JPS6348331B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6348331B2 JPS6348331B2 JP16202686A JP16202686A JPS6348331B2 JP S6348331 B2 JPS6348331 B2 JP S6348331B2 JP 16202686 A JP16202686 A JP 16202686A JP 16202686 A JP16202686 A JP 16202686A JP S6348331 B2 JPS6348331 B2 JP S6348331B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- exposure
- wiring
- divided
- pattern
- Prior art date
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- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は配線基板の製造に用いる分割露光用マ
スクに関する。
スクに関する。
従来、大型の配線基板の製造における配線パタ
ーンの焼付けは、大型の露光用マスクを用いて、
露光領域全域を一括露光することにより行なつて
いる。しかし、この従来の一括露光方式では、マ
スクが大きくなればなる程マスクの熱膨張による
パターン寸法の誤差や露光機の照度分布の偏差に
よるパターン寸法の誤差が大きくなり、露光機が
投影型の場合には、これらの誤差のうえにさらに
レンズ歪みによる誤差が加わる。この結果配線パ
ターンの寸法を微細にして行くと、上記誤差が配
線パターン寸法を上まわり、パターン形成が不可
能になるという欠点がある。
ーンの焼付けは、大型の露光用マスクを用いて、
露光領域全域を一括露光することにより行なつて
いる。しかし、この従来の一括露光方式では、マ
スクが大きくなればなる程マスクの熱膨張による
パターン寸法の誤差や露光機の照度分布の偏差に
よるパターン寸法の誤差が大きくなり、露光機が
投影型の場合には、これらの誤差のうえにさらに
レンズ歪みによる誤差が加わる。この結果配線パ
ターンの寸法を微細にして行くと、上記誤差が配
線パターン寸法を上まわり、パターン形成が不可
能になるという欠点がある。
上記誤差を具体的に示すと次のようになる。直
径200（mm）の円型基板の全領域に石英ガラスマス
クを用いて一括露光をコンタクト方式（基板とマ
スクを密着させて露光する方式）で行なつた場
合、このマスクの熱膨張率を低膨張率ガラスの平
均的な値である１×10-6として温度変化を20℃と
すると、熱膨張による誤差は、１×10-6×200×
20〔mm〕＝４〔μm〕となる。照度分布は、平均的な
露光機で±５％程度の偏差がある。従つて、この
基板の最小配線線幅は5μm程度という大きい値に
なる。
径200（mm）の円型基板の全領域に石英ガラスマス
クを用いて一括露光をコンタクト方式（基板とマ
スクを密着させて露光する方式）で行なつた場
合、このマスクの熱膨張率を低膨張率ガラスの平
均的な値である１×10-6として温度変化を20℃と
すると、熱膨張による誤差は、１×10-6×200×
20〔mm〕＝４〔μm〕となる。照度分布は、平均的な
露光機で±５％程度の偏差がある。従つて、この
基板の最小配線線幅は5μm程度という大きい値に
なる。
このような欠点を除去する方法として、基板上
の露光領域を複数に分割して、それぞれの分割さ
れた領域に対応するマスクを用いて複数回に分け
て露光する分割露光方式がある。
の露光領域を複数に分割して、それぞれの分割さ
れた領域に対応するマスクを用いて複数回に分け
て露光する分割露光方式がある。
分割露光方式の具体例として、先に例示した直
径200mmの円型基板を16個の一辺50mmの正方形領
域に分割し、これらの領域を対応する各マスクに
より順次露光した場合について以下に示す。
径200mmの円型基板を16個の一辺50mmの正方形領
域に分割し、これらの領域を対応する各マスクに
より順次露光した場合について以下に示す。
一枚の石英ガラスマスク当りの熱膨張率による
誤差は、１×10-6×50×20〔mm〕＝１〔μm〕とな
る。
誤差は、１×10-6×50×20〔mm〕＝１〔μm〕とな
る。
照度分布は、前記露光機の照度偏差の少ない領
域のみを用いることができるので、±２％程度に
抑えられる。
域のみを用いることができるので、±２％程度に
抑えられる。
従つて、この16分割露光方式の場合には、最小
配線線幅は1μmよりやや大きい程度にできる。
配線線幅は1μmよりやや大きい程度にできる。
つまり、前記一括露光方式で用いたマスクをそ
の横方向および縦方向に対してｎ（正整数）分割
すなわち全体でn2個に分割してそれぞれ個別に露
光すると、熱膨張によるパターン寸法の誤差も照
度の偏差もともに前記一括露光方式の場合のｎ分
の１になる。
の横方向および縦方向に対してｎ（正整数）分割
すなわち全体でn2個に分割してそれぞれ個別に露
光すると、熱膨張によるパターン寸法の誤差も照
度の偏差もともに前記一括露光方式の場合のｎ分
の１になる。
しかし、このような分割方式においては、隣接
するマスクの境界で、個々のマスクと基板との目
合わせ誤差により、第２図に示すようなパターン
ずれが生じる。このずれの大きさがパターン寸法
を上回る場合には、配線パターンに断線やシヨー
トが生じるという欠点がある。このずれの大きさ
は、目合わせの方法や目合わせ装置の機械的精度
によつて異なるが概ね1μmから5μmの間にある。
するマスクの境界で、個々のマスクと基板との目
合わせ誤差により、第２図に示すようなパターン
ずれが生じる。このずれの大きさがパターン寸法
を上回る場合には、配線パターンに断線やシヨー
トが生じるという欠点がある。このずれの大きさ
は、目合わせの方法や目合わせ装置の機械的精度
によつて異なるが概ね1μmから5μmの間にある。
本発明のマスクは、被加工基板の表面を境界領
域により複数の分割領域に論理的に分割しこれら
の分割領域を少なくとも１つずつ露光する分割露
光方式に用いる分割露光用マスクにおいて、前記
境界領域と係合する部分近傍の配線間隔が他の部
分の配線間隔より大きい配線パターンを形成する
ための露光用パターンを有する。
域により複数の分割領域に論理的に分割しこれら
の分割領域を少なくとも１つずつ露光する分割露
光方式に用いる分割露光用マスクにおいて、前記
境界領域と係合する部分近傍の配線間隔が他の部
分の配線間隔より大きい配線パターンを形成する
ための露光用パターンを有する。
次に本発明について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例を示す平面図であ
る。
る。
本実施例においては、配線基板上に配線ピツチ
（間隔）10μmで信号配線線幅5μmの配線パターン
が分割露光により形成される。第１図は第１のマ
スクによる露光領域１と第２のマスクによる露光
領域２とその境界露光領域３とを示している。
（間隔）10μmで信号配線線幅5μmの配線パターン
が分割露光により形成される。第１図は第１のマ
スクによる露光領域１と第２のマスクによる露光
領域２とその境界露光領域３とを示している。
本実施例では、第１のマスクの右端と第２のマ
スクの左端とが10μmだけ重なるようにマスクを
設計してあるが、第１図は露光機の目合わせ誤差
により、左右方向の重なりが5μmになりかつ第２
のマスクが下方向に5μmずれていることを示して
いる。
スクの左端とが10μmだけ重なるようにマスクを
設計してあるが、第１図は露光機の目合わせ誤差
により、左右方向の重なりが5μmになりかつ第２
のマスクが下方向に5μmずれていることを示して
いる。
境界露光領域３とその両側10μmの領域では、
配線ピツチが20μmになりかつ信号配線線幅が
10μmになるよう各マスクがつくられている。
配線ピツチが20μmになりかつ信号配線線幅が
10μmになるよう各マスクがつくられている。
図示された終端配線パターン１１および２１
は、これより下の配線層やこの上に形成される予
定の配線層との接続のために設けられたものであ
る。
は、これより下の配線層やこの上に形成される予
定の配線層との接続のために設けられたものであ
る。
以上、説明したように、本発明の第１の効果
は、マスクを分割して露光することにより、パタ
ーン寸法の誤差や照度偏差を小さくできることで
ある。本発明の第２の効果は、分割されたマスク
相互の境界領域では、それ以外の部分より配線ピ
ツチを大きくすることにより分割されたマスク相
互の相対的な位置ずれを吸収し、配線パターンの
断線やシヨートを防止できることである。
は、マスクを分割して露光することにより、パタ
ーン寸法の誤差や照度偏差を小さくできることで
ある。本発明の第２の効果は、分割されたマスク
相互の境界領域では、それ以外の部分より配線ピ
ツチを大きくすることにより分割されたマスク相
互の相対的な位置ずれを吸収し、配線パターンの
断線やシヨートを防止できることである。
第１図は本発明の一実施例を示す平面図および
第２図は従来技術の例を示す平面図である。 １……第１マスクの露光領域、２……第２マス
クの露光領域、３……第１マスクと第２マスクの
境界露光領域、１０，２０……信号配線パター
ン、１１，２１……終端配線パターン、１２，２
２……露光境界の配線パターン。
第２図は従来技術の例を示す平面図である。 １……第１マスクの露光領域、２……第２マス
クの露光領域、３……第１マスクと第２マスクの
境界露光領域、１０，２０……信号配線パター
ン、１１，２１……終端配線パターン、１２，２
２……露光境界の配線パターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被加工基板の表面を境界領域により複数の分
割領域に論理的に分割しこれらの分割領域を少な
くとも１つずつ露光する分割露光方式に用いる分
割露光用マスクにおいて、 前記境界領域と係合する部分近傍の配線間隔が
他の部分の配線間隔より大きい配線パターンを形
成するための露光用パターンを有することを特徴
とする分割露光用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61162026A JPS6318352A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 分割露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61162026A JPS6318352A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 分割露光用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6318352A JPS6318352A (ja) | 1988-01-26 |
| JPS6348331B2 true JPS6348331B2 (ja) | 1988-09-28 |
Family
ID=15746660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61162026A Granted JPS6318352A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 分割露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6318352A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6355550A (ja) * | 1986-08-26 | 1988-03-10 | Mamiya Koki Kk | プリント基板の分割投影露光方法 |
| US5364718A (en) * | 1988-09-06 | 1994-11-15 | Fujitsu Limited | Method of exposing patttern of semiconductor devices and stencil mask for carrying out same |
| JPH02170410A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-02 | Hitachi Ltd | 放射線露光用マスクおよびこれを用いた放射線露光方法 |
| WO1999066370A1 (en) * | 1998-06-17 | 1999-12-23 | Nikon Corporation | Method for producing mask |
| KR20010004612A (ko) * | 1999-06-29 | 2001-01-15 | 김영환 | 포토 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 |
| JP6745712B2 (ja) | 2016-11-30 | 2020-08-26 | 日東電工株式会社 | 配線回路基板およびその製造方法 |
| CN110476121B (zh) * | 2017-03-31 | 2024-08-09 | 株式会社尼康 | 图案计算装置、图案计算方法以及记录媒体 |
| TWI658334B (zh) * | 2017-08-29 | 2019-05-01 | 同泰電子科技股份有限公司 | 軟性電路板及其製作方法 |
| JP7441031B2 (ja) * | 2019-11-11 | 2024-02-29 | 日東電工株式会社 | 配線回路基板の製造方法および配線回路基板集合体シート |
| WO2021237552A1 (zh) | 2020-05-28 | 2021-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板、曝光方法和触控面板 |
-
1986
- 1986-07-11 JP JP61162026A patent/JPS6318352A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6318352A (ja) | 1988-01-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |