JPS6318352A - 分割露光用マスク - Google Patents
分割露光用マスクInfo
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- JPS6318352A JPS6318352A JP61162026A JP16202686A JPS6318352A JP S6318352 A JPS6318352 A JP S6318352A JP 61162026 A JP61162026 A JP 61162026A JP 16202686 A JP16202686 A JP 16202686A JP S6318352 A JPS6318352 A JP S6318352A
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- JP
- Japan
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- wiring
- mask
- exposure
- 10mum
- divided
- Prior art date
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- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は配線基板の製造に用いる分割露光用マスクに関
する。
する。
従来、大型の配線基板の製造における配線パターンの焼
付けは、大型の露光用マスクを用いて、露光領域全域を
一括露光することにより行なっている。しかし、この従
来の一括露光力式では、マスクが大きくなればなる程マ
スクの熱膨張によるパターン寸法の誤差や露光機の照度
分布の偏差によるパターン寸法の誤差が大きく々シ、露
光機が投影型の場合には、これらの誤差のうえにさらに
レンズ歪みＫよる誤差が加わる。この結果配Ｈパターン
の寸法を微細にして行くと、上記誤差が配線パターン寸
法を上まわシ、パターン形成が不可能になるという欠点
がある。
付けは、大型の露光用マスクを用いて、露光領域全域を
一括露光することにより行なっている。しかし、この従
来の一括露光力式では、マスクが大きくなればなる程マ
スクの熱膨張によるパターン寸法の誤差や露光機の照度
分布の偏差によるパターン寸法の誤差が大きく々シ、露
光機が投影型の場合には、これらの誤差のうえにさらに
レンズ歪みＫよる誤差が加わる。この結果配Ｈパターン
の寸法を微細にして行くと、上記誤差が配線パターン寸
法を上まわシ、パターン形成が不可能になるという欠点
がある。
：：マスクを用いて一括露光をコンタクト力式（基板゛
・、Ｉ −゛とマスクを密着させて露光する方式）で行なった場
合、このマスクの熱膨張率を低膨張率ガラスの平均的な
値であるｌＸｌ０−’として温度変化を２０Ｃとすると
、熱膨張による誤差は、ｌＸ１０−１′×２００Ｘ２０
（１１１１，１＝４Ｃμｍ〕となる。照度分布は、平い
値になる。
・、Ｉ −゛とマスクを密着させて露光する方式）で行なった場
合、このマスクの熱膨張率を低膨張率ガラスの平均的な
値であるｌＸｌ０−’として温度変化を２０Ｃとすると
、熱膨張による誤差は、ｌＸ１０−１′×２００Ｘ２０
（１１１１，１＝４Ｃμｍ〕となる。照度分布は、平い
値になる。
このような欠点を除去する方法として、基板上の露光領
域を複数に分割して、それぞれの分割された領域に対応
するマスクを用いて複数回に分けて露光する分割露光方
式がある。
域を複数に分割して、それぞれの分割された領域に対応
するマスクを用いて複数回に分けて露光する分割露光方
式がある。
分割露光方式の具体例として、先に例示した直径２００
間の円型基板を１６個の一辺５０朋の正方形領域に分割
し、これらの領域を対応する各マスクによう順次露光し
た場合について以下に示す。
間の円型基板を１６個の一辺５０朋の正方形領域に分割
し、これらの領域を対応する各マスクによう順次露光し
た場合について以下に示す。
−枚の石英ガラスマスク白シの熱膨張率による誤差は、
ｌＸｌ０−’Ｘ５０Ｘ２０（問〕＝１〔μｍ〕となム照
度分布は、前記露光機の照度偏差の少ない領域のみを用
いることができるので、±２％程度に抑えられる。
ｌＸｌ０−’Ｘ５０Ｘ２０（問〕＝１〔μｍ〕となム照
度分布は、前記露光機の照度偏差の少ない領域のみを用
いることができるので、±２％程度に抑えられる。
従って、この１６分割露露光式の場合には、最小配線線
幅は１μｍよシやや大きい程度にできる。
幅は１μｍよシやや大きい程度にできる。
つまり、前記−括露光力式で用いたマスクをその横力向
および縦方向に対してｎ（正整数）分割すなわち全体で
ｎ°個に分割してそれぞれ個別に露光すると、熱膨張に
よるパターン寸法の誤差も照′１ノ度の偏差もともに前
記−括露光方式の場合のｎ分・１ ｐＨになる。
および縦方向に対してｎ（正整数）分割すなわち全体で
ｎ°個に分割してそれぞれ個別に露光すると、熱膨張に
よるパターン寸法の誤差も照′１ノ度の偏差もともに前
記−括露光方式の場合のｎ分・１ ｐＨになる。
と１
１＼、１しかし、このような分割方式においては、隣接
するマスクの境界で、個々のマスクと基板との目合わせ
誤差により、第２図に示すようなパターンずれか生じる
。このずれの大きさがパターン寸法を上回る場合には、
配線パターンに断線やショートが生じるという欠点があ
る。このずれの大きさは、目合わせの方法や目合わせ装
置の機械的精度によって異なるが概ね１μｍから５μｍ
の間に６る。
するマスクの境界で、個々のマスクと基板との目合わせ
誤差により、第２図に示すようなパターンずれか生じる
。このずれの大きさがパターン寸法を上回る場合には、
