CN102569113B - 去边宽度检测方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种去边宽度检测方法，该方法包括：在晶片边缘的划片槽内进行一段预设距离的曝光，曝光的图案为多个相同的、径向等间距的对位标记，每个对位标记均包括周期性重复图形；记录一个对位标记的长度、相邻对位标记之间的间距、对位标记中一个重复图形的长度及相邻重复图形之间的间距；对晶片进行显影，显露出所述多个对位标记中的部分对位标记；计算自曝光起始位置沿径向到晶片去边边缘的距离，该距离称为显露出的对位标记的长度；所述预设距离和显露出的对位标记的长度之差即为去边宽度。本发明还提供了另一种去边宽度检测方法。通过本发明所提供的方法，能够精确检测出晶片边缘的去边宽度；且使用范围不受限制。

Description

去边宽度检测方法

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种去边宽度检测方法。

背景技术

半导体器件制造过程中，由于工艺技术的局限，晶片边缘往往是缺陷很高的地方，为了提高产品的成品率，需要在旋涂光刻胶后将晶片边缘可能造成缺陷的、特定宽度的光刻胶去掉。

去除晶片边缘特定宽度光刻胶的方法有两种，一种是EBR(Edge BeadRemoval，去除边圈)方法：在旋涂光刻胶后，光刻胶在离心力的作用下流到晶片的边缘或者背面，干燥后，这些光刻胶容易剥落并产生颗粒，从而在后续的工艺过程中成为缺陷或故障的来源，EBR方法是在光刻胶旋转涂胶器上装配一个喷嘴，从所述喷嘴内喷出少量可以去除光刻胶的溶剂到晶片的边缘及背面，利用所喷的溶剂和光刻胶相似相容的特性将光刻胶去除。另一种是WEE(Wafer Edge Exposure，晶片边缘曝光去边)方法：对晶片边缘特定宽度的光刻胶进行曝光，然后利用显影液将晶片边缘特定宽度的光刻胶去除，从而避免边缘处光刻胶转移到背面(例如，硬烤过程中光刻胶就有可能流动到背面)，使后续的工艺过程保持清洁。

上述两种方法都可用来去除晶片边缘特定宽度的光刻胶，但是，去除光刻胶的宽度(简称去边宽度)的准确度，直接影响到晶片上的有效面积，例如，当晶片为8英寸时，如果去边宽度为3毫米，则晶片上得到的有效管芯为844个，如果去边宽度为1.6毫米，则有效管芯变为860个，两者相差2％；当晶片为12英寸时，如果将去边宽度从原先的1.5毫米变为3毫米，则晶片上损失的有效面积约为1400平方毫米，且当管芯的面积越小，损失的管芯数目就越多。因此，为了准确控制实际可生产的管芯数目，需要精确检测去边宽度。

目前常用的检测去边宽度的方法有两种：第一，采用直尺或游标卡尺(统称尺子)进行测量，采用此方法测量时，鉴于尺子放在晶片上会划伤晶片表面，因此，需要将尺子悬空进行测量，参见图1，从尺子104上读取晶片101的物理边缘102和去边边缘103之间的距离。该方法一是由于尺子悬空，二是由于目测，故测量结果很不准确。第二，采用目镜带刻度的显微镜进行测量，此方法也是通过人为来读取去边宽度，因此测得的去边宽度至少有0.5mm的误差，相比一般去边宽度0.1mm的精度要求来说，该方法得到的结果也不够准确；且目镜带刻度的显微镜成本较高，使用范围受限。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种去边宽度检测方法及装置，能够准确检测出去边宽度，满足去边宽度的精度要求，且使用范围不受限制。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种去边宽度检测方法，包括：

在晶片边缘的划片槽内进行一段预设距离的曝光，曝光的图案为多个相同的、径向等间距的对位标记，每个对位标记均包括周期性重复图形；

记录一个对位标记的长度、相邻对位标记之间的间距、对位标记中一个重复图形的长度及相邻重复图形之间的间距；

对晶片进行显影，显露出所述多个对位标记中的部分对位标记；

计算自曝光起始位置沿径向到晶片去边边缘的距离，该距离称为显露出的对位标记的长度；

所述预设距离和显露出的对位标记的长度之差即为去边宽度。

优选的，所述相邻对位标记之间的间距为0，且所述相邻对位标记在与所述径向垂直的方向上相互错开。

优选的，计算自曝光起始位置沿径向到晶片去边边缘的距离，具体包括：

记录显露出的对位标记的完整个数和至多一个不完整对位标记；

计算显露出的不完整对位标记的长度；

根据所述一个对位标记的长度和显露出的对位标记的完整个数，计算得出显露出的完整个数对位标记的长度；

根据所述显露出的完整个数对位标记的长度和不完整对位标记的长度，计算得出自曝光起始位置沿径向到晶片去边边缘的距离。

优选的，计算显露出的不完整对位标记的长度具体包括：

记录不完整对位标记中显露出的重复图形的个数及重复图形之间间距的个数；

根据所述一个重复图形的长度、显露出的重复图形的个数、相邻重复图形之间的间距及显露出的重复图形之间间距的个数，计算得出显露出的不完整对位标记的长度。

优选的，本发明所提供的方法在计算得到去边宽度之后还包括：至少测量晶片边缘其他三个位置处的去边宽度，并对各去边宽度求平均值。

优选的，所述多个对位标记中靠近晶片物理边缘的对位标记一侧和晶片物理边缘之间的距离小于0.5毫米。

优选的，所述一个重复图形的长度大于2微米，且小于100微米。

优选的，所述重复图形的周期为8微米～40微米。

本发明还提供了另一种去边宽度检测方法，包括：

在晶片边缘的划片槽内进行预设距离的曝光，所述预设距离内曝光的图案为具有刻度的标尺；

对晶片进行显影，显露出部分具有刻度的标尺；

记录显露出的标尺的长度；

所述预设距离和显露出的标尺的长度之差即为去边宽度。

优选的，所述具有刻度的标尺的最小刻度大于2微米，且小于100微米。

从上述技术方案可以看出，本发明所提供的去边宽度检测方法，在晶片边缘的划片槽内进行一段预设距离的曝光，所述预设距离内曝光的图案为多个相同的、径向等间距的对位标记，且每个对位标记均包括周期性重复图形；记录一个对位标记的长度、相邻对位标记之间的间距、对位标记中一个重复图形的长度及相邻重复图形之间的间距；通过显影，洗去曝光后的光刻胶，则在晶片上显露出所述多个对位标记中的部分对位标记，根据所述预设距离和所记录的相关数据就能计算出去边宽度。由于所计算出的去边宽度精确到对位标记中重复图形的尺寸数量级，故检测结果满足去边宽度的精度要求；而且该方法由于利用光刻掩模板中的对位标记，因此通用性较强，使用范围不受限制。除此之外，本发明还提供了另一种采用具有刻度的标尺代替对位标记的去边宽度检测方法，该方法在计算去边宽度的过程中更为简单、方便。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中用尺子测量去边宽度的示意图；

图2为本发明实施例所提供的一种去边宽度检测方法流程图；

图3为本发明实施例所提供的一种曝光图案的示意图；

图4为本发明实施例所提供的另一种曝光图案的示意图；

图5为本发明实施例所提供的一种对位标记的具体结构示意图；

图6为本发明实施例所提供的另一种对位标记的具体结构示意图；

图7为本发明实施例所提供的显露出的部分对位标记的结构示意图；

图8为本发明实施例所提供的不完整对位标记的具体结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

正如背景技术部分所述，采用尺子测量晶片的去边宽度，得到的结果极不准确；采用目镜带刻度的显微镜进行测量，结果也是差强人意，且目镜带刻度的显微镜成本较高，不能普及使用。

基于此，本发明提供一种去边宽度检测方法，所述方法包括：在晶片边缘的划片槽内进行一段预设距离的曝光，曝光的图案为多个相同的、径向等间距的对位标记，每个对位标记均包括周期性重复图形；记录一个对位标记的长度、相邻对位标记之间的间距、对位标记中一个重复图形的长度及相邻重复图形之间的间距；对晶片进行显影，显露出所述多个对位标记中的部分对位标记；计算自曝光起始位置沿径向到晶片去边边缘的距离，该距离称为显露出的对位标记的长度；所述预设距离和显露出的对位标记的长度之差即为去边宽度。

下面结合附图详细说明本发明所提供的去边宽度检测方法。

参见图2，图2为本发明实施例所提供的一种去边宽度检测方法流程图，所述方法具体包括如下步骤：

步骤S1：在晶片边缘的划片槽内进行一段预设距离的曝光，曝光的图案为多个相同的、径向等间距的对位标记，每个对位标记均包括周期性重复图形。

在半导体器件制作过程中，晶片上层与层之间需要相互对准，这就要求在晶片的划片槽内形成具有位置对准功能或作为参考位置对齐的对位标记，从而实现层与层之间精确地对齐。发明人基于此，利用所述对位标记来检测晶片边缘的去边宽度。

本发明所提供的去边宽度检测方法，可以检测由WEE或EBR形成的去边宽度，下面详细介绍采用WEE方法去边后去边宽度的检测过程。

采用WEE方法去除晶片边缘特定宽度的光刻胶时，首先需要对涂有光刻胶的晶片进行边缘曝光，利用相应的掩模板使曝光区域为晶片边缘特定宽度的环形区域，曝光后进行显影，除去所述环形区域的光刻胶，即完成去除边缘特定宽度光刻胶的目的。

优选的，本步骤在上述WEE方法中的曝光步骤之后进行，即首先利用相应的掩膜板对晶片边缘特定宽度的环形区域进行曝光，随后进行第二次曝光，此次曝光为在晶片边缘的划片槽内进行一段预设距离的曝光，参考图3，所述预设距离d内曝光的图案为多个相同的、径向等间距的对位标记31，每个对位标记31均包括周期性重复图形。这里，所述预设距离d为从开始曝光的起始位置(即第一个对位标记31的位置)沿晶片径向到晶片物理边缘102的距离，所述晶片物理边缘102为晶片实体的边缘。在利用步进光刻机进行曝光时，可以记录晶片上每一点的坐标，由于一般晶片的半径是已知的，且晶片的中心一般位于坐标原点处，故根据开始曝光时起始位置处的坐标即可得出所述预设距离d的长度。

所述预设距离d内曝光的图案为多个形状相同的、径向等间距的对位标记31。在曝光过程中，可利用现有的其上具有一个对位标记31图形的掩模板，再利用四个挡板将所述掩膜板上对位标记31图形之外的区域挡住，只留有所述对位标记31图形的区域，这样在曝光的时候，所述光照只能从所述对位标记31图形的区域穿透过去，从而完成一个对位标记31图形的曝光。接着步进光刻机步进一定距离，继续曝光。曝光直至最后一个对位标记31的接近晶片物理边缘102的一侧和晶片物理边缘102之间的距离小于0.5mm，因为一般的去边宽度(晶片物理边缘102和去边边缘103之间的距离)均大于0.5mm，为了使得晶片边缘的环形区域内存在对位标记31，故使得所述多个对位标记31中靠近晶片物理边缘102的对位标记31，其靠近晶片物理边缘102的一侧和晶片物理边缘102之间的距离小于0.5mm，这样就保证了所述环形区域内必然存在曝光的图案。

本发明所提供的实施例中，较优的曝光图案如图4所示，图中示出了相邻对位标记41之间的间距为0，且相邻对位标记41在与径向垂直的方向上相互错开，即曝光形成的多个对位标记41成两排排列，相邻的对位标记41成对角分布。在相邻对位标记41之间的间距为0时，如果相邻对位标记41没有相互错开，那么将不能把相邻对位标记41分离开来，从而影响后续的计算过程。

当然，本步骤也可以在采用WEE方法去边完成后进行，即在对晶片边缘的环形区域曝光、显影后，再执行步骤S1。这里，在所述环形区域内再次进行曝光以及进行步骤S3的显影，所述环形区域内无任何变化，但不影响最终去边宽度的检测结果。

步骤S2：记录一个对位标记的长度、相邻对位标记之间的间距、对位标记中一个重复图形的长度及相邻重复图形之间的间距。

在利用步进光刻机进行曝光的时候，一般对位标记的长度是已知的，根据步进光刻机步进的距离可得知相邻对位标记之间的间距，所述对位标记中一个重复图形的长度及相邻重复图形之间的间距也是已知的。

参考图5和图6，图5和图6中分别示出了两种不同对位标记中不同重复图形的示意图。需要说明的是，在进行一次去边宽度检测过程中，应该使用同一种对位标记。

图5中所示对位标记的长度a为440μm，细条11为该对位标记中的一个重复图形，细条11的宽度(在相邻重复图形的间距方向上的长度)为8.8μm，相邻细条11之间的间距为8μm，即重复图形的周期为16.8μm。图6中所示对位标记的长度b为173μm，方块12为该对位标记中的一个重复图形，方块12的长度为4.5μm，相邻方块12之间的间距为8μm，即重复图形的周期为12.5μm。

在具体曝光过程中，曝光图案属于哪种类型的对位标记，就将相应类型对位标记的相关数据记录下来，即将属于该对位标记类型的一个对位标记的长度、相邻对位标记之间的间距、对位标记中一个重复图形的长度及相邻重复图形之间的间距记录下来。

步骤S3：对晶片进行显影，显露出所述多个对位标记中的部分对位标记。

对晶片进行显影，步骤S1中所述曝光图案(即所述多个对位标记)对应的光刻胶被显影液洗去。如果步骤S1是在WEE曝光后、显影前进行的，则此步骤中所述显影液洗去的光刻胶除了所述多个对位标记对应的光刻胶外，还有所述晶片边缘曝光的环形区域所对应的光刻胶。如果步骤S1是在WEE曝光、显影后进行的，则此步骤中所述显影液洗去的仅是晶片去边边缘以内的多个对位标记对应的光刻胶。参见图7，无论哪种情况，结果均是：所述晶片边缘环形区域内的光刻胶被去除了，晶片上除去所述环形区域之外的区域上对位标记41对应的光刻胶被去除了，图中阴影部分为显影后未被去除的光刻胶，阴影部分之外的区域上的光刻胶均被去除了(图中只示出了晶片边缘的部分区域)，从而在所述晶片上除去环形区域之外的区域上显露出部分对位标记41的图形。

步骤S4：计算自曝光起始位置沿径向到晶片去边边缘的距离，该距离称为显露出的对位标记的长度。

对于图3所示的对位标记，所述显露出的对位标记的长度包括：多个完整个数的对位标记和多个完整个数的对位标记的间距，还包括至多一个不完整对位标记或至多一个不完整对位标记的间距。如果存在不完整对位标记的间距，则在计算时，可利用步进光刻机通过检测坐标来计算所述不完整对位标记的间距，进而完成后续的计算工作。对于图4所示的对位标记，所述显露出的对位标记的长度包括：多个完整个数的对位标记和至多一个不完整对位标记。

现以图4所示的对位标记为例来进行详细说明，则该步骤又可包括如下几个步骤：

步骤S41：记录显露出的对位标记的完整个数和至多一个不完整对位标记。

晶片上除去所述边缘环形区域之外的区域上显露出所述多个对位标记中的部分对位标记。记录显露出的对位标记的完整个数和至多一个不完整对位标记。具体记录的结果，可通过数数来实现，也可以通过坐标计算来实现。如图7所示，图中示出了显露着的对位标记41的完整个数为6，以及一个不完整对位标记。

步骤S42：计算显露出的不完整对位标记的长度。

此步骤又可包括如下几个步骤：

步骤S421：记录不完整对位标记中显露出的重复图形的个数及显露出的重复图形之间间距的个数。

如果存在一个不完整对位标记，则在光学显微镜下观察所述不完整对位标记。参见图8，记录所述不完整对位标记中显露出的重复图形12的完整个数和显露出的重复图形12之间间距的完整个数，如果存在一个不完整重复图形12或一个不完整重复图形12的间距，则将所述不完整重复图形12或不完整重复图形12的间距也记录下来，即步骤S421中的“个数”可以为整数，也可以为小数。图8中示出了多个完整个数的重复图形12和重复图形12的间距，还包括一个不完整重复图形12，所述不完整重复图形12被晶片去边边缘103给截断了。由于所述不完整对位标记中的重复图形12需要在光学显微镜下观察，故重复图形12的最小尺寸应大于2μm，以便能够识别。又由于测量去边宽度的精度应该满足一般的WEE去边宽度的精度(0.1mm)要求，因此，重复图形12的最大尺寸应小于100μm。优选的，可以设置重复图形12的周期在8μm～40μm之间，由于重复图形的尺寸应小于或等于重复图形的周期，故此种情况下，所述重复图形的尺寸也处于8μm～40μm之间。考虑到重复图形12的尺寸在微米数量级，因此，图8中所示的晶片去边边缘103可以近似看成直线。

步骤S422：根据所述一个重复图形的长度、显露出的重复图形的个数、相邻重复图形之间的间距及显露出的重复图形之间间距的个数，计算得出显露出的不完整对位标记的长度。

所述一个重复图形的长度乘以所述显露出的重复图形的完整个数，即为显露出的完整个数重复图形的总长度；所述相邻重复图形之间的间距乘以所述显露出的重复图形之间间距的完整个数，即为显露出的完整个数重复图形间距的总长度。如果存在一个不完整重复图形或一个不完整重复图形的间距，则需要估读出所述不完整重复图形或不完整重复图形的间距的长度，考虑到所述不完整重复图形或不完整重复图形的间距均在微米数量级，故估读出的数据不会影响最终去边宽度的精确性。所述显露出的完整个数重复图形的总长度、完整个数重复图形间距的总长度和所估读的数据(如果存在一个不完整重复图形或一个不完整重复图形的间距)之和，即为所述显露出的不完整对位标记的长度。

如果不存在不完整对位标记，则步骤S42不予考虑。

步骤S43：根据所述一个对位标记的长度和显露出的对位标记的完整个数，计算得出显露出的完整个数对位标记的长度。

所述一个对位标记的长度乘以显露出的对位标记的完整个数，即为所述显露出的完整个数对位标记的长度。

步骤S42和步骤S43的顺序可以互换。

步骤S44：根据所述显露出的完整个数对位标记的长度和不完整对位标记的长度，计算得出自曝光起始位置沿径向到晶片去边边缘的距离。

在图7中，所述完整个数对位标记的长度和不完整对位标记的长度之和，即为自曝光起始位置沿径向到晶片去边边缘的距离L，该距离L称为显露出的对位标记的长度。

步骤S5：所述预设距离和显露出的对位标记的长度之差即为去边宽度。

参见图7，用预设距离d减去显露出的对位标记的长度L，即可得到晶片边缘的去边宽度。

上面详细介绍了采用WEE方法去边后去边宽度的检测过程，对于依靠EBR方法形成的去边宽度，同样可采用上述方法进行测量。测量依靠EBR方法得到的去边宽度，等同于，依靠WEE方法对晶片边缘的环形区域曝光、显影后再执行步骤S1，进而测量去边宽度。

在测量出晶片上某一径向对应的去边宽度之后，为了使得计算结果更加准确、可靠，还可以测量晶片上其他三个不同径向对应的去边宽度，最后对各去边宽度求和、取平均值，这样得到的测量结果更为准确，而且可以判断晶片各边缘去边宽度的均匀性。

从上述实施例可以看出，本发明通过在晶片边缘的划片槽内沿径向方向进行一段预设距离的曝光，所曝光的图案为多个相同的、径向等间距的对位标记，每个对位标记均由周期性重复图形组成；一个对位标记的长度、相邻对位标记之间的间距、对位标记中一个重复图形的长度及相邻重复图形之间的间距很容易得知；对曝光的晶片进行显影，去除曝光后的光刻胶，在晶片上显露出所述多个对位标记中的部分对位标记；根据相关数据计算自曝光起始位置沿径向到晶片去边边缘的距离，该距离称为显露出的对位标记的长度，所述预设距离和显露出的对位标记的长度之差即为去边宽度。由本发明所提供的检测方法得到的去边宽度满足一般WEE去边宽度的精度要求；且该方法利用光刻掩膜板中的对位标记来实现去边宽度的检测，故通用性强，使用范围不受限制。

