率R可能变化。具体而言，如图21所示，在通过沿着Y轴方向的接连曝光区域151a的中心而沿着X轴方向延伸的区域151ar-1中，由一个投影区域PR(图21所示的例子中为投影区域PRa)所得的曝光量与由另一投影区域PR(图21所示的例子中为投影区域PRb)所得的曝光量的比率R大致成为50：50。另一方面，在通过自沿着Y轴方向的接连曝光区域151a的中心向-Y侧偏移仅既定量的位置而沿着X轴方向延伸的区域151ar-2中，由一个投影区域PRa所得的曝光量与由另一投影区域PRb所得的曝光量的比率R大致成为R1(其中，R1＞50)：R2(其中，R2＜50)。在通过自沿着Y轴方向的接连曝光区域151a的中心向+Y侧偏移仅既定量的位置而沿着X轴方向延伸的区域151ar-3中，由一个投影区域PRa所得的曝光量与由另一投影区域PRb所得的曝光量的比率R大致成为R3(其中，R3＜50)：R4(其中，R4＞50)。有可能因此种接连曝光区域151a内的比率R的变动，而在接连曝光区域151a内曝光量产生不均一。
因此，在第四变形例中，CPU 21以与修正多个掩模图案1311d的至少一部分之前相比较而接连曝光区域151a内的曝光量的不均一变小的方式，修正多个掩模图案1311d(例如接连掩模图案部1311a、透光图案1311a-1或遮光图案1311a-2)的至少一部分。或者，CPU 21以与修正多个掩模图案1311d的至少一部分之前相比较而接连曝光区域151a内的曝光量的不均一成为零(即，曝光量变得均匀)的方式，对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。例如，在接连曝光区域151a内的第一区域的曝光量大于接连曝光区域151a内的第二区域的曝光量的情形时，CPU 21也能以第一区域的曝光量变小和/或第二区域的曝光量变大的方式，修正多个掩模图案1311d的至少一部分。例如，在接连曝光区域151a内的第一区域的曝光量小于接连曝光区域151a内的第二区域的曝光量的情形时，CPU 21也能以第一区域的曝光量变大和/或第二区域的曝光量变小的方式，对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。
作为一例，有可能接连曝光区域151a内的某个区域的比率R越接近50：50(＝1)，所述某个区域的曝光量越变大。更具体而言，在图21所示的例子中，如图21右侧的图表所示，有可能在接连曝光区域151a内，区域151ar-1的曝光量达到最大，沿着Y轴方向自曝光区域151ar-1离得越远的区域中曝光量越变小。即，有可能在接连曝光区域151a内，沿着Y轴方向的接连曝光区域151a的中心部的曝光量达到最大，自所述中心部沿着Y轴方向离得越远的区域中曝光量越变小。在所述情形时，CPU 21也能以如下方式对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正：自沿着Y轴方向的接连曝光区域151a的中心部而沿着Y轴方向离得越远的区域中，通过多个掩模图案1311d的至少一部分的修正而越更多地增加曝光量。或者，CPU21也能以如下方式对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正：自沿着Y轴方向的接连曝光区域151a的中心部而沿着Y轴方向离得越远的区域中，通过多个掩模图案1311d的至少一部分的修正而使曝光量越不易减少。更具体而言，例如也可如图22所示，CPU 21以如下方式调整接连掩模图案部1311a的至少一部分：在接连图案区域131a内，自沿着Y轴方向的接连曝光区域151a的中心部而沿着Y轴方向离得越远的区域中，接连掩模图案部1311a的线宽越变粗。另外，图22所示的掩模图案为用以形成线宽在接连曝光区域151a及非接连曝光区域151b之间相同的元件图案(即图19(a)所示的元件图案)的掩模图案。
此种多个掩模图案1311d的至少一部分的修正的结果为，接连曝光区域151a的曝光量的不均一变小或成为零。因此，形成于接连曝光区域151a中的元件图案的线宽的不均一也变小或成为零。即，根据此种第四变形例，CPU 21可相对有效率地计算可相对高精度地形成所需的元件图案的掩模图案。进而，使用形成有通过此种第四变形例所计算出的掩模图案的掩模131对基板151进行曝光的曝光装置1能以相对高精度地形成所需的元件图案的方式对基板151进行曝光。
另外，接连曝光区域151a的曝光量的不均一依存于曝光装置1的特性、或涂布于基板151上的抗蚀剂的特性等而变动。因此，图案计算装置2也可在存储器22内预先存储第三相关信息，所述第三相关信息表示接连曝光区域151a的曝光量的不均一、与曝光装置1的特性及涂布于基板151上的抗蚀剂的特性等之间的相关关系。此种第三相关信息可根据曝光装置1实际曝光的基板151的测量结果而生成，或也可根据曝光装置1的运行模拟的结果而生成。在存储器22中预先存储有第三相关信息的情形时，CPU 21也可根据所述第三相关信息，确定实际使用形成有图案计算装置2所计算出的掩模图案的掩模131的曝光装置1中的接连曝光区域151a的曝光量的不均一。然后，CPU 21也能以所确定的不均一变小或成为零的方式，对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。
另外，接连曝光区域151a的曝光量的不均一的修正量依存于多个掩模图案1311d的至少一部分的修正内容(例如线宽的调整量)。因此，图案计算装置2也可在存储器22内预先存储有第四相关信息，所述第四相关信息表示接连曝光区域151a的曝光量的不均一的修正量、与多个掩模图案1311d的至少一部分的修正内容之间的相关关系。此种第四相关信息可根据曝光装置1实际曝光的基板151的测量结果而生成，或也可根据曝光装置1的运行模拟的结果而生成。在存储器22中预先存储有第四相关信息的情形时，CPU 21也可确定使接连曝光区域151a的曝光量的不均一变小或成为零所需要的修正量，并且根据第四相关信息，确定仅以所确定的修正量修正曝光量的不均一所需要的多个掩模图案1311d的至少一部分的修正内容。
另外，CPU 21也可除了根据接连曝光区域151a的曝光量的不均一以外或取而代之，而根据接连曝光区域151a的任意曝光特性的不均一而对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。例如，CPU 21也能以接连曝光区域151a的任意曝光特性的不均一变小或成为零的方式，对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。
另外，在第四变形例中，CPU 21也可通过在计算出单位掩模图案部1311u之后将所述计算出的单位掩模图案部1311u排列多个而不计算掩模图案。在所述情形时，CPU 21也可利用任意方法而计算与元件图案对应的掩模图案，然后以接连曝光区域151a的曝光量的不均一变小或成为零的方式，对所述计算出的掩模图案进行修正。在所述情形时，CPU 21也仍然可计算可相对高精度地形成所需的元件图案的掩模图案。
(3-5)第五变形例
在第五变形例中，CPU 21排列多个掩模图案1311d之后，根据多个投影光学系统14与多个掩模图案1311d之间的对应关系而对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正，由此计算掩模图案群1311g。多个投影光学系统14分别与多个照明区域IR(或者多个投影区域PR)对应。因此，也可谓CPU 21根据多个照明区域IR(或者多个投影区域PR)与多个掩模图案1311d之间的对应关系而对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。以下，一方面参照图23一方面对第五变形例的掩模图案的计算运行进行说明。另外，对于与所述实施形态中进行的处理相同的处理，标注相同的步骤编号而省略其详细说明。
如图23所示，在第五变形例中，也与所述实施形态同样地进行步骤S311～步骤S316的处理。在第五变形例中，在步骤S316中排列多个掩模图案1311d之后，CPU 21根据自多个投影光学系统14分别投影的多束曝光用光EL的曝光量的不均一，对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正(步骤S351)。
具体而言，多个投影光学系统14是以光学特性(例如像差等)在多个投影光学系统14之间相同的方式制造。在所述情形时，来自多个投影光学系统14的多束曝光用光EL的曝光量理应全部相同。然而，实际上有可能因制造误差等而导致多个投影光学系统14之间产生光学特性的不均一。例如，有可能一个投影光学系统14的光学特性与其他投影光学系统14的光学特性不同。在所述情形时，有可能自一个投影光学系统14投影的一束曝光用光EL的曝光量与自其他投影光学系统14投影的其他曝光用光EL的曝光量不同。结果，有可能在基板151上，通过自一个投影光学系统14投影的一束曝光用光EL进行曝光的一个曝光区域的曝光量与通过自其他投影光学系统14投影的其他曝光用光EL进行曝光的其他曝光区域的曝光量不同。更具体而言，有可能设定与一个投影光学系统14对应的一个投影区域PR的基板151上的一个曝光区域的曝光量，与设定与其他投影光学系统14对应的其他投影区域PR的基板151上的其他曝光区域的曝光量不同。
因此，第五变形例中，CPU 21以与修正多个掩模图案1311d的至少一部分之前相比较而自多个投影光学系统14分别投影的多束曝光用光EL的曝光量的不均一变小的方式，对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。或者，CPU 21以与修正多个掩模图案1311d的至少一部分之前相比较而来自多个投影光学系统14的多束曝光用光EL的曝光量的不均一成为零(即，多束曝光用光EL的曝光量全部相同)的方式，对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。换言之，CPU 21以与修正多个掩模图案1311d的至少一部分之前相比较，通过自多个投影光学系统14分别投影的多束曝光用光EL而分别曝光的基板151上的多个曝光区域的曝光量的不均一变小或成为零的方式，对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。例如，在通过自一个投影光学系统14投影的一束曝光用光EL进行曝光的一个曝光区域的曝光量大于通过自其他投影光学系统14投影的其他曝光用光EL进行曝光的其他曝光区域的曝光量的情形时，CPU 21也能以一个曝光区域的曝光量变小和/或其他曝光区域的曝光量变大的方式，对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。例如，在通过自一个投影光学系统14投影的一束曝光用光EL进行曝光的一个曝光区域的曝光量小于通过自其他投影光学系统14投影的其他曝光用光EL进行曝光的其他曝光区域的曝光量的情形时，CPU 21也能以一个曝光区域的曝光量变大和/或其他曝光区域的曝光量变小的方式，对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。
通过自一个投影光学系统14投影的一束曝光用光EL进行曝光的基板151上的一个曝光区域为在基板151上设定与一个投影光学系统14对应的投影区域PR的区域(更具体而言为随着基板151的移动而投影区域PR通过的区域)。对基板151上的设定某个投影区域PR的区域进行曝光的曝光用光EL为经由以下区域而投影至基板151上的曝光用光EL，即，掩模131上的设定与所述某个投影区域PR对应的照明区域IR的区域(更具体而言为伴随着掩模131的移动而照明区域IR通过的区域)。因此，CPU 21也可为了调整通过自一个投影光学系统14投影的一束曝光用光EL进行曝光的一个曝光区域的曝光量，而对与所述一个投影光学系统14对应的照明区域IR(即，经通过一个投影光学系统14投影的曝光用光EL照射的照明区域IR)在掩模131上通过的区域中所含的掩模图案进行修正。例如，CPU 21也可为了调整通过自投影光学系统14a投影的曝光用光EL进行曝光的曝光区域的曝光量，而对掩模131上的设定照明区域IRa的区域所含的掩模图案(例如设定照明区域IRa的区域所含的单位掩模图案部1311u、或周边掩模图案部1311s等)进行修正。例如，CPU 21也可为了调整通过自投影光学系统14b投影的曝光用光EL进行曝光的曝光区域的曝光量，而对掩模131上的设定照明区域IRb的区域所含的掩模图案(例如设定照明区域IRb的区域所含的单位掩模图案部1311u、或周边掩模图案部1311s等)进行修正。对于投影光学系统14c～投影光学系统14g(照明区域IRa～照明区域IRg)而言也相同。
CPU 21以掩模131上的设定一个照明区域IR的区域所含的一个掩模图案的修正内容、与掩模131上的设定其他照明区域IR的区域所含的其他掩模图案的修正内容不同的方式，对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。其原因在于：曝光量不均一的一个原因为多个投影光学系统14之间的光学特性的不均一，因此若使一个掩模图案的修正内容与其他掩模图案的修正内容不同，则可通过掩模图案来修正多个投影光学系统14之间的光学特性的不均一(结果，也可修正曝光量的不均一)。然而，CPU 21也能以掩模131上的设定一个照明区域IR的区域所含的掩模图案的修正内容、与掩模131上的设定其他照明区域IR的区域所含的掩模图案的修正内容相同的方式，对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。
继而，一方面参照图24(a)～图24(c)及图25(a)及图25(b)，一方面对如下处理的一具体例进行说明，所述处理以自多个投影光学系统14分别投影的多束曝光用光EL的曝光量的不均一变小的方式，对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。
如上文所述，产生自多个投影光学系统14分别投影的多束曝光用光EL的曝光量不均一的一个原因为多个投影光学系统14之间的光学特性的不均一。此种光学特性的一例可列举像差(特别是失真像差)。失真像差为投影光学系统14形成于像面上的像变形的现象。
例如，图24(a)表示未产生失真像差的投影光学系统14的像面141及设定于所述像面141内的投影区域PR。另外，像面141内的虚线为用以表现像面141的变形的辅助线。进而，图24(a)示出经如下曝光用光EL进行扫描曝光的基板151上的某个位置的曝光量，所述曝光用光EL是投影至未产生失真像差的投影光学系统14的投影区域PR中。尤其图24(a)示出在基板151上沿着Y轴方向排列的三个位置A、位置B及位置C的曝光量。位置A是由投影至区域a中的曝光用光EL的一部分(图24(a)中为方便起见，表述作“曝光用光ELa(1)、曝光用光ELa(2)、···、曝光用光ELa(n)”)依序扫描曝光，所述区域a是在投影区域PR的较Y轴方向中央部更靠-Y侧沿着X轴而延伸。位置B是由投影至区域b中的曝光用光EL的一部分(图24(a)中为方便起见，表述作“曝光用光ELb(1)、曝光用光ELb(2)、···、曝光用光ELb(n)”)依序扫描曝光，所述区域b是在投影区域PR的Y轴方向中央部沿着X轴而延伸。位置C是由投影至区域c中的曝光用光EL的一部分(图24(a)中为方便起见，表述作“曝光用光ELc(1)、曝光用光ELc(2)、···、曝光用光ELc(n)”)依序扫描曝光，所述区域c是在投影区域PR的较Y轴方向中央部更靠+Y侧沿着X轴而延伸。如图24(a)所示，在未产生失真像差的情形时，位置A～位置C的曝光量(特别是其分布图案)相同。结果，若经由相同线宽的掩模图案将曝光用光EL投影至位置A～位置C，则在位置A～位置C形成相同线宽的元件图案。
另一方面，图24(b)表示产生了失真像差(尤其产生自像面的中央朝向外侧鼓起的变形的桶形失真像差)的投影光学系统14的像面141及设定于所述像面141内的投影区域PR。进而，图24(b)也示出经如下曝光用光EL进行扫描曝光的基板151上的某个位置的曝光量，所述曝光用光EL是投影至产生了桶形失真像差的投影光学系统14的投影区域PR中。图24(c)表示产生了失真像差(尤其产生自像面的外侧朝向中央凹陷的变形的线轴形失真像差)的投影光学系统14的像面141及设定于所述像面141内的投影区域PR。进而，图24(c)也示出经如下曝光用光EL进行扫描曝光的基板151上的某个位置的曝光量，所述曝光用光EL是投影至产生了线轴形失真像差的投影光学系统14的投影区域PR中。由图24(b)～图24(c)可知，在产生了失真像差的情形时，与由失真像差所致的像面141的变形相应地，投影曝光用光ELa(1)、曝光用光ELa(2)、···、曝光用光ELa(n)的区域a及投影曝光用光ELc(1)、曝光用光ELc(2)、···、曝光用光ELc(n)的区域c也弯曲。因此，位置A及位置C的曝光量(特别是其分布图案)变得与位置B的曝光量(特别是其分布图案)不同。具体而言，位置A及位置C的曝光量的峰值变得小于位置B的曝光量的峰值，且位置A及位置C的曝光量的减少梯度也变得小于位置B的曝光量的减少梯度。结果，即便经由相同线宽的掩模图案将曝光用光EL投影至位置A～位置C，也有可能形成于位置A及位置C的元件图案的线宽变得较形成于位置B的元件图案的线宽更粗。
虽然多个投影光学系统14全部未产生失真像差或产生相同失真像差的可能性并不为零，但现实中，多个投影光学系统14各自产生不同的失真像差或多个投影光学系统14的仅一部分产生失真像差的可能性高。因此，通过调整多个投影光学系统14来消除此种失真像差并不容易。因此，既然不容易消除失真像差，则由此种失真像差而导致产生自多个投影光学系统14分别投影的多束曝光用光EL的曝光量不均一。例如，图25(a)表示在投影光学系统14a产生了桶形失真像差、投影光学系统14b产生了线轴形失真像差、投影光学系统14c未产生失真像差的情形时设定于基板151上的投影区域PRa～投影区域PRc。如图25(a)所示，投影区域PRa是跨非接连曝光区域151b-a及接连曝光区域151a-ab而设定。投影区域PRc是跨接连曝光区域151a-ab、非接连曝光区域151b-b及接连曝光区域151a-bc而设定。投影区域PRc是设定于接连曝光区域151a-bc及非接连曝光区域151b-c中。因此，如图25(a)的右侧所示，在接连曝光区域151a-ab～接连曝光区域151a-bc及非接连曝光区域151b-a～非接连曝光区域151b-c之间，曝光量产生不均一。结果，在接连曝光区域151a-ab～接连曝光区域151a-bc及非接连曝光区域151b-a～非接连曝光区域151b-c之间，所形成的元件图案的线宽也产生不均一。进而，在接连曝光区域151a-ab～接连曝光区域151a-bc及非接连曝光区域151b-a～非接连曝光区域151b-b各自的内部，曝光量也产生不均一。结果，在接连曝光区域151a-ab～接连曝光区域151a-bc及非接连曝光区域151b-a～非接连曝光区域151b-b的内部，所形成的元件图案的线宽也产生不均一。
因此，CPU 21如图25(b)所示，以使此种曝光量的不均一变小(特别是使所形成的元件图案的线宽的不均一变小)的方式，对与接连曝光区域151a-ab对应的接连图案区域131a-ab、与接连曝光区域151a-bc对应的接连图案区域131a-bc、与非接连曝光区域151b-a对应的非接连图案区域131b-a、与非接连曝光区域151b-b对应的非接连图案区域131b-b及与非接连曝光区域151b-c对应的非接连图案区域131b-c中的至少一个所含的掩模图案的至少一部分进行修正。例如，CPU 21也可与第三变形例～第四变形例同样地，以调整掩模图案的至少一部分的线宽的方式，修正掩模图案。进而，CPU 21也能以掩模图案的修正内容(例如线宽的调整量)成为与修正掩模图案之前的曝光量相应的量的方式，修正掩模图案。结果，如图25(b)的右侧所示，根据经修正的掩模图案，接连曝光区域151a-ab～接连曝光区域151a-bc及非接连曝光区域151b-a～非接连曝光区域151b-c之间的曝光量的不均一变小(在图25(b)所示的例子中成为零)。因此，在接连曝光区域151a-ab～接连曝光区域151a-bc及非接连曝光区域151b-a～非接连曝光区域151b-c之间，所形成的元件图案的线宽的不均一变小(在图25(b)所示的例子中成为零)。进而，在图25(b)所示的例子中，接连曝光区域151a-ab～接连曝光区域151a-bc及非接连曝光区域151b-a～非接连曝光区域151b-b各自的内部的曝光量的不均一也变小。结果，在接连曝光区域151a-ab～接连曝光区域151a-bc及非接连曝光区域151b-a～非接连曝光区域151b-b的内部，所形成的元件图案的线宽的不均一也变小。
进而，一方面参照图26(a)及图26(b)及图27(a)及图27(b)，一方面对如下处理的另一具体例进行说明，所述处理以自多个投影光学系统14分别投影的多束曝光用光EL的曝光量的不均一变小的方式，对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。
如上文所述，产生多束曝光用光EL的曝光量的不均一的一个原因为多个投影光学系统14之间的光学特性的不均一。此种光学特性的一例可列举像差(特别是像场弯曲)。像场弯曲为投影光学系统14的像面141以相对于投影光学系统14而成为凹面或凸面的方式弯曲的现象。由于像面141弯曲，故基板151中，自产生了像场弯曲的投影光学系统14投影的曝光用光EL实质上处于散焦状态。
例如，图26(a)表示未产生像场弯曲的投影光学系统14的像面141及设定于所述像面141内的投影区域PR。进而，图26(a)示出经如下曝光用光EL进行扫描曝光的基板151上的某个位置(所述位置A～位置C)的曝光量，所述曝光用光EL是投影至未产生像场弯曲的投影光学系统14的投影区域PR中。如图24(a)所示，在未产生像场弯曲的情形时，位置A～位置C的曝光量(特别是其分布图案)相同。结果，若经由相同线宽的掩模图案将曝光用光EL投影至位置A～位置C，则在位置A～位置C形成相同线宽的元件图案。
另一方面，图26(b)表示产生了像场弯曲的投影光学系统14的像面141及设定于所述像面141内的投影区域PR。进而，图26(b)示出经如下曝光用光EL进行扫描曝光的基板151上的某个位置(位置A～位置C)的曝光量，所述曝光用光EL是投影至产生了像场弯曲的投影光学系统14的投影区域PR中。在图26(b)所示的例子中，在位置B，像面141与基板151的表面一致(即对焦)。在所述情形时，曝光用光EL在位置B适当聚光，但在位置A及位置C，曝光用光EL处于散焦状态。因此，位置A及位置C的曝光量(特别是其分布图案)变得与位置B的曝光量(特别是其分布图案)不同。具体而言，位置A及位置C的曝光量的峰值变得小于位置B的曝光量的峰值，且位置A及位置C的曝光量的减少梯度也变得小于位置B的曝光量的减少梯度。结果，即便经由相同线宽的掩模图案将曝光用光EL投影至位置A～位置C，也有可能形成于位置A及位置C的元件图案的线宽变得较形成于位置B的元件图案的线宽更粗。
虽然多个投影光学系统14全部未产生像场弯曲或产生相同像场弯曲的可能性并不为零，但现实中，多个投影光学系统14各自产生不同的像场弯曲或多个投影光学系统14的仅一部分产生像场弯曲的可能性高。因此，通过调整多个投影光学系统14来消除此种像场弯曲并不容易。因此，既然不容易消除像场弯曲，则由此种像场弯曲导致产生自多个投影光学系统14分别投影的多束曝光用光EL的曝光量的不均一。例如，图27(a)表示在投影光学系统14a产生了以像面141成为凹面的方式弯曲的像场弯曲、投影光学系统14b产生了以像面141成为凸面的方式弯曲的像场弯曲、投影光学系统14c未产生像场弯曲的情形时设定于基板151上的投影区域PRa～投影区域PRc。如图26(a)所示，在接连曝光区域151a-ab～接连曝光区域151a-bc及非接连曝光区域151b-a～非接连曝光区域151b-c之间，曝光量产生不均一。结果，在接连曝光区域151a-ab～接连曝光区域151a-bc及非接连曝光区域151b-a～非接连曝光区域151b-c之间，所形成的元件图案的线宽也产生不均一。进而，在接连曝光区域151a-ab～接连曝光区域151a-bc及非接连曝光区域151b-a～非接连曝光区域151b-b各自的内部，曝光量也产生不均一。结果，在接连曝光区域151a-ab～接连曝光区域151a-bc及非接连曝光区域151b-a～非接连曝光区域151b-b的内部，所形成的元件图案的线宽也产生不均一。
因此，CPU 21如图27(b)所示，以使此种曝光量的不均一变小(特别是使所形成的元件图案的线宽的不均一变小)的方式，对接连图案区域131a-ab、接连图案区域131a-bc、非接连图案区域131b-a、非接连图案区域131b-b及非接连图案区域131b-c中的至少一个所含的掩模图案的至少一部分进行修正。结果，如图27(b)的右侧所示，根据经修正的掩模图案，接连曝光区域151a-ab～接连曝光区域151a-bc及非接连曝光区域151b-a～非接连曝光区域151b-c之间的曝光量的不均一变小(在图27(b)所示的例子中成为零)。因此，在接连曝光区域151a-ab～接连曝光区域151a-bc及非接连曝光区域151b-a～非接连曝光区域151b-c之间，所形成的元件图案的线宽的不均一变小(在图27(b)所示的例子中成为零)。进而，在图27(b)所示的例子中，接连曝光区域151a-ab～接连曝光区域151a-bc及非接连曝光区域151b-a～非接连曝光区域151b-b各自的内部的曝光量的不均一也变小。结果，在接连曝光区域151a-ab～接连曝光区域151a-bc及非接连曝光区域151b-a～非接连曝光区域151b-b的内部，所形成的元件图案的线宽的不均一也变小。
如此，根据第五变形例，自多个投影光学系统14分别投影的多束曝光用光EL的曝光量的不均一变小或成为零。因此，基板151上的分别投影自不同投影光学系统14投影的不同曝光用光EL的不同区域中形成的元件图案的线宽的不均一也变小或成为零。即，根据此种第五变形例，CPU 21可相对有效率地计算可相对高精度地形成所需的元件图案的掩模图案。进而，使用形成有通过此种第五变形例所计算出的掩模图案的掩模131对基板151进行曝光的曝光装置1能以相对高精度地形成所需的元件图案的方式对基板151进行曝光。
另外，自多个投影光学系统14分别投影的多束曝光用光EL的曝光量的不均一依存于曝光装置1的特性、或涂布于基板151上的抗蚀剂的特性等而变动。因此，图案计算装置2也可在存储器22内预先存储第五相关信息，所述第五相关信息表示自多个投影光学系统14分别投影的多束曝光用光EL的曝光量的不均一、与曝光装置1的特性及涂布于基板151上的抗蚀剂的特性等之间的相关关系。此种第五相关信息可根据曝光装置1实际曝光的基板151的测量结果而生成，或也可根据曝光装置1的运行模拟的结果而生成。在存储器22中预先存储有第五相关信息的情形时，CPU 21也可根据所述第五相关信息，确定实际使用形成有图案计算装置2所计算出的掩模图案的掩模131的曝光装置1中的多束曝光用光EL的曝光量的不均一。然后，CPU 21也能以所确定的不均一变小或成为零的方式，对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。
另外，多束曝光用光EL的曝光量的不均一的修正量依存于多个掩模图案1311d的至少一部分的修正内容(例如线宽的调整量)。因此，图案计算装置2也可在存储器22内预先存储第六相关信息，所述第六相关信息表示多束曝光用光EL的曝光量的不均一的修正量、与多个掩模图案1311d的至少一部分的修正内容之间的相关关系。此种第六相关信息可根据曝光装置1实际曝光的基板151的测量结果而生成，或也可根据曝光装置1的运行模拟的结果而生成。在存储器22中预先存储有第六相关信息的情形时，CPU21也可确定使多束曝光用光EL的曝光量的不均一变小或成为零所需要的修正量，并且根据第六相关信息，确定仅以所确定的修正量修正曝光量的不均一所需要的多个掩模图案1311d的至少一部分的修正内容。
另外，CPU 21也可除了根据自多个投影光学系统14分别投影的多束曝光用光EL的曝光量的不均一以外或取而代之，而根据所述多束曝光用光EL的任意曝光特性的不均一而对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。例如，CPU 21也能以多束曝光用光EL的任意曝光特性的不均一变小或成为零的方式，对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。
另外，第五变形例中，CPU 21也可通过在计算出单位掩模图案部1311u后将所述计算出的单位掩模图案部1311u排列多个而不计算掩模图案。在所述情形时，CPU 21也可利用任意方法而计算与元件图案对应的掩模图案，然后以自多个投影光学系统14分别投影的多束曝光用光EL的曝光量的不均一变小或成为零的方式，对所述计算出的掩模图案进行修正。即便在所述情形时，CPU 21也仍然可计算可相对高精度地形成所需的元件图案的掩模图案。
另外，在第五变形例中，CPU 21根据自多个投影光学系统14分别投影的多束曝光用光EL的曝光特性的不均一，而对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。然而，CPU21也可除此以外或取而代之，而根据自某一个投影光学系统14投影的曝光用光EL的曝光特性的不均一(即，与一个投影光学系统14对应的一个投影区域PR内的曝光特性的不均一)，而对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。即，CPU 21也可不考虑自多个投影光学系统14分别投影的多束曝光用光EL的曝光特性的不均一，而对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。具体而言，如图24(b)及图24(c)所示，在产生了失真像差的投影光学系统14的投影区域PR内，曝光特性产生不均一(即，产生引起位置A及位置C的曝光量与位置B的曝光量不同的状态那样的曝光特性不均一)。在产生像面歪曲的情形时也相同。进而，视投影光学系统14的光学特性不同，在未产生失真像差及像面歪曲的投影光学系统14的投影区域PR内，曝光特性也有可能产生不均一。因此，CPU 21也能以使自此种单一的投影光学系统14投影的曝光用光EL的曝光特性的不均一(即，与单一的投影光学系统14对应的单一的投影区域PR内的曝光特性的不均一)变小或成为零的方式，对多个掩模图案1311d的至少一部分进行修正。
(4)元件制造方法
继而，一方面参照图28，一方面对使用所述曝光装置1来制造显示面板的方法进行说明。图28为表示使用所述曝光装置1来制造显示面板的元件制造方法的流程的流程图。另外，以下为了便于说明，对制造作为显示面板的一例的液晶显示面板的元件制造方法进行说明。然而，其他显示面板也可使用将图28所示的元件制造方法的至少一部分改变的元件制造方法而制造。
在图28的步骤S200(掩模制造步骤)中，首先制造掩模131。即，通过掩模图案计算装置2而计算掩模图案，并且制造形成有所计算出的掩模图案的掩模131。然后，在步骤S201(图案形成步骤)中，执行在曝光对象的基板151上涂布抗蚀剂的涂布步骤、使用所述曝光装置1将显示面板用的掩模图案转印至基板151上的曝光步骤及对所述基板151进行显影的显影步骤。通过包括所述涂布步骤、曝光步骤及显影步骤的微影步骤，而在基板151上形成与掩模图案(或元件图案)对应的抗蚀剂图案。继微影步骤之后，执行以抗蚀剂图案作为掩模的蚀刻步骤及去除抗蚀剂图案的剥离步骤等。结果在基板151上形成元件图案。此种微影步骤等是根据形成于基板151的层数而执行多次。
在步骤S202(彩色滤光片形成步骤)中，形成彩色滤光片。在步骤S203(单元组装步骤)中，在步骤S201中形成有元件图案的基板151与步骤S202中形成的彩色滤光片之间注入液晶。结果制造液晶单元。
在随后的步骤S204(模块组装步骤)中，对步骤S203中制造的液晶单元安装用以进行显示运行的所需零件(例如电气电路及背光等)。结果，液晶显示面板完成。
所述各实施形态的构成要件的至少一部分可与所述各实施形态的构成要件的至少另一部分适当组合。所述各实施形态的构成要件中的一部分也可不使用。另外，只要法令容许，则将与所述各实施形态中引用的曝光装置等有关的所有公开公报及美国专利的公开援用而作为本文记载的一部分。
本发明不限于所述实施例，可在不违反自权利要求书及说明书全体所读取的发明主旨或思想的范围内适当变更，带有此种变更的图案计算装置、图案计算方法、掩模、曝光装置、元件制造方法、计算机程序及记录媒体也包括在本发明的技术范围内。
符号的说明
1：曝光装置
131：掩模
131a：接连图案区域
131b：非接连图案区域
1311u：单位掩模图案部
1311p：像素掩模图案部
1311s：周边掩模图案部
1311d：掩模图案
1311g：掩模图案群
14：投影光学系统
15：基板台
151：基板
151a：接连区域
151b：非接连区域
1511u：单位元件图案部
EL：曝光用光
IR：照明区域
PR：投影区域

Claims (62)

1.一种图案计算装置，计算形成于掩模上的掩模图案，所述掩模是用于利用曝光用光在基板上形成将单位元件图案部排列多个而成的元件图案，并且所述图案计算装置的特征在于：
计算所述掩模图案中用以将一个所述单位元件图案部形成于所述基板上的单位掩模图案部，且通过将计算出的所述单位掩模图案部排列多个而计算所述掩模图案，
在计算所述单位掩模图案部时，假定相当于所述单位掩模图案部的至少一部分的特定掩模图案部邻接于所述单位掩模图案部，在此基础上计算所述单位掩模图案部。
2.根据权利要求1所述的图案计算装置，其中
假定包含所述单位掩模图案部的一侧外缘的所述特定掩模图案部邻接于所述单位掩模图案部的与所述一侧相反的另一侧的外缘，在此基础上计算所述单位掩模图案部。
3.根据权利要求1或2所述的图案计算装置，其中
所述单位掩模图案部在俯视时为矩形区域，
假定包含所述单位掩模图案部的一侧边的所述特定掩模图案部邻接于所述单位掩模图案部的与所述一侧相反的另一侧的边，在此基础上计算所述单位掩模图案部。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的图案计算装置，其中
所述单位掩模图案部在俯视时为矩形区域，
假定：(i)包含所述单位掩模图案部的第一边的第一个所述特定掩模图案部邻接于与所述第一边相向的所述单位掩模图案部的第二边，(ii)包含所述第二边的第二个所述特定掩模图案部邻接于所述第一边，(iii)包含与所述第一边及所述第二边不同的所述单位掩模图案部的第三边的第三个所述特定掩模图案部邻接于与所述第三边相向的所述单位掩模图案部的第四边，(iv)包含所述第四边的第四个所述特定掩模图案部邻接于所述第三边，在此基础上计算所述单位掩模图案部。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的图案计算装置，其中
假定：(i)包含所述单位掩模图案部的所述第一顶点的第五个所述特定掩模图案部沿着第一对角方向而邻接于沿着所述第一顶点及所述第一对角方向排列的所述单位掩模图案部的第二顶点，(ii)包含所述第二顶点的第六个所述特定掩模图案部沿着所述第一对角方向而邻接于所述第一顶点，(iii)包含与所述第一顶点及所述第二顶点不同的所述单位掩模图案部的第三顶点的第七个所述特定掩模图案部沿着第二对角方向而邻接于沿着所述第三顶点及所述第二对角方向排列的所述单位掩模图案部的第四顶点，(iv)包含所述第四顶点的第八个所述特定掩模图案部沿着所述第二对角方向而邻接于所述第三顶点，
在此基础上计算所述单位掩模图案部。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的图案计算装置，其中
根据邻接于所述单位掩模图案部的所述特定掩模图案部的存在对利用经由所述单位掩模图案部的所述曝光用光进行的所述单位元件图案部的形成所造成的影响，而计算所述单位掩模图案部。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的图案计算装置，其中多个所述单位元件图案部与显示装置所包括的多个像素分别对应。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的图案计算装置，其中
按照多个所述单位元件图案部的排列将计算出的所述单位掩模图案部排列多个，由此计算所述掩模图案。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的图案计算装置，其中
所述元件图案还包含与所述单位元件图案部不同的第一元件图案部，
计算用以将所述第一元件图案部形成于所述基板上的第一掩模图案部，且将计算出的所述单位掩模图案部与所述第一掩模图案部一并排列多个，由此计算所述掩模图案。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的图案计算装置，其中
所述元件图案还包含第二元件图案部，所述第二元件图案部包含所述单位元件图案部及与所述单位元件图案部不同且邻接于所述单位元件图案部的第一元件图案部，
计算用以将所述第二元件图案部形成于所述基板上的第二掩模图案部，且将计算出的所述单位掩模图案部与所述第二掩模图案部一并排列多个，由此计算所述掩模图案。
11.根据权利要求9或10所述的图案计算装置，其中
多个所述单位元件图案部与显示装置所包括的多个像素分别对应，
所述第一元件图案部与配置于所述多个像素的周边的周边电路对应。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的图案计算装置，其中
所述掩模上形成有包含多个所述掩模图案的掩模图案群，
通过将计算出的所述掩模图案排列多个而计算所述掩模图案群。
13.根据权利要求12所述的图案计算装置，其中
在将计算出的所述掩模图案排列多个而计算所述掩模图案群时，根据一个所述掩模图案对利用经由邻接于所述一个所述掩模图案的其他所述掩模图案的所述曝光用光进行的所述元件图案的形成所造成的影响，而对所述其他掩模图案的至少一部分进行修正。
14.根据权利要求12或13所述的图案计算装置，其中
多个所述掩模图案与多个显示装置分别对应。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的图案计算装置，其中
所述掩模包含：第一掩模区域，为了形成所述元件图案的至少一部分而经所述曝光用光照射至少两次；以及第二掩模区域，为了形成所述元件图案的至少另一部分而经所述曝光用光照射一次，
根据所述第一掩模区域及所述第二掩模区域与所述掩模图案的对应关系，而对通过将计算出的所述单位掩模图案部排列多个而计算出的所述掩模图案的至少一部分进行修正。
16.一种图案计算装置，计算形成于掩模上的掩模图案，所述掩模是用于利用曝光用光在基板上形成元件图案，并且
所述掩模包含：第一掩模区域，为了形成所述元件图案的至少一部分而经所述曝光用光照射至少两次；以及第二掩模区域，为了形成所述元件图案的至少另一部分而经所述曝光用光照射一次，
根据所述第一掩模区域及所述第二掩模区域与所述掩模图案的对应关系，而对根据所述元件图案所计算出的所述掩模图案的至少一部分进行修正。
17.根据权利要求15或16所述的图案计算装置，其中
对所述掩模图案中形成于所述第一掩模区域的第一掩模图案部及所述掩模图案中形成于所述第二掩模区域的第二掩模图案部中的至少其中之一进行修正。
18.根据权利要求17所述的图案计算装置，其中
所述第一掩模图案部的修正内容与所述第二掩模图案部的修正内容不同。
19.根据权利要求15至18中任一项所述的图案计算装置，其中
根据经由所述第一掩模区域的所述曝光用光的曝光特性及经由所述第二掩模区域的所述曝光用光的曝光特性中的至少其中之一，而对所述掩模图案的至少一部分进行修正。
20.根据权利要求15至19中任一项所述的图案计算装置，其中
根据经由所述第一掩模区域的所述曝光用光的曝光特性与经由所述第二掩模区域的所述曝光用光的曝光特性的差量，而对所述掩模图案的至少一部分进行修正。
21.根据权利要求15至20中任一项所述的图案计算装置，其中
以经由所述第一掩模区域的所述曝光用光的曝光特性与经由所述第二掩模区域的所述曝光用光的曝光特性的差量变小或成为零的方式，对所述掩模图案的至少一部分进行修正。
22.根据权利要求1至21中任一项所述的图案计算装置，其中
所述掩模包含第一掩模区域，所述第一掩模区域为了形成所述元件图案的至少一部分而经所述曝光用光照射至少两次，
根据经由所述第一掩模区域的所述曝光用光的曝光特性在所述基板上的不均一，而对通过将计算出的所述单位掩模图案部排列多个而计算出的所述掩模图案的至少一部分进行修正。
23.一种图案计算装置，计算形成于掩模上的掩模图案，所述掩模是用于利用曝光用光在基板上形成元件图案，并且
所述掩模包含第一掩模区域，所述第一掩模区域为了形成所述元件图案的至少一部分而经所述曝光用光照射至少两次，
根据经由所述第一掩模区域的所述曝光用光的曝光特性在所述基板上的不均一，而对根据所述元件图案所计算出的所述掩模图案的至少一部分进行修正。
24.根据权利要求22或23所述的图案计算装置，其中
对所述掩模图案中形成于所述第一掩模区域的第一掩模图案部的至少一部分进行修正。
25.根据权利要求22至24中任一项所述的图案计算装置，其中
以经由所述第一掩模区域的所述曝光用光的曝光特性在所述基板上的不均一变小或经由所述第一掩模区域的所述曝光用光的曝光特性变均匀的方式，而对所述掩模图案的至少一部分进行修正。
26.根据权利要求19至25中任一项所述的图案计算装置，其中
所述曝光特性包含曝光量。
27.根据权利要求1至26中任一项所述的图案计算装置，其中
所述掩模包含：第三掩模区域，经用以经由第一投影光学系统对所述基板进行曝光的所述曝光用光进行照射；以及第四掩模区域，经用以经由第二投影光学系统对所述基板进行曝光的所述曝光用光进行照射，
根据所述第三掩模区域及所述第四掩模区域与所述掩模图案的对应关系，而对通过将计算出的所述单位掩模图案部排列多个而计算出的所述掩模图案的至少一部分进行修正。
28.一种图案计算装置，计算形成于掩模上的掩模图案，所述掩模是用于利用曝光用光在基板上形成元件图案，并且
所述掩模包含：第三掩模区域，经用以经由第一投影光学系统对所述基板进行曝光的所述曝光用光进行照射；以及第四掩模区域，经用以经由第二投影光学系统对所述基板进行曝光的所述曝光用光进行照射，
根据所述第三掩模区域及第四掩模区域与所述掩模图案的对应关系，而对根据所述元件图案所计算出的所述掩模图案的至少一部分进行修正。
29.根据权利要求27或28所述的图案计算装置，其中
对所述掩模图案中形成于所述第三掩模区域的第三掩模图案部及所述掩模图案中形成于所述第四掩模区域的第四掩模图案部中的至少其中之一进行修正。
30.根据权利要求29所述的图案计算装置，其中
所述第三掩模图案部的修正内容与所述第四掩模图案部的修正内容不同。
31.根据权利要求27至30中任一项所述的图案计算装置，其中
根据经由所述第三掩模区域的所述曝光用光的曝光特性及经由所述第四掩模区域的所述曝光用光的曝光特性中的至少其中之一，而对所述掩模图案的至少一部分进行修正。
32.根据权利要求27至31中任一项所述的图案计算装置，其中
根据经由所述第三掩模区域的所述曝光用光的曝光特性与经由所述第四掩模区域的所述曝光用光的曝光特性的差量，而对所述掩模图案的至少一部分进行修正。
33.根据权利要求27至32中任一项所述的图案计算装置，其中
以经由所述第三掩模区域的所述曝光用光的曝光特性与经由所述第四掩模区域的所述曝光用光的曝光特性的差量变小或成为零的方式，而对所述掩模图案的至少一部分进行修正。
34.根据权利要求31至33中任一项所述的图案计算装置，其中所述曝光特性包含曝光量。
35.根据权利要求27至34中任一项所述的图案计算装置，其中
根据所述第一投影光学系统的光学特性及所述第二投影光学系统的光学特性中的至少其中之一，而对所述掩模图案的至少一部分进行修正。
36.根据权利要求27至35中任一项所述的图案计算装置，其中
根据所述第一投影光学系统的光学特性与所述第二投影光学系统的光学特性的差量，而对所述掩模图案的至少一部分进行修正。
37.根据权利要求36所述的图案计算装置，其中
以因所述光学特性的差量而产生的经由所述第三掩模区域的所述曝光用光的曝光特性与经由所述第四掩模区域的所述曝光用光的曝光特性的差量变小或成为零的方式，而对所述掩模图案的至少一部分进行修正。
38.根据权利要求35至37中任一项所述的图案计算装置，其中
所述光学特性包含各投影光学系统的像差。
39.根据权利要求1至38中任一项所述的图案计算装置，其中
所述掩模包含第五掩模区域，所述第五掩模区域经用以经由所需的投影光学系统对所述基板进行曝光的所述曝光用光进行照射，
根据经由所述第五掩模区域的所述曝光用光的曝光特性在所述基板上的不均一，而对通过将计算出的所述单位掩模图案部排列多个而计算出的所述掩模图案的至少一部分进行修正。
40.一种图案计算装置，计算形成于掩模上的掩模图案，所述掩模用于利用曝光用光在基板上形成元件图案，并且
所述掩模包含第五掩模区域，所述第五掩模区域经用以经由所需的投影光学系统对所述基板进行曝光的所述曝光用光进行照射，
根据经由所述第五掩模区域的所述曝光用光的曝光特性在所述基板上的不均一，而对根据所述元件图案所计算出的所述掩模图案的至少一部分进行修正。
41.根据权利要求39或40所述的图案计算装置，其中
对所述掩模图案中形成于所述第五掩模区域的第五掩模图案部的至少其中之一进行修正。
42.根据权利要求39至41中任一项所述的图案计算装置，其中
以经由所述第五掩模区域的所述曝光用光的曝光特性在所述基板上的不均一变小或消失的方式，而对所述掩模图案的至少一部分进行修正。
43.根据权利要求39至42中任一项所述的图案计算装置，其中
所述曝光特性包含曝光量。
44.根据权利要求39至43中任一项所述的图案计算装置，其中
根据所述所需的投影光学系统的光学特性而对所述掩模图案的至少一部分进行修正。
45.根据权利要求44所述的图案计算装置，其中
以因所述光学特性而产生的经由所述第五掩模区域的所述曝光用光的曝光特性在所述基板上的不均一变小或消失的方式，而对所述掩模图案的至少一部分进行修正。
46.根据权利要求44或45所述的图案计算装置，其中
所述光学特性包含各投影光学系统的像差。
47.一种图案计算方法，计算形成于掩模上的掩模图案，所述掩模用于利用曝光用光在基板上形成将单位元件图案部排列多个而成的元件图案，并且所述图案计算方法的特征在于：
计算所述掩模图案中用以将一个所述单位元件图案部形成于所述基板上的单位掩模图案部，且通过将计算出的所述单位掩模图案部排列多个而计算所述掩模图案，
在计算所述单位掩模图案部时，假定相当于所述单位掩模图案部的至少一部分的特定掩模图案部邻接于所述单位掩模图案部，在此基础上计算所述单位掩模图案部。
48.一种图案计算方法，计算形成于掩模上的掩模图案，所述掩模用于利用曝光用光在基板上形成元件图案，并且
所述掩模包含：第一掩模区域，为了形成所述元件图案的至少一部分而经所述曝光用光照射至少两次；以及第二掩模区域，为了形成所述元件图案的至少另一部分而经所述曝光用光照射一次，
根据所述第一掩模区域及所述第二掩模区域与所述掩模图案的对应关系，而对根据所述元件图案所计算出的所述掩模图案的至少一部分进行修正。
49.一种图案计算方法，计算形成于掩模上的掩模图案，所述掩模用于利用曝光用光在基板上形成元件图案，并且
所述掩模包含第一掩模区域，所述第一掩模区域为了形成所述元件图案的至少一部分而经所述曝光用光照射至少两次，
根据经由所述第一掩模区域的所述曝光用光的曝光特性在所述基板上的不均一，而对根据所述元件图案所计算出的所述掩模图案的至少一部分进行修正。
50.一种图案计算方法，计算形成于掩模上的掩模图案，所述掩模用于利用曝光用光在基板上形成元件图案，并且
所述掩模包含：第三掩模区域，经用以经由第一投影光学系统对所述基板进行曝光的所述曝光用光进行照射；以及第四掩模区域，经用以经由第二投影光学系统对所述基板进行曝光的所述曝光用光进行照射，
根据所述第三掩模区域及所述第四掩模区域与所述掩模图案的对应关系，而对根据所述元件图案所计算出的所述掩模图案的至少一部分进行修正。
51.一种图案计算方法，计算形成于掩模上的掩模图案，所述掩模用于利用曝光用光在基板上形成元件图案，并且
所述掩模包含第五掩模区域，所述第五掩模区域经用以经由所需的投影光学系统对所述基板进行曝光的所述曝光用光进行照射，
根据经由所述第五掩模区域的所述曝光用光的曝光特性在所述基板上的不均一，而对根据所述元件图案所计算出的所述掩模图案的至少一部分进行修正。
52.一种掩模，是使用根据权利要求47至51中任一项所述的图案计算方法而制造。
53.一种掩模，形成有利用根据权利要求47至51中任一项所述的图案计算方法所计算出的掩模图案。
54.一种曝光装置，介隔根据权利要求52或53所述的掩模将所述曝光用光照射于所述基板，由此在所述基板上形成所述元件图案。
55.一种元件制造方法，使用根据权利要求54所述的曝光装置对涂布有感光剂的所述基板进行曝光，在所述基板上形成所述元件图案，
对经曝光的所述感光剂进行显影，形成与所述元件图案对应的曝光图案层，
介隔所述曝光图案层对所述基板进行加工。
56.一种计算机程序，使计算机执行根据权利要求47至51中任一项所述的图案计算方法。
57.一种记录媒体，记录有根据权利要求56所述的程序。
58.一种掩模，通过照射区域而经照射，所述照射区域含有来自照明系统的照射量根据第一方向的位置而沿着与所述第一方向交叉的所述第二方向变化的第一区域及与所述第一区域不同的第二区域，并且所述掩模包括：
第一电路图案，设于与所述照射区域中所述第一区域对应的区域中；以及
第二电路图案，设于与所述第二区域对应的区域中，且根据所述第一电路图案而形成。
59.根据权利要求58所述的掩模，其中所述第一电路图案及所述第二电路图案是根据在物体上投影所述第一电路图案及所述第二电路图案的投影光学系统的光学特性而形成。
60.根据权利要求59所述的掩模，其中所述第一电路图案是根据排列于所述第二方向上的多个投影光学系统各自的光学特性而形成。
61.一种掩模，具有通过光学特性不同的多个投影光学系统在物体上进行曝光的既定图案，并且所述掩模包括：
第一电路图案，根据所述多个投影光学系统中第一光学系统的光学特性而形成；以及
第二电路图案，根据与所述第一光学系统不同的第二光学系统的光学特性而形成。
62.根据权利要求61所述的掩模，其在将所述第一光学系统及所述第二光学系统排列而配置的既定方向上，还包括第三电路图案，所述第三电路图案是设于所述第一电路图案及所述第二电路图案之间，且根据所述第一光学系统及所述第二光学系统的光学特性而形成。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020109440A (ja) * 2019-01-04 2020-07-16 株式会社Ｊｏｌｅｄ フォトマスクの製造方法、表示パネルの製造方法、および、フォトマスク

Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07283132A (ja) * 1994-03-03 1995-10-27 Nikon Corp レティクルパターンをターゲット基板上でつなぎ合わせる方法及び装置
US5815685A (en) * 1994-09-16 1998-09-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus and method for correcting light proximity effects by predicting mask performance
JP2001068398A (ja) * 1999-08-27 2001-03-16 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法およびマスクの製造方法
JP2003043667A (ja) * 2001-07-30 2003-02-13 Ricoh Opt Ind Co Ltd 濃度分布マスクの製造方法
WO2004066371A1 (ja) * 2003-01-23 2004-08-05 Nikon Corporation 露光装置
JP2004233861A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Nikon Corp マスク、露光方法及びデバイス製造方法
JP2004272228A (ja) * 2003-02-21 2004-09-30 Canon Inc マスク及びその製造方法、露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法
JP2004294977A (ja) * 2003-03-28 2004-10-21 Nikon Corp パターン作成方法及びパターン作成システム、マスク製造方法及びマスク製造システム、マスク、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2005114865A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Ricoh Opt Ind Co Ltd 稠密構造物品の製造方法及びそこで用いる露光用マスク、並びにマイクロレンズアレイ
US20070031764A1 (en) * 2005-08-03 2007-02-08 Meng-Chi Liou Exposure process
US20080013061A1 (en) * 2006-02-16 2008-01-17 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, photomask and method for manufacturing photomask
JP2008310228A (ja) * 2007-06-18 2008-12-25 Nikon Corp パターンデータ処理方法及びシステム、並びに露光方法及び装置
US20090135399A1 (en) * 2006-06-09 2009-05-28 Nikon Corporation Pattern formation method, pattern formation apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2009170832A (ja) * 2008-01-21 2009-07-30 Seiko Epson Corp レイアウトパターンの演算方法、フォトマスク、半導体装置の製造方法、半導体装置、並びに電子機器
