JPH0545948B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0545948B2 JPH0545948B2 JP16422587A JP16422587A JPH0545948B2 JP H0545948 B2 JPH0545948 B2 JP H0545948B2 JP 16422587 A JP16422587 A JP 16422587A JP 16422587 A JP16422587 A JP 16422587A JP H0545948 B2 JPH0545948 B2 JP H0545948B2
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- JP
- Japan
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- pattern
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子を形成するフオトマスクに
関し、特にパターンの寸法を簡単に測定すること
ができる寸法チエツクパターンを有するフオトマ
スクに関するものである。
関し、特にパターンの寸法を簡単に測定すること
ができる寸法チエツクパターンを有するフオトマ
スクに関するものである。
従来フオトマスクにおけるこの種の寸法チエツ
クパターンはプロセス途中に発生する製造ばらつ
きが規定された寸法範囲内におさまつているかど
うかのチエツクをするか、あるいは形成されたパ
ターンが目的とするパターンよりも太いか細いか
チエツクするものにとどまつていた。
クパターンはプロセス途中に発生する製造ばらつ
きが規定された寸法範囲内におさまつているかど
うかのチエツクをするか、あるいは形成されたパ
ターンが目的とするパターンよりも太いか細いか
チエツクするものにとどまつていた。
上述した従来のフオトマスクにおける寸法チエ
ツクパターンはパターンのばらつきがある寸法範
囲内にはいつていることしか確認できない為転写
したパターンを用いて測定しない限りパターンの
寸法のばらつき値を把握することができないとい
う欠点があつた。
ツクパターンはパターンのばらつきがある寸法範
囲内にはいつていることしか確認できない為転写
したパターンを用いて測定しない限りパターンの
寸法のばらつき値を把握することができないとい
う欠点があつた。
本発明の目的は、形成されたパターン寸法のば
らつきを、直接視覚的に精度良く読みとることが
できる寸法チエツクパターンを有するフオトマス
クを提供することにある。
らつきを、直接視覚的に精度良く読みとることが
できる寸法チエツクパターンを有するフオトマス
クを提供することにある。
本発明のフオトマスクは、半導体基板上または
該半導体基板上に形成された種々の膜上に形成す
る半導体素子パターンとは別に幅と間隔が等しい
寸法を持つてなる定形パターン群と、該パターン
群の幅と間隔を一定の割合で変化させてなる複数
のパターン群とを有して構成される。
該半導体基板上に形成された種々の膜上に形成す
る半導体素子パターンとは別に幅と間隔が等しい
寸法を持つてなる定形パターン群と、該パターン
群の幅と間隔を一定の割合で変化させてなる複数
のパターン群とを有して構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例を示すフオトマスク
上の寸法チエツクパターンの平面図である。ここ
で所望のパターンは2μｍとし0.1μｍ単位で寸法を
測定するものとする。
上の寸法チエツクパターンの平面図である。ここ
で所望のパターンは2μｍとし0.1μｍ単位で寸法を
測定するものとする。
まず、第１図において、2μｍの幅と間隔を持
つたパターン群１１を最低３つ以上のパターンに
より形成する。このパターン数は特に限定しなく
てもよいが視覚的な誤差および近接効果をさける
ためにある程度以上の数を形成することが望まし
い。（本実施例ではパターンを５本形成した）。次
に、パターン寸法が2.1μｍでありパターン間隔が
1.9μｍであるパターン群１２を同様に形成し以下
必要に応じて測定したいパターン寸法範囲をこえ
るまで0.1μｍきざみにパターン幅は長くし、パタ
ーン間隔は短かくしたパターン群を形成する。さ
らには、パターン寸法を逆に所望値の2μｍに対
して0.1μｍきざみに短かくしパターン間隔は0.1μ
ｍきざみで長くしたパターン群を同様に形成す
る。（本実施例では±0.3μｍの範囲までパターン
を変化させている）。
つたパターン群１１を最低３つ以上のパターンに
より形成する。このパターン数は特に限定しなく
てもよいが視覚的な誤差および近接効果をさける
ためにある程度以上の数を形成することが望まし
い。（本実施例ではパターンを５本形成した）。次
に、パターン寸法が2.1μｍでありパターン間隔が
1.9μｍであるパターン群１２を同様に形成し以下
必要に応じて測定したいパターン寸法範囲をこえ
るまで0.1μｍきざみにパターン幅は長くし、パタ
ーン間隔は短かくしたパターン群を形成する。さ
らには、パターン寸法を逆に所望値の2μｍに対
して0.1μｍきざみに短かくしパターン間隔は0.1μ
ｍきざみで長くしたパターン群を同様に形成す
る。（本実施例では±0.3μｍの範囲までパターン
を変化させている）。
以上のように形成されたパターン群が、半導体
基板上あるいは半導体基板上に形成された絶縁膜
上のフオトレジスト膜にパターン転写された場合
プロセス変動によるパターン寸法のばらつきが生
じてパターン寸法がばらついたとすれば実際のパ
ターンの幅と間隔が等しくなる部分を顕微鏡など
の視覚チエツクで確認しマスク上でパターンの幅
と間隔が等しくとつてある部分までのずれを測定
することによつてパターン寸法のばらつきを精度
よく読みとることができる。
基板上あるいは半導体基板上に形成された絶縁膜
上のフオトレジスト膜にパターン転写された場合
プロセス変動によるパターン寸法のばらつきが生
じてパターン寸法がばらついたとすれば実際のパ
ターンの幅と間隔が等しくなる部分を顕微鏡など
の視覚チエツクで確認しマスク上でパターンの幅
と間隔が等しくとつてある部分までのずれを測定
することによつてパターン寸法のばらつきを精度
よく読みとることができる。
第２図は本発明の他の実施例の平面図である。
本実施例は第１の実施例と何ら変わりないが、
縦、横２方向につきパターン寸法のばらつきを目
視にて読みとることが可能なパターンとなつてい
る。
本実施例は第１の実施例と何ら変わりないが、
縦、横２方向につきパターン寸法のばらつきを目
視にて読みとることが可能なパターンとなつてい
る。
以上説明したように本発明は幅と間隔が等しい
寸法を持つてなる定形パターン群とこのパターン
群の幅と間隔を一定の割合で変化させた複数のパ
ターン群を実際の半導体素子パターンとは別にフ
オトマスクに設けることにより形成されるパター
ンの寸法のばらつきを直接視覚的に精度良く読み
とれる効果がある。
寸法を持つてなる定形パターン群とこのパターン
群の幅と間隔を一定の割合で変化させた複数のパ
ターン群を実際の半導体素子パターンとは別にフ
オトマスクに設けることにより形成されるパター
ンの寸法のばらつきを直接視覚的に精度良く読み
とれる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の要部の平面図、第
２図は本発明の他の実施例の要部の平面図であ
る。 １１……2μｍの幅と間隔を持つたパターン群、
１２……幅が2.1μｍで間隔が1.9μｍのパターン
群、１３……幅が2.2μｍで間隔が1.8μｍのパター
ン群、１４……幅が2.3μｍで間隔が1.7μｍのパタ
ーン群、１５……幅が1.9μｍで間隔が2.1μｍのパ
ターン群、１６……幅が1.8μｍで間隔が2.2μｍの
パターン群、１７……幅が1.7μｍで間隔が2.3μｍ
のパターン群、２１……一定の幅と間隔を持つた
パターン寸法測定用パターン群。
２図は本発明の他の実施例の要部の平面図であ
る。 １１……2μｍの幅と間隔を持つたパターン群、
１２……幅が2.1μｍで間隔が1.9μｍのパターン
群、１３……幅が2.2μｍで間隔が1.8μｍのパター
ン群、１４……幅が2.3μｍで間隔が1.7μｍのパタ
ーン群、１５……幅が1.9μｍで間隔が2.1μｍのパ
ターン群、１６……幅が1.8μｍで間隔が2.2μｍの
パターン群、１７……幅が1.7μｍで間隔が2.3μｍ
のパターン群、２１……一定の幅と間隔を持つた
パターン寸法測定用パターン群。
Claims (1)
- １ 半導体基板上または該半導体基板上に形成さ
れた種々の膜上に形成する半導体素子パターンと
は別に幅と間隔が等しい寸法を持つてなる定形パ
ターン群と、該定形パターン群から離れるに従い
順次パターン群の幅と間隔を一定の割合で変化さ
せ、各群のパターン幅と間隔の和が一定な複数の
パターン群とを有することを特徴とするフオトマ
スク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16422587A JPS647043A (en) | 1987-06-30 | 1987-06-30 | Photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16422587A JPS647043A (en) | 1987-06-30 | 1987-06-30 | Photomask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS647043A JPS647043A (en) | 1989-01-11 |
| JPH0545948B2 true JPH0545948B2 (ja) | 1993-07-12 |
Family
ID=15789050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16422587A Granted JPS647043A (en) | 1987-06-30 | 1987-06-30 | Photomask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS647043A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07153802A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-06-16 | Nec Corp | 半導体装置 |
| TWI268887B (en) | 2005-12-29 | 2006-12-21 | Ind Tech Res Inst | Wheel arrangement for four-wheeled vehicles |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS582845A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-08 | Toshiba Corp | フォトマスク及びパタ−ン評価方法 |
| JPS5883853A (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-19 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学系のディストーシヨン検査方法 |
| JPS5960439A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-06 | Fujitsu Ltd | フオト・マスク |
-
1987
- 1987-06-30 JP JP16422587A patent/JPS647043A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS582845A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-08 | Toshiba Corp | フォトマスク及びパタ−ン評価方法 |
| JPS5883853A (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-19 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学系のディストーシヨン検査方法 |
| JPS5960439A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-06 | Fujitsu Ltd | フオト・マスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS647043A (en) | 1989-01-11 |
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