JPS582845A - フォトマスク及びパタ−ン評価方法 - Google Patents
フォトマスク及びパタ−ン評価方法Info
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- JPS582845A JPS582845A JP56101600A JP10160081A JPS582845A JP S582845 A JPS582845 A JP S582845A JP 56101600 A JP56101600 A JP 56101600A JP 10160081 A JP10160081 A JP 10160081A JP S582845 A JPS582845 A JP S582845A
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明け，デバイス尋の製造工程に用いられるフォトマ
スク、及びζの７オトマスクにょ）転写され九パターン
を評価する方法に関する。
スク、及びζの７オトマスクにょ）転写され九パターン
を評価する方法に関する。
Ｖ′・
ｆｉ，ｔｔｆ、ｒ−｝ 巾のコントロールはレジスト中
とレジスト中から夾際Ｏｐａｌｙ引のダート巾ｔで゜の
変換差をｈ＠えるζとが最重要である．現在レゾスト中
．ｐａｌｙｒ−｝巾を正確に知るためには種々の手段が
構じられてお勤その１つとして測微計が用いられてｉる
．ζの測定方法は、広く用いられているものの、顕微鏡
の焦点の合わぜ方で寸法が異なり，個々間の゛誤差が非
常に大きくな勤、ｒ−｝巾の絶対評価Ｋ Ｆｉｔ’ｔど
遠い手段である．壜大他の手段としては、レーデ−光を
試料に轟てそ０反射光の強度をモニターして寸法を一定
する方法がＴｏゐ．とζろがこの方法。で４徴ＩＩＩ１
′定物の断面形状κ大龜《影響を受は相対的な寸法の測
定には，適しているが，絶対寸法の測定には肉かなー．
他κも寸法測定方法は。
とレジスト中から夾際Ｏｐａｌｙ引のダート巾ｔで゜の
変換差をｈ＠えるζとが最重要である．現在レゾスト中
．ｐａｌｙｒ−｝巾を正確に知るためには種々の手段が
構じられてお勤その１つとして測微計が用いられてｉる
．ζの測定方法は、広く用いられているものの、顕微鏡
の焦点の合わぜ方で寸法が異なり，個々間の゛誤差が非
常に大きくな勤、ｒ−｝巾の絶対評価Ｋ Ｆｉｔ’ｔど
遠い手段である．壜大他の手段としては、レーデ−光を
試料に轟てそ０反射光の強度をモニターして寸法を一定
する方法がＴｏゐ．とζろがこの方法。で４徴ＩＩＩ１
′定物の断面形状κ大龜《影響を受は相対的な寸法の測
定には，適しているが，絶対寸法の測定には肉かなー．
他κも寸法測定方法は。
いろいろ番るか一長一短がＴｏ勤一現在一番絶対寸法が
測定可能な方法は８）ｍ（ｌｅａｎｎｉｍｇ ｉｌ＠ｓ
＋ｔｒ＠Ｍｉ＊ｒｍｍ［株］●ｙｙ） Ｋよる方法であ
る．しかしこの方法Ｆｉ測定サンプルを作成する必要が
Ｔｏ勤，ウエハープ■セスのインプ■セスモニタリング
が面倒で煩雑となる＠ これに対し，本発明者らは上記欠点を克服すべく鋭意検
討した結果、以下に説明する研究遍１Ｍによ）ウェハの
処理プロセス中等におけるレジストパター７寸法、及び
最終パターン寸法を簡便かつ精度よく評価し得るフォト
マスク並びに該７オトマス１ｋｔ３♂コｖ腎嘔ｋを見い
出し良。
測定可能な方法は８）ｍ（ｌｅａｎｎｉｍｇ ｉｌ＠ｓ
＋ｔｒ＠Ｍｉ＊ｒｍｍ［株］●ｙｙ） Ｋよる方法であ
る．しかしこの方法Ｆｉ測定サンプルを作成する必要が
Ｔｏ勤，ウエハープ■セスのインプ■セスモニタリング
が面倒で煩雑となる＠ これに対し，本発明者らは上記欠点を克服すべく鋭意検
討した結果、以下に説明する研究遍１Ｍによ）ウェハの
処理プロセス中等におけるレジストパター７寸法、及び
最終パターン寸法を簡便かつ精度よく評価し得るフォト
マスク並びに該７オトマス１ｋｔ３♂コｖ腎嘔ｋを見い
出し良。
即ち、第１図に示す如く真えはカクタス育一りの！スク
ノ母ターン、ｌ含有するフォトマスクκよりレジスト膜
に該／ｆターン１を転写する場合を考える。フォトマス
クの転写によｐその▼スクノヤターン１通９にレジスト
偉が形成され九場合，謔２図の２Ｃに示すレジスト／４
ターンが形成される．しかしながら、レジスト・臂ター
ンがマスクパターン１よｐＯ．４μｍ細く形成された場
合には第２図の２１１に示すレジストパターンとなる。
ノ母ターン、ｌ含有するフォトマスクκよりレジスト膜
に該／ｆターン１を転写する場合を考える。フォトマス
クの転写によｐその▼スクノヤターン１通９にレジスト
偉が形成され九場合，謔２図の２Ｃに示すレジスト／４
ターンが形成される．しかしながら、レジスト・臂ター
ンがマスクパターン１よｐＯ．４μｍ細く形成された場
合には第２図の２１１に示すレジストパターンとなる。
また、０．８μｍ細い場合には同図の２▲κ示すレジス
トパターンとなる．逆κ，０．４μｍ太い場合には同図
の２Ｉ１示すレジストパターン。
トパターンとなる．逆κ，０．４μｍ太い場合には同図
の２Ｉ１示すレジストパターン。
０、８μｍ太い場合には同図の２ＩＣに示すレゾストノ
臂ターン、となる、！スクノ臂ターン１と全く同じ寸法
にレジスト／４ターンが形成され大場合を規格通りとす
ると，規格から０．４μｒｍｌｊａｋｔ）に形成されて
いるレノストパターンは同図のレジスト／ぐメ一７２Ｂ
の（７）の点において上部ツヤターン素に）と下部ノ豐
ターン＊−の間隔が０．４μｍ離なれるととになり、他
の場合も同様に同図の（至）の点を見るだけでレジスト
・ｆターン巾が規格よシ細く形成されているか、或いは
太めに形成されているか、を容易に判断できる。規格通
シにレノストパターンが形成されている場合には、同図
のレジストノ譬ターン２ＣＫ示ｆｋＪ＜上部ノリーン嵩
に）の工、ゾビ）と下部ツヤターン素−の工、５ｐ（ｔ
ｙ）とか（支）の点で一直線になる。規格のレゾストパ
ターン寸法よ如儒えば０．４＃ｌ細い場合は、同図のレ
ノストパターン２１に示す如く（７）の点での間隔が０
４４ａと、規格寸法からのずれ量に等しくなる。逆Ｋ例
えば０．４ｔｍ太い場合には、同図のレジストノ臂−一
７２Ｄに示す如く（７）の点での重なりが０４５１１１
となる。換言すれば、規格寸法からのずれ量はカクタス
状のレノストパターンを構成する上部パターン素、下部
ツヤターン素の間隔或いは重なり量に等しくなる。
臂ターン、となる、！スクノ臂ターン１と全く同じ寸法
にレジスト／４ターンが形成され大場合を規格通りとす
ると，規格から０．４μｒｍｌｊａｋｔ）に形成されて
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の（７）の点において上部ツヤターン素に）と下部ノ豐
ターン＊−の間隔が０．４μｍ離なれるととになり、他
の場合も同様に同図の（至）の点を見るだけでレジスト
・ｆターン巾が規格よシ細く形成されているか、或いは
太めに形成されているか、を容易に判断できる。規格通
シにレノストパターンが形成されている場合には、同図
のレジストノ譬ターン２ＣＫ示ｆｋＪ＜上部ノリーン嵩
に）の工、ゾビ）と下部ツヤターン素−の工、５ｐ（ｔ
ｙ）とか（支）の点で一直線になる。規格のレゾストパ
ターン寸法よ如儒えば０．４＃ｌ細い場合は、同図のレ
ノストパターン２１に示す如く（７）の点での間隔が０
４４ａと、規格寸法からのずれ量に等しくなる。逆Ｋ例
えば０．４ｔｍ太い場合には、同図のレジストノ臂−一
７２Ｄに示す如く（７）の点での重なりが０４５１１１
となる。換言すれば、規格寸法からのずれ量はカクタス
状のレノストパターンを構成する上部パターン素、下部
ツヤターン素の間隔或いは重なり量に等しくなる。
しかして、本発明者らは上記カタタス状Ｏ−ｒスクノ母
ターンから転尊し九ノ量ターンのずれ量がその寸法評価
に応用できる仁とに着目し、マスクパターンを有すると
共に、骸ノ臂ターンとは別の領域に互に間隔を変えた複
数の寸法精１基準パターン（告えばカクタスマーク状の
）臂ターン）を設は九フォトマスクを作鯛し、このフォ
トマスクを用いて伺えば基板上のレジスト膜に転写し、
前記寸法精度基準ノ臂ターンよ）転写され大寸法精度榔
示ノ量ターンにおける間隔が零のパターンを検出し、こ
の／ｆターンに対応するフォトマスクの寸法精度基準パ
ターン間の距離を読みとるととＫよって、該フォトマス
クの！スタノ豐ターンによる転写パターンの寸法精度を
簡便かつ高精度で評価し得ることを見い出しえ。
ターンから転尊し九ノ量ターンのずれ量がその寸法評価
に応用できる仁とに着目し、マスクパターンを有すると
共に、骸ノ臂ターンとは別の領域に互に間隔を変えた複
数の寸法精１基準パターン（告えばカクタスマーク状の
）臂ターン）を設は九フォトマスクを作鯛し、このフォ
トマスクを用いて伺えば基板上のレジスト膜に転写し、
前記寸法精度基準ノ臂ターンよ）転写され大寸法精度榔
示ノ量ターンにおける間隔が零のパターンを検出し、こ
の／ｆターンに対応するフォトマスクの寸法精度基準パ
ターン間の距離を読みとるととＫよって、該フォトマス
クの！スタノ豐ターンによる転写パターンの寸法精度を
簡便かつ高精度で評価し得ることを見い出しえ。
以下１本発明なレジス） ｚｆターンの寸法評価に適用
し九例を第３図及び第４図を参照して説明する。
し九例を第３図及び第４図を参照して説明する。
第３図は本発明のフォトマスクにおけるマスク・臂ター
ンとは別の領域に形成され大寸法精度基準・々ターンを
示す拡大平面図である１図中の１０Ｊは基準点を示すノ
脅ターンでめ９，１０２゜１ｏｎ、１ｏ４ｅｄカクタス
マークの寸法精度標示ノ臂ターン３争を構成する矩形の
パターン索である。
ンとは別の領域に形成され大寸法精度基準・々ターンを
示す拡大平面図である１図中の１０Ｊは基準点を示すノ
脅ターンでめ９，１０２゜１ｏｎ、１ｏ４ｅｄカクタス
マークの寸法精度標示ノ臂ターン３争を構成する矩形の