配線パターンに断線やショートが生じるという欠点があ
る。このずれの大きさは、目合わせの方法や目合わせ装
置の機械的精度によって異なるが概ね１μｍから５μｍ
の間に６る。
本発明のマスクは、被加工基板の表面を境界領域により
複数の分割領域に論理的に分割しこれらの分割領域を少
なくとも１つずつ露光する分割露光方式に用いる分割露
光用マスクにおいて、前記境界領域と係合する部分近傍
の配線間隔が他の部分の配線間隔よシ大きい配線パター
ンを形成するための露光用パターンを有スル。
複数の分割領域に論理的に分割しこれらの分割領域を少
なくとも１つずつ露光する分割露光方式に用いる分割露
光用マスクにおいて、前記境界領域と係合する部分近傍
の配線間隔が他の部分の配線間隔よシ大きい配線パター
ンを形成するための露光用パターンを有スル。
次に本発明について図面を参照して詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す平面図である。
露光領域２とその境界露光領域３とを示している。
本実施例では、第１のマスクの右端と第２のマスクの左
端とが１０μｍだけ重なるようにマスクを設計しである
が、第１図は露光機の目合わせ誤差により、左右力向の
重なりが５μｍになりかつ第２のマスクが下方向に５μ
ｍずれていることを示している。
端とが１０μｍだけ重なるようにマスクを設計しである
が、第１図は露光機の目合わせ誤差により、左右力向の
重なりが５μｍになりかつ第２のマスクが下方向に５μ
ｍずれていることを示している。
境界露光領域３とその両側１０μｍの領域では、配線ピ
ッチが２０μｍになシかつ信号配線線幅が１０μｍにな
るよう各マスクがつくられている。
ッチが２０μｍになシかつ信号配線線幅が１０μｍにな
るよう各マスクがつくられている。
とれより下の配置ｗ１やこの上に形成される予定の配線
層との接続のために設けられたものである。
層との接続のために設けられたものである。
以上、説明したように、本発明の第１の効果は１、
マスクを分割して露光することにより、パターン１ｉ 寸法の誤差や照度偏差を小さくできることである。
マスクを分割して露光することにより、パターン１ｉ 寸法の誤差や照度偏差を小さくできることである。
本発明の第２の効果は、分割されたマスク相互の二 境
界領域７は・それ以外の部分よシ配線トチを１．大きく
することにより分割されたマスク相互の相対的々位置ず
れを吸収し、配線パターンの断線や、ショートを防止で
きることである。
界領域７は・それ以外の部分よシ配線トチを１．大きく
することにより分割されたマスク相互の相対的々位置ず
れを吸収し、配線パターンの断線や、ショートを防止で
きることである。
′１
第１図は本発明の一実施例を示す平面図および第２図は
従来技術の例を示す平面図である。
従来技術の例を示す平面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被加工基板の表面を境界領域により複数の分割領域に論
理的に分割しこれらの分割領域を少なくとも１つずつ露
光する分割露光方式に用いる分割露光用マスクにおいて
、 前記境界領域と係合する部分近傍の配線間隔が他の部分
の配線間隔より大きい配線パターンを形成するための露
光用パターンを有することを特徴とする分割露光用マス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61162026A JPS6318352A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 分割露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61162026A JPS6318352A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 分割露光用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6318352A true JPS6318352A (ja) | 1988-01-26 |
| JPS6348331B2 JPS6348331B2 (ja) | 1988-09-28 |
Family
ID=15746660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61162026A Granted JPS6318352A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 分割露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6318352A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6355550A (ja) * | 1986-08-26 | 1988-03-10 | Mamiya Koki Kk | プリント基板の分割投影露光方法 |
| US5115456A (en) * | 1988-12-23 | 1992-05-19 | Hitachi, Ltd. | Mask for exposing wafer with radiation and its exposing method |
| US5364718A (en) * | 1988-09-06 | 1994-11-15 | Fujitsu Limited | Method of exposing patttern of semiconductor devices and stencil mask for carrying out same |
| WO1999066370A1 (fr) * | 1998-06-17 | 1999-12-23 | Nikon Corporation | Procede relatif a l'elaboration d'un masque |
| JP2001060003A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-03-06 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | フォトマスク及びこれを用いた半導体素子の微細パターン形成方法 |
| JP2018092966A (ja) * | 2016-11-30 | 2018-06-14 | 日東電工株式会社 | 配線回路基板およびその製造方法 |
| JP2019047102A (ja) * | 2017-08-29 | 2019-03-22 | 同泰電子科技股▲ふん▼有限公司ＵＮＩＦＬＥＸ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ． | フレキシブル回路基板及びその製造方法 |
| WO2021237552A1 (zh) * | 2020-05-28 | 2021-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板、曝光方法和触控面板 |
-
1986
- 1986-07-11 JP JP61162026A patent/JPS6318352A/ja active Granted
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6355550A (ja) * | 1986-08-26 | 1988-03-10 | Mamiya Koki Kk | プリント基板の分割投影露光方法 |
| JPS6349218B2 (ja) * | 1986-08-26 | 1988-10-04 | Mamiya Camera | |
| US5364718A (en) * | 1988-09-06 | 1994-11-15 | Fujitsu Limited | Method of exposing patttern of semiconductor devices and stencil mask for carrying out same |
| US5115456A (en) * | 1988-12-23 | 1992-05-19 | Hitachi, Ltd. | Mask for exposing wafer with radiation and its exposing method |
| US6653025B2 (en) | 1998-06-17 | 2003-11-25 | Nikon Corporation | Mask producing method |
| WO1999066370A1 (fr) * | 1998-06-17 | 1999-12-23 | Nikon Corporation | Procede relatif a l'elaboration d'un masque |
| US6841323B2 (en) | 1998-06-17 | 2005-01-11 | Nikon Corporation | Mask producing method |
| JP2001060003A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-03-06 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | フォトマスク及びこれを用いた半導体素子の微細パターン形成方法 |
| JP4497259B2 (ja) * | 1999-06-29 | 2010-07-07 | 株式会社ハイニックスセミコンダクター | フォトマスク及びこれを用いた半導体素子の微細パターン形成方法 |
| JP2018092966A (ja) * | 2016-11-30 | 2018-06-14 | 日東電工株式会社 | 配線回路基板およびその製造方法 |
| US11032913B2 (en) | 2016-11-30 | 2021-06-08 | Nitto Denko Corporation | Wired circuit board and production method thereof |
| US11266024B2 (en) | 2016-11-30 | 2022-03-01 | Nitto Denko Corporation | Wired circuit board and production method thereof |
| JP2019047102A (ja) * | 2017-08-29 | 2019-03-22 | 同泰電子科技股▲ふん▼有限公司ＵＮＩＦＬＥＸ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ． | フレキシブル回路基板及びその製造方法 |
| WO2021237552A1 (zh) * | 2020-05-28 | 2021-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板、曝光方法和触控面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6348331B2 (ja) | 1988-09-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |