CN101174573A - 一种用于边缘球状物去除检测的测试晶圆及检测方法 - Google Patents
一种用于边缘球状物去除检测的测试晶圆及检测方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101174573A CN101174573A CNA2006101179866A CN200610117986A CN101174573A CN 101174573 A CN101174573 A CN 101174573A CN A2006101179866 A CNA2006101179866 A CN A2006101179866A CN 200610117986 A CN200610117986 A CN 200610117986A CN 101174573 A CN101174573 A CN 101174573A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- edge bead
- test
- wafer
- test wafer
- edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
本发明提供的一种用于边缘球状物去除(EBR)检测的测试晶圆及检测方法涉及边缘球状物去除工艺的检测。现有的检测方法存在测量结果不精确及容易造成晶圆污染等问题。本发明的用于边缘球状物去除检测的测试晶圆，其上下左右四个方位的边缘处设有四组标记，每组标记由数个测试标记组成，每个测试标记具有均匀的刻度。其中，测试标记的刻度的线宽可由边缘球状物去除精度决定。利用本发明的测试晶圆及检测方法，不仅能方便、快速地测量出边缘球状物去除的宽度，而且能直观地判断出是否存在偏移，此外，还能避免检测过程中对晶圆造成的污染。
Description
技术领域
本发明涉及边缘球状物去除工艺的检测，特别涉及一种用于检测边缘球状物去除宽度和偏移程度的测试晶圆以及检测方法。
背景技术
在晶圆的光阻涂布过程中，由于旋转产生的离心力的作用，使得晶圆上的光阻液逐渐往晶圆边缘散布，导致光阻液累积在晶圆的边缘形成突起残留，进而导致后续工艺的污染状况。为了去除累积于晶圆边缘的光阻残留，通常加入一道边缘球状物去除(Edge Bean Removal，EBR)步骤，俗称洗边，来去除晶圆边缘的光阻残留。
洗边制程主要是由机台控制，采用特殊的洗边溶液，喷洒在晶圆边缘的洗边区域内，以溶解光阻残余。洗边的宽度可根据不同的工艺要求预先在机台上设定。然而，由于机台机械控制系统可能存在误差，使得洗边溶液的喷洒无法确保在晶圆边缘的各个方向上都保持均匀，导致洗边的宽度与设定值不一致，或者洗边区域在晶圆上产生不对称的偏移。因此，在完成洗边步骤后还需要通过检测来判断该洗边步骤是否符合工艺要求。
现有的检测方法主要是利用标尺来测量洗边的宽度，其测量结果并不精确，而且无法直观地判断出洗边位置是否存在偏移，除此之外，采用标尺测量也容易造成晶圆的污染。因此，迫切需要一种既方便又直观的EBR检测方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于边缘球状物去除检测的测试晶圆及检测方法，通过该方法不仅能方便、快速地测量出边缘球状物去除的宽度，而且能直观地判断出是否存在偏移，此外，还能避免检测过程中对晶圆造成的污染。
本发明的目的是这样实现的：一种用于边缘球状物去除检测的测试晶圆，其实质性特点在于：所述测试晶圆上下左右四个方位的边缘处分别设有一组标记，每组标记由数个测试标记组成，每个测试标记具有均匀的刻度。
在上述的用于边缘球状物去除检测的测试晶圆中，每组标记的数个测试标记的中心排列在一条直线上，且该直线穿过测试晶圆的中心。
在上述的用于边缘球状物去除检测的测试晶圆中，所述的四组标记关于测试晶圆的中心对称。
在上述的用于边缘球状物去除检测的测试晶圆中，所述测试标记的刻度的线宽，根据边缘球状物去除精度设定。
本发明的另一方案是提供一种用于边缘球状物去除检测的测试晶圆，其实质性特点在于：所述测试晶圆上下左右四个方位的边缘处分别设有一组切向的平行刻度线，所述的刻度线是连续且均匀分布的，并且每间隔一定数量的刻度线设置一根较长的刻度线。
本发明的又一方案是提供一种边缘球状物去除检测方法，其实质性特点在于，所述的方法包括下列步骤：(1)在测试晶圆上下左右四个方位的边缘处分别设置一组标记，每组标记由数个测试标记组成，每个测试标记具有均匀的刻度；(2)将测试晶圆放在机台上进行边缘球状物去除；(3)取下测试晶圆，测量边缘球状物去除宽度和偏移程度。
在上述的边缘球状物去除检测方法中，还包括：根据步骤(3)的测量结果调整边缘球状物去除参数以满足工艺要求。
本发明的用于边缘球状物去除检测的测试晶圆及检测方法，在测试晶圆的四个方位分别设置测试标记，由于这些测试标记具有特定线宽的均匀刻度，并且关于测试晶圆的中心对称，因此，在边缘球状物去除步骤完成后，只需根据刻度即可计算出边缘去除宽度，并可根据比较各方位上的测试标记判断是否存在不对称的位置偏移。测量过程可通过ADI测试机台或人眼来完成，不会对晶圆造成任何污染。
附图说明
本发明测试晶圆的具体结构及检测方法由以下的实施例及附图给出。
图1为本发明测试晶圆的结构示意图；
图2为本发明检测方法的流程图；
图3为经过边缘球状物去除步骤后的测试晶圆的结构示意图；
图4为本发明测试晶圆的另一种改良型结构示意图。
具体实施方式
以下将结合附图对本发明的用于边缘球状物去除检测的测试晶圆及检测方法作进一步的详细描述。
如图1、图2所示，本发明的边缘球状物去除检测方法主要按以下步骤进行：首先，通过上光阻、曝光、刻蚀等工艺在测试晶圆上下左右四个方位的边缘处设置四组标记2a、2b、2c、2d，每组标记由数个测试标记组成，每个测试标记具有均匀的刻度(步骤S10)。接着，将刻有测试标记的测试晶圆放在机台上进行边缘球状物去除(步骤S20)。待反应完毕后取下测试晶圆，并测量边缘球状物去除宽度和偏移程度。(步骤S30)。于本发明的实施例中，采用现有的对准标记作为测试标记，从而无需另外制作掩模。该测试标记的具体结构如图1中的放大部分所示，每个测试标记包含两组x向标记、两组y向标记和一个中心位置标记，x向和y向标记的刻度线宽相同，刻度线宽D可根据边缘球状物去除精度设置。六个测试标记沿轴向排列形成一组标记，四组标记2a、2b、2c、2d关于测试晶圆的中心o对称。
下面结合图3具体说明边缘球状物去除宽度和偏移程度的测量方式。于本实施例中，采用了与图1不同的测试标记。每个标记由四组平行刻度和一个中心位置标记(十字刻线)组成。每条刻度的线宽设定为10μm，刻度与刻度间的距离以及相邻两个测试标记间的距离也设为10μm。一组平行刻度具有10条刻度线，则一个测试标记的宽度为410μm。最外侧的测试标记与晶圆边缘的距离为500μm。
图3显示了经过边缘球状物去除后的测试晶圆的标记结构。假设根据工艺要求，边缘球状物去除宽度设定为1mm，则在理想情况下，边缘去除位置应当落在从外向内的第二个测试标记(如图中放大部分所示)的虚箭头所指的位置。然而，由于误差导致了实际的边缘去除位置为图中实箭头所指的位置，通过ADI测试机台或人眼来测量实际位置与理想位置的偏移刻度数，即可方便地计算出边缘球状物去除宽度和偏移程度，且该测量过程不会对晶圆1造成任何污染。
按照图3所示的情况，实际的边缘去除位置与理想位置相比，在+x轴上往中心o偏移了一个刻度(20μm)；在-x轴上向外偏移了三个刻度(60μm)；在+y和-y轴上均往中心o偏移了两个刻度(40μm)。根据测量结果进行分析可知：该边缘球状物去除制程比预设的边缘去除宽度1mm增加了40μm，即实际的边缘去除宽度为1.04mm，并且边缘球状物去除位置在-x方向上有40μm的偏移。
采用本发明的测试晶圆和测试方法可以有效提高测量精度。于本实施例中，边缘去除宽度设定为1mm，刻度的线宽为10μm，则测量误差可以控制在±0.01mm以内，比现有的标尺测量方法的精度提高了10倍。如果测得的结果与预定值之间的误差较大，则可根据测量结果有针对性地对机台的设置参数进行调整，使得边缘球状物去除宽度及位置可以满足工艺要求。
图4显示了本发明测试晶圆的另一种改良型结构，在测试晶圆1上下左右四个方位的边缘处设置四组切向的平行刻度线3a、3b、3c、3d，这些刻度线沿轴向连续、均匀地排列。刻度线的线宽及相邻刻度间的距离可根据边缘球状物去除精度进行设置，每间隔一定数量的刻度线设置一根较长的刻度线以辅助读数。于本实施例中，刻度线的宽度和相邻刻度间的距离都设置为10μm，每隔9条刻度线设置一条长刻度线(如图中放大部分所示)，则相邻两条长刻度线间的距离为200μm。采用这种标记结构也能方便、准确地计算出边缘球状物去除宽度和偏移程度。作为图4中标记结构的等效替换，也可通过间隔一定数量的刻度线设置一条粗刻度线，或保留一定间距等方法来辅助读数。
由于不同工艺所要求的边缘球状物去除宽度有所不同，同一片标准测试晶圆可以反复使用，例如在做完1mm的测试后再做2mm的测试。或者通过刻蚀光阻去除步骤来重复使用标准测试晶圆，对测量结果不会产生任何影响。
精确的EBR量测有助于提升晶圆的生产良率，特别是在0.18μm以下的制程工艺，因此对准确度的要求也非常严苛。
Claims (10)
1.一种用于边缘球状物去除检测的测试晶圆，其特征在于：所述测试晶圆上下左右四个方位的边缘处分别设有一组标记，每组标记由数个测试标记组成，每个测试标记具有均匀的刻度。
2.如权利要求1所述的用于边缘球状物去除检测的测试晶圆，其特征在于：每组标记的数个测试标记的中心排列在一条直线上，且该直线穿过测试晶圆的中心。
3.如权利要求1所述的用于边缘球状物去除检测的测试晶圆，其特征在于：所述的四组标记关于测试晶圆的中心对称。
4.如权利要求1所述的用于边缘球状物去除检测的测试晶圆，其特征在于：所述测试标记的刻度的线宽，根据边缘球状物去除精度设定。
5.一种用于边缘球状物去除检测的测试晶圆，其特征在于：所述测试晶圆上下左右四个方位的边缘处分别设有一组切向的平行刻度线，所述的刻度线是连续且均匀分布的，并且每间隔一定数量的刻度线设置一根较长的刻度线。
6.一种边缘球状物去除检测方法，其特征在于，所述的方法包括下列步骤：
(1)在测试晶圆上下左右四个方位的边缘处分被设置一组标记，每组标记由数个测试标记组成，每个测试标记具有均匀的刻度；
(2)将测试晶圆放在机台上进行边缘球状物去除；
(3)取下测试晶圆，测量边缘球状物去除宽度和偏移程度。
7.如权利要求6所述的边缘球状物去除检测方法，其特征在于，所述的方法还包括：根据步骤(3)的测量结果调整边缘球状物去除参数以满足工艺要求。
8.如权利要求6所述的边缘球状物去除检测方法，其特征在于：每组标记的数个测试标记的中心排列在一条直线上，且该直线穿过测试晶圆的中心。
9.如权利要求6所述的边缘球状物去除检测方法，其特征在于：所述的四组标记关于测试晶圆的中心对称。
10.如权利要求6所述的边缘球状物去除检测方法，其特征在于：所述测试标记的刻度的线宽，根据边缘球状物去除精度设定。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2006101179866A CN100527375C (zh) | 2006-11-03 | 2006-11-03 | 一种用于边缘球状物去除检测的测试晶圆及检测方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2006101179866A CN100527375C (zh) | 2006-11-03 | 2006-11-03 | 一种用于边缘球状物去除检测的测试晶圆及检测方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101174573A true CN101174573A (zh) | 2008-05-07 |
| CN100527375C CN100527375C (zh) | 2009-08-12 |
Family
ID=39422968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2006101179866A Expired - Fee Related CN100527375C (zh) | 2006-11-03 | 2006-11-03 | 一种用于边缘球状物去除检测的测试晶圆及检测方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100527375C (zh) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101546720A (zh) * | 2009-04-09 | 2009-09-30 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种孔内光刻胶残余的检测方法以及相应的孔条宽测量方法 |
| CN101750038B (zh) * | 2008-12-15 | 2012-06-20 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于边缘检测的测试晶圆及晶圆边缘检测方法 |
| CN102569113A (zh) * | 2010-12-09 | 2012-07-11 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 去边宽度检测方法 |
| CN102591158A (zh) * | 2012-02-21 | 2012-07-18 | 西安中为光电科技有限公司 | 一种精确测量wee宽度的方法 |
| CN102136409B (zh) * | 2010-01-27 | 2012-12-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种在晶圆上制作定位标记的方法 |
| CN105448891A (zh) * | 2014-08-07 | 2016-03-30 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种去边宽度的监测晶圆及其制作方法 |
| CN106601647A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-04-26 | 南通通富微电子有限公司 | 一种半导体用涂布机及中心测校方法 |
| CN108666244A (zh) * | 2018-05-15 | 2018-10-16 | 长江存储科技有限责任公司 | 斜面刻蚀装置及晶圆刻蚀方法 |
| CN109183105A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-11 | 上海华力微电子有限公司 | 一种校正及监测铜电镀中洗边位置的方法 |
| CN111123653A (zh) * | 2019-12-06 | 2020-05-08 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种测量盘及偏心值测量方法 |
-
2006
- 2006-11-03 CN CNB2006101179866A patent/CN100527375C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101750038B (zh) * | 2008-12-15 | 2012-06-20 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于边缘检测的测试晶圆及晶圆边缘检测方法 |
| CN101546720A (zh) * | 2009-04-09 | 2009-09-30 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种孔内光刻胶残余的检测方法以及相应的孔条宽测量方法 |
| CN101546720B (zh) * | 2009-04-09 | 2013-10-09 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种孔内光刻胶残余的检测方法以及相应的孔条宽测量方法 |
| CN102136409B (zh) * | 2010-01-27 | 2012-12-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种在晶圆上制作定位标记的方法 |
| CN102569113B (zh) * | 2010-12-09 | 2014-11-05 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 去边宽度检测方法 |
| CN102569113A (zh) * | 2010-12-09 | 2012-07-11 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 去边宽度检测方法 |
| CN102591158A (zh) * | 2012-02-21 | 2012-07-18 | 西安中为光电科技有限公司 | 一种精确测量wee宽度的方法 |
| CN105448891A (zh) * | 2014-08-07 | 2016-03-30 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种去边宽度的监测晶圆及其制作方法 |