JP2012054302A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 V Technology Co Ltd 露光方法及び露光装置
CN103365072A (zh) * 2012-04-04 2013-10-23 佳能株式会社 用于生成掩模图案的方法
JP2014164036A (ja) * 2013-02-22 2014-09-08 Dainippon Printing Co Ltd 露光マスク製造方法、露光マスクを用いた露光方法、露光マスクを製造するために用いられる基準マスク、および露光マスク

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6318352A (ja) * 1986-07-11 1988-01-26 Agency Of Ind Science & Technol 分割露光用マスク
JP2004303951A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JP2005183600A (ja) * 2003-12-18 2005-07-07 Canon Inc 半導体装置、固体撮像装置、増幅型固体撮像装置、撮像システム、マスク装置、及び露光装置
JP2006171113A (ja) * 2004-12-13 2006-06-29 Toshiba Corp マスクデータ作成装置、マスクデータ作成方法、露光マスク、半導体装置の製造方法及びマスクデータ作成プログラム
JP4961750B2 (ja) * 2006-01-16 2012-06-27 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法及び露光方法
JP2007049208A (ja) * 2006-11-21 2007-02-22 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2008185908A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Nikon Corp マスクの製造方法、露光方法、露光装置、および電子デバイスの製造方法
US20080299499A1 (en) * 2007-05-30 2008-12-04 Naomasa Shiraishi Exposure method, method of manufacturing plate for flat panel display, and exposure apparatus
TW201100975A (en) 2009-04-21 2011-01-01 Nikon Corp Moving-object apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2013195583A (ja) * 2012-03-16 2013-09-30 Nikon Corp マスク、露光方法、露光装置およびデバイス製造方法
JP6108693B2 (ja) * 2012-06-08 2017-04-05 キヤノン株式会社 パターン作成方法

Patent Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07283132A (ja) * 1994-03-03 1995-10-27 Nikon Corp レティクルパターンをターゲット基板上でつなぎ合わせる方法及び装置
US5815685A (en) * 1994-09-16 1998-09-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus and method for correcting light proximity effects by predicting mask performance
JP2001068398A (ja) * 1999-08-27 2001-03-16 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法およびマスクの製造方法
JP2003043667A (ja) * 2001-07-30 2003-02-13 Ricoh Opt Ind Co Ltd 濃度分布マスクの製造方法
WO2004066371A1 (ja) * 2003-01-23 2004-08-05 Nikon Corporation 露光装置
JP2004233861A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Nikon Corp マスク、露光方法及びデバイス製造方法
JP2004272228A (ja) * 2003-02-21 2004-09-30 Canon Inc マスク及びその製造方法、露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法
JP2004294977A (ja) * 2003-03-28 2004-10-21 Nikon Corp パターン作成方法及びパターン作成システム、マスク製造方法及びマスク製造システム、マスク、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2005114865A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Ricoh Opt Ind Co Ltd 稠密構造物品の製造方法及びそこで用いる露光用マスク、並びにマイクロレンズアレイ
US20070031764A1 (en) * 2005-08-03 2007-02-08 Meng-Chi Liou Exposure process
US20080013061A1 (en) * 2006-02-16 2008-01-17 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, photomask and method for manufacturing photomask
US20090135399A1 (en) * 2006-06-09 2009-05-28 Nikon Corporation Pattern formation method, pattern formation apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2008310228A (ja) * 2007-06-18 2008-12-25 Nikon Corp パターンデータ処理方法及びシステム、並びに露光方法及び装置
JP2009170832A (ja) * 2008-01-21 2009-07-30 Seiko Epson Corp レイアウトパターンの演算方法、フォトマスク、半導体装置の製造方法、半導体装置、並びに電子機器
JP2012054302A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 V Technology Co Ltd 露光方法及び露光装置
CN103365072A (zh) * 2012-04-04 2013-10-23 佳能株式会社 用于生成掩模图案的方法
JP2014164036A (ja) * 2013-02-22 2014-09-08 Dainippon Printing Co Ltd 露光マスク製造方法、露光マスクを用いた露光方法、露光マスクを製造するために用いられる基準マスク、および露光マスク

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