パターン索である。
上部・！ターン５１０２と左右の下部ツヤターン素１０
１．１０４とＯ間隔は（７）、ｔ７７の点で零となって
いゐ・★え＋ｌで示し九カクタスマークの寸法精度基準
パターンムは、上部パターン素１＃Ｉと左右Ｏ下部パタ
ーン素ｌａｇ、ｌｅａとから構成され、上部Δターン素
１０１と左側Ｏ下部／４ターン素１（１１０１１両方向
の間隔し）、同・４／−ン素１０１と右側の下Ｓ／ツヤ
ターン素ｏｚｏｘｒ両方向の間隔（イ）は夫ｋ −０，
２Ｊｍとなるように設計されている。＋２で示し六カタ
タス！−夕の寸法精度基準ノ譬ターン１１は、上部１４
ｆｉ−７ｇ１０１と左右の下部Δターン素１０８゜１０
−とから構成され、上部ツヤターン素Ｊａ１と左右の下
部ノｆターンｌｌ！１０８．ｌｌｌ−との夫々Ｏ間隔−
１に）は０．４１ｍとなるように設計されてい為、＋３
で示し九カタタスマークの寸法精度基準パターンムは、
上＠ ｔ４ターン素１０ｍと左右の下部／４ターン素１
１０．１０８とから構成され、上部Ｉり一ン素１０ｍと
左右の下部ツヤターン素１１０，１０ｇとの夫々の間隔
に）。
１．１０４とＯ間隔は（７）、ｔ７７の点で零となって
いゐ・★え＋ｌで示し九カクタスマークの寸法精度基準
パターンムは、上部パターン素１＃Ｉと左右Ｏ下部パタ
ーン素ｌａｇ、ｌｅａとから構成され、上部Δターン素
１０１と左側Ｏ下部／４ターン素１（１１０１１両方向
の間隔し）、同・４／−ン素１０１と右側の下Ｓ／ツヤ
ターン素ｏｚｏｘｒ両方向の間隔（イ）は夫ｋ −０，
２Ｊｍとなるように設計されている。＋２で示し六カタ
タス！−夕の寸法精度基準ノ譬ターン１１は、上部１４
ｆｉ−７ｇ１０１と左右の下部Δターン素１０８゜１０
−とから構成され、上部ツヤターン素Ｊａ１と左右の下
部ノｆターンｌｌ！１０８．ｌｌｌ−との夫々Ｏ間隔−
１に）は０．４１ｍとなるように設計されてい為、＋３
で示し九カタタスマークの寸法精度基準パターンムは、
上＠ ｔ４ターン素１０ｍと左右の下部／４ターン素１
１０．１０８とから構成され、上部Ｉり一ン素１０ｍと
左右の下部ツヤターン素１１０，１０ｇとの夫々の間隔
に）。
■は０．６ Ｊｍとなるように設計されている。１に＋
４で示し大カクタスマークの寸法精度基準ｌ臂ターンＪ
４は、上部ツヤターン素１１１と下部ツヤターン素ＪＪ
Ｊ、ＪＪ＃とから構成され、これらパターン素１１１と
ＪＪＪ、ＪＪ＃の間隔（ト）（イ）け夫々０．８ｓｒｍ
となるよう設計されている。
４で示し大カクタスマークの寸法精度基準ｌ臂ターンＪ
４は、上部ツヤターン素１１１と下部ツヤターン素ＪＪ
Ｊ、ＪＪ＃とから構成され、これらパターン素１１１と
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となるよう設計されている。
一方、−１で示し九カクタス１−夕の寸法精度基準ｊ臂
ターン互土′は上部パターンＩＪＪＪと左右の下Ｉｌｌ
／ｆターン素１０４．１１４とから構成され、これらツ
ヤターン素）１３と１０４゜１１４０重な）（ロ）、（
ロ）け夫々０１！ ｓｒｓとなるように設計されている
。−２で示したカクタスマークの寸法精度基準パターン
Ｊ 、？−は上１ｔ／臂ターン索ＪＪＪと左右の下部ツ
ヤターン素１１４，１１ｇとから構成され、これらΔタ
ーン素１１８と１１４．１１８の重な襲（財）、（ロ）
は夫々０．４μｍとなゐように設計されている。−３で
示し大カクタスマークの寸法精度基＊／ｆターンム′は
上部／譬ターン索１１Ｆと左右の下ｓノ４ターン素１１
６゜１１１とから構成され、これらノ臂ターン＠ ＵＶ
と１１６．１１８０重なり−、し）は夫々０．６μｍと
なるように設計されている。更に−４で示し大カクタス
マークの寸法精度基準Ｉす、−ンＬｉは上Ｓ／９１７票
１１−４１−左右の下部ノｆターン票１１８ｍ１１−と
から構成され、これらパターン＊ｚ Ｊ ＃と１１８，
１１１１０重な）し）、例は夫々０９Ｅ−２１に為よう
に設計されてい石。
ターン互土′は上部パターンＩＪＪＪと左右の下Ｉｌｌ
／ｆターン素１０４．１１４とから構成され、これらツ
ヤターン素）１３と１０４゜１１４０重な）（ロ）、（
ロ）け夫々０１！ ｓｒｓとなるように設計されている
。−２で示したカクタスマークの寸法精度基準パターン
Ｊ 、？−は上１ｔ／臂ターン索ＪＪＪと左右の下部ツ
ヤターン素１１４，１１ｇとから構成され、これらΔタ
ーン素１１８と１１４．１１８の重な襲（財）、（ロ）
は夫々０．４μｍとなゐように設計されている。−３で
示し大カクタスマークの寸法精度基＊／ｆターンム′は
上部／譬ターン索１１Ｆと左右の下ｓノ４ターン素１１
６゜１１１とから構成され、これらノ臂ターン＠ ＵＶ
と１１６．１１８０重なり−、し）は夫々０．６μｍと
なるように設計されている。更に−４で示し大カクタス
マークの寸法精度基準Ｉす、−ンＬｉは上Ｓ／９１７票
１１−４１−左右の下部ノｆターン票１１８ｍ１１−と
から構成され、これらパターン＊ｚ Ｊ ＃と１１８，
１１１１０重な）し）、例は夫々０９Ｅ−２１に為よう
に設計されてい石。
次に、上達しえ７オトマスクを用いてΔターン転写し大
際のレジストパターンの寸法精度評価方法をＩＩＩＷＡ
すゐ。
際のレジストパターンの寸法精度評価方法をＩＩＩＷＡ
すゐ。
まず、上、記フォトマスクを用いて例えばクエ＾マルジ
ス） ＩＩ Ｋ １ｍ ｑスフのマスクΔターン及び寸
法精度基準Δターンｂ、ムｓ、ＬＬ。
ス） ＩＩ Ｋ １ｍ ｑスフのマスクΔターン及び寸
法精度基準Δターンｂ、ムｓ、ＬＬ。
ＬＬ１ム・ム′・−「、ｌノ、１ノを転写し。
ｉｉ＊処瑠してレゾスト／量ターンを形成する。こ０１
１に、寸法精度基ｊ１１１Ｉ／昔ターンム、五〜ム。
１に、寸法精度基ｊ１１１Ｉ／昔ターンム、五〜ム。
ム′〜ム′によ〕例えばｊＩ４図に示すよりなカクタス
マークの寸法精＆棒示しジストノ４ターンＬＬ！ム〜ム
、工ｆ〜−１１′が形成され九場合、上部レジストノリ
−ν索と下部レゾスト／譬ターン索との間隔が零となる
寸法精１ＩＬ４ＩＩ示レジストΔターンを検出する。例
えば、ＩＩ４図に示す如（寸法精度橡示しゾストノリー
ン４■がその上部レジストノ童ターン索２ｏ１と左右の
下部レジスタＩり一ン素Ｊｌ）＃、ＪＭ？＃の間隔が零
てめる場合は、この寸法精度祢示しゾストパメーンｉｉ
Ｋ対応する７オ）ｗスフの寸法精度基準／ｆ量ターンこ
ζではｂ）の間隔を読みとる。
マークの寸法精＆棒示しジストノ４ターンＬＬ！ム〜ム
、工ｆ〜−１１′が形成され九場合、上部レジストノリ
−ν索と下部レゾスト／譬ターン索との間隔が零となる
寸法精１ＩＬ４ＩＩ示レジストΔターンを検出する。例
えば、ＩＩ４図に示す如（寸法精度橡示しゾストノリー
ン４■がその上部レジストノ童ターン索２ｏ１と左右の
下部レジスタＩり一ン素Ｊｌ）＃、ＪＭ？＃の間隔が零
てめる場合は、この寸法精度祢示しゾストパメーンｉｉ
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ζではｂ）の間隔を読みとる。
ζζで１寸法精度基準パターンＪ、の各パターン索１０
１とｉｅｇ、ｉｏａの間隔は０．４趨となるように設計
しであるから％この／皆ターン１１が転写され九寸法精
度榔示しジストパターζムＯ各しジストパターン素ｘｏ
ｖとｘｏｉ、ｚｏａの間隔が零ということは、レジスト
／譬ターンが １・、規格よｊＯ０４ＩＩｍ太っ
て形成され大こ七を意味する。しかるに、フォトマスク
の−ｗスクノＩターンによ）転写され大しジストノダタ
ーン（チ、ｆ）量ターン等＞＃ｉｏ、４ｓ膳太く形成さ
れてい不ことを評価で１為。
１とｉｅｇ、ｉｏａの間隔は０．４趨となるように設計
しであるから％この／皆ターン１１が転写され九寸法精
度榔示しジストパターζムＯ各しジストパターン素ｘｏ
ｖとｘｏｉ、ｚｏａの間隔が零ということは、レジスト
／譬ターンが １・、規格よｊＯ０４ＩＩｍ太っ
て形成され大こ七を意味する。しかるに、フォトマスク
の−ｗスクノＩターンによ）転写され大しジストノダタ
ーン（チ、ｆ）量ターン等＞＃ｉｏ、４ｓ膳太く形成さ
れてい不ことを評価で１為。
一方、フォ）−ｒヌタの寸法精度基準ΔターンＬＬ＃ム
〜ム ＃ｕ’ 〜ム′によ）形成され大寸法精度標示し
ｙス）パターンにおけるレジストパターン１０間隔が零
となゐパターンか寸法精度基準ノダターンム′に対応ず
ゐ箇所で６つに場合、仁の／曹ターンＬ′が転写された
寸法精度標示しジヌトΔターンの各レジストノ母ターン
票が塔上いうことは、レジストノ臂ターンが規格よｆＪ
ｏ、２ｐｍ細く形成されていることな意味する。
〜ム ＃ｕ’ 〜ム′によ）形成され大寸法精度標示し
ｙス）パターンにおけるレジストパターン１０間隔が零
となゐパターンか寸法精度基準ノダターンム′に対応ず
ゐ箇所で６つに場合、仁の／曹ターンＬ′が転写された
寸法精度標示しジヌトΔターンの各レジストノ母ターン
票が塔上いうことは、レジストノ臂ターンが規格よｆＪ
ｏ、２ｐｍ細く形成されていることな意味する。
しかるに、フォトマスクのマヌクノ譬ターンによ）転写
されたレジストパターン（チッグノ臂ターン等□）は０
２ｊｉｍ細（形成されている仁とを評価できる。
されたレジストパターン（チッグノ臂ターン等□）は０
２ｊｉｍ細（形成されている仁とを評価できる。
し良がって、フォトマスタの寸法精度基準／量ターンに
よ珈転写された寸法精度標示レジヌトΔターンにおけ為
間隔が零の）量ターンを検出し、ζ０１４ターンに対応
するフォトマスクの予め間隔或いは重な）を設走し大寸
法精度標示レジストパターン間の距離を読み七るという
極めて簡単な操作によって、該フォトマスタのマスタノ
臂ターンによる転写／４ターンの寸法精度を簡便かつ精
度よく評価できる。
よ珈転写された寸法精度標示レジヌトΔターンにおけ為
間隔が零の）量ターンを検出し、ζ０１４ターンに対応
するフォトマスクの予め間隔或いは重な）を設走し大寸
法精度標示レジストパターン間の距離を読み七るという
極めて簡単な操作によって、該フォトマスタのマスタノ
臂ターンによる転写／４ターンの寸法精度を簡便かつ精
度よく評価できる。
なお、本発明に係る。フォトマスクの転写ノ曹ターンの
評価は上記実施例の如くレジストパターンの寸法評価に
限らない０例えば、前述し大第３図図示のフォトマスタ
を用ｉてクエ７１等の基板上のレジスト膜に転写し、レ
ジストノ譬ターンを形成し九後、該しジストΔターンを
マスクとして基板に蝕刻／々量ターン形成し、前記フォ
トマスタＯ寸法精度基準／ｆターンによ〕転写、蝕刻さ
れ九寸法精度欅示蝕刻Δターンにおける間隔が零の・り
一ンを検出し、このノ臂ターンに対応するフォトマスク
の寸法精度基準ノ臂ターン間Ｏ距離を読みとる仁とによ
って、皺フォトマスクの！スフパターンによる転写蝕刻
ノ奢ターン−（ｒ−ト電極等）の寸法精度を評価するこ
と４できる。仁の際、第１回目の写真蝕刻王権が７イー
ルド絶縁膜形成で、第２回目の写真蝕刻工程が多結晶シ
リコンのｒ−）電極形成である場合、ｒ−）電極形成の
ためのフォトマスクの寸法精度基準パターンから転写し
九寸法精度標示蝕刻／ｆターンがフィールド絶縁膜上に
形成されて、形成すぺＩｒ−）電極と同レベルの領域に
ならないと、該ｒ−）電極の寸法評価を精度よく行なえ
なくな為恐れがめる。このような場合には、フィールド
絶縁膜を形成する際、第２回目の１真蝕麹工１でのｒ−
）電極形成領域以外にも寸法精度蝕刻パターンを形成で
きゐ領域を設けておき、第２−回の７オトｉヌクによる
転写、蝕刻パターンの形成時に１寸法精度標示蝕刻／臂
ターンがｆ−）電極と同一レベルの領域に形成できるよ
うにして、ｒ−）電極の寸法評価を精度よ（行なえるよ
うにすることが望ましい。
評価は上記実施例の如くレジストパターンの寸法評価に
限らない０例えば、前述し大第３図図示のフォトマスタ
を用ｉてクエ７１等の基板上のレジスト膜に転写し、レ
ジストノ譬ターンを形成し九後、該しジストΔターンを
マスクとして基板に蝕刻／々量ターン形成し、前記フォ
トマスタＯ寸法精度基準／ｆターンによ〕転写、蝕刻さ
れ九寸法精度欅示蝕刻Δターンにおける間隔が零の・り
一ンを検出し、このノ臂ターンに対応するフォトマスク
の寸法精度基準ノ臂ターン間Ｏ距離を読みとる仁とによ
って、皺フォトマスクの！スフパターンによる転写蝕刻
ノ奢ターン−（ｒ−ト電極等）の寸法精度を評価するこ
と４できる。仁の際、第１回目の写真蝕刻王権が７イー
ルド絶縁膜形成で、第２回目の写真蝕刻工程が多結晶シ
リコンのｒ−）電極形成である場合、ｒ−）電極形成の
ためのフォトマスクの寸法精度基準パターンから転写し
九寸法精度標示蝕刻／ｆターンがフィールド絶縁膜上に
形成されて、形成すぺＩｒ−）電極と同レベルの領域に
ならないと、該ｒ−）電極の寸法評価を精度よく行なえ
なくな為恐れがめる。このような場合には、フィールド
絶縁膜を形成する際、第２回目の１真蝕麹工１でのｒ−
）電極形成領域以外にも寸法精度蝕刻パターンを形成で
きゐ領域を設けておき、第２−回の７オトｉヌクによる
転写、蝕刻パターンの形成時に１寸法精度標示蝕刻／臂
ターンがｆ−）電極と同一レベルの領域に形成できるよ
うにして、ｒ−）電極の寸法評価を精度よ（行なえるよ
うにすることが望ましい。
を大、蝕刻ノリーンを評価する場合は、７オトマヌタに
設妙られゐ寸法精度基準パターンＯ基準点の決定ＫＴｏ
大りては、エツチング変換差分を考慮して行なってもよ
い。
設妙られゐ寸法精度基準パターンＯ基準点の決定ＫＴｏ
大りては、エツチング変換差分を考慮して行なってもよ
い。
本発明に係るフォトマスクに設けられ九カクタスマータ
の寸法精度基準パターンの各ノリーン索関の距離は０．
２ｊａずつ増加させる場合に限らす、 ｏ、１ｓ職間隔
で増加させてもよい、このようにすれば、よυ精度の高
い寸法評価を行なうζ七がで１１ゐ。
の寸法精度基準パターンの各ノリーン索関の距離は０．
２ｊａずつ増加させる場合に限らす、 ｏ、１ｓ職間隔
で増加させてもよい、このようにすれば、よυ精度の高
い寸法評価を行なうζ七がで１１ゐ。
本発明に係るフォ）ｖスフの寸法精度基準パターンは上
記実施例の如く矩形パターン素の集会からなるカクタス
マークに限らず、パターン間の距離が変ったノ４ターン
ならいかなる形状でもよい。
記実施例の如く矩形パターン素の集会からなるカクタス
マークに限らず、パターン間の距離が変ったノ４ターン
ならいかなる形状でもよい。
本発Ｗ１４に係るパターン評価に用いられる基板はクエ
ハ（表面に各種の絶縁層、電極材料層が堆積され大もの
を含む）に限らず、マスク基板等にも適用できる。
ハ（表面に各種の絶縁層、電極材料層が堆積され大もの
を含む）に限らず、マスク基板等にも適用できる。
以上詳述した如く、本発明によれば従来の如（ＩＩＣＭ
等の特殊な測定装置を用いる仁となく。
等の特殊な測定装置を用いる仁となく。
レジスト・ヤターンや蝕刻パターンの寸法を極め
″て簡便かつ高精度で評価でｔ＆、ひいてはレゾスジパ
ターンの形成段階やダート電極などの蝕刻ツヤターンの
形成段階でモニタリング、修正が可能とな）、高性能の
牛導体装置を高歩留りで製造できる等顕著な効果を有す
る。
″て簡便かつ高精度で評価でｔ＆、ひいてはレゾスジパ
ターンの形成段階やダート電極などの蝕刻ツヤターンの
形成段階でモニタリング、修正が可能とな）、高性能の
牛導体装置を高歩留りで製造できる等顕著な効果を有す
る。
第１図はカクタス！−夕のマスタノ臂ターンを有するフ
ォトマスクの説明図、第２図は同フォトｉスジによ）規
格通勤乃至ずれて転写されたレゾスジパターンの説明図
、第３図は本発明の一実施例を示すフォトマスクの寸法
精度基準ノ臂ターン部分の拡大平面図、第４図は第Ｓ図
の７オ）ｗスジによ）転写畜れ大寸法精度標示レゾスジ
パターンを示す平面図である。 ム １ム〜−ム１ム′〜Ｊｊ””カタタス！−夕の寸法
精度基準パターン％ １０２〜１２０・・・″ターン素
・°−東」 ・ｌ」〜ｌｊ ＝ｕ’〜工Ｘ・・・寸法精
度標示レジスト／ｆり′−ン、２０２〜２２０・・・レ
ゾスジパターン素。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
ォトマスクの説明図、第２図は同フォトｉスジによ）規
格通勤乃至ずれて転写されたレゾスジパターンの説明図
、第３図は本発明の一実施例を示すフォトマスクの寸法
精度基準ノ臂ターン部分の拡大平面図、第４図は第Ｓ図
の７オ）ｗスジによ）転写畜れ大寸法精度標示レゾスジ
パターンを示す平面図である。 ム １ム〜−ム１ム′〜Ｊｊ””カタタス！−夕の寸法
精度基準パターン％ １０２〜１２０・・・″ターン素
・°−東」 ・ｌ」〜ｌｊ ＝ｕ’〜工Ｘ・・・寸法精
度標示レジスト／ｆり′−ン、２０２〜２２０・・・レ
ゾスジパターン素。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １６ マメタ／譬ターンを有す為と共に、骸ノ４ター
ンとは別の領域に複数の寸法精度基準ＡＩ・−ンをそれ
らΔＩ−ンＯ関間隔変えて設叶え仁と會４１１１ｍとす
るフォ・ト！スタ。 ２．４に寸法精度基＊Δパターン少なくとも一辺が互に
平行と１に為ように配置されていると共に、それら平行
辺Ｏ間隔が零とな為パターンを中心にして左右に角間隔
が！ツメ及びｉイナヌとなるようＫＩ［Ｉｌｋ配列畜れ
ていゐζ七を特徴とする特許請求４り１１ａｍ１１項記
載の７オ）Ｙヌタ。 １．４に寸法精度基準ＡＩ−、ン嬬少な（とも−辺が亙
に平行２なるように配置されて−ると共に、それら平行
辺０８１１が塔上′＆ゐ）譬ターンを中６にして左右に
岡Ｗ４１１−最小間隔Ｏ整数倍に馴次ｆ ９ Ｊ及びマ
イナｊ七なるよう複数配列され′ｃｖ＆るζ七１＊黴と
する轡許錆京Ｏ範髄菖２項記載のフォトマＡり。 ４、各寸法精度基準／ｆ−一２か矩形形状をなすことを
特徴とする特許端末０ｍ１ｌｌ第１項乃至第３１Ｘ−ず
れか記載の７オトマメタ。 Ｓ、各寸法精度基準ノ嗜メーνが長方形重大は正方形の
形状をなすζ七を特徴とする特許請求の範Ｓ第１項乃Ｍ
第３項いずれか記載の７オト！ヌク。 ６、 マヌクΔターンを有する止共に験パターンと轄別
Ｏ領域に複数の寸法精度基準パターンをそれら／４ター
ン間隔を変えて設は大７オトマヌＩｔ−用ｉて、基板上
のレジスト属に転写し、曽記寸法精縦基拳／臂メーνよ
）転写され大寸法精度標示／＃夕一νにお社る間隔が零
０／４ターンを検出し、ヒｔ）ＡＩ−νに対応するフォ
ト”ｖｘりＯ寸法精度基準パターン間の距離を読み造る
と七によって、該フォトマスタ０マスタパターンによ為
転写−ターンの寸法精度を評価す為ヒとを特徴とするＡ
ターン評価７１法・ ７、ア看トマヌタを用ｉて！１１Ｎ上０１／レスト膜に
転写し、レゾストノ臂ターンを形成した後、鋏しゾスト
ノ量ターンをマスクとして基板に蝕刻・１ターンを形成
し、前記７オ）−ｒスフの寸法精度基準ノ臂ターンによ
）転写、蝕刻され九寸法精ｆＩｌ示蝕刻ノ譬ターンにお
ける間隔が零のノリーンを検出し、このノ曹ターンに対
応するフォトマスクの寸法精度基準／譬ターンー間の距
離を読みと石ことＫよって、該フォトマスク０−ｒスク
パタ−νによる転写蝕刻・中ターンの寸法精度を評価す
ることを特徴とする特許 載の・リニン評価方法。 ８１スク／臂ターンがフィールド形成パｐ −ンである
第１７オトマヌタを用いて基板上のしＪ Ｊ ｝属κ転
写してレジストパターンを形成シ。 更に＃レジスト／４ターンに基づいてフィールド絶縁膜
を形成した後，！スクノリーンがｒ一ト電Ｉｉｌ形形成
臂ターンでＴｏ４第２フォトマスクを用いて，前記フィ
ールド絶縁膜壷★む基板上のレジスト膜Ｋｒ−｝電極形
成パターンの転写領域レベルと同一レベルの領域に該フ
ォトマスクの寸法精度基準・中ターンが転写するように
してレジスト／４ターンを形成し、ひきつづき該レジス
トパターンをマスクとしてｒ−｝電極材料層をエツチン
グしてダート電極を形成し，ｌｌｌ記第２フォトマスク
の寸法精度基準／中ターンにょ）転写、蝕刻された寸法
精度標示蝕刻パターンにおける間隔が零のパターンを検
出し、ζのノや一一ンκ対応する第２フオトマスクの寸
法精度基準／ｌターン間の距離を読みとるζとκよって
，該フォトマスクのダート形成用パターンによるｒ一ト
電極の寸法精度を評価することをｌＦ＃黴とする特許請
求の範囲第６項記載のノ９ターン評価力法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56101600A JPS582845A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | フォトマスク及びパタ−ン評価方法 |
| US06/391,297 US4433911A (en) | 1981-06-30 | 1982-06-23 | Method of evaluating measure precision of patterns and photomask therefor |
| DE19823224462 DE3224462A1 (de) | 1981-06-30 | 1982-06-30 | Verfahren zum bewerten der massgenauigkeit eines auf einem substrat ausgebildeten musters und photomaske hierfuer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56101600A JPS582845A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | フォトマスク及びパタ−ン評価方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS582845A true JPS582845A (ja) | 1983-01-08 |
| JPH0321901B2 JPH0321901B2 (ja) | 1991-03-25 |
Family
ID=14304875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56101600A Granted JPS582845A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | フォトマスク及びパタ−ン評価方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4433911A (ja) |
| JP (1) | JPS582845A (ja) |
| DE (1) | DE3224462A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58132928A (ja) * | 1982-02-03 | 1983-08-08 | Matsushita Electronics Corp | パタ−ニング寸法測定法 |
| JPS62299404A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-26 | Bridgestone Corp | 空気入りラジアルタイヤ |
| JPS647043A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Nec Corp | Photomask |
| JPH0265151A (ja) * | 1988-05-17 | 1990-03-05 | British Telecommun Plc <Bt> | ライン幅損失測定方法 |
| JPH08162513A (ja) * | 1991-11-08 | 1996-06-21 | Nec Corp | 素子寸法チェックパターン |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3305977A1 (de) * | 1983-02-21 | 1984-08-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur schnellen indirekten bestimmung von fotolacklinienbreiten bei der optischen projektionsbe lichtung |
| DE3727030A1 (de) * | 1987-08-13 | 1989-02-23 | Siemens Ag | Verfahren zur indirekten bestimmung von strukturbreiten und strukturbreitenabweichungen von lithographiemasken |