| CN106601647A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-04-26 | 南通通富微电子有限公司 | 一种半导体用涂布机及中心测校方法 |
| CN106601647B (zh) * | 2016-12-29 | 2020-02-14 | 南通通富微电子有限公司 | 一种半导体用涂布机及中心测校方法 |
| CN108666244A (zh) * | 2018-05-15 | 2018-10-16 | 长江存储科技有限责任公司 | 斜面刻蚀装置及晶圆刻蚀方法 |
| CN109183105A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-11 | 上海华力微电子有限公司 | 一种校正及监测铜电镀中洗边位置的方法 |
| CN111123653A (zh) * | 2019-12-06 | 2020-05-08 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种测量盘及偏心值测量方法 |
| CN111123653B (zh) * | 2019-12-06 | 2023-09-08 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种测量盘及偏心值测量方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100527375C (zh) | 2009-08-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100527375C (zh) | 一种用于边缘球状物去除检测的测试晶圆及检测方法 | |
| EP2458441A3 (en) | Measuring method, apparatus and substrate | |
| CN105698686A (zh) | 一种裂缝测宽仪示值误差检测装置及方法 | |
| CN105571461A (zh) | 一种精密锥孔精度测量方法 | |
| CN103640349A (zh) | 晶硅太阳能电池的二次印刷对位方法 | |
| US4863548A (en) | Test pattern for use monitoring variations of critical dimensions of patterns during fabrication of semiconductor devices | |
| CN101650170B (zh) | 晶圆表面粗糙度检测方法 | |
| CN105865389B (zh) | 一种微纳米标准样板及其循迹方法 | |
| CA2649933C (en) | Calibration element for calibrating the magnification ratio of a camera, and a calibration method | |
| CN113804696B (zh) | 一种棒材表面缺陷尺寸面积确定方法 | |
| CN113515007A (zh) | 掩膜版及掩膜版质量测试方法 | |
| CN104482831B (zh) | 一种孔系内高精度槽宽及槽深测量方法 | |
| CN102867762B (zh) | 一种量测晶圆检测机台稳定性和精确性的监控方法 | |
| CN102554703A (zh) | 具有平衡加工余量的铸件初基准加工方法 | |
| CN204514300U (zh) | 自动检测阻焊厚度的设备 | |
| CN108120409B (zh) | 膜厚测量装置及膜厚测量方法 | |
| CN105091710A (zh) | 一种检测坩埚内宽的方法及装置 | |
| CN108406442A (zh) | 光栅尺性能检测方法和系统 | |
| CN209069158U (zh) | 一种符合人机工程学的快速取样锥孔检测装置 | |
| CN209541626U (zh) | 一种用于不规则水管检测的工装检具 | |
| CN113109997A (zh) | 测量外延前后光刻套刻误差的方法及结构 | |
| CN102569113A (zh) | 去边宽度检测方法 | |
| CN100538255C (zh) | 一种运用于元件的微细尺寸机上测量的方法及系统 | |
| CN110864637A (zh) | 基于桁架机械手平台的表盘高度及表盘表面平整度判定方法 | |
| CN218566383U (zh) | 一种滤棒端面质检工具 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (BEIJING |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20111118 Address after: 201203 No. 18 Zhangjiang Road, Shanghai Co-patentee after: Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation Patentee after: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation Address before: 201203 No. 18 Zhangjiang Road, Shanghai Patentee before: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090812 Termination date: 20181103 |