本发明还提供了另一种去边宽度检测方法，该方法采用具有刻度的标尺代替上述方法中的对位标记，该方法具体包括：

步骤S11：在晶片边缘的划片槽内进行预设距离的曝光，所述预设距离内曝光的图案为具有刻度的标尺。

相比步骤S1而言，此步骤中所述曝光的图案为具有刻度的标尺，因此，此方法中也省略了对应于步骤S2的步骤。

步骤S12：对晶片进行显影，显露出部分具有刻度的标尺。

步骤S13：记录显露出的标尺的长度。

步骤S14：所述预设距离和显露出的标尺的长度之差即为去边宽度。

本方法中所述具有刻度的标尺的最小刻度应大于2微米，满足在光学显微镜下能够被识别；且小于100微米，满足一般去边宽度的精度要求。

本发明所提供的第二种去边宽度检测方法，由于采用具有刻度的标尺代替对位标记，因此可直接从标尺上读取显露出的标尺的长度，相比第一种方法来说更为简单、方便，且能够满足去边宽度的精度要求，使用范围也不受限制。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (9)

1.一种去边宽度检测方法，其特征在于，包括：

对涂有光刻胶的晶片边缘特定宽度的环形区域进行曝光；在所述晶片边缘的划片槽内进行一段预设距离的曝光，曝光的图案为多个相同的、径向等间距的对位标记，每个对位标记均包括周期性重复图形；

记录一个对位标记的长度、相邻对位标记之间的间距、对位标记中一个重复图形的长度及相邻重复图形之间的间距；

对晶片进行显影，显露出所述多个对位标记中的部分对位标记；

计算自曝光起始位置沿径向到晶片去边边缘的距离，该距离称为显露出的对位标记的长度；

所述预设距离和显露出的对位标记的长度之差即为去边宽度；

其中，所述多个对位标记中靠近晶片物理边缘的对位标记一侧和晶片物理边缘之间的距离小于0.5毫米。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述相邻对位标记之间的间距为0，且所述相邻对位标记在与所述径向垂直的方向上相互错开。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，计算自曝光起始位置沿径向到晶片去边边缘的距离，具体包括：

记录显露出的对位标记的完整个数和至多一个不完整对位标记；

计算显露出的不完整对位标记的长度；

根据所述一个对位标记的长度和显露出的对位标记的完整个数，计算得出显露出的完整个数对位标记的长度；

根据所述显露出的完整个数对位标记的长度和不完整对位标记的长度，计算得出自曝光起始位置沿径向到晶片去边边缘的距离。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，计算显露出的不完整对位标记的长度具体包括：

记录不完整对位标记中显露出的重复图形的个数及重复图形之间间距的个数；

根据所述一个重复图形的长度、显露出的重复图形的个数、相邻重复图形之间的间距及显露出的重复图形之间间距的个数，计算得出显露出的不完整对位标记的长度。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，计算得到去边宽度之后还包括：至少测量晶片边缘其他三个位置处的去边宽度，并对各去边宽度求平均值。

6.根据权利要求1～5任一项所述的方法，其特征在于，所述一个重复图形的长度大于2微米，且小于100微米。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述重复图形的周期为8微米～40微米。

8.一种去边宽度检测方法，其特征在于，包括：

对涂有光刻胶的晶片边缘特定宽度的环形区域进行曝光；在所述晶片边缘的划片槽内进行预设距离的曝光，所述预设距离内曝光的图案为具有刻度的标尺；

对晶片进行显影，显露出部分具有刻度的标尺；

记录显露出的标尺的长度；

所述预设距离和显露出的标尺的长度之差即为去边宽度。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述具有刻度的标尺的最小刻度大于2微米，且小于100微米。