| US4908656A (en) * | 1988-01-21 | 1990-03-13 | Nikon Corporation | Method of dimension measurement for a pattern formed by exposure apparatus, and method for setting exposure conditions and for inspecting exposure precision |
| US5237393A (en) * | 1990-05-28 | 1993-08-17 | Nec Corporation | Reticle for a reduced projection exposure apparatus |
| US5280437A (en) * | 1991-06-28 | 1994-01-18 | Digital Equipment Corporation | Structure and method for direct calibration of registration measurement systems to actual semiconductor wafer process topography |
| US6529639B1 (en) * | 1992-04-21 | 2003-03-04 | Raytheon Company | Modulation transfer function characterization employing phased slit reticle |
| US5677091A (en) * | 1994-11-01 | 1997-10-14 | International Business Machines Corporation | Lithographic print bias/overlay target and applied metrology |
| KR0144489B1 (ko) * | 1995-10-04 | 1998-07-01 | 김주용 | 반도체소자의 공정결함 검사방법 |
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| DE10238835A1 (de) * | 2002-08-23 | 2004-03-11 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterchip, Chipanordnung mit zumindest zwei Halbleiterchips und Verfahren zur Überprüfung der Ausrichtung zumindest zweier übereinander liegender Halbleiterchips in einer Chipanordnung |
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Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5396674A (en) * | 1977-02-03 | 1978-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | Photo mask |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55147304A (en) * | 1979-05-04 | 1980-11-17 | Nec Corp | Monitoring method of quantity of change in shape |
-
1981
- 1981-06-30 JP JP56101600A patent/JPS582845A/ja active Granted
-
1982
- 1982-06-23 US US06/391,297 patent/US4433911A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-06-30 DE DE19823224462 patent/DE3224462A1/de active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3224462A1 (de) | 1983-01-13 |
| DE3224462C2 (ja) | 1993-05-27 |
| JPH0321901B2 (ja) | 1991-03-25 |
| US4433911A (en) | 1984-02-28 